CN101298665A - 用于平面显示器的化学气相沉积装置 - Google Patents

用于平面显示器的化学气相沉积装置 Download PDF

Info

Publication number
CN101298665A
CN101298665A CNA2008100945000A CN200810094500A CN101298665A CN 101298665 A CN101298665 A CN 101298665A CN A2008100945000 A CNA2008100945000 A CN A2008100945000A CN 200810094500 A CN200810094500 A CN 200810094500A CN 101298665 A CN101298665 A CN 101298665A
Authority
CN
China
Prior art keywords
reaction chamber
loader
chemical vapor
cooling
vapor deposition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2008100945000A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101298665B (zh
Inventor
李相琝
张祥来
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SFA Engineering Corp
Original Assignee
SFA Engineering Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SFA Engineering Corp filed Critical SFA Engineering Corp
Publication of CN101298665A publication Critical patent/CN101298665A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101298665B publication Critical patent/CN101298665B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support

Abstract

本发明为一种用于平面显示器的化学气相沉积装置，包括：对平面显示器实施沉积加工的一反应室，一安装在反应室中的承载器，其举起且承载所述的平面显示器在其上表面，以及一位于所述的反应室外壁上的强制冷却部，通过冷却反应室的外壁来降低反应室内部的温度，强制冷却在沉积加工中被加热的承载器。因为承载器被强制冷却使得承载器的温度能在相当短的时间内降低至一适当值。所述的化学气相沉积装置的保养与维护时间能缩短，且化学气相沉积装置的生产力与运作效率增加，加工损失的产生减少，安装与保养/维修工作简单化，防止在反应室中产生粒子，及减轻承载器因为突然的热散失所造成的冲击，且防止承载器因为突然的温度不平衡而产生裂缝。

Description

用于平面显示器的化学气相沉积装置
技术领域
本发明涉及的是一种气相沉积装置，特别涉及的是一种用于平面显示器的化学气相沉积装置，其中承载器(susceptor)会被强制冷却，使得其温度可在一相当短的时间内降低至一适当程度。
背景技术
平面显示器是被广泛地使用在个人携带式终端机、电视或计算机显示器。平面显示器包括很多种类例如液晶显示器(LCDs)、电浆显示面板(PDPs)，以及有机发光二极管(OLEDs)。在这些平面显示器中，LCD是由于两片薄上下玻璃基板之间注入作为中间物质的液晶(处在固态与液态之间)所形成，且LCD是一种使用光学切换现象的装置，其中数字或影像是通过使用上下玻璃基板间的电压差来改变液晶分子配置以产生亮暗来显示。
LCD是广泛使用在电子装置，例如电子钟、电子计算器、电视、桌上型计算机以及车辆与飞机上的转速计。
一般来说，LCD电视的屏幕大小可达20-30时而显示器可达17时或17时以下。近年来，消费者对于超过40时的大型电视与超过20时的大型显示器有着较大兴趣。因此，LCD制造商需要制造出较大的玻璃基板。近年来，所谓第八代玻璃基板(约2x2米的大小)的量产是正在研发中。
通过一连串的加工，包括TFT加工：其中反复地进行沉积、微影、蚀刻、化学气相沉积、用在结合上下玻璃基板的液晶胞加工，以及完成产品的模块化加工，LCD是被制造出且最终进入市场。
在一连串加工中的化学气相沉积加工中，通过以外部高频电源制造的电浆获得高能量的以硅为基底的复合离子，其通过一电极从一气体分配面板中发射出来且沉积在一玻璃基板上。所述的加工是在一进行化学气相沉积的反应室中进行。
在稍后的详细描述中，进行化学气相沉积加工的反应室是包括一上反应室与一下反应室。电极是位于上反应室中，而具有一用于接受沉积的玻璃基板位于其上的承载器是位于下反应室。
当玻璃基板承载在所述的承载器的上表面上时，所述的承载器是被加热至280-380度之间。然后，所述的承载器是被抬起且被放置在靠近所述的具有一下电极的气体分配面板。通过所述的电极施加电压，其中所述的电极是利用绝缘材料铁氟龙与反应室绝缘。以硅为基底的复合离子是从具有多个孔的气体分配面板中发射出来以实施玻璃基板的沉积加工。当沉积加工被反复地实施在玻璃基板时，在反应室周围的结构与反应室中的多种部件是需要保养与维护。保养与维护的工作必须等到被加热至280-380度的承载器的温度降低至100度以下且暴露在外界空气中时才能进行。
然而，市售的用于平面显示器的化学气相沉积装置一般需要24小时来使承载器的温度从280-380度降低至100度以下来进行保养与维护，因此便有着需要花很多时间来使承载器的温度下降以进行化学气相沉积装置保养与维护的问题。这是因为在真空状态的反应室中，仅靠辐射作用进行热传导而已。
因此，在现有技术中，由于保养与维护工作需要等承载器的温度从280-380度降低至100度以下而浪费约24小时不能做任何事，因此所出现的问题就是保养与维护工作的时间会拉长。据此，设备的运作效率便会低下且生产力便会恶化使得会产生一般加工损失。
为解决上述问题，本案申请人是申请了韩国专利申请第2006-0009617与2006-0011598号(两案均尚未公开)以提供一种通过于承载器中形成一冷却孔并通过冷媒的直接冷却承载器的技术且还在下反应室安装一冷却块。
然而，对于平面显示器用的化学气相沉积装置，是难以使用所述的方法。例如，实际操作时是难以在承载器的上直接制作一冷却孔来使其进行冷却。且使用分离制作的冷却块来冷却承载器也非易事。然而，由于承载器是一种坐落于下反应室中的巨大结构，是难以在不将承载器与下反应室分开的情形下将冷却块安装在下反应室的底面上，且日后的保养与维护也难以进行。另外，根据沉积加工的特性，不能有微小粒子存在于反应室中。当在反应室中安装属于分离结构的冷却块时，会从冷却块上产生粒子。
此外，前述方法是属于直接冷却承载器的所谓直接冷却方法。因此，虽然承载器的冷却时间能缩短，但因为承载器的快速冷却使得突然的温度不平衡会使承载器产生裂痕。实际上，由于承载器属于非常贵重的产品，当裂痕产生时，承载器的更换会是财务上的负担。
因此，是需要一种强制冷却承载器的方法，使得承载器的温度能在相当短的时间内降低至一适当值，以满足缩短化学气相沉积装置保养与维护时间的需求，且化学气相沉积装置的生产力与运作效率也能增加，加工损失的产生能减少，安装与保养/维修工作能简单化，能防止在反应室中产生粒子，也能减轻承载器因为突然的热散失所造成的冲击，且也能防止承载器因为突然的温度不平衡而产生裂缝。
发明内容
为解决上述问题与/或其它问题，本发明是提供一种用于平面显示器的化学气相沉积装置，其中承载器是被强制冷却使得承载器的温度能在相当短的时间内降低至一适当值。因此所述的化学气相沉积装置的保养与维护时间能缩短，且化学气相沉积装置的生产力与运作效率也能增加，加工损失的产生能减少，安装与保养/维修工作能简单化，能防止在反应室中产生粒子，也能减轻承载器因为突然的热散失所造成的冲击，且也能防止承载器因为突然的温度不平衡而产生裂缝。
根据本发明的一态样，用于平面显示器的化学气相沉积装置包含对平面显示器实施沉积加工的一反应室，一安装在反应室中的承载器，其是可举起且承载所述的平面显示器在其上表面，以及一位于所述的反应室外壁上的强制冷却部，以通过冷却反应室的外壁来降低反应室内部的温度来强制冷却在沉积加工中被加热的承载器。
所述的反应室包含具有用来清除沉积加工中沉积物质的电极的上反应室，以及具有承载器与一上部的下反应室，其中所述的上部是用来耦接上反应室。
所述的强制冷却部包含耦接至所述的下反应室后表面的可分离冷却块，以及位于所述的冷却块供冷媒循环的一冷却线路。
在保养与维护所述的反应室时，冷媒是在冷却线路中循环。
冷媒为水或氮气。
所述的装置还包含一圆柱，其上端固定在所述的承载器后表面之中央区域，其下端则通过所述的下反应室向下暴露，且承载所述的可升起的承载器，其中强制冷却部是沿着所述的圆柱的外周围方向配置。
冷却块包括多个部分分开的单元块。
当承载器通过强制冷却部冷却且所述的平面显示器为LCD用的大型玻璃基板时，所述的反应室是充填氢气或氦气。
附图说明
图1为根据本发明一实施例的用于平面显示器的化学气相沉积装置的横剖面图；
图2为图1的下反应室的底部侧视图；
图3为图2的强制冷却部的透视图；以及
图4为本发明另一实施例的用于平面显示器的化学气相沉积装置的下反应室的底部侧视图。
附图标记说明：10-上反应室；20-上反应室；20a-基板进入部；24-闸门阀；30-电极；31-气体分配板；32-后板；34-绝缘件；35-悬置支撑件；36-上板；37-气体供应部；38-高频电源部；39-连接线；40-强化壁部；50-承载器；52-举针；54-圆柱；56-承载器支撑；58-风箱管；60-抬升模块；70-强制冷却部；71-冷却块；72-冷却线路；72a-端；72b-端；170-冷却部；171-冷却块；172-冷却线路；；B-缓冲空间；G-玻璃基板；S-沉积空间。
具体实施方式
以下结合附图，对本发明上述的和另外的技术特征和优点作更详细的说明。
图1为根据本发明一实施例的用于平面显示器的化学气相沉积装置的横剖面图。在说明之前，平面显示器G可为任一种液晶显示器(LCDs)、电浆显示器(PDPs)，与有机发光二极管(OLEDs)。然而，在此实施例中用于LCD的大型玻璃基板是指所述的平面显示器G。“大型”一词是指根据第八代玻璃基板的体积而言。在下列叙述中，平面显示器G是指玻璃基板G。
参照图1，根据本发明用于平面显示器的化学气相沉积装置是包括上、下反应室10与20、位于上反应室10中的电极30，所述的电极30是用于发射一沉积物质，所述的沉积物质为向着接受沉积的玻璃基板的一预定以硅为基底的复合离子、一位于下反应室20中的承载器50，其上是用在承载玻璃基板G，以及一耦接至所述的下反应室20后表面以强制冷却完成沉积加工的承载器50的强制冷却部70。
如图1所示，当进行沉积加工时，上、下反应室10与20是彼此耦接。也即，当所述的上反应室10通过一独立起重机耦接至所述的下反应室20的上半部时，所述的上、下反应室10与20是合为一体。当所述的上、下反应室10与20合为一体且所述的沉积加工在形成在上、下反应室10与20的沉积空间S中进行时，所述的沉积空间S为密封而与外界隔绝以维持真空状态。
所述的电极30是位于上反应室10内侧的水平方向。电极30包括面对下反应室20设置的一气体分配板31以及设置在所述的气体分配板31后方的一后板32，所述的气体分配板31与后板32之间形成一缓冲空间B。
多个精细制造的孔洞(图中未示出)是形成在所述的气体分配板31中。因此，在沉积加工期间，当所述的承载器50上升且靠近在所述的气体分配板31以数十公分的距离配置时，所述的沉积物质是通过孔洞被注入以沉积在所述的玻璃基板G的上表面。
位于后板32与上反应室10间的绝缘件34是用在防止所述的后板32直接接触所述的上反应室10的外壁而导电。所述的绝缘件34可以铁氟龙制造。
悬置支撑件35是位于所述的气体分配板31与后板32之间。所述的悬置支撑件32不仅可防止所述的缓冲空间B中的沉积物质泄漏到外面，也可以相对于后板32来支撑所述的重达400公斤的气体分配板31。此外，在沉积加工期间，所述的悬置支撑件35能在X轴、Y轴或Z轴中的至少一轴上补偿被加热至约200度的气体分配板31的热延伸。
上板36是位于所述的上反应室10的上部。用在供应反应气体、清洁气体或其它气体进入沉积空间S的气体供应部37是位于所述的上板36的上。高频电源部38是沿着所述的气体供应部37安装。所述的高频电源供应部38是与所述的电极30的后板32通过一连接线39电性连接。用在强化所述的下反应室20与上反应室10侧壁间的厚度公差的强化壁部40是位于所述的上反应室10的侧壁外表面上。
下反应室20主要为玻璃基板G实施沉积加工的部位。因此，沉积空间S主要形成在下反应室20中。基板进入部20a是形成在所述的下反应室20的外壁中，如此玻璃基板G可由预定的工作机器人进出所述的沉积空间S。所述的基板进入部20a是可由耦接至基板进入部20a附近的闸门阀24来开关。虽然图中未示出，用在扩散存在于沉积空间S的下方区域的气体使其进入沉积空间S的气体扩散板(未示出)是位于下反应室20的底面上。
所述的承载器50是水平设置在下反应室20的沉积空间S中且在其上承载玻璃基板G。承载器50的大小一般是大于接受沉积的玻璃基板G。承载器50的上表面是被制作成近乎平板使得玻璃基板G可以精确地被水平承载。承载器50中是安装一加热器(未示出)以加热所述的承载器50达280-380度的预定沉积温度。
用在稳定承载玻璃基板G(可被承载或退出)下表面的复数个举针52是位于承载器50中使得位于所述的承载器50上表面上的玻璃基板G可以被承载或退出。举针52是穿过承载器50
当承载器50被降下时，举针52的下端是抵靠下反应室20的底面使得举针52的上端能向上突出在承载器50的上表面。据此，玻璃基板G可与承载器50分开。相反地，当承载器50被升起时，举针52是向下移动使得玻璃基板G能紧密接触承载器50的上表面。举针52在玻璃基板G与承载器50间形成一空间使得机器人手臂(未示出)可以抓取承载在承载器50上的玻璃基板G。
用于承载且抬升承载器50的圆柱54是耦接在承载器50。圆柱54的上端是固定在承载器50后表面的中央区域且圆柱54的下端是向下通过下反应室20而暴露出来。
如前所述，第八代技术的承载器50可能因为所述的承载器相当重且庞大而下陷。在这种状况时，玻璃基板G也可能下陷。在图式中，承载器支撑56是位于所述的圆柱54的上部且稳定地支撑承载器50。
承载器50在下反应室20的沉积空间S中上下移动。也即，当承载玻璃基板G时，承载器50是配置在下反应室20的底面。接着，当玻璃基板G被承载且沉积加工实施后，承载器50是升起使得玻璃基板G可以靠近所述的气体分配板31。为此目的，用在抬升所述的承载器50的抬升模块60是位于所述的耦接在承载器50的圆柱54。
在抬升模块60抬升承载器50的过程中，在圆柱54与下反应室20间不能产生空隙。因此，用来包围圆柱54外表面的风箱管58是位于下反应室20中的圆柱54通过的区域。当承载器50下降时风箱管58会扩张，当承载器50上升时风箱管58会紧密接触承载器50。
图2为图1的下反应室的底部侧视图。图3为图2的强制冷却部的透视图。如前所述，当有关于玻璃基板G的沉积加工反复实施时，是需要对上、下反应室10与20(包括电极30或承载器50)进行保养与维护工作。在上反应室10脱离下反应室20后，是进行保养与维护工作。然而，在沉积加工期间，由于承载器50是处在被加热至280-380度的状态，因此上反应室10无法在此状态下分离。因此，上反应室10只能等承载器50温度降低至100度或以下时才能进行分离。
然而，由于需要约24小时使承载器50的温度降低至100度或以下使得保养与维护工作的等待时间会延长。因此，装置的运作效率会低下且由于产生加工损失因此生产力会退化。
据此，为了快速实施保养与维护工作，需要通过强制冷却部70强制冷却承载器50使得其温度可以快速降低至一适当程度。当承载器50的温度被强制冷却部70强制降低时，不能在上、下反应室10与20中产生粒子。又，不能使承载器50因为突然的热消散与温度不平衡所产生的冲击而造成裂痕。为了满足这些状况，根据本发明实施例的具有改良结构的强制冷却部70是位于化学气相沉积装置中。
在本实施例中，不同在现有技术，所述的强制冷却部70并非位于所述的沉积空间S中。也即，强制冷却部70是位于上、下反应室10与20的外壁上(非内壁)。强制冷却部70是通过间接方式，即冷却上、下反应室10与20的外壁以降低上、下反应室10与20的温度来强制冷却在沉积加工中逐渐且自然地被加热的承载器50。
因此，强制冷却部70可以设置在上、下反应室10与20的任何部位上。然而，由于沉积空间S实质上形成在下反应室20中，因此强制冷却部70较佳是位于下反应室20的外壁上。然而，考虑到当化学气相沉积装置在制造时，分离栅栏(未示出)会位于下反应室20的外壁，因此强制冷却部70较佳是位于下反应室20的后表面。由于下反应室20一般是通过设置在一分离框架上(未示出)来安装，操作员可轻易到达下反应室20后表面。因此，在此实施例中当强制冷却部70位于下反应室20后表面时，另一个优点是所述的强制冷却部70的保养与维护工作可轻易实行。
在本实施例中，强制冷却部70包括可沿着所述的圆柱54周围分离耦接至所述的下反应室70后表面的一冷却块71以及位于所述的冷却块71中供冷媒循环的一冷却线路72。
在本实施例中，冷却块71是由四单元块(未示出)组成，其是彼此分离且利用一耦接单元，例如分离螺栓或挂钩固定在一固定位置。由于冷却块71会因为在冷却线路72中循环的冷媒而将承载器50的温度快速降低，冷却块71便不需像图2般为四个单元块。也即，不论其数量与体积，冷却块71位于下反应室20后表面上的适当位置即足够。
又，本实施例中的冷却块71为一近似矩形盒的外型。然而，冷却块71的形状并不受限于上述外型。由于当冷却块71有一表面与所述的下反应室20后表面的大型区域接触时，冷却效率很高，因此不论外型的表面是否较佳可与所述的下反应室20后表面接触，冷却块71的上表面是平行在所述的下反应室20的后表面成形。
冷却线路72可以多排方式来设置在冷却块71中，如图3所示，使得冷却线路72可以大面积接触冷却块71。然而不同在图3所示，冷却线路72的单一管线可以穿过冷却块71的内部来成形。
冷却线路72是形成管线状以供冷媒从其中流过。冷媒可为水冷方式中的任一种液体或气冷方式中的氮气。由于氮气在其它气体中具有一相当高的热转移率，氮气是主要被使用在气冷方式中。然而，也可以用具有类似在氮气热转移率的气体来替代。
为了在冷却线路72中循环冷媒，冷却线路72的两端需要彼此分开。冷媒是通过一冷媒供应源(未示出)与一帮浦(未示出)被供应至冷却线路72的一端72a且在另一端72b被耗尽。在本实施例中，虽然所述的现有结构是被省略，但假使有需要是可以将所述的现有结构标示出来。
当用在冷却承载器50的冷媒循环在冷却线路72中时，承载器50与下反应室20的底面接触且会突然发生热散失。因此，突然的热散失会对承载器50造成冲击且因为突然的热失衡承载器50可能会发生裂痕。
在本实施例中，当用在冷却承载器50的冷媒循环在冷却线路72中时，由于沉积空间S是通过气体供应部37被充满氢气或氦气，承载器50是不会产生热应力。
在操作上述用于平面显示器的化学气相沉积装置时，当承载器是被抬升模块60降低至所述的下反应室20的下部时，机械手臂会经由于承载器上部的基板进入部20a将用在接受沉积的玻璃基板G转移且投入。
由于举针52的上端会从承载器50的上表面突出至一预定高度，机械手臂会放置玻璃基板在所述的举针52上然后退出。当机械手臂退出时，基板进入部20a会关闭且所述的上、下反应室10与20之内部会维持真空且同时以沉积时需要的加工气体，例如硅甲烷(SiH4)或氨气(NH3)充填的。
进行沉积加工时，抬升模块60是被做动以抬升承载器50。接着，举针52是被降低使得玻璃基板G紧密接触承载器50的下表面且在其上被承载。当承载器50被抬升一预定距离时，抬升模块60的操作停止且玻璃基板G会被定位于气体分配板31的下。在此时，承载器50已被加热至约280-380度。
接着，由绝缘件34绝缘的电极30会施加电力。作为沉积物质的以硅为基底的复合离子会由形成有多个孔洞的气体分配板31注入，所述的沉积物质会到达玻璃基板G使得玻璃基板G上实施沉积。
在玻璃基板G的沉积加工完成后，承载器50是被降低以实施有关于上、下反应室10与20的保养与维护工作。沉积空间S是被氢气或氦气充填且冷媒会在强制冷却部70的冷却线路72中循环。
由于冷媒的循环，接触冷却块71的下反应室20下表面是会被降温使得沉积空间S中的热会散失。因此，配置在沉积空间S中的承载器50会在非常短的时间内(相较在现有技术)被降温。当承载器50的温度被降至约100度时，上反应室10便从下反应室20分离且实施保养与维护工作。
根据本实施例，通过于一相当短时间内强制冷却承载器50至一适当温度，用在装置保养与维护的等待时间可以被缩短使得装置的运作率及其生产力能增加且能预防加工损失的产生。
又，由于强制冷却部70是耦接在下反应室20的后表面，强制冷却部70的安装与保养与维护工作可易于执行。能预防在上、下反应室10与20中产生的粒子。尤其通过前述的强制冷却部70可减轻因为突然热散失而对承载器50造成的冲击且可预防承载器50因为突然温度失衡而产生裂痕。
图4为本发明另一实施例的用于平面显示器的化学气相沉积装置的下反应室的底部侧视图。在前述实施例中，冷却块71是被分成四单元块。然而在本实施例中，冷却部170的冷却块171是具有实质覆盖所述的下反应室20后表面的体积的单一单元块。在此例中，冷却线路172较佳是配置为数列。在本实施例中，冷却块171的配置是足以使承载器50的温度快速降低。
如前所述，根据本发明，由于承载器是被强制冷却使得其温度可在相当短时间内被降低，所述的化学气相沉积装置的保养与维护工作的时间可缩短，所述的化学气相沉积装置的运作率与生产力可提升，加工损失的产生可减少，安装与保养/维护工作可简化，可预防在反应室中产生的粒子，可减轻因为突然热散失而对承载器造成的冲击且可预防承载器因为突然温度失衡而产生裂痕。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，对本发明而言仅仅是说明性的，而非限制性的。本专业技术人员理解，在本发明权利要求所限定的精神和范围内可对其进行许多改变，修改，甚至等效，但都将落入本发明的保护范围内。

Claims (8)

1、一种用于平面显示器的化学气相沉积装置，其特征在于：包含：
一反应室，其用以对平面显示器实施沉积加工；
一承载器，其安装在反应室中，所述的承载器举起且承载所述的平面显示器在其上表面；以及
一强制冷却部，其位于所述的反应室外壁上，通过冷却反应室的外壁来降低反应室内部的温度，用以强制冷却在沉积加工中被加热的承载器。
2、根据权利要求1所述的用于平面显示器的化学气相沉积装置，其特征在于：所述的反应室包含：
一上反应室，其具有用来清除沉积加工中沉积物质的电极；以及
一下反应室，其具有承载器与一上部，其中所述的上部是用来耦接上反应室；
其中所述的强制冷却部是耦接至所述的下反应室后表面。
3、根据权利要求2所述的用于平面显示器的化学气相沉积装置，其特征在于：所述的强制冷却部包含：
一冷却块，其分离地耦接至下反应室的后方表面；以及
一冷却线路，其位于所述的冷却块中，且其中有循环的冷媒。
4、根据权利要求3所述的用于平面显示器的化学气相沉积装置，其特征在于：在保养与维护所述的反应室时，所述冷媒是在冷却线路中循环。
5、根据权利要求4所述的用于平面显示器的化学气相沉积装置，其特征在于：所述冷媒水或氮气。
6、根据权利要求3所述的用于平面显示器的化学气相沉积装置，其特征在于：还包含一圆柱，所述的圆柱的上端固定在承载器后表面的中央区域，所述的圆柱的下端通过下反应室向下暴露，且承载所述的升起的承载器，其中强制冷却部沿着所述的圆柱的外周围方向配置。
7、根据权利要求3所述的用于平面显示器的化学气相沉积装置，其特征在于：所述冷却块包括多个部分分开的单元块。
8、根据权利要求1所述的用于平面显示器的化学气相沉积装置，其特征在于：当承载器通过强制冷却部冷却，且所述的平面显示器为LCD用的大型玻璃基板时，所述的反应室充填氢气或氦气。
CN2008100945000A 2007-05-03 2008-04-30 用于平面显示器的化学气相沉积装置 Expired - Fee Related CN101298665B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2007-0043177 2007-05-03
KR1020070043177A KR20080097832A (ko) 2007-05-03 2007-05-03 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101298665A true CN101298665A (zh) 2008-11-05
CN101298665B CN101298665B (zh) 2012-04-11

Family

ID=40078616

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008100945000A Expired - Fee Related CN101298665B (zh) 2007-05-03 2008-04-30 用于平面显示器的化学气相沉积装置

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR20080097832A (zh)
CN (1) CN101298665B (zh)
TW (1) TWI389179B (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101908579B (zh) * 2009-06-05 2012-01-11 亚洲太阳科技有限公司 用于薄膜太阳能电池制造的智能式冷却系统
CN105899708A (zh) * 2013-11-15 2016-08-24 科恩艾斯恩株式会社 原子层沉积装置及方法
CN108955080A (zh) * 2018-06-26 2018-12-07 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种冷却设备
CN109844175A (zh) * 2016-10-05 2019-06-04 洛佩诗公司 具有在反应室外部的反射器的外延沉积反应器以及冷却衬托器和基底的方法
CN111383948A (zh) * 2018-12-27 2020-07-07 株式会社爱发科 基板处理装置
CN111763928A (zh) * 2020-07-13 2020-10-13 杭州很美网络科技有限公司 一种用于半导体镀膜设备的多通道控温装置
CN112760616A (zh) * 2020-12-22 2021-05-07 湖南顶立科技有限公司 一种气相沉积装置
CN111383948B (zh) * 2018-12-27 2024-05-14 株式会社爱发科 基板处理装置

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101908579B (zh) * 2009-06-05 2012-01-11 亚洲太阳科技有限公司 用于薄膜太阳能电池制造的智能式冷却系统
CN105899708A (zh) * 2013-11-15 2016-08-24 科恩艾斯恩株式会社 原子层沉积装置及方法
CN109844175A (zh) * 2016-10-05 2019-06-04 洛佩诗公司 具有在反应室外部的反射器的外延沉积反应器以及冷却衬托器和基底的方法
CN108955080A (zh) * 2018-06-26 2018-12-07 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种冷却设备
CN108955080B (zh) * 2018-06-26 2020-12-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种冷却设备
CN111383948A (zh) * 2018-12-27 2020-07-07 株式会社爱发科 基板处理装置
CN111383948B (zh) * 2018-12-27 2024-05-14 株式会社爱发科 基板处理装置
CN111763928A (zh) * 2020-07-13 2020-10-13 杭州很美网络科技有限公司 一种用于半导体镀膜设备的多通道控温装置
CN111763928B (zh) * 2020-07-13 2021-09-14 李启炎 一种用于半导体镀膜设备的多通道控温装置
CN112760616A (zh) * 2020-12-22 2021-05-07 湖南顶立科技有限公司 一种气相沉积装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN101298665B (zh) 2012-04-11
TWI389179B (zh) 2013-03-11
KR20080097832A (ko) 2008-11-06
TW200845148A (en) 2008-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101298665B (zh) 用于平面显示器的化学气相沉积装置
KR100938874B1 (ko) 유리기판 지지용 서셉터 및 그 제조 방법, 그리고 그유리기판 지지용 서셉터를 구비한 화학 기상 증착장치
JP5506921B2 (ja) 真空処理装置並びに基板とアラインメントマスクの移動方法及び位置合わせ方法並びに成膜方法
CN101191203B (zh) 等离子体反应器基板安装表面纹理化
KR101318174B1 (ko) 서셉터 및 이를 구비하는 화학기상증착장치
CN101016622B (zh) 用于平板显示器的化学气相沉积设备
KR101062185B1 (ko) 플라즈마 처리장치
KR100738874B1 (ko) 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치
KR100714882B1 (ko) 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치
KR101419346B1 (ko) 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치
CN100582300C (zh) 用于平板显示器的化学气相沉积设备
KR100896067B1 (ko) 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치
KR100891614B1 (ko) 평면디스플레이용 화학기상 증착장치
KR100877822B1 (ko) 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치
KR100858934B1 (ko) 화학 기상 증착장치
CN101126155B (zh) 化学气相沉积装置
KR100786274B1 (ko) 화학 기상 증착장치
KR100854421B1 (ko) 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치
KR100833118B1 (ko) 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치
KR100877823B1 (ko) 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치
CN102803556A (zh) 用于在真空室内固定反应器的托架
KR100853248B1 (ko) 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치
KR100738876B1 (ko) 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치
KR101341423B1 (ko) 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치
KR100857806B1 (ko) 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20120411

Termination date: 20170430