JP2007051367A - サセプタの粗面化による静電荷の削減 - Google Patents

Abstract

【課題】大面積基板と基板サポート間の摩擦電気電荷を削減できる基板サポートを提供する。
【解決手段】基板サポートは、絶縁性コーティング210によってカバーされた基板サポート表面を有する導電性本体202を含んでいる。該基板サポート表面の中央の該コーティングの少なくとも一部は約２００〜約２０００マイクロインチの表面仕上げ部を有する。別の実施形態では、基板サポートは、該本体202の該部分の表面仕上げ部が約２００〜約２０００マイクロインチの基板をサポートするように適合されている陽極化アルミニウム本体210を含んでいる。一実施形態では、基板サポートアセンブリ200は、基板サポート表面を有する導電性本体202と、該導電性本体をサポートするように適合された基板サポート構造体とを含んでおり、該導電性本体は絶縁性コーティング210によってカバーされている。
【選択図】 図２

Description

開示の背景

発明の分野
[0001]本発明の実施形態は一般に、半導体処理に利用される基板サポートおよびこの製造方法を提供する。

背景技術の説明

[0002]液晶ディスプレイやフラットパネルは普通、コンピュータ、テレビモニター、携帯情報端末（ＰＤＡ）および携帯電話などのアクティブマトリックスディスプレイに使用される。一般に、フラットパネルは、１層の液晶材料を挟持する２つのガラスプレートを備える。ガラスプレートの少なくとも１つが、電源に結合され、上部に配置された少なくとも１つの導電膜を含んでいる。電源から導電膜に供給された電力は結晶材料の配向を変化させ、ディスプレイ上に見られるテキストやグラフィックなどのパターンを作成する。フラットパネルを生成する為に頻繁に使用される一製造プロセスはプラズマ化学気相堆積法（ＰＥＣＶＤ）である。

[0003]プラズマ化学気相堆積法は一般に、フラットパネルや半導体ウェーハなどの基板上に薄膜を堆積させるのに採用される。プラズマ化学気相堆積法は一般に、基板を含有する真空チャンバに前駆ガスを導入することによって遂行される。前駆ガスは通常、チャンバの上部近くに置かれた分配プレートを介して方向付けられる。チャンバの前駆ガスは、チャンバに結合された１つ以上のＲＦソースからチャンバにＲＦ電力を印加することによってプラズマにエネルギを付与（例えば励起）される。励起されたガスは反応して、温度コントロールされた基板サポート上に位置決めされた基板の表面上に１層の材料を形成する。基板が１層の低温ポリシリコンを受取る用途において、基板サポートは摂氏４００度を上回って加熱されることがある。反応時に生成された揮発性副生成物は排出システムを介してチャンバから送出される。

[0004]一般に、フラットパネル製造に利用される大面積基板は大きく、しばしば５５０ｍｍ×６５０ｍｍを超え、４平方メートル以上の表面積が想定されている。これに相応して、大面積基板を処理するのに利用される基板サポートは、基板の大表面積を収容するために比例して大きい。通常、高温使用目的の基板サポートが鋳造されて、１つ以上の加熱素子および熱電対をアルミニウム本体にカプセル化する。基板サポートのサイズによって、１つ以上の補強部材が、一般に、基板サポート内に配置されて、基板サポートの剛性および高い動作温度（つまり、一部の膜の水素含有を最小化するために摂氏３５０度を超え摂氏５００度近い）での性能を改良する。次いでアルミニウム基板サポートは、保護コーティングを与えるために陽極化される。

[0005]このように構成された基板サポートは良好な処理性能を呈していたが、大面積基板上に形成された次世代デバイスにとって有害な可能性のある、膜厚の小さな局所的ばらつきが観察されており、これはしばしばより小さな膜厚のスポットとして現れる。ばらつきは、平滑な基板サポート表面に伴うガラス厚および平坦さであり、通常、約５０マイクロインチであり、ガラス基板にわたる一定のロケーションにおける局所的なキャパシタンスばらつきを作成することによって、堆積ばらつき、例えば堆積膜厚の小さなスポットとなる局所的プラズマ不均一性を作成することができると思われる。基板サポートのエイジングおよび修正プラズマ調整は、とりわけ処理するために基板をチャンバに転送する前に延長チャンバ真空パージと連動して実行される場合に、薄いスポット形成を軽減することを示した。しかしながら、本方法に必要とされる時間および材料の結果的な消費と、コストおよびスループットに対するこの好ましくない影響は、より効果的な解決策を得ることを望ましいものとする。

[0006]基板サイズが、約３７０ｍｍ×４７０ｍｍから約１２００ｍｍ×１０４０ｍｍ、あるいは１８００ｍｍ×２２００ｍｍにまで増大すると、他の新たな欠陥モードが、フラットパネルディスプレイデバイスの製造において重大な問題となってくる。次世代基板のサイズが増大し続けると、欠陥削減の重要性は、各基板におけるフラットパネル製造業者による実質的な投資により、ますます重要となる。更に、膜の均一性に対するより精密な許容差を要求するデバイスの重大な寸法削減の連続的展開によって、膜厚ばらつきの削減および／または排除は、大面積基板上に形成された次世代デバイスの経済的生成にとって重要な要因となる。

[0007]更に、基板製造プロセスの有効性はしばしば、デバイス歩留まりおよび所有コスト（ＣｏＯ）という２つの関連する重要な要因によって測定される。電子デバイスを生成するためのコスト、ひいては市場でのデバイス製造業者の競争力に直接影響するために、これらの要因は重要である。多数の要因によって影響されるＣｏＯは、処理ハードウェアの初期コストおよび消耗ハードウェアの交換コストによって大きく影響される。ＣｏＯを削減する取り組みにおいて、電子デバイス製造業者はしばしば、処理ハードウェアおよび消耗コストを最適化して、粒子およびプロセス歩留まり性能に影響を与えることなく最大利益幅を達成しようと多くの時間を費やす。ＣｏＯ算出における別の重要な要因はシステムの信頼性およびシステムの稼働率である。システムが基板を処理できない時間が長いほど、多くのメモリが、クラスターツールで基板を処理する機会の損失ゆえにユーザによって失われるために、これらの要因はクラスターツールの収益性および／または有用性にとって非常に重要である。従って、クラスターツールのユーザおよび製造業者は、稼働率が高い確実なプロセス、確実なハードウェアおよび確実なシステムを開発しようと多くの時間を費やす。

[0008]大面積基板のＰＥＣＶＤタイププロセスの問題と思われる一欠陥は、静電放電（ＥＳＤ）の金属ラインアーク問題として産業界で既知の欠陥である。基板サイズが大きくなるほど、プラズマ堆積時により長くかつより大きなＥＳＤ金属ラインで誘導された誘導電流は、プラズマ誘導アークから基板へのダメージを主要な再発問題とするほど大きいと思われる。ＥＳＤ放電ラインに接続されているフラットパネルディスプレイ用途におけるゲート金属ラインは一般に約５〜１０マイクロメーター（μｍ）の幅であり、かつ約１メートルまたは２メートルであってもよいのに対して、通常の半導体用途においては、ゲート金属ラインは、最大数十ミリメートルの長さでおよそ９０ナノメーターのサイズであるために、この問題は一般に、より小さな半導体デバイス製造用途（例えば１５０ｍｍ〜３００ｍｍの円形シリコン基板）では生じない。フラットパネルディスプレイ基板のＥＳＤラインの幅は、通常１ｍｍより大きなサイズであり、また約１メートル〜２メートルの長さであってもよい。従ってフラットパネルディスプレイ用途におけるＥＳＤ金属ラインは、基板にアークダメージをもたらすプラズマ処理中に多量の電荷を収集可能なアンテナとして作用することを意図していると思われる。従って、グランドに対する放電経路の抵抗を増加させることによるプラズマとの相互作用ゆえにアークの可能性を削減するというより大きな必要性がある。半導体基板よりもかなり大きなフラットパネル基板の厚さ（例えば０．７ｍｍ）は、大きなまたは小さなサイズのフラットパネルディスプレイタイプの基板から大きく変化していない。

[0009]１２００ｍｍ×１０４０ｍｍ以上の基板の処理において生じた別の欠陥は、ＰＥＣＶＤプロセスなどの、基板上でプラズマプロセスを実行後に基板のバックサイドに見られる粒子数の増加である。ガラス基板サイズが大きくなるほど、プラズマ処理中に静電荷をトラップする能力は大きくなり、これによって処理チャンバに見られる粒子を、これらがトラップされた電荷によって保持されている基板表面に引き付けられるようにすると思われる。

[0010]アークおよび静電荷の問題は、異なる基板材料のサイズおよび特性ゆえにフラットパネルディスプレイ用途と半導体用途では異なると思われる。摩擦電気プロセス、あるいは２つの材料を相互に接触させてから、相互に分離するプロセスによって発生された静電荷は、多数の要因によって影響され、このうちの２つは、２つのコンポーネント間の表面接触量と、２つの材料の動作関数である。フラットパネル用途と半導体用途との差は、これらの用途の各々で使用される（複数の）基板材料（例えば、ガラス対シリコン（またはアルミニウム））の特性の差であり、これは動作関数として既知の材料特性に関連している。一般的に、動作関数は、自由電子（材料の最も外側のシェルを周回する電子）上に保持する材料の能力について説明している。一般的に、より大きな動作関数を有する材料（例えば、シリコン）は、所与の材料と接触して置かれて、次いで材料から分離される場合に、より低い動作関数を有する材料（例えば、ガラス）よりも電子を放棄する可能性が小さい。（２０００年１１月にＲｙｎｅ Ｃ．Ａｌｌｅｎによって記された参照「Ｔｒｉｂｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ：Ｇｅｔｔｉｎｇ Ｃｈａｒｇｅｄ」ｉｎ ＥＥ−Ｅｖａｌｕａｔｉｏｎ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇを参照のこと。）従って、静電荷発生問題は、処理された基板が接触する材料に左右され、フラットパネルディスプレイ基板対半導体基板で発生された電荷量および電荷極性は同じではない。

[0011]第２の摩擦電気要因、つまり経路間の接触量は、コンポーネント間の接触が大きいほど、接触コンポーネントと、場合によってはアークとの間で転送されることになる電荷が多くなることを意味している。２つのコンポーネントの表面粗さ量は、２つの経路間の接触量に直接影響する。従って、１９９８年６月２日に出願された米国特許第６，０６３，２０３号などの一部の従来技術の用途が、１〜８マイクロメーターのＲａにサセプタ（基板サポート）の表面を粗面化するプロセスを提案しているのに対して、参照は、粗さを削減し、かつ２つの基板コンポーネント間の接触を増大させる粗面化サセプタ表面を研磨する最終ステップを必要としている。粗さの削減、つまり２つの基板コンポーネント間の接触の増大は、基板と基板サポート間の摩擦電気電荷転送を増大させることによって、アークを形成したり粒子を引き付けたりするのに十分なトラップ電荷を発生させる可能性を増大させる。代替の理論は、従来技術において説明されたように粗面化表面を研磨するステップは、２つの経路（つまりサセプタ表面とガラス基板）間の改良された電気接触などの、基板サポート表面を粗面化することによって受ける利点の一部を除去することであると考えられる点である。改良された電気接触は、プラズマ処理中の２つの経路間の電荷ビルドアップを削減すると考えられている粗面化表面の鋭い先端や高いポイントでのより大きな接触ストレスによって作成され、これによって基板表面へのアークおよび粒子吸引の可能性を削減すると思われる。

[0012]従って、上記の生じたこれらの問題のすべてを解決する改良された基板サポートの必要性がある。

発明の概要

[0013]基板サポートおよびこの製造方法が提供されている。本発明の一実施形態では、基板サポートは、基板サポート表面を有する導電性本体と、該本体上に配置された絶縁性コーティングと、約２００〜約２０００マイクロインチの表面仕上げ部を有する該基板サポート表面の中央で配置された該コーティングの少なくとも一部とを含んでいる。

[0014]一実施形態では、基板サポートは、基板サポート表面を有する本体と、処理中に該本体を構造的にサポートするように適合された１つ以上のサポートを有する基板サポート構造体と、約２００〜約２０００マイクロインチの表面仕上げ部への堆積後に処置された該基板サポート表面上に配置された絶縁性コーティングとを備える大面積基板をサポートするように適合されている。

[0015]別の実施形態では、基板サポートは、大面積基板を基板サポート表面上にサポートするのに適したアルミニウム本体を提供するステップと、約３３０〜約２０００マイクロインチの表面粗さを有する陽極化コーティングを該基板サポート表面上に形成するステップとを含むプロセスによって製造される。

[0016]更に別の実施形態では、基板サポートは、基板サポート表面を有する導電性本体を備える大面積基板をサポートするように適合されており、ここで該基板サポート表面は、はだかアルミニウムであり、約１４０〜約２０００マイクロインチの表面仕上げ部を有する。

[0017]更に別の実施形態では、基板サポートは、約１４０〜約１０００マイクロインチの表面仕上げ部に処置された基板サポート表面を有するはだかアルミニウムと、処理中に該アルミニウム本体を構造的にサポートするように適合された１つ以上のサポートを有する基板サポート構造体とを備える大面積基板をサポートするように適合されている。

[0018]上記簡潔に要約されている本発明のより具体的な説明が、添付の図面に図示されている実施形態を参照してなされてもよい。しかしながら、添付の図面は本発明の通常の実施形態のみを図示し、ゆえに、本発明は等しく効果的な実施形態を認めてもよいために、この範囲を制限するものとみなされるべきではない点に注目すべきである。

[0031]理解を容易にするために、図面に共通の同一の要素を指し示すのに、同一の参照番号が可能な限り使用されている。

詳細な説明

[0032]本発明は一般に、大面積基板サポートおよびその製造方法を提供する。本発明は、カリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズ社の一部門であるＡＫＴから入手可能なプラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）システムなどの、大面積基板を処理するためのプラズマ化学気相堆積システムを参照して、以下事例的に説明する。一実施形態では、処理チャンバは、少なくとも約２０００ｃｍ^２の表面積を有する大面積基板を処理するように適合されている。別の実施形態では、処理チャンバは、少なくとも約６，７１６ｃｍ^２（例えば７３０ｍｍ×９２０ｍｍ）の表面積を有する基板を処理するように適合されている。しかしながら、本発明は、物理気相堆積システム、イオン注入システム、エッチングシステム、他の化学気相堆積システム、および基板を基板サポート上に処理することが望ましい他のシステムなどの他のシステム構成において実用性を有することが理解されるべきである。

[0033]図１は、プラズマ化学気相堆積システム１００の一実施形態の断面図である。システム１００は一般に、ガスソース１０４に結合されたチャンバ１０２を含んでいる。チャンバ１０２は、プロセス容積１１２を画成する壁１０６と、底部１０８と蓋アセンブリ１１０とを有する。プロセス容積１１２は通常、チャンバ１０２に対する大面積ガラス基板１４０の移動を容易にする壁１０６のポート（図示せず）を介してアクセスされる。壁１０６および底部１０８は通常、アルミニウムや、処理と両立する他の材料のユニタリブロックから製造される。蓋アセンブリ１１０は、種々のポンプコンポーネント（図示せず）に結合された排出ポート（図示せず）にプロセス容積１１２を結合させるポンププレナム１１４を含有する。

[0034]蓋アセンブリ１１０は、壁１０６によってサポートされており、またチャンバ１０２にサービス提供するために除去可能である。蓋アセンブリ１１０は一般にアルミニウムから構成される。分配プレート１１８が蓋アセンブリ１１０の内側１２０に結合されている。分配プレート１１８は通常、アルミニウムから製造される。中央セクションは、プロセスと、ガスソース１０４から供給された他のガスとがプロセス容積１１２に送られる穴あきエリアを含んでいる。分配プレート１１８の穴あきエリアは、分配プレート１１８を介してチャンバ１０２に通過するガスの均一な分配を提供するように構成されている。

[0035]基板サポートアセンブリ１３８はチャンバ１０２内の中央に配置されている。基板サポートアセンブリ１３８は、処理中に大面積ガラス基板１４０（以後「基板１４０」）をサポートする。

コーティングサセプタ設計
[0036]一実施形態では、基板サポートアセンブリ１３８は一般に、基板１４０をサポートする本体１２４の少なくとも一部の上で絶縁性コーティング１８０によってカバーされている導電性本体１２４を含んでいる。絶縁性コーティング１８０は約２００〜約２０００マイクロインチの表面仕上げ部を有しており、基板サポートアセンブリ１３８の高価なエイジングやプラズマ処置なしで堆積の均一性を改良すると思われる。表面仕上げ部は、平均表面粗さ（Ｒａ）や相加平均（ＡＡ）によって特徴付けられる。絶縁性コーティング１８０はまた本体１２４の他の部分をカバーしてもよい。より粗い表面はガラス基板厚のばらつきの効果を相殺して、より均一なキャパシタンスを基板全体に提供することによって、プラズマおよび堆積均一性を高めることができ、また堆積膜における薄いスポットの形成を実質的に排除することができると思われる。

[0037]また、基板と絶縁性コーティング１８０間の小さな接触は、小さな接触表面積によってもたらされる電荷転送を削減し、あるいは粗さの増大は、２つのパーツ間の帯電差を削減する電気接触を改良すると思われるため、基板表面へのＥＳＤ金属ラインアークおよび粒子吸引の可能性が削減される。

[0038]導電性本体１２４は金属や他の同等の導電性材料から製造される。絶縁性コーティング１８０は、とりわけ酸化物、窒化シリコン、二酸化シリコン、二酸化アルミニウム、五酸化タンタル、シリコンカーバイド、ポリイミドなどの誘電金属であってもよく、これらは、フレームスプレー、プラズマスプレー、高エネルギーコーティング、化学気相堆積法、スプレー、接着膜、スパッタリングおよびカプセル化を含むがこれらに制限されない種々の堆積またはコーティングプロセスによって適用されてもよい。

[0039]一実施形態では、基板サポートアセンブリ１３８は、少なくとも１つの埋め込み加熱素子１３２および熱電対１９０をカプセル化するアルミニウム導電性本体１２４を含んでいる。少なくとも１つの第１の補強部材１１６は一般に、加熱素子１３２に近接する本体１２４に埋め込まれている。第２の補強部材１６６は、第１の補強部材１１６に対向する加熱素子１３２の側面の本体１２４内に配置されてもよい。補強部材１１６および１６６は金属、セラミックまたは他の剛性材料から構成されてもよい。一実施形態では、補強部材１１６および１６６は酸化アルミニウムファイバから構成される。あるいはまた、補強部材１１６および１６６は、酸化アルミニウム粒子と結びついた酸化アルミニウムファイバ、シリコンカーバイドファイバ、酸化シリコンファイバまたは類似の材料から構成されてもよい。補強部材１１６および１６６はルーズな材料を含んでいてもよく、あるいはプレートなどの事前製造形状であってもよい。あるいはまた、補強部材１１６および１６６は他の形状および形態を備えていてもよい。一般に、補強部材１１６および１６６は、以下に説明される鋳造プロセス中に部材１１６、１６６にアルミニウムを浸す多孔性を有する。

[0040]基板サポートアセンブリ１３８に配置されている電極などの加熱素子１３２は電源１３０に結合されており、基板サポートアセンブリ１３８およびこの上に位置決めされている基板１４０を所定の温度にコントロール可能に加熱する。通常、加熱素子１３２は、摂氏約１５０〜少なくとも約４６０度の均一な温度に基板１４０を維持する。

[0041]一般に、基板サポートアセンブリ１３８は下部サイド１２６と、基板をサポートする上部サイド１３４とを有する。下部サイド１２６は、これに結合されたステムカバー１４４を有する。ステムカバー１４４は一般に、ステム１４２の取り付け用の搭載表面を提供する基板サポートアセンブリ１３８に結合されたアルミニウムリングである。

[0042]一般に、ステム１４２はステムカバー１４４から延び、（示されたような）高い位置と低い位置との間に基板サポートアセンブリ１３８を移動させるリフトシステム（図示せず）に基板サポートアセンブリ１３８を結合させる。ベローズ１４６は、サポートアセンブリ１３８の移動を容易にする一方で、プロセス容積１１２とチャンバ１０２の外部の大気との間の真空シールを提供する。ステム１４２は、基板サポートアセンブリ１３８とシステム１００の他のコンポーネント間の電気的かつ熱電対リード用の導管を付加的に提供する。

[0043]電源１２２によって分配パネル１１８（またはチャンバの蓋アセンブリ内またはこの近くに位置決めされた他の電極）に供給されたＲＦ電力が、基板サポートアセンブリ１３８と分配プレート１１８間のプロセス容積１１２に配置されたガスを励起するように、基板サポートアセンブリ１３８は一般に接地される。電源１２２からのＲＦ電力は一般に、基板のサイズに相応して選択されて、化学気相堆積プロセスを駆動する。

[0044]基板サポートアセンブリ１３８は外接シャドウフレーム１４８を付加的にサポートする。一般に、シャドウフレーム１４８は、基板１４０および基板サポートアセンブリ１３８の縁への堆積を防止するため、基板はサポートアセンブリ１３８に付着しない。

[0045]基板サポートアセンブリ１３８は、これを介して配置された、複数のリフトピン１５０を受容する複数のホール１２８を有する。リフトピン１５０は通常セラミックや陽極化アルミニウムから構成される。一般に、リフトピン１５０は、リフトピン１５０が正常な位置にある（つまり、サポートアセンブリ１３８に対して引っ込められている）場合に基板サポートアセンブリ１３８の上部サイド１３４と実質的に同一平面であるか、またはこれからわずかに引き込まれている第１の端１６０を有する。第１の端１６０は一般に、リフトピン１５０がホール１２８から落ちないようにするためにフレア加工されている。さらに、リフトピン１５０は、サポートアセンブリ１３８の下部サイド１２６を超えて延びる第２の端１６４を有する。リフトピン１５０は、上部サイド１３４から突出するようにリフトプレート１５４によって基板サポートアセンブリ１３８に対して起動されてもよく、これによってサポートアセンブリ１３８に対して間隔をあけて基板を置くことができる。

[0046]リフトプレート１５４はサポート表面の下部サイド１２６に近接して配置される。リフトプレート１５４は、ステム１４２の一部に外接するカラー１５６によってアクチュエータに接続される。ベローズ１４６は、チャンバ１０２の外部の環境からのプロセス容積１１２の分離を維持する一方で、ステム１４２およびカラー１５６を独立して移動させる上部部分１６８および下部部分１７０を含んでいる。一般に、リフトプレート１５４は、基板サポートアセンブリ１３８およびリフトプレート１５４が移動して相互に近づくに伴い、リフトピン１５０を上部サイド１３４から延ばすように起動される。

[0047]図２および図２Ａは、基板サポートアセンブリ１３８の別の実施形態の部分的断面図であり、本実施形態は以後、混乱を回避するためにサポートアセンブリ２００とラベル付けされる。サポートアセンブリ２００は、アルミニウムであってもよく、かつ陽極化コーティング２１０によって実質的にカバーされている本体２０２を含んでいる。本体２０２は、１つ以上の結合部材や、加熱素子１３２をこの中に埋め込んでいる単一の鋳造本体から構成されてもよい。本発明の利点を享受するように適合可能な基板サポートアセンブリの例は、２００２年１２月２日に出願された米国特許出願第１０／３０８，３８５号、および２００１年８月１日に出願された第０９／９２１，１０４号に説明されており、両者ともその全体を参照として本明細書に組み込まれている。

[0048]本体２０２は一般に、基板サポート表面２０４と対向搭載表面２０６とを含んでいる。搭載面２０６は（図１に見られる）ステム１４２に結合される。陽極化コーティング２１０は本体２０２の少なくとも基板サポート表面２０４をカバーし、基板１４０と基板サポート表面２０４間の分離層を提供する。

[0049]図２Ａを参照すると、コーティング２１０は外面２１２および内面２１４を含んでいる。内面２１４は一般に本体２０２上に直接配置されている。一実施形態では、陽極化コーティングは、約０．３ミル（７．６マイクロメーター）〜約２．１６ミル（５４．９マイクロメーター）の厚さを有する。この範囲外の厚さを有する陽極化コーティングは、温度サイクリング中に失敗したり、ＰＥＣＶＤ堆積によって形成されたＳｉＮ、αＳｉおよびｎ＋α−Ｓｉの大面積膜のスポッティングを十分に削減しないことがある。

[0050]図２および図２Ａを参照すると、基板サポート表面２０４上に位置決めされた外面２１２の一部２１８は、この上に基板１４０をサポートするように構成された形態を有する。外面２１２の一部２１８は、基板１４０上に堆積された膜の均一な厚さを促進する特定の粗さのコーティング表面仕上げ部２１６を有する。コーティング表面仕上げ部２１６は約２００〜約２０００マイクロインチの粗さを有する。コーティング表面仕上げ部２１６は好都合なことに膜厚の均一性の改良をもたらし、実際基板サポートを調整（例えばエイジング）せずに局所的な厚さの不均一性（薄い堆積のスポット）を実質的に排除することが分かっている。基板サポート調整の排除はプラズマエイジングプロセスで普通に消費される時間および材料の両方を保存しており、サイクル間の真空パージを排除し、この排除はシステムスループットの改良をもたらす。一実施形態では、コーティング表面仕上げ部２１６は約３３０マイクロインチの粗さを有する。

[0051]陽極化コーティング２１０のコーティング表面仕上げ部２１６は、基板１４０の下にある外部基板サポート表面２０４の少なくとも一部２２０を処置することによって、さらに／または（特定の表面仕上げ部２０８を得るために）基板１４０をサポートする陽極化コーティング２１０を少なくとも処置することによって達成されてもよい。基板サポート表面２０４の表面仕上げ部２０８は、ビードブラスト、研削ブラスト、グラインド、エンボス加工、サンディング、テクスチャリング、エッチング、または特定の表面粗さを提供するための他の方法を含む多数の方法で形成されてもよい。一実施形態では、本体２０２の基板サポート表面２０４の表面仕上げ部２０８は約２００〜約２０００マイクロインチである。別の実施形態では、表面仕上げ部２０８は約３３０マイクロインチである。

[0052]任意で、基板１４０の下から位置決めされた部分２２０に隣接する基板サポート表面２０４のストリップ２２４は、製造コストを最小限にするために未処置のままにされてもよい。このことは、仕上げ部２１６とは異なる仕上げ部を有することもある未処置ストリップ２２４の上方に陽極化コーティング２１０のストリップ２２２をもたらすが、ストリップ２２２が基板１４０を超えると、ストリップ２２２の表面仕上げ部は膜堆積の均一性に何ら影響しない。一実施形態では、陽極化コーティング２１０のストリップ２２２は、これが隣接している陽極化コーティング２１０の部分２１８よりも平滑な表面仕上げ部を有する。

[0053]図３は、サポートアセンブリ１３８の製造方法３００の一実施形態を描いている。この方法は、本体２０２の基板サポート表面２０４を準備することによるステップ３０２で開始する。準備ステップ３０２は一般に、基板サポート表面２０４を作動させるか、他の方法で処置することを伴うため、表面仕上げ部２０８は約２００〜約２０００マイクロインチである。表面仕上げ部２０８は平均表面粗さ（Ｒａ）や相加平均（ＡＡ）によって特徴付けられる。一実施形態では、準備ステップ３０２は、ビードブラスト、研削ブラスト、グラインド、エンボス加工、サンディング、テクスチャリング、エッチング、または、例えば約３３０マイクロインチの特定の表面粗さを提供するための他の方法を含んでいてもよい。５００マイクロインチ〜約２０００マイクロインチより大きな表面粗さを達成するために、フライス加工、旋盤カッティング、ローレット切り、フレームカッティング、または他の類似の金属除去技術を使用することが普通である。

[0054]ステップ３０２の一実施形態では、基板サポート表面２０４は、約２００〜約２０００マイクロインチの範囲の所望の粗さを達成するために、例えばアルミニウム（Ａｌ）、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）、チタン（Ｔｉ）またはステンレス鋼などの材料によってスプレーされたフレーム、アークまたはプラズマである。一態様において、基板サポート表面２０４は、約２００〜約２０００マイクロインチの粗さを達成するためにアークスプレーされたアルミニウム材料によってコーティングされる。

[0055]一実施形態では、基板サポート表面２０４は所定の表面仕上げ部にビードブラスト処理される。ビードブラスト処理は、ガーネット、セラミックまたはガラスビーズを本体２０２に衝突させることを含んでいてもよい。

[0056]別の実施形態では、ビーズは、約１２５〜約３７５ミクロンの平均直径を有する酸化アルミニウムである。ビーズは、約２００〜約２０００マイクロインチの表面仕上げ部２０８を生成するのに十分な出口速度を有するノズルを介して提供される。

[0057]準備ステップ３０２の完了後、本体はステップ３０４で陽極化される。陽極化ステップ３０４は一般に、約０．３〜約２．１６ミルの厚さを有する陽極化層を適用することを含んでいる。陽極化コーティング２１２の外面２１０上の結果として得られたコーティング表面仕上げ部２１６は約２００〜約２０００マイクロインチ、好ましくは約３００〜約１０００マイクロインチ、より好ましくは約３３０〜約５００マイクロインチである。

[0058]図４は、サポートアセンブリ１３８の製造方法４００の別の実施形態を描いている。この方法は、本体２０２を陽極化することによるステップ４０２で開始する。ステップ４０４で、陽極化コーティング２１０の外面２１２の少なくとも一部２１８が、粗面化されたコーティング表面仕上げ部２１６を提供するために処置される。あるいはまた、外面２１２の他の部分が処置されてもよい。

[0059]処置ステップ４０４は、ビードブラスト、研削ブラスト、グラインド、フライス加工、エンボス加工、サンディング、テクスチャリング、エッチング、または特定の表面粗さを提供するための他の方法を含んでいてもよい。一実施形態では、処置ステップ４０４は、約２００〜約２０００マイクロインチ、好ましくは約３００〜約１０００マイクロインチ、より好ましくは約３３０〜約５００マイクロインチの外面の表面仕上げ部となる。

[0060]図５は、均一な堆積厚さを高めるように構成されたサポートアセンブリ５００の別の実施形態の部分的断面図を描いている。サポートアセンブリ５００は、陽極化コーティング５０６によって実質的にカプセル化されたアルミニウムサポート本体５０２を含む。加熱素子５０４はサポート本体５０２に結合されて、サポートアセンブリ５００の上面に位置決めされた基板１４０の温度をコントロールする。加熱素子５０４は抵抗ヒーターか、本体５０２に結合されているか、またはこれに対して配置されている他の温度コントロールデバイスであってもよい。あるいはまた、本体５０２の下部部分５１２は、加熱素子５０４と本体５０２間の直接接触を提供するために陽極化されないこともある。場合により、熱導電性材料の中間層（図示せず）が、加熱素子５０４と本体５０２の下部部分５１２との間に配置されてもよい。

[0061]基板１４０をサポートする陽極化コーティング５０６の上部部分５０８は、基板１４０上の膜の均一な堆積を高めるように構成された表面仕上げ部５１０を有する。一実施形態では、表面仕上げ部５１０は、約２００〜約２０００マイクロインチ、好ましくは約３００〜約１０００マイクロインチ、より好ましくは約３３０〜約５００マイクロインチの粗さを有する。表面仕上げ部５１０は、上記の方法を含む多数の方法によって作成されてもよい。

[0062]図６は、ヒーターアセンブリ６００の別の実施形態を描いている。ヒーターアセンブリ６００は、陽極化コーティング６０６を少なくとも部分的にこの上に形成しているアルミニウム本体６０２を含む。加熱素子６０４、つまり温度コントロールされた流体が循環される導管は、基板１４０の温度コントロールを容易にするために本体６０２の底面に対して配置される。場合により、熱導電性プレート６１４が、加熱素子６０４と本体６０２間の温度の均一性を高めるために、加熱素子６０４と本体６０２間に配置されてもよい。一実施形態では、熱導電性プレート６１４は銅プレートである。

[0063]クランププレート６０８は、本体６０２に形成されたスレッドホール６１２内にスレッド接続する複数のファスナー６１０（このうちの１つが図６に示されている）によって本体６０２に結合される。クランププレート６０８は加熱素子６０４を本体６０２で挟持することによって、熱転送を高めることができる。

[0064]基板１４０をサポートする陽極化コーティング６０６の一部６２０は、基板１４０上の膜の均一な堆積を高めるように構成された表面仕上げ部６２２を有する。表面仕上げ部６２２は上記のものと同様に作成されてもよい。

[0065]従って、大面積基板上に配置された膜の均一な堆積を高めるサポートアセンブリが提供される。基板をサポートするサポートアセンブリのアルミニウム本体をカバーする陽極化コーティングの少なくとも一部が、堆積の均一性を高める所定の表面粗さにテクスチャリングされることによって、サポートアセンブリの時間のかかるエイジングおよびこの関連コストを実質的に排除することができる。

未コーティングサセプタ
[0066]図７および図７Ａは、コーティングされておらず、かつ混乱を回避するために、以後、基板サポートアセンブリ７００として分類される基板サポートアセンブリ１３８の別の実施形態の部分的断面図である。サポートアセンブリ７００は、はだかまたは未コーティング本体７０２を含む。本体７０２は、１つ以上の結合部材、あるいは加熱素子１３２をこの中に埋め込んでいるユニタリ鋳造本体から構成されてもよい。一実施形態では、本体７０２は、例えばアルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）またはステンレス鋼などの金属から作られる。

[0067]本体７０２は一般に基板サポート表面７０４および対向搭載表面７０６を含む。搭載表面７６０は（図１に見られる）ステム１４２に結合される。

[0068]図７および図７Ａを参照すると、基板サポート表面７０４は、その上の基板１４０をサポートするように構成された形態を有する。基板サポート表面７０４の基板接触部分７２０は、基板１４０上に堆積された膜の均一な厚さを促進する特定の粗さの表面仕上げ部７１４を有する。表面仕上げ部７１４は約８０〜約２０００マイクロインチの粗さを有する。表面仕上げ部７１４は好都合なことに改良された膜厚の均一性をもたらし、実際、局所的な厚さの不均一性（薄い堆積のスポット）を実質的に排除することが分かった。一実施形態で、表面仕上げ部７１４は約１４０マイクロインチより大きな粗さを有する。別の実施形態では、表面仕上げ部７１４は約３４０マイクロインチより大きな粗さを有する。一態様において、基板サポートアセンブリ７００を形成するためのコストを削減するために、基板接触部分７２０、側縁７３４および対向搭載表面７０６の外部のエリア７２２を未粗面化または部分的に粗面化された状態のままにすることが望ましい。

[0069]図８は、サポートアセンブリ１３８の製造方法８００の一実施形態を描いている。この方法は、本体７０２のサポート表面７０４を準備することによるステップ８０２で開始する。準備ステップ８０２は一般に、サポート表面７０４を作動させるか、他の方法で処置することを伴うため、表面仕上げ部７１４は約１４０〜約２０００マイクロインチ、好ましくは約３００〜約１０００マイクロインチ、より好ましは約３３０〜約５００マイクロインチである。仕上げ部７１４は平均表面粗さ（Ｒａ）または相加平均（ＡＡ）によって特徴付けられる。一実施形態では、準備ステップ８０２は、ビードブラスト、研削ブラスト、グラインド、エンボス加工、サンディング、テクスチャリング、エッチング、または例えば約３３０マイクロインチの特定の表面粗さを提供するための他の方法を含んでいてもよい。５００マイクロインチ〜約２０００マイクロインチより大きな表面粗さを達成するために、フライス加工、旋盤カッティング、ローレット切り、フレームカッティング、または他の類似の金属除去技術を使用するのは普通である。

[0070]一実施形態では、任意の表面コーティングステップ８０４が、基板がサポートされる粗い表面を形成するために使用される。表面コーティングステップ８０４は、約１４０〜約２０００マイクロインチの範囲の所望の粗さを達成するために、従来のフレーム、アーク、または例えばアルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）またはステンレス鋼などのプラズマスプレー金属の使用によって、サポート表面７０４上で実行されてもよい。一態様では、アルミニウムから作られた本体７０２のサポート表面７０４は、約１４０マイクロインチより大きな粗さを達成するためにアークスプレーアルミニウム材料によってコーティングされている。

[0071]任意のステップ８０４の別の実施形態では、セラミックまたは酸化金属コーティングが、約８０〜２０００マイクロインチの表面粗さを達成するために、従来のフレーム、アークまたはプラズマスプレープロセスの使用によってサポート表面７０４上に堆積される。例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）は、約１４０〜約２０００マイクロインチの表面粗さを達成するために、サポート表面７０４上に堆積されてもよい。

基板サポート構造体
[0072]上記論じられた本発明の種々の態様は一般に、基板サポートアセンブリの種々の特性や特徴（例えば要素１３８、２００、７００）を改良することによって大面積基板上の基板プロセス結果を改良することができる種々の実施形態について検討されている。大面積基板上の所望かつ反復可能なプロセス結果を達成するために、一般に、基板と基板サポート間の接触が相対的に均一かつ反復可能であることを保証する必要がある。接触が相対的に均一かつ反復可能であることを保証するために、基板サポート表面は一般に、所望かつ反復可能な形状に形成され、かつこのままにされることが必要である。図９および図１０を参照すると、基板構造体９１０のサイズおよび処理中に普通達成される温度（例えば、通常１５０℃〜４６０℃）によって、構造体サポート（例えば要素９１０）を基板サポート９０２に提供して、これが、基板サポート９０２が形成される材料の重力および軟化によって偏向することを防止することがしばしば必要とされることがある。この問題は普通、これらの温度でのアルミニウム材料の性質ゆえに、アルミニウムから作られた基板サポート９０２を使用する場合に生じる。高温処理中の偏向に抵抗するように適合された基板サポート９０２に対して本質的なサポート構造体の例示的設計は同一出願人による米国特許第６，５５４，９０７号に更に説明されており、これは、特許請求された本発明と矛盾しない限りその全体を参照として本明細書に組み込まれている。高温処理中の偏向に抵抗するように適合された基板サポート９０２に対して本質的なサポート構造体の例示的設計は、２００５年６月２日に出願された同一出願人による米国特許出願第１１／１４３，５０６号［ＡＭＡＴ９１８２］に更に説明されており、これは２００４年７月１２日に出願された米国仮特許出願第６０／５８７，１７３号の利点を特許請求するものであり、特許請求された本発明と矛盾しない限りその全体を参照として本明細書に組み込まれている。

[0073]図９は、図１に示された基板サポートアセンブリ１３８に代えて使用されてもよい基板サポート構造体９１０の分解等尺図を図示している。図１０は、基板サポート表面９０４上に位置決めされた基板１４０を有する完全組立て配向の基板サポート構造体９１０の側面図を図示している。図９および図１０の基板サポート構造体９１０は一般に、基板サポート９０２の下方にベース構造体９１４を含んでいる。一態様では、基板サポート９０２は、接続ポイント９０１でシャフト１４２によって接続およびサポートされているベース構造体９１４によってサポートされている。一実施形態では、ベース構造体９１４は、連続サポートを基板サポート９０２に提供して、種々のプロセスの実行前、実行中および実行後に基板サポート表面９０４が所望の所定の形状のままであることを保証するように適合されている。サポート構造体９１０と関連して説明された基板サポート９０２は一般に、上記の（例えば、要素２０２、５０２、６０２、７０２と関連して説明された）プロセスのうちのいずれかによって形成可能である。

[0074]ベース構造体９１４は一般に、細長いベースサポートプレート９１５と、基板サポート９０２をサポートするように適合された複数の水平サポートプレート９１７とを含有する。図９に示された構成において、水平サポートは、ベースサポートプレート９１５に対してほぼ直角である配向で配置されている。一態様では、プレート９１５、９１７が、処理温度および圧力条件下で基板サポート９０２の重量をサポートおよび保有できる十分な強度および剛性の材料から製造されることが好ましい。例えば、プレート９１５、９１７は、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）などのセラミック材料や、３００シリーズステンレス鋼などの耐熱金属から作られる。

[0075]図９の図面は説明目的で分解された基板サポート構造体９１０を示しているが、基板サポート９０２はサポートプレート９１５、９１７のすぐ上に静止していることが理解される。基板サポート９０２およびサポートプレート９１５、９１７は処理中に相互に移動しないことが想定されている。また、図９を参照すると、１つのベースサポートプレート９１５と４つの個別の水平サポートプレート９１７が示されているのに対して、任意の数のサポートプレート９１５、９１７が使用されてもよいことが理解されるべきである。

[0076]一実施形態では、ベース構造体９１４は、基板サポート９０２およびサポートされた基板１４０に非平面プロファイルを与えるために、非平面形状で形成されてもよい（図１０参照）。本実施形態では、ベース構造体９１４は、細長いベースサポートプレート９１５と、ベースサポートプレート９１５に対してほぼ直角に配置された複数の水平サポートプレート９１７と、基板サポート９０２をサポートし、かつ所望の非平面プロファイルを達成するために水平サポートプレート９１７上に置かれた様々な厚さの複数のシム９１８とを含有していてもよい。好ましくは、シム９１８の厚さは約０．４ｍｍ〜約３．５ｍｍである。本実施形態では、シム９１８は水平サポートプレート９１７の端に位置決めされているが、シム９１８は水平サポートプレート９１７の他の部分に配置されてもよい。サポートプレート９１７の形状および／またはシム９１８の使用は、加熱された基板は処理中に基板サポート９０２の平面配向に従うため、処理中に基板に対する所望の平面配向を変換する基板サポート９０２の事前成形を許容することが想定されている。

[0077]本発明の教示を組み込む複数の好ましい実施形態が示され、かつ詳細に説明されたが、当業者は、これらの教示を依然として組み込んでいる多数の他の種々の実施形態を容易に考案することができる。

本発明の基板サポートアセンブリを有する処理チャンバの一実施形態の概略断面図を描いている。 基板サポートアセンブリの別の実施形態の部分的断面図である。 基板サポートアセンブリの別の実施形態の部分的断面図である。 基板サポートアセンブリの製造方法の一実施形態のフローチャートである。 基板サポートアセンブリの製造方法の別の実施形態のフローチャートである。 基板サポートアセンブリの別の実施形態の部分的断面図である。 基板サポートアセンブリの別の実施形態の部分的断面図である。 基板サポートアセンブリの別の実施形態の部分的断面図である。 基板サポートアセンブリの別の実施形態の部分的断面図である。 基板サポートアセンブリの製造方法の一実施形態のフローチャートである。 一実施形態における基板サポートアセンブリの分解等尺図である。 図９の基板サポートアセンブリの側面図である。

符号の説明

１００…システム、１０２…チャンバ、１０４…ガスソース、１０６…壁、１０８…底部、１１０…蓋アセンブリ、１１２…プロセス容積、１１４…ポンププレナム、１１６…補強部材、１１８…分配プレート、１２０…内側、１２２…電源、１２４…本体、１２６…下部サイド、１２８…ホール、１３０…電源、１３２…加熱素子、１３４…上部サイド、１３８…基板サポートアセンブリ、１４０…基板、１４２…ステム、１４４…ステムカバー、１４６…ベローズ、１４８…シャドウフレーム、１５０…リフトピン、１５４…リフトプレート、１５６…カラー、１６０…第１の端、１６４…第２の端、１６６…補強部材、１６８…上部部分、１７０…下部部分、１８０…絶縁性コーティング、１９０…熱電対、２００…サポートアセンブリ、２０２…本体、２０４…基板サポート表面、２０６…対向搭載表面、２０８…表面仕上げ部、２１０…陽極化コーティング、２１２…外面、２１４…内面、２１６…コーティング表面仕上げ部、２１８…部分、２２０…部分、２２２…ストリップ、２２４…ストリップ、３００…方法、３０２…ステップ、３０４…ステップ、４００…方法、４０２…ステップ、４０４…ステップ、５００…サポートアセンブリ、５０２…アルミニウムサポート本体、５０４…加熱素子、５０６…陽極化コーティング、５０８…上部部分、５１０…表面仕上げ部、５１２…下部部分、６００…ヒーターアセンブリ、６０２…アルミニウム本体、６０４…加熱素子、６０６…陽極化コーティング、６０８…クランププレート、６１０…ファスナー、６１２…スレッドホール、６１４…熱導電性プレート、６２０…部分、６２２…表面仕上げ部、７００…サポートアセンブリ、７０２…本体、７０４…基板サポート表面、７０６…搭載表面、７１４…表面仕上げ部、７２０基板接触部分、７２２…エリア、７３４…側縁、８００…方法、８０２…ステップ、８０４…ステップ、９０１…接続ポイント、９０２…基板サポート、９０４…基板サポート表面、９１０…基板サポート構造体、９１４…ベース構造体、９１５…ベースサポートプレート、９１７…水平サポートプレート、９１８…シム。

Claims (25)

1. 大面積基板をサポートするように適合された基板サポートであって、
   基板サポート表面を有する導電性本体と、
   前記本体上に配置された絶縁性コーティングと、
   約２００〜約２０００マイクロインチの表面仕上げ部を有する前記基板サポート表面の中央に配置された前記コーティングの少なくとも一部と、
   を備える、基板サポート。
2. 前記導電性本体が、少なくともアルミニウム本体から部分的に製造されており、前記コーティングは陽極化層である、請求項１に記載の基板サポート。
3. 前記陽極化コーティングは、約０．３〜約２．１６ミルの厚さを有する、請求項２に記載の基板サポート。
4. 前記基板サポート表面は、約３００〜約１０００マイクロインチの表面仕上げ部を有する、請求項１に記載の基板サポート。
5. 前記基板サポート表面は、ビードブラスト処理されている、請求項４に記載の基板サポート。
6. 前記基板サポート表面上に配置された前記コーティングは更に、
   前記基板サポート表面の中央の前記コーティングの前記一部に外接し、かつ約２００マイクロインチ未満の表面仕上げ部を有するストリップを備える、請求項１に記載の基板サポート。
7. 前記基板サポート表面は更に、
   約３００〜約１０００マイクロインチの表面仕上げ部を有する中央領域と、
   前記中央領域に外接し、かつ約３００マイクロインチ未満の表面仕上げ部を有する周縁領域と、
   を備える、請求項１に記載の基板サポート。
8. 前記基板サポート表面の表面積は、少なくとも２，０００ｃｍ^２である、請求項１に記載の基板サポート。
9. 大面積基板をサポートするように適合された基板サポートであって、
   基板サポート表面を有する本体と、
   処理中に前記本体を構造的にサポートするように適合された１つ以上のサポートを有する基板サポート構造体と、
   約２００〜約２０００マイクロインチの表面仕上げ部への堆積後に処置された前記基板サポート表面上に配置された絶縁性コーティングと、
   を備える、基板サポート。
10. 前記本体はアルミニウムであり、前記コーティングは陽極化層である、請求項９に記載の基板サポート。
11. 前記基板サポート表面は、ビードブラスト、研削ブラスト、グラインド、エンボス加工、サンディング、テクスチャリング、エッチング、フライス加工、旋盤カッティング、ローレット切りまたはフレームカッティングのうちの少なくとも１つによって処置される、請求項９に記載の基板サポート。
12. 前記基板サポート表面は、約１２５〜約３７５ミクロンの平均直径を有する酸化アルミニウム媒体によってブラスト処理される、請求項９に記載の基板サポート。
13. 大面積基板をサポートするように適合された基板サポート表面を有する導電性本体を提供するステップと、
    前記基板サポート表面をコーティングするステップであって、前記コーティングは約３３０〜約１０００マイクロインチの表面粗さを有するステップと、を備えるプロセスによって製造された基板サポート。
14. 前記コーティングは、アルミニウムを含有する前記導電性本体上で実行された陽極化コーティングである、請求項１３に記載の基板サポート。
15. 導電性本体アセンブリを提供する前記ステップは更に、
    １つ以上のサポートを有する基板サポート構造体を提供する工程と、
    前記１つ以上のサポート上に前記導電性本体を位置決めする工程と、
    を備える、請求項１３に記載の基板サポート。
16. 約３００〜約２０００マイクロインチの表面仕上げ部を前記本体上にもたらすために、コーティング前に前記基板サポート表面を処置するステップを更に備える、請求項１３に記載の基板サポート。
17. 前記基板サポート表面を処置する前記ステップは更に、ビードブラスト、研削ブラスト、グラインド、エンボス加工、サンディング、テクスチャリング、エッチング、フライス加工、旋盤カッティング、ローレット切りおよびフレームカッティングから成る群から選択された少なくとも１つの処置を実行するステップを備える、請求項１６に記載の基板サポート。
18. 前記基板サポート表面を処置する前記ステップは更に、
    前記基板サポート表面をビードブラスト処理するステップであって、ビードブラスト処理が、約１２５〜約３７５ミクロンの平均直径を有するビーズを前記基板サポートに衝突させることを含んでいるステップを備える、請求項１６に記載の基板サポート。
19. 加熱素子を前記導電性本体にカプセル化するステップであって、前記導電性本体はアルミニウムを含有するステップを更に備える、請求項１３に記載の基板サポート。
20. 前記基板サポート表面に対向する前記導電性本体に加熱素子を結合させるステップを更に備える、請求項１３に記載の基板サポート。
21. 約３００〜約２０００マイクロインチの表面仕上げ部を得るために、大面積基板をサポートするように適合されたアルミニウム基板サポート表面を処置するステップと、
    約０．３〜約２．１６ミルの厚さに前記基板サポート表面を陽極化するステップであって、前記基板サポート表面の少なくとも前記中央部分に配置された前記陽極化コーティングの前記表面仕上げ部は、約３００〜約２０００マイクロインチの表面仕上げ部を有するステップと、
    を備えるプロセスによって製造された基板サポート。
22. 大面積基板をサポートするように適合された基板サポートであって、
    基板サポート表面を有する導電性本体であって、前記基板サポート表面は、はだかアルミニウムであり、かつ約１４０〜約２０００マイクロインチの表面仕上げ部を有する導電性本体を備える、基板サポート。
23. 大面積基板をサポートするように適合された基板サポートであって、
    約８０〜約１０００マイクロインチの表面仕上げ部に処置された基板サポート表面を有するはだかアルミニウム本体と、
    処理中に前記アルミニウム本体を構造的にサポートするように適合された１つ以上のサポートを有する基板サポート構造体と、
    を備える、基板サポート。
24. 前記基板サポート表面は、ビードブラスト、研削ブラスト、グラインド、エンボス加工、サンディング、テクスチャリング、エッチング、フライス加工、旋盤カッティング、ローレット切りおよびフレームカッティングから選択されたプロセスによって処置される、請求項２３に記載の基板サポート。
25. 前記基板サポート表面は、約１２５〜約３７５ミクロンの平均直径を有する酸化アルミニウム媒体によってブラスト処理される、請求項２３に記載の基板サポート。
    

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