CN1897784B - 通过粗糙化基座减少静电放电 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及了一种基板支架及其制造方法。本发明的一实施方式中，基板支架包括具有基板支架表面的电导体，其中该基板支架表面由电绝缘涂层涂覆。位于基板支架表面中心的至少部分涂层具有约200到约2000微英寸之间的抛光面。另一实施方式中，基板支架包括阳极电镀的铝主体，并在用于支撑其上基板的部分铝主体上具有约200到约2000微英寸的抛光面。在一实施方式中，基板支架组件包括具有基板支架表面的电导体，用于支撑该导体的基板支架结构并且该导体用电绝缘涂层涂覆。

Description

通过粗糙化基座减少静电放电
技术领域
本发明实施方式主要涉及半导体工艺中使用的一种基板支架及其制造方法。
背景技术
液晶显示或平板显示广泛用于有源矩阵显示器诸如计算机和电视机的监视器，个人数字助理(PDAs)，手机等。平板显示通常包括中间夹有液晶材料的两个玻璃板。该玻璃板至少其中之一包括至少一个设置于其上的与电源连接的导电层。由电源提供的电能施加于该导电层上改变液晶材料的方向，在显示器上产生诸如文本或者图形的图案。常用于生成平板的一种制造工艺是等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。
通常采用等离子体增强化学气相沉积的方式在诸如平板或半导体基片的基板上沉积薄膜。等离子体增强气相沉积常通过将气体前体通入到包含基板的真空腔里实现。通常通过位于该腔顶部的分配盘导入该气体前体。通过从与该腔相连的一个或多个RF源对该腔施加射频功率使腔内的气体前体离化(例如激发)为等离子体。该受到激发的气体发生反应在位于温度可控的基板支架的基板表面上形成材料层。实际应用中在该基板承载低温多晶硅层的情况，可以将该基板支架加热到400摄氏度以上。反应中产生的挥发性副产品通过排气系统从腔内抽出。
一般地，用于平板制造的大面积基板很大，通常超过550mm×650mm，甚至预想表面积达到并超过4平方米。因此，相应同比例增大用来处理大面积基板的基板支架以容纳该大表面积基板。通常铸造用于高温的基板支架，该支架包括一个或多个加热元件以及铝体的热电偶。由于基板支架很大，一般在基板支架内设置一个或多个加固构件以在提高工作温度时(也就是说，为了减少某些薄膜中的氢含量，温度超过350摄氏度并接近500摄氏度)，可增强基板支架的强度和性能。接着对铝基板支架进行阳极电镀来提供保护涂层。
虽然用这种方法设置的基板支架表明具有良好的加固性能，但是发现薄膜厚度有小的局部变化通常表现为较薄的薄膜厚度上的点，其可能对下一代形成于大面积基板上的器件产生不利影响。人们普遍认为玻璃的厚度和平整度以及光滑的基板支架表面通常约有50微英寸的变形，该变形引起玻璃基板上某些位置的局部电容改变，从而引起局部等离子体不均匀，进而导致沉积变化，例如，变薄的沉积膜厚度中的点。老化和修改基板支架的等离子体作用条件，尤其在基板放入真空腔处理前，结合延长腔真空净化时间一起执行的情况下，表明可减少细小点的形成。然而，用这种方法需要的总时间和材料以及它在成本和产出上不尽人意使得人们希望获得一种更有效的解决方法。
随着基板尺寸从大约370mm×470mm增加到约1200mm×1040mm，或甚至1800mm×2200mm，其它新的缺陷类型成为平板显示器件制造中的关键问题。随着下一代基板尺寸的继续增加，由于平板制造商对每个基板的投资巨大，减少缺陷的重要性变得更加关键。而且，随着器件关键尺寸的不断降低，要求薄膜均匀性的误差更小，减少和/或消除薄膜厚度的差异成为下一代形成于大面积基板上器件的经济型产品的重要因素。
此外，通常通过用两个相关的重要因素来衡量基板制造工艺的效率，其为器件产量和制造商成本(CoO)。因为它们直接影响电子器件的生产成本以及器件制造商在市场的竞争力，因此这些因素是至关重要的。虽然CoO由多个因素影响，但主要受到生产硬件的最初成本和更换消耗硬件成本的影响。为了减少CoO，电子器件制造商常花大量时间设法对生产硬件和消耗成本优化在不影响颗粒和生产产量下获得最多的最高利润空间。制造商成本计算中另一个重要因素是系统可靠性和系统正常运行时间。这些因素对于组合设备工具的利润和/或有效性很重要，如果系统不能生产基板的时间越长，由于集束型工具没有生产基板的机会，用户将损失更多的金钱。因此，集束型工具用户和制造商花大量时间设法研发可靠性工艺，可靠的硬件和延长正常运行时间的可靠系统。
发现成为大面积基板PECVD型工艺中的问题是工业中公知的缺陷，即静电放电(ESD)的金属线电弧问题。普遍认为随着基板尺寸的增加在等离子体沉积过程中较长和较大ESD金属线中产生非常大的感应电流，使得由等离子体引起的电弧对基板造成损伤成为主要反复出现的问题。这个问题通常不会出现在较小半导体器件制造中(例如，150mm到300mm的圆形硅基板)因为平板显示应用中栅金属线与ESD放电线相连，一般约为5到10微米(μm)宽并且约为一米或者两米长，而在一般半导体应用中，栅金属线为90纳米宽，最多几厘米长。平板显示基板上的ESD的宽度大小通常大于1mm，长度可为一米或者两米之间。因此普遍认为平板显示应用中的ESD金属线趋向于当作能在等离子体处理过程中收集大量电荷的天线，该电荷会导致对基板产生电弧放电损伤。因此，非常需要通过增大接地的放电路径的电阻减少由于等离子体相互作用引起电弧放电的机会。应当注意到，比半导体基板大得多的平板显示基板的厚度(例如0.7mm)，对于大尺寸型的和较小尺寸型的平板显示基板，其变化不大。
另一个出现在1200mm×1040mm，或者更大基板工艺中的缺陷是在基板上执行诸如PECVD的等离子体处理工艺后，发现在基板背面上颗粒数量增加。普遍认为随着玻璃基板尺寸的增加，在等离子体工艺中捕获静电电荷的能力提高，从而导致在工艺腔中出现的颗粒被吸附到由捕获电荷所吸引的基板表面处。
由于不同基板材料的特性和大小原因，导致平板显示应用和半导体应用存在的电弧放电和静电荷问题是不一样的。由于摩擦带电工艺，或者将两种材料相互连接然后将它们彼此分开的工艺产生的静电荷受到多种因素影响，其中的两个因素为两个元件之间表面接触量和两种材料的功函数。平板和半导体应用之间的一个不同之处在于每个应用(例如玻璃对硅(或者锗))中使用的基板材料特性不同，这与材料特性即所称的功函数相关。一般地，功函数描述材料容纳自由电子能力(电子围绕材料最外层轨道旋转)。一般地，与功函数较小的材料(如玻璃)相比，当功函数较高的材与给定的材料相接触然后与之分离时，功函数较高的材料(如硅)不太可能失去电子。(参照引文2000年11月的EE-Evaluation Engineering中Ryne C.Allen.写的“TriboelectricGeneration：Getting Charged”(摩擦带电的产生：获得充电)。)因此，虽然静电荷的产生取决于处理的基板将要接触的材料，但是和半导体基板相比，平板显示基板上产生的电荷数量和电荷的极性并不相同。
第二个摩擦带电因素，或者部件之间的接触量，意味着元件之间的接触越大，接触元件之间转移的电荷将越多并越可能发生电弧放电。两个元件的表面粗糙度值对两个部件之间的接触量起直接影响。因此，现有技术申请，诸如1998年6月2号递交的美国专利申请号6,063,203提出使Ra为1到8微米的基座(基板支架)表面粗糙化的工艺，该引文需要最后一步抛光粗糙基座表面，该步骤可以减小粗糙度并增加两个基板元件之间的接触。减小的粗糙度，以及由此提高的两个基板元件之间的接触将增强基板与基板支架之间摩擦带电电荷的转移，从而提高产生充足的捕获电荷来形成电弧放电或者吸引颗粒的可能性。另一个如现有技术所描述的理论认为抛光粗糙表面的步骤消去了对支撑基板粗糙化得到的一些优势，诸如改善两个部件之间的电接触(也就是，基座表面和玻璃表面)。认为通过提高粗糙表面的尖点或者陡点处的接触应力可以建立改善的电接触，其认为用来在等离子体工艺中降低两个部件之间的电荷积累，从而减少电弧放电和颗粒吸引到基板表面的可能。
因此，需要一种可以解决上述出现的所有这些问题的改进型基板支架。
发明内容
本发明涉及了一种基板支架及其制造方法。在本发明一实施方式中，基板支架包括具有基板支架表面的电导体，设置于该导体上的电绝缘涂层以及设置于基板支架表面中心处的至少一部分绝缘涂层，该基板支架表面的抛光面位于约200到约2000微英寸之间。
在一实施方式中，用来支撑大面积基板的基板支架包括具有基板支架表面的主体，具有一个或多个支架用来在工艺中结构上支撑主体的基板支架结构以及设置于基板支架表面上的电绝缘涂层，沉积后将基板支架表面处理为约在200到约2000微英寸之间的抛光面。
在另一实施方式中，通过一工艺制造基板支架，该工艺包括步骤：提供适宜用于支撑基板支架表面上的大面积基板的铝体，以及在基板支架表面形成表面粗糙度大约为330到约2000微英寸之间的阳极电镀涂层。
在另一实施方式中，用来支撑大面积基板的基板支架包括具有基板支架表面的电导体，其中该基板支架表面为裸露的铝并具有大约为140到约2000微英寸之间的抛光面。
在另一实施方式中，用来支撑大面积基板的基板支架，该基板支架包括具有基板支架表面的裸露铝体，将基板支架表面处理为大约140到约1000微英寸之间的抛光面；以及具有一个或多个支架用于在工艺中结构上支撑铝体的基板支架结构。
附图说明
通过参照附图中示出的实施方式对以上概括性描述的本发明进行更具体的说明。但是，应该注意到附图仅示出本发明代表性的实施方式并且不能视为对本发明范围的限定，本发明承认其他等效的实施方式。
图1示出了具有本发明基板支架组件的工艺腔实施方式的截面示意图；
图2示出了基板支架组件另一实施方式的局部截面图；
图2A示出了基板支架组件另一实施方式的局部截面图；
图3示出了制造基板支架组件方法实施方式的流程图；
图4示出了制造基板支架组件方法另一实施方式的流程图；
图5示出了基板支架组件另一实施方式的局部截面图；
图6示出了基板支架组件另一实施方式的局部截面图；
图7示出了基板支架组件另一实施方式的局部截面图；
图7A示出了基板支架组件另一实施方式的局部截面图；
图8示出了制造基板支架组件方法实施方式的流程图；
图9示出了一实施方式中基板支架组件的等距分解图；
图10示出了图9基板支架组件的侧视图。
为了便于理解，尽可能采用相同附图标记表示附图中相同的元件。
具体实施方式
本发明主要涉及一种大面积基板支架及其制造方法。以下通过参照处理大面积基板的等离子体增强化学气相沉积系统对本发明进行示例性描述，诸如从California，Santa Clara的Applied Materials公司的AKT部门购买的等离子增强化学气相沉积系统(PECVD)。在一实施方式中，工艺腔用来处理表面积至少约为2000cm2的大面积基板。在另一实施方式中，工艺腔用来处理表面积至少约为6,176cm2的基板(例如：730mm×920mm)。然而，应当理解本发明可应用在其它系统构造中诸如物理气相沉积系统，离子注入系统，刻蚀系统，其它化学气相沉积系统以及任何其它适合用来处理基板支架上的基板的系统。
图1示出了一等离子体增强化学气相沉积系统100实施方式的截面图。系统100通常包括与气体源104相连的腔102。腔102具有限定工艺室112的壁106，底部108以及盖组件110。工艺室112通常通过壁106上的孔(未示出)进入工艺室112，该孔有助于大面积玻璃基板140在腔102进出动作。通常由与工艺兼容的整块铝或者其它材料制造壁106和底部108。盖组件110包含将工艺室112与各种泵元件相连的废气排出口(未示出)连接的一个增压泵114。
盖组件110由壁106支撑并可以被移去给腔102使用。盖组件110通常由铝组成。分配盘118与盖组件110的内侧120相连。分配盘118通常用铝制造。中心部分包括多孔区，使气体源104提供的工艺及其它气体通过该区域进入工艺室112。设计分配盘118上的多孔区用来提供均匀分布的气体经过分配盘118进入腔102。
基板支架组件138设置在腔102内的中心位置。基板支架组件138在工艺中支撑大面积玻璃基板140(以下“基板140”)。
有涂层的基座设计
在一实施方式中，基板支架组件138通常包含电导体124，其用电绝缘涂层180涂覆在该导体124支撑基板140的至少一部分上。普遍认为在不对基板支架组件138进行昂贵的老化或者等离子体处理的情况下，电绝缘涂层180具有约为200到2000微英寸的抛光面以提高沉积的均匀性。用平均表面粗糙度(Ra)或者算术平均值(AA)表示抛光面。电绝缘涂层180也可以涂覆在导体124其它部分。普遍认为较粗糙的表面抵消了玻璃基板厚度不均匀产生的影响从而在整个基板上得到更均匀的电容，从而提高等离子体和沉积的均匀性，以及基本上消除薄膜沉积中形成的细小点。
此外，由于普遍认为减少基板与电绝缘涂层180之间的接触将降低由于接触的表面积量减小引起的电荷转移，或者增加粗糙度增加电接触其使两个元件之间的电荷差异减小，将降低ESD金属线形成电弧放电的可能性和基板表面对颗粒的吸引。
可以用金属或者其它类似的电导体材料制造导体124。电绝缘涂层180可为介电材料诸如氧化物，氮化硅，二氧化硅，二氧化铝，五氧化钽，碳化硅，聚酰亚胺等，可通过多种沉积或者涂覆工艺涂覆该电绝缘涂层180，涂敷工艺包括但不限于火焰喷涂、等离子体喷涂、高能涂覆、化学气相沉积、喷涂、粘合膜、溅射以及封装。
在一实施方式中，基板支架组件138包括铝导体124，其包覆至少一个嵌入式加热元件132和热电偶190。通常在导体124内紧邻加热元件132处嵌入至少一第一加固构件116。第二加固构件166可以设置于导体124内加热元件132的一侧并与第一加固构件116相对。加固构件116和166可以由金属，陶瓷或者其它刚性材料组成。在一实施方式中，加固构件116和166由氧化铝纤维组成。或者，加固构件116和166可以由通过氧化铝颗粒结合氧化铝纤维、碳化硅纤维、氧化硅纤维或类似材料组成。加固构件116和166可包含松散材料或者可为预制形状诸如平面。或者，加固构件116和166可包含其它形状和几何形状。一般地，加固构件116和166具有多孔其允许铝在如下所述的铸造工艺中注入到加固构件116，166中。
加热元件132，诸如设置在基板支架组件138上的电极，与功率源130相连并对基板支架组件138和位于其上的基板140可控加热到预定的温度。通常，加热元件132使基板140保持在大约150到至少约460摄氏度的均匀温度。
一般地，基板支架组件138具有下端126和支撑基板的上端134。下端126有与之相连的连接护套144。连接护套144通常为与基板支架组件138相连的铝环，该铝环为连接到其上的连接杆142提供安装面。
一般地，连接杆142从连接护套144伸出并使基板支架组件138与使基板支架组件138在升高的位置(未示出)和降低位置之间移动的提升系统(未示出)相连。当对支架组件进行移动时，风箱146为工艺室112和腔102外的大气之间提供真空密封。连接杆142还为位于基板支架组件138和系统100的其它元件之间的电线和热电偶线提供导线管。
通常基板支架组件138接地从而由功率源122向分配盘118提供的射频功率(或者其它靠近或者位于腔的封口装置内的电极)可使位于基板支架组件138和分配盘118之间的工艺室112中的气体电离。通常选择与基板尺寸匹配的射频功率源122以运行化学气相沉积工艺。
基板支架组件138额外地支撑外接阴影框148。一般地，阴影框148避免在基板140和基板支架组件138的边缘上沉积从而不会使基板与支撑系统138粘附。
基板支架组件138设置有多个孔128，从该处装有多个升降杆150。升降杆150通常由陶瓷或者阳极电镀铝构成。一般地，当升降杆150位于标准位置时(也就是说从支架组件138收回)，升降杆150的第一端160基本上平齐或者略微嵌入基板支架组件138的上侧134。顶端160常设计为扩口式以防升降杆150从孔128中脱落。另外，升降杆150的第二端164从支架组件138的下侧126伸出。可以通过提升板154相对于基板支架组件138控制升降杆150的位置使其从上侧134伸出，从而相对支架组件138以一定间隔定位基板。
靠近支撑表面的下侧126设置该提升板154。提升板154通过与连接杆142外接的圆环156和控制器相连。风箱146包括上部168和下部170，在保持工艺室112与腔102的外部环境隔离的同时，允许连接杆142和圆环156独立移动。一般地，随着基板支撑装置138和提升板154移动彼此靠近，起动提升板154可使升降杆150从上侧134伸出。
图2和2A示出了基板支架组件138另一实施方式的的部分截面图，为了避免混淆，该实施方式以下称为支架组件200。支架组件200包括主体202，其材质可为铝，并基本上涂覆有阳极电镀涂层210。主体202可由一个或多个耦合的元件或者具有加热元件132嵌入其中的整体成型的主体。基板支架组件实例可以采用2002年12月2日递交的美国专利申请10/308,385和2001年8月1日递交的美国专利申请09/921,104描述的发明权益，在此引用其两者的全部内容作为参考。
主体202通常包括基板支架表面204和相向的装配表面206。装配表面206与连接杆142相连(图1示)。阳极电镀涂层210至少涂覆主体202的基板支架表面204并在基板140和基板支架表面204之间提供分离层。
参照图2A，涂层210包括外表面212和内表面214。内表面214通常直接设置于主体202上。在一实施方式中，阳极电镀涂层厚度约为0.3千分之一寸(7.6微米)到2.16千分之一寸(54.9微米)之间。厚度在此范围之外的电镀涂层在温度周期变化中常被损坏或者不能充分降低由PECVD形成的大面积氮化硅，α硅和n+α硅薄膜中的污点。
参照图2和2A，位于基板支架表面204上的外表面212的一部分218具有设计用来支撑其上的基板140的几何形状。外表面212的一部分218有预定粗糙度的抛光面涂层216，其有助于在基板140上沉积厚度均匀的薄膜。抛光面涂层216的粗糙度约为200到2000微英寸。抛光面涂层216有利于提高薄膜厚度的均匀性以及尤其发现不需要调节(例如老化)支撑基板就可以基本上消除局部厚度的不一致(稀疏沉积的点)。免去支撑基板的调节节约了等离子体老化工艺所消耗的时间和材料以及免去了每个循环之间真空的清洗，免去的这些步骤致使系统的产量提高。在一实施方式中，抛光面涂层216的粗糙度约为330微英寸。
可以通过对基板140下面的基板支架外表面204的至少一部分220处理和/或通过至少对支撑基板140的阳极电镀涂层210进行处理(得到预定的抛光面208)来获得阳极电镀涂层210的抛光面涂层216。可以用多种方法形成基板支架表面204的抛光面208，包括珠光处理、喷磨、铣削、压印、砂纸打磨、蚀纹，刻蚀或其他方法获得预定的表面粗糙度。在一实施方式中，主体202的基板支架表面204的抛光面208约为200到2000微英寸。另一实施方式中，抛光面208约为330微英寸。
或者，为了使制造成本最小，可以不对由220部分限定的基板支架表面204以外的窄带224进行处理。这将在未作处理的窄带224上产生阳极电镀涂层210的窄带222，与抛光面216相比，具有不同的抛光度，但是，由于窄带222在位于基板140以外，因此窄带222的抛光面对薄膜沉积的均匀性没有影响。在一实施方式中，阳极电镀涂层210的窄带222具有比阳极电镀涂层210限定的部分218具有更光滑的抛光面。
图3描述了一制造支架组件138的方法300的实施方式。该方法开始的步骤302为制备主体202的基板支架表面204。制备步骤302通常需要加工或者对基板支架表面204进行其他处理从而得到约为200到2000微英寸之间的抛光面208。抛光面208用平均表面粗糙度(Ra)或者算术平均值(AA)来衡量。在一实施方式中，制备步骤302可以包括珠光处理、喷磨、铣削、压印、砂纸打磨、蚀纹，刻蚀或其他方法获得大约300微英寸的预定表面粗糙度。为了得到大于550到约2000微英寸左右的表面粗糙度，通常用研磨，车床切割，压花，火焰切割或其他类似的金属去除技术。
在步骤302的实施方式中，通过诸如铝，三氧化二铝，钛或者不锈钢的材料对支撑基板表面204进行火焰、电弧或者等离子体喷涂以实现范围在约200到约2000微英寸之间的所需粗糙度。一方面，用电弧喷涂的铝材料涂覆基板支架表面204，得到200到2000微英寸左右的粗糙度。
在一实施方式中，对基板支架表面204珠光处理至预定的抛光面。珠光处理过程可以包括用石榴石，陶瓷或者玻璃珠撞击主体202。
另一实施方式中，珠砂为氧化铝其平均直径为约125到约375微米。珠砂通过具有足够大的出射速度的管口提供该珠砂以得到大约200到2000微英寸左右的抛光面208。
在制备步骤302完成后，在步骤304对主体进行阳极电镀。阳极电镀步骤304通常包括涂覆一层厚度约为0.3到2.16千分之一寸的阳极电镀层。阳极电镀涂层212的外表面210上最终得到的抛光面涂层216约为200到约2000微英寸，并且较理想地在约300到约1000微英寸之间，甚至更理想地在约330到500微英寸左右。
图4示出了制造支架组件138的方法400的另一实施方式。该方法开始步骤402为对主体202阳极电镀。在步骤404中，对阳极电镀涂层210的外表面212的至少一部分进行处理以提供粗糙的抛光面涂层216。或者，可对外表面212其他部分进行处理。
处理步骤404可包括珠光处理，喷磨，铣削，压印，砂纸打磨，蚀纹，刻蚀或其他方法获得指定的表面粗糙度。在一实施方式中，处理步骤404得到外表面的抛光面约在200到2000微英寸之间，和较理想地约在300到1000微英寸之间，以及更理想地约在330到500微英寸之间。
图5示出了用于提高沉积厚度均匀性的支架组件500的另一实施方式的部分截面图。支架组件500包括基本上由阳极电镀涂层506覆盖的铝制支架主体502。加热元件504与该支架主体502相连以控制位于支架组件500上表面上的基板140的温度。加热元件504可为电阻加热器或者与主体502相连或者靠主体502设置的其他温度控制元件。或者，主体502的下部分512可以不用阳极电镀处理使加热元件504与主体502直接接触。任选地，导热材料的插入层(未示出)可设置在加热元件504和主体502的下部512之间。
设置支撑基板140的阳极电镀涂层506的上部508具有抛光面510用来提高基板140上薄膜沉积的均匀性。在实施方式中，抛光面510的粗糙度约在200微英寸到约2000微英寸之间，并且较理想地约在300到约1000微英寸之间，以及更理想地约在330到500微英寸之间。可以通过多种方法包括以上所述的方法对抛光面510进行处理。
图6示出了加热装置600的另一实施方式。加热装置600包括铝主体602其具有至少部分形成于其上的阳极电镀涂层606。也就是说，在主体602的底面上设置加热元件604以便于对基板140施加温度控制，该加热元件604为用于循环控制温度的循环液体的导管。或者，可以在加热元件604和主体602之间设置导热板614从而提高加热元件604和主体602之间的温度均匀性。在一实施方式中，导热板614为铜板。
通过多个紧固件610(其中一个在图6示出)其装入主体602内形成的螺丝孔612中，模座板608与主体602相连。模座板608夹在加热元件604和主体之间，从而增强热传递。
设置支撑基板140的阳极电镀涂层606的一部分620具有抛光面622从而提高基板140上的薄膜沉积均匀性。抛光面622可以类似以上所述得到。
因此，本发明提供了一种改进大面积基板上薄膜沉积均匀性的支架组件。蚀印涂覆有至少一部分阳极电镀涂层的支撑基板的支架组件的铝主体以得到预定的表面粗糙度来提高沉积均匀性，从而基本上免去了对支架组件耗费时间的老化和它的相关成本。
无涂层基座
图7和图7A示出了无涂层的支架组件138另一实施方式的部分截面图，为了避免混淆，以下将用基板支架组件700表示。该支架组件700包括裸露的，无涂层的主体702。主体702可以由一个或者多个耦合元件或者其中嵌有加热元件132的整体成型的主体组成。在一实施方式中，主体702由诸如铝、钛或者不锈钢的金属组成。
主体702通常包括基板支架表面704和正对装配表面706。装配表面706与连接杆142连接(图1示出)。
参照图7和7A，设计基板支架表面704使其具有用于支撑其上的基板140的几何形状。基板支架表面704的基板接触部分具有预定粗糙度的抛光面714，其可以提高在基板140上沉积薄膜厚度的均匀性。抛光面714的粗糙度约为80到约2000微英寸之间。抛光面714有利于提高薄膜厚度的均匀性，以及发现尤其能基本上消除局部厚度不均匀性(稀疏沉积的点)。在一实施方式中，抛光面714具有大于约140微英寸的粗糙度。在另一实施方式中，抛光面714具有大于约340微英寸的粗糙度。一方面，有可能使基板接触部分720外的区域722，侧边734以及正对装配表面706处于非粗糙的或者部分粗糙的状态从而降低形成支撑基板装置700的成本是可行的。
图8示出了制造基板支架组件138实施方式的方法。该方法开始于步骤802制备主体702的支架表面704。制备步骤802通常包括对基板支架704的加工或者处理得到抛光面714为约140到约2000微英寸之间，并且较理想地在约300到约1000微英寸之间，以及更理想地在约330到约500微英寸之间。抛光面714用平均表面粗糙度(Ra)或者算术平均值(AA)来表示。在一实施方式中，制备步骤802可以包括喷珠光处理、喷磨、铣削、压印、砂纸打磨、蚀纹，刻蚀或其他方法获大约330微英寸的预定表面粗糙度。为了得到大于500微英寸到约2000微英寸左右的表面粗糙度，通常用铣削、车床切割、压花、火焰切割或其他类似的金属去除方法。
在一实施方式中，采用任选的表面涂覆步骤804形成支撑基板的粗糙表面。可以采用常用的火焰，电弧或者等离子体喷涂诸如以铝，钛，或者不锈钢的金属在支撑表面704上执行表面涂覆步骤804，以得到范围约在140到约2000微英寸之间的所需的粗糙度。一方面，由铝组成的主体702的支架表面704用电弧喷涂的铝材料涂覆而得到大于约140微英寸的粗糙度。
在任选步骤804的另一实施方式中，利用常用的火焰、电弧或者等离子体喷涂工艺将陶瓷或者金属氧化物涂层沉积于支撑表面704上，而得到约在80到约2000微英寸之间的表面粗糙度。例如可将三氧化二铝沉积在基板支架704上得到约在140到约2000微英寸之间的粗糙度。
基板支架结构
以上所述涉及本发明的各方面主要讨论了通过改进基板支架组件(例如，元件138，200，700)的各种性能和特点可改进大面积基板上的基板工艺效果的不同实施方式。为了在大面积基板上获得满意的和可重复的工艺效果，通常需要确保的一点是基板和基板支架之间的接触相对均匀并可重复。为了确保基板相对均匀和可重复，基板支架表面通常需要形成并保持一个所需和可重复的形状。参照图9和10，由于基板结构910的大小和工艺中常达到的温度因素(例如，通常为150℃到460℃)，通常需要对基板支架902提供结构上的支撑(例如，元件910)以防它由于重力和形成基板支架902的材料的软化引起的偏移。由于铝材料在这些温度时的特性，在使用由铝组成的基板支架902时这个问题经常出现。用于防止在高温工艺过程中偏移的基板支架902内部的支撑结构的示例性设计在美国公开授予的6,554,907专利有更详细的描述，在此引用其全部内容作为参考。用于防止在高温工艺过程中偏移的基板支架902外部的支架结构其示例性设计在2005年6月2日递交的美国专利申请11/143,506[AMAT 9182]中有更详细的描述，该申请要求享有2004年7月12日递交的美国临时专利申请60/587,173的权益，在此引用其全部内容作为参考。
图9示出了可用来取代图1所示的基板支架组件138的基板支架结构910其的等距分解图。图10示出了以在基板支架表面904上定位基板140的完全安装定位位置上的基板支架结构910的侧面图。图9和图10的基板支架结构910通常包括基板支架902下的基座结构914。一方面，基板支架902由基座结构914支撑，在连接点901处通过轴142连接和支撑该基座结构914。在一实施方式中，基座结构914用来给基座支架902提供连续的支撑来确保基板支架表面904在进行各种工艺之前，期间和之后保持所需的预定形状。可以由以上所述的任何一种工艺形成所述与支架结构910连接的基板支架902，(例如，所述的相关元件202，502，602，702)。
基座结构914通常包含延长基座支撑板915和多个用于支撑基板支架902的侧面支撑板917。图9所示的结构中，通常以横穿基座支架板915的方向设置侧面支撑。一方面，板915，917最好用强度和硬度足够大的材料制造从而在工艺温度和压力条件下支撑和保持基板支架902的重量。例如，板915，917由陶瓷材料，例如氧化铝或者耐热金属诸如300系列不锈钢构成。
为了说明起见，虽然图9只示出了基板支架结构的分解示意图，可以理解支架902直接安装在支架板915，917上。假设在工艺工程中，基板支架902和支架板915，917不会产生相对移动。此外，参照图9，虽然只示出了一个基座支架板915和四个独立的侧面支架板917，但是应当理解可以使用任意数目的支架板915，917。
在一实施方式中，基座结构914可形成为非平面形状从而可使非平面的结构与基板支架902和支撑的基板140相连(见图10)。在该实施方式中，基座结构914可以包含延长的基座支架板915，多个通常横向贯穿基座支架板915设置的侧面支架板917，以及安放于侧面支架板917上用来支撑基板支架902以及得到所需的非平面形状的多个不同厚度的垫片918。优选地，垫片918的厚度约为0.4mm到约3.5mm。该实施方式中，垫片918设置于侧边支架板917的末端，然而，垫片918可以放置于侧边支架板917的其他部分。可以考虑到支架板917的形状以及/或者垫片918的使用将允许基板支架预先成形，既在工艺工程中将所需的平面定向转移到基板上，由于在工艺过程中，加热的基板将遵循基板支架902的平面方向
尽管本发明结合多种优选实施方式进行详细说明和描述，本领域技术人员可以设计本发明的其他更多的实施方式。

Claims (23)

1.一种用于支撑大面积基板的基板支架，包括：
具有基板支架表面的电导体；
设置于所述导体上的电绝缘涂层；以及
所述电绝缘涂层的至少一部分设置于所述基板支架表面的中心之上，所述至少一部分具有表面粗糙度Ra为500微英寸到2000微英寸之间的抛光面。
2.根据权利要求1所述的基板支架，其特征在于，所述电导体至少部分由铝体制造并且所述涂层为阳极电镀层。
3.根据权利要求2所述的基板支架，其特征在于，所述阳极电镀涂层具有为0.3到2.16千分之一寸的厚度。
4.根据权利要求1所述的基板支架，其特征在于，所述基板支架表面具有表面粗糙度在500微英寸到1000微英寸之间的抛光面。
5.根据权利要求1所述的基板支架，其特征在于，所述电导体由所述电绝缘涂层包覆。
6.根据权利要求1所述的基板支架，其特征在于，设置于所述基板支架表面上的所述涂层还包括：
窄带，所述窄带与位于基板支架表面中心的部分涂层外接，并且所述窄带抛光面的表面粗糙度小于200微英寸。
7.根据权利要求1所述的基板支架，其特征在于，所述的基板支架表面还包括：
具有表面粗糙度Ra约在500微英寸到1000微英寸之间的抛光面的中心区域；以及
环形区域，所述环形区域与所述中心区域外接，并且所述环形区域的抛光面的表面粗糙度小于300微英寸。
8.根据权利要求1所述的基板支架，其特征在于，基板支架表面的表面积至少为2000cm2。
9.根据权利要求1所述的基板支架，其特征在于，用铣削、车床切割、压花、或者火焰切割来获得具有表面粗糙度Ra在500微英寸到2000微英寸之间的所述基板支架表面的中心。 
10.一种用于支撑大面积基板的基板支架，包括：
具有基板支架表面的电导体；
具有一个或多个支架的基板支架结构，所述一个或者多个支架在工艺过程中用于结构上支撑所述电导体；以及
设置于所述基板支架表面上的电绝缘涂层，处理所述涂层，使其具有表面粗糙度Ra在500微英寸到2000微英寸之间的抛光面。
11.根据权利要求10所述的基板支架，其特征在于，所述电导体为铝以及所述涂层为阳极电镀层。
12.根据权利要求10所述的基板支架，其特征在于，通过铣削、车床切割、压花、或者火焰切割来处理所述基板支架表面。
13.根据权利要求10所述的基板支架，其特征在于，所述基板支架表面的表面积至少为2000cm2。
14.一种通过一工艺制造的基板支架，所述工艺包括：
提供具有用于支撑大面积基板的基板支架表面的导体；
通过铣削、车床切割、压花、或者火焰切割来处理所述基板支架表面用以在所述电导体上形成500到2000微英寸的表面粗糙度；以及涂覆所述基板支架表面，涂层的表面粗糙度Ra为330到1000微英寸之间。
15.根据权利要求14所述的基板支架，其特征在于，所述涂覆为在含有铝的导体上进行的阳极电镀涂覆。
16.根据权利要求14所述的基板支架，其特征在于，提供导体组件的步骤还包括：
提供具有一个或者多个支架的基板支架结构；以及
将所述导体定位在所述一个或多个支架上。
17.根据权利要求14所述的基板支架，其特征在于，还包括：
将加热元件包覆在所述导体内，所述导体含有铝。
18.根据权利要求14所述的基板支架，其特征在于，还包括：
将加热元件连接到所述基板支架表面对面的所述导体上。
19.一种通过工艺制造的基板支架，所述工艺包括：
对用于支撑大面积基板的铝基板支架表面处理而得到表面粗糙度Ra约为300到2000微英寸之间的抛光面；以及 
对所述基板支架表面阳极电镀至约为约0.3到约2.16千分之一寸的厚度，至少设置于所述基板支架表面中心部分之上的所述阳极电镀涂层的抛光面具有表面粗糙度为约330微英寸到约2000微英寸之间的抛光面。
20.一种用于支撑大面积基板的基板支架，包括：
具有基板支架表面的电导体，所述基板支架表面为裸露的铝并且具有表面粗糙度Ra为约330微英寸到约2000微英寸之间的抛光面，并且所述基板支架表面设计成用来支撑尺寸为370mm×470mm至1800mm×2200mm的基板。
21.一种用于支撑大面积基板的基板支架，包括：
裸露的铝体，具有处理成表面粗糙度Ra为约330微英寸到约1000微英寸的抛光面的基板支架表面，其中所述基板支架表面设计成用来支撑尺寸为370mm×470mm至1800mm×2200mm的基板；以及
具有一个或多个用于在工艺过程中结构上支撑铝体的基板支架结构。
22.根据权利要求21所述的基板支架，其特征在于，通过选自包含珠光处理、喷磨、打磨、压印、磨砂、蚀纹、刻蚀、铣削、车床切割、压花、或者火焰切割的组的工艺来处理所述基板支架表面。
23.根据权利要求21所述的基板支架，其特征在于，所述基板支架表面用平均直径为约125到约375微米左右的氧化铝介质喷砂。 
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100927509B1 (ko) * 2007-05-23 2009-11-17 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 태양 전지 분야의 사용에 적합한 레이저 스크라이빙 처리된 투과 도전성 산화물 층 위에 실리콘 층을 증착하는 방법
KR100938874B1 (ko) * 2007-07-24 2010-01-27 주식회사 에스에프에이 유리기판 지지용 서셉터 및 그 제조 방법, 그리고 그유리기판 지지용 서셉터를 구비한 화학 기상 증착장치
CN102233580A (zh) * 2010-05-06 2011-11-09 日月光半导体制造股份有限公司 吸嘴及自动搬运装置
CN102842636B (zh) * 2011-06-20 2015-09-30 理想能源设备(上海)有限公司 用于化学气相沉积系统的基板加热基座
TWI477630B (zh) * 2011-10-18 2015-03-21 Au Optronics Corp 薄膜沈積機台及其承載件
WO2014018285A1 (en) * 2012-07-27 2014-01-30 Applied Materials, Inc. Roughened substrate support
CN103151235B (zh) * 2013-02-20 2016-01-27 上海华力微电子有限公司 一种提高刻蚀均匀性的装置
CN105407620A (zh) * 2015-12-14 2016-03-16 重庆瑞阳科技股份有限公司 导静电装置
CN107393803A (zh) * 2017-07-28 2017-11-24 武汉华星光电技术有限公司 用于干蚀刻机台的下电极结构及干蚀刻机台
KR102080231B1 (ko) 2018-03-30 2020-02-21 (주)티티에스 유리 기판 지지용 서셉터
KR20210128064A (ko) * 2020-04-16 2021-10-26 주식회사 제우스 기판 처리용 통전장치
KR20210128063A (ko) * 2020-04-16 2021-10-26 주식회사 제우스 기판용 통전장치

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5200157A (en) * 1986-02-17 1993-04-06 Toshiba Ceramics Co., Ltd. Susceptor for vapor-growth deposition
US5384682A (en) * 1993-03-22 1995-01-24 Toto Ltd. Electrostatic chuck
US5844205A (en) * 1996-04-19 1998-12-01 Applied Komatsu Technology, Inc. Heated substrate support structure
US6063203A (en) * 1997-06-06 2000-05-16 Asm Japan K.K. Susceptor for plasma CVD equipment and process for producing the same
CN1491435A (zh) * 2001-02-16 2004-04-21 ������������ʽ���� 用于将来自基底的热量传递给卡盘的方法和设备
CN1551326A (zh) * 2003-05-09 2004-12-01 Ӧ�ò��Ϲ�˾ 阳极化衬底支撑件

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3788836B2 (ja) * 1996-12-24 2006-06-21 東芝セラミックス株式会社 気相成長用サセプタ及びその製造方法
JP3758979B2 (ja) 2001-02-27 2006-03-22 京セラ株式会社 静電チャック及び処理装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5200157A (en) * 1986-02-17 1993-04-06 Toshiba Ceramics Co., Ltd. Susceptor for vapor-growth deposition
US5384682A (en) * 1993-03-22 1995-01-24 Toto Ltd. Electrostatic chuck
US5844205A (en) * 1996-04-19 1998-12-01 Applied Komatsu Technology, Inc. Heated substrate support structure
US6063203A (en) * 1997-06-06 2000-05-16 Asm Japan K.K. Susceptor for plasma CVD equipment and process for producing the same
CN1491435A (zh) * 2001-02-16 2004-04-21 ������������ʽ���� 用于将来自基底的热量传递给卡盘的方法和设备
CN1551326A (zh) * 2003-05-09 2004-12-01 Ӧ�ò��Ϲ�˾ 阳极化衬底支撑件

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Publication number Publication date
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