JP2570560Y2 - 電子ビーム蒸発源 - Google Patents
電子ビーム蒸発源Info
- Publication number
- JP2570560Y2 JP2570560Y2 JP1991003773U JP377391U JP2570560Y2 JP 2570560 Y2 JP2570560 Y2 JP 2570560Y2 JP 1991003773 U JP1991003773 U JP 1991003773U JP 377391 U JP377391 U JP 377391U JP 2570560 Y2 JP2570560 Y2 JP 2570560Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- evaporation source
- aluminum
- beam evaporation
- crucible
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この考案は、蒸発材料を電子ビー
ムによって加熱・蒸発させる電子ビーム蒸発源に関し、
特に、蒸発材料に硫化物を使用する電子ビーム蒸発源に
関する。
ムによって加熱・蒸発させる電子ビーム蒸発源に関し、
特に、蒸発材料に硫化物を使用する電子ビーム蒸発源に
関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の電子ビーム蒸発源の従来例を図
２に示す。
２に示す。
【０００３】この電子ビーム蒸発源は、るつぼ４を構成
する基体２を有し、その側部に設けられたフィラメント
８から放出させた電子ビーム（熱電子ビーム）１０を、
図示しない磁極の磁界によって偏向させて、るつぼ４内
に入れた蒸発材料１２に照射して加熱・蒸発させるもの
である。
する基体２を有し、その側部に設けられたフィラメント
８から放出させた電子ビーム（熱電子ビーム）１０を、
図示しない磁極の磁界によって偏向させて、るつぼ４内
に入れた蒸発材料１２に照射して加熱・蒸発させるもの
である。
【０００４】るつぼ４の周りは、電子ビーム１０の照射
時に高温になるため、基体２内に冷却水穴６を設けて、
水による冷却を行いながら使用する。そのため、基体２
には、ある程度高い融点を有し、かつ熱伝導の良い銅が
一般的に用いられている。
時に高温になるため、基体２内に冷却水穴６を設けて、
水による冷却を行いながら使用する。そのため、基体２
には、ある程度高い融点を有し、かつ熱伝導の良い銅が
一般的に用いられている。
【０００５】
【考案が解決しようとする課題】ところが、上記電子ビ
ーム蒸発源においては、蒸発材料１２に銅との反応性の
高い硫化物（例えばＥＬ発光素子材料であるＺｎＳ、Ｃ
ａＳ、ＳｒＳ等）等を使用する場合、硫化物雰囲気中に
さらされている銅製の基体２は、硫黄（Ｓ）との化学反
応によって著しく劣化されてしまい、その結果、当該電
子ビーム蒸発源の寿命を短命なものにしてしまうという
問題がある。
ーム蒸発源においては、蒸発材料１２に銅との反応性の
高い硫化物（例えばＥＬ発光素子材料であるＺｎＳ、Ｃ
ａＳ、ＳｒＳ等）等を使用する場合、硫化物雰囲気中に
さらされている銅製の基体２は、硫黄（Ｓ）との化学反
応によって著しく劣化されてしまい、その結果、当該電
子ビーム蒸発源の寿命を短命なものにしてしまうという
問題がある。
【０００６】そこでこの考案は、るつぼを構成する銅製
の基体の耐硫化物性および耐食性を向上させ、それによ
って電子ビーム蒸発源の寿命を延ばすことを主たる目的
とする。
の基体の耐硫化物性および耐食性を向上させ、それによ
って電子ビーム蒸発源の寿命を延ばすことを主たる目的
とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この考案の電子ビーム蒸発源は、前記るつぼを構成
する銅製の基体の表面に、アルミニウム単体から成るア
ルミニウム膜をコーティングしたことを特徴とする。
め、この考案の電子ビーム蒸発源は、前記るつぼを構成
する銅製の基体の表面に、アルミニウム単体から成るア
ルミニウム膜をコーティングしたことを特徴とする。
【０００８】
【作用】アルミニウムは硫黄に対して安定な材料であ
り、耐硫化物性に優れている。従って、上記のようにア
ルミニウム膜をコーティングすることにより、るつぼを
構成する銅製の基体の耐硫化物性および耐食性が向上す
る。
り、耐硫化物性に優れている。従って、上記のようにア
ルミニウム膜をコーティングすることにより、るつぼを
構成する銅製の基体の耐硫化物性および耐食性が向上す
る。
【０００９】
【実施例】図１は、この考案の一実施例に係る電子ビー
ム蒸発源を示す概略断面図である。図２の従来例と同一
または相当する部分には同一符号を付し、以下において
は当該従来例との相違点を主に説明する。
ム蒸発源を示す概略断面図である。図２の従来例と同一
または相当する部分には同一符号を付し、以下において
は当該従来例との相違点を主に説明する。
【００１０】この実施例においては、前述したようなる
つぼ４を構成する銅製の基体２の表面に、アルミニウム
単体から成るアルミニウム膜１４をコーティングしてい
る。
つぼ４を構成する銅製の基体２の表面に、アルミニウム
単体から成るアルミニウム膜１４をコーティングしてい
る。
【００１１】コーティング材料にアルミニウムを用いる
主な理由は次のとおりである。 アルミニウムは、硫黄に対して安定な材料であり、耐
硫化物性に優れている。 アルミニウムは、銅に対する密着性が良く、また後述
する真空アーク蒸着法によるコーティングが容易であ
る。 蒸発材料１２に硫化物を用いる場合は、その蒸発に必
要な電子ビーム１０の投入パワーが低くて済むのに加え
て、アルミニウムは銅と同様、熱伝導に優れた材料であ
るため、アルミニウム膜１４の表面も効率良く冷却され
る。従って、アルミニウム膜１４に誤って電子ビーム１
０が当たったとしてもアルミニウムの蒸発は起こらな
い。
主な理由は次のとおりである。 アルミニウムは、硫黄に対して安定な材料であり、耐
硫化物性に優れている。 アルミニウムは、銅に対する密着性が良く、また後述
する真空アーク蒸着法によるコーティングが容易であ
る。 蒸発材料１２に硫化物を用いる場合は、その蒸発に必
要な電子ビーム１０の投入パワーが低くて済むのに加え
て、アルミニウムは銅と同様、熱伝導に優れた材料であ
るため、アルミニウム膜１４の表面も効率良く冷却され
る。従って、アルミニウム膜１４に誤って電子ビーム１
０が当たったとしてもアルミニウムの蒸発は起こらな
い。
【００１２】上記アルミニウム膜１４のコーティングに
は、真空アーク蒸着法（アーク放電を利用した蒸発源を
用いる真空蒸着法）を用いるのが好ましい。その主な理
由は次のとおりである。 蒸着速度が速く、かつ蒸発粒子のまわり込みが良いた
め、複雑な形状の基材（被コーティング材）に対するコ
ーティングに適しており、均一な厚膜を作製することが
できる。 膜質およびその基材に対する密着性が良い。 低温プロセスでコーティングできるので、基材の歪み
が少ない。
は、真空アーク蒸着法（アーク放電を利用した蒸発源を
用いる真空蒸着法）を用いるのが好ましい。その主な理
由は次のとおりである。 蒸着速度が速く、かつ蒸発粒子のまわり込みが良いた
め、複雑な形状の基材（被コーティング材）に対するコ
ーティングに適しており、均一な厚膜を作製することが
できる。 膜質およびその基材に対する密着性が良い。 低温プロセスでコーティングできるので、基材の歪み
が少ない。
【００１３】基体２にコーティングするアルミニウム膜
１４の膜厚は、例えば１０μｍ程度で良いが、これに限
定されるものではない。
１４の膜厚は、例えば１０μｍ程度で良いが、これに限
定されるものではない。
【００１４】また、基体２にアルミニウム膜１４をコー
ティングする範囲は、必ずしも基体２の全表面でなくて
も良い。要は、基体２が硫化物雰囲気中にさらされるの
を防止すれば良く、従って例えば、基体２を台のような
ものの上に載置して使用する場合は、その底面２ａには
必ずしも図示例のようにアルミニウム膜１４をコーティ
ングしなくても良い。
ティングする範囲は、必ずしも基体２の全表面でなくて
も良い。要は、基体２が硫化物雰囲気中にさらされるの
を防止すれば良く、従って例えば、基体２を台のような
ものの上に載置して使用する場合は、その底面２ａには
必ずしも図示例のようにアルミニウム膜１４をコーティ
ングしなくても良い。
【００１５】るつぼ４を構成する銅製の基体２に上記の
ようにアルミニウム膜１４をコーティングすることによ
り、当該るつぼ４の耐硫化物性および耐食性が向上す
る。その結果、従来例と同じ条件下で当該電子ビーム蒸
発源を使用した場合、その寿命は従来例に比べて約３倍
に延びる。
ようにアルミニウム膜１４をコーティングすることによ
り、当該るつぼ４の耐硫化物性および耐食性が向上す
る。その結果、従来例と同じ条件下で当該電子ビーム蒸
発源を使用した場合、その寿命は従来例に比べて約３倍
に延びる。
【００１６】従って、この考案の電子ビーム蒸発源は、
特に硫化物を多量に用いる薄膜ＥＬ発光素子の製造に必
要不可欠な装置であると言える。
特に硫化物を多量に用いる薄膜ＥＬ発光素子の製造に必
要不可欠な装置であると言える。
【００１７】なお、上記には、アルミニウム膜１４のコ
ーティング方法の好ましい例として真空アーク蒸着法を
説明したが、勿論、これ以外のＣＶＤ法、ＰＶＤ法等に
よってアルミニウム膜１４をコーティングしても良い。
ーティング方法の好ましい例として真空アーク蒸着法を
説明したが、勿論、これ以外のＣＶＤ法、ＰＶＤ法等に
よってアルミニウム膜１４をコーティングしても良い。
【００１８】
【考案の効果】以上のようにこの考案によれば、るつぼ
を構成する銅製の基体の表面に、アルミニウム単体から
成るアルミニウム膜をコーティングしたので、当該基体
の耐硫化物性および耐食性が向上し、それによって当該
電子ビーム蒸発源の寿命を従来例に比べて大幅に延ばす
ことができる。しかも、アルミニウム膜は導電膜であ
り、それを基体の表面にコーティングしても、蒸発材料
に対する電子ビーム照射に伴う電荷を、当該アルミニウ
ム膜を通して基体へ逃がすことができるので、るつぼ周
りが帯電（チャージアップ）して電子ビームがるつぼ内
の蒸発材料に正しく照射されなくなることを防止するこ
とができる。また、アルミニウムは比較的活性な金属で
あって銅製の基体に対する密着性が高く、しかもアルミ
ニウムは銅と同様に金属であって両者は熱膨張係数が近
いので、アルミニウム膜をヒートサイクルが加わる基体
にコーティングしても、膜剥離を起こす可能性が極めて
少ない。更に、アルミニウム膜は、単にアルミニウムの
蒸発、スパッタ等によって形成することができるので、
膜形成が容易である。
を構成する銅製の基体の表面に、アルミニウム単体から
成るアルミニウム膜をコーティングしたので、当該基体
の耐硫化物性および耐食性が向上し、それによって当該
電子ビーム蒸発源の寿命を従来例に比べて大幅に延ばす
ことができる。しかも、アルミニウム膜は導電膜であ
り、それを基体の表面にコーティングしても、蒸発材料
に対する電子ビーム照射に伴う電荷を、当該アルミニウ
ム膜を通して基体へ逃がすことができるので、るつぼ周
りが帯電（チャージアップ）して電子ビームがるつぼ内
の蒸発材料に正しく照射されなくなることを防止するこ
とができる。また、アルミニウムは比較的活性な金属で
あって銅製の基体に対する密着性が高く、しかもアルミ
ニウムは銅と同様に金属であって両者は熱膨張係数が近
いので、アルミニウム膜をヒートサイクルが加わる基体
にコーティングしても、膜剥離を起こす可能性が極めて
少ない。更に、アルミニウム膜は、単にアルミニウムの
蒸発、スパッタ等によって形成することができるので、
膜形成が容易である。
【図１】 この考案の一実施例に係る電子ビーム蒸発源
を示す概略断面図である。
を示す概略断面図である。
【図２】 従来の電子ビーム蒸発源の一例を示す概略断
面図である。
面図である。
２ 基体 ４ るつぼ １０ 電子ビーム １２ 蒸発材料 １４ アルミニウム膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 酒井 滋樹 京都府京都市右京区梅津高畝町47番地 日新電機株式会社内 (72)考案者 緒方 潔 京都府京都市右京区梅津高畝町47番地 日新電機株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−87360（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−127878（ＪＰ，Ａ) 実開 昭53−7444（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】 るつぼを構成する銅製の基体を有し、こ
のるつぼ内に入れた蒸発材料を電子ビームによって加熱
する電子ビーム蒸発源であって蒸発材料に硫化物を使用
するものにおいて、前記るつぼを構成する銅製の基体の
表面に、アルミニウム単体から成るアルミニウム膜をコ
ーティングしたことを特徴とする電子ビーム蒸発源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1991003773U JP2570560Y2 (ja) | 1991-01-10 | 1991-01-10 | 電子ビーム蒸発源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1991003773U JP2570560Y2 (ja) | 1991-01-10 | 1991-01-10 | 電子ビーム蒸発源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0497848U JPH0497848U (ja) | 1992-08-25 |
| JP2570560Y2 true JP2570560Y2 (ja) | 1998-05-06 |
Family
ID=31733006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1991003773U Expired - Fee Related JP2570560Y2 (ja) | 1991-01-10 | 1991-01-10 | 電子ビーム蒸発源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2570560Y2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1986854B1 (en) | 2006-02-21 | 2012-04-25 | Moore Wallace North America, Inc. | Systems and methods for high speed variable printing |
| US9463643B2 (en) | 2006-02-21 | 2016-10-11 | R.R. Donnelley & Sons Company | Apparatus and methods for controlling application of a substance to a substrate |
| US8733248B2 (en) | 2006-02-21 | 2014-05-27 | R.R. Donnelley & Sons Company | Method and apparatus for transferring a principal substance and printing system |
| US8869698B2 (en) | 2007-02-21 | 2014-10-28 | R.R. Donnelley & Sons Company | Method and apparatus for transferring a principal substance |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3986185A (en) * | 1974-12-23 | 1976-10-12 | Texas Instruments | Gas discharge display with control cells |
| JPS54127878A (en) * | 1978-03-29 | 1979-10-04 | Hitachi Ltd | Deposition source for electronic beam deposition apparatus |
| JPH0387360A (ja) * | 1989-08-29 | 1991-04-12 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 真空蒸着装置 |
-
1991
- 1991-01-10 JP JP1991003773U patent/JP2570560Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0497848U (ja) | 1992-08-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH10245547A (ja) | 有機発光素子における有機層の堆積方法 | |
| US3477935A (en) | Method of forming thin film resistors by cathodic sputtering | |
| JP2570560Y2 (ja) | 電子ビーム蒸発源 | |
| JPS5919190B2 (ja) | 鉛皮膜の製造方法 | |
| JPH02280310A (ja) | 電解コンデンサ用電極材料の製造方法 | |
| JP2003188100A (ja) | 半導体特性を示すアモルファス鉄シリサイド膜とその作製方法 | |
| JPH0387360A (ja) | 真空蒸着装置 | |
| US5496772A (en) | Method of manufacturing film carrier type substrate | |
| JPS5842270B2 (ja) | スパツタ蒸発源 | |
| JP3647653B2 (ja) | クラスタ生成装置 | |
| JP2605405Y2 (ja) | 熱電発電腕時計 | |
| JPS6013067B2 (ja) | 真空蒸着装置 | |
| JPH0153349B2 (ja) | ||
| JPH0241165Y2 (ja) | ||
| JPH04191364A (ja) | イオンプレーティング方法および装置 | |
| JPS56163265A (en) | Vapor depositing apparatus | |
| JPH0334623B2 (ja) | ||
| KR920000244B1 (ko) | e-빔 증착방식에 의한 박막 형성 방법 | |
| JPS5813622B2 (ja) | マグネトロン型スパッタ装置 | |
| JPH062202Y2 (ja) | 電子銃装置 | |
| JPS62232180A (ja) | 超電導材料 | |
| JPH0342677Y2 (ja) | ||
| JPS5829618B2 (ja) | 半導体装置の電極形成方法 | |
| JPS61238956A (ja) | 電子ビ−ム加熱用の蒸着母材収納容器及びこの容器を用いた磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS5853066B2 (ja) | 熱陰極放電型イオンプレ−ティング装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |