JPH08225926A - ダイヤモンドコーティングが施されたるつぼ並びに該るつぼを用いる蒸着または堆積方法及びその装置 - Google Patents
ダイヤモンドコーティングが施されたるつぼ並びに該るつぼを用いる蒸着または堆積方法及びその装置Info
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- JPH08225926A JPH08225926A JP27858195A JP27858195A JPH08225926A JP H08225926 A JPH08225926 A JP H08225926A JP 27858195 A JP27858195 A JP 27858195A JP 27858195 A JP27858195 A JP 27858195A JP H08225926 A JPH08225926 A JP H08225926A
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- C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
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- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
- F27B14/00—Crucible or pot furnaces
- F27B14/08—Details peculiar to crucible or pot furnaces
- F27B14/10—Crucibles
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- Metallurgy (AREA)
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 割り込み不能電源を必要とせず、内容物の固
化及び膨張によるＰＢＮ製るつぼのダメージを低減す
る。 【解決手段】 特に分子線エピタキシによるアルミニウ
ムの真空蒸着用に設計されてはいるがそれに限定されな
い熱分解性窒化ボロン製るつぼは、端部が開状態である
中空の本体１０とそれに一体的に形成された支持フラン
ジ１２とを有する。中空の本体１０と支持フランジ１２
とは、熱分解性窒化ボロンにより形成されている。るつ
ぼの内表面は、中空の本体１０をアルミニウムによるダ
メージから保護するように、ダイヤモンドコーティング
１４により被覆されている。
化及び膨張によるＰＢＮ製るつぼのダメージを低減す
る。 【解決手段】 特に分子線エピタキシによるアルミニウ
ムの真空蒸着用に設計されてはいるがそれに限定されな
い熱分解性窒化ボロン製るつぼは、端部が開状態である
中空の本体１０とそれに一体的に形成された支持フラン
ジ１２とを有する。中空の本体１０と支持フランジ１２
とは、熱分解性窒化ボロンにより形成されている。るつ
ぼの内表面は、中空の本体１０をアルミニウムによるダ
メージから保護するように、ダイヤモンドコーティング
１４により被覆されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、るつぼに関し、特
に、ダイヤモンドコーティングが施されたるつぼ並びに
該るつぼを用いる蒸着または堆積方法及びその装置に関
する。
に、ダイヤモンドコーティングが施されたるつぼ並びに
該るつぼを用いる蒸着または堆積方法及びその装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】るつぼは、様々な目的に用いられる融解
物を収容するために、産業界および実験室において広く
用いられている。一般に、融解物の温度に耐えること、
および比較的不活性であることが、るつぼの必要条件で
ある。るつぼは、様々な材料、例えば、プラチナなどの
金属、磁器などのセラミック、そしてグラファイト、窒
化シリコン、および窒化ボロンなどの他の比較的不活性
且つ耐熱性を有する材料から形成され得る。
物を収容するために、産業界および実験室において広く
用いられている。一般に、融解物の温度に耐えること、
および比較的不活性であることが、るつぼの必要条件で
ある。るつぼは、様々な材料、例えば、プラチナなどの
金属、磁器などのセラミック、そしてグラファイト、窒
化シリコン、および窒化ボロンなどの他の比較的不活性
且つ耐熱性を有する材料から形成され得る。
【０００３】高純度材料を収容するために用いられる場
合、るつぼの構成材料が融解物を汚染しないことが最も
重要である。この一例として、日立による特開平1−249
691号公報（ＷＰＩAccession第89-3353853号）は、酸化
イットリウムなどの酸化希土類金属、酸化銅、炭酸バリ
ウム、およびフラックスからなる原料から、液相におい
て超電導薄膜をエピタキシャル成長させる工程を開示し
ている。この原料を、金属酸化物製るつぼ内で融解して
融解物を生成し、該融解物中に基板を浸漬する。これに
より、定温浸漬エピタキシャル法により超電導薄膜を形
成する。しかし、このような融解物は特に金属酸化物に
汚染され易く、そのことが薄膜の超電導特性に悪影響を
与える。上記公報は、原料の融解物の、酸化物による汚
染を防ぐために、酸化物製るつぼにダイヤモンドコーテ
ィングを施すことを提案している。
合、るつぼの構成材料が融解物を汚染しないことが最も
重要である。この一例として、日立による特開平1−249
691号公報（ＷＰＩAccession第89-3353853号）は、酸化
イットリウムなどの酸化希土類金属、酸化銅、炭酸バリ
ウム、およびフラックスからなる原料から、液相におい
て超電導薄膜をエピタキシャル成長させる工程を開示し
ている。この原料を、金属酸化物製るつぼ内で融解して
融解物を生成し、該融解物中に基板を浸漬する。これに
より、定温浸漬エピタキシャル法により超電導薄膜を形
成する。しかし、このような融解物は特に金属酸化物に
汚染され易く、そのことが薄膜の超電導特性に悪影響を
与える。上記公報は、原料の融解物の、酸化物による汚
染を防ぐために、酸化物製るつぼにダイヤモンドコーテ
ィングを施すことを提案している。
【０００４】高純度材料の真空蒸着、例えば分子線エピ
タキシの分野では、るつぼの設計に対して全く異なるア
プローチがなされている。この分野では、分子線エピタ
キシ（ＭＢＥ）によって加熱により蒸着すべき高純度材
料を収容するるつぼの構成材料として、熱分解性窒化ボ
ロン（ＰＢＮ）を用いることが知られている。ＰＢＮ
は、六角形の層状構造を有しており、比較的不活性であ
り、且つ温度が上昇しても蒸気の発生量が少ないために
用いられる。アルミニウムは、分子線エピタキシにより
堆積される材料として一般に用いられる材料である。
タキシの分野では、るつぼの設計に対して全く異なるア
プローチがなされている。この分野では、分子線エピタ
キシ（ＭＢＥ）によって加熱により蒸着すべき高純度材
料を収容するるつぼの構成材料として、熱分解性窒化ボ
ロン（ＰＢＮ）を用いることが知られている。ＰＢＮ
は、六角形の層状構造を有しており、比較的不活性であ
り、且つ温度が上昇しても蒸気の発生量が少ないために
用いられる。アルミニウムは、分子線エピタキシにより
堆積される材料として一般に用いられる材料である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ＰＢＮ製るつ
ぼをアルミニウムと共に用いると、最終的には両方を廃
棄しなければならない。これは、るつぼを交換する費用
がかかること以外に、大幅な「ダウンタイム」（作業の
中断）を引き起こす。アルミニウムの固化が起こる程度
までＰＢＮ製るつぼが冷却されると、ダメージが起こり
得る。窒化ボロン製るつぼ内に十分な体積のアルミニウ
ムがあれば、アルミニウムの固化および膨張は、ＰＢＮ
の剥離を招きるつぼにダメージを与える。るつぼを再加
熱すると、クラックが発生し、それにより融解アルミニ
ウムが漏れる。その結果、まわりのヒータがダメージを
受ける。この問題を軽減するために、割り込み不能電源
を用いて、電力がカットされてもるつぼ内のアルミニウ
ムは常に融解状態であることを保証するようにすること
が知られている。しかし、割り込み不能電源は、高価且
つ大規模であり、メンテナンスを必要とする。
ぼをアルミニウムと共に用いると、最終的には両方を廃
棄しなければならない。これは、るつぼを交換する費用
がかかること以外に、大幅な「ダウンタイム」（作業の
中断）を引き起こす。アルミニウムの固化が起こる程度
までＰＢＮ製るつぼが冷却されると、ダメージが起こり
得る。窒化ボロン製るつぼ内に十分な体積のアルミニウ
ムがあれば、アルミニウムの固化および膨張は、ＰＢＮ
の剥離を招きるつぼにダメージを与える。るつぼを再加
熱すると、クラックが発生し、それにより融解アルミニ
ウムが漏れる。その結果、まわりのヒータがダメージを
受ける。この問題を軽減するために、割り込み不能電源
を用いて、電力がカットされてもるつぼ内のアルミニウ
ムは常に融解状態であることを保証するようにすること
が知られている。しかし、割り込み不能電源は、高価且
つ大規模であり、メンテナンスを必要とする。
【０００６】本発明は、上記問題に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、割り込み不能電源を
必要とせず、内容物の固化及び膨張によるＰＢＮ製るつ
ぼのダメージを低減することにある。
であり、その目的とするところは、割り込み不能電源を
必要とせず、内容物の固化及び膨張によるＰＢＮ製るつ
ぼのダメージを低減することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によると、熱分解
性窒化ボロンにより形成された中空の本体を有するるつ
ぼが提供され、該るつぼは、該中空の本体の内壁ライニ
ングとしてダイヤモンドコーティングが施されたことを
特徴とし、それにより上記目的が達成される。ダイヤモ
ンドとボロンとは、互いに近い熱膨張係数を有する。ダ
イヤモンドは、電気的絶縁性であると共に、熱伝導率が
高いという利点を有する。
性窒化ボロンにより形成された中空の本体を有するるつ
ぼが提供され、該るつぼは、該中空の本体の内壁ライニ
ングとしてダイヤモンドコーティングが施されたことを
特徴とし、それにより上記目的が達成される。ダイヤモ
ンドとボロンとは、互いに近い熱膨張係数を有する。ダ
イヤモンドは、電気的絶縁性であると共に、熱伝導率が
高いという利点を有する。
【０００８】好適な実施態様においては、前記ダイヤモ
ンドコーティングが、約１０〜５０μｍの厚みを有す
る。
ンドコーティングが、約１０〜５０μｍの厚みを有す
る。
【０００９】るつぼの熱分解性窒化ボロン製本体は、い
かなる都合のよい方法によっても形成され得る。例え
ば、グラファイト製の型に化学気相成長（ＣＶＤ）を施
し、次いでＣＶＤにより形成された膜を型から取り外し
て内壁にダイヤモンドコーティングを施すことにより形
成され得る。
かなる都合のよい方法によっても形成され得る。例え
ば、グラファイト製の型に化学気相成長（ＣＶＤ）を施
し、次いでＣＶＤにより形成された膜を型から取り外し
て内壁にダイヤモンドコーティングを施すことにより形
成され得る。
【００１０】ダイヤモンドコーティングは、いかなる適
した方法によっても形成され得、例えば、ＣＶＤまたは
プラズマアシスト型堆積により形成され得る。
した方法によっても形成され得、例えば、ＣＶＤまたは
プラズマアシスト型堆積により形成され得る。
【００１１】好適な実施態様においては、上記るつぼ
は、アルミニウムを蒸着または堆積させるための装置に
用いられるように構成および適用されている。
は、アルミニウムを蒸着または堆積させるための装置に
用いられるように構成および適用されている。
【００１２】また、本発明によると、熱分解性窒化ボロ
ンにより形成され、且つ融解または蒸着すべき融解アル
ミニウムを収容するために用いられる中空の本体を有す
るるつぼに対するダメージを防止するための、ダイヤモ
ンドコーティングの使用が提供され、該使用において
は、該ダイヤモンドコーティングが該中空の本体の内壁
ライニングを形成し、それにより上記目的が達成され
る。
ンにより形成され、且つ融解または蒸着すべき融解アル
ミニウムを収容するために用いられる中空の本体を有す
るるつぼに対するダメージを防止するための、ダイヤモ
ンドコーティングの使用が提供され、該使用において
は、該ダイヤモンドコーティングが該中空の本体の内壁
ライニングを形成し、それにより上記目的が達成され
る。
【００１３】好適な実施態様においては、前記ダイヤモ
ンドコーティングが、約１０〜５０μｍの厚みを有す
る。
ンドコーティングが、約１０〜５０μｍの厚みを有す
る。
【００１４】また、本発明によると、材料を蒸着または
堆積させる装置が提供され、該装置が、蒸着または堆積
すべき材料を収容するために用いられるるつぼを有し、
該るつぼが、熱分解性窒化ボロンにより形成される中空
の本体を有し、該中空の本体の内壁ライニングとしてダ
イヤモンドコーティングが施されており、それにより上
記目的が達成される。
堆積させる装置が提供され、該装置が、蒸着または堆積
すべき材料を収容するために用いられるるつぼを有し、
該るつぼが、熱分解性窒化ボロンにより形成される中空
の本体を有し、該中空の本体の内壁ライニングとしてダ
イヤモンドコーティングが施されており、それにより上
記目的が達成される。
【００１５】好適な実施態様においては、前記蒸着また
は堆積すべき材料はアルミニウムであるが、アルミニウ
ムに限られない。
は堆積すべき材料はアルミニウムであるが、アルミニウ
ムに限られない。
【００１６】好適な実施態様においては、前記材料が、
分子線エピタキシにより堆積するように構成されてい
る。
分子線エピタキシにより堆積するように構成されてい
る。
【００１７】好適な実施態様においては、前記ダイヤモ
ンドコーティングが、約１０〜５０μｍの厚みを有して
いる。
ンドコーティングが、約１０〜５０μｍの厚みを有して
いる。
【００１８】また、本発明によると、材料を蒸着または
堆積させる方法が提供され、該方法は、該蒸着または堆
積される材料を、熱分解性窒化ボロンにより形成される
中空の本体を有するるつぼ内で加熱することを含み、該
中空の本体の内壁ライニングとしてダイヤモンドコーテ
ィングを施すことを特徴とし、それにより上記目的が達
成される。
堆積させる方法が提供され、該方法は、該蒸着または堆
積される材料を、熱分解性窒化ボロンにより形成される
中空の本体を有するるつぼ内で加熱することを含み、該
中空の本体の内壁ライニングとしてダイヤモンドコーテ
ィングを施すことを特徴とし、それにより上記目的が達
成される。
【００１９】好適な実施態様においては、前記材料はア
ルミニウムであるが、アルミニウムに限られない。
ルミニウムであるが、アルミニウムに限られない。
【００２０】好適な実施態様においては、前記ダイヤモ
ンドコーティングが、約１０〜５０μｍの厚みを有す
る。
ンドコーティングが、約１０〜５０μｍの厚みを有す
る。
【００２１】
【発明の実施の形態】本発明によるるつぼは、内壁をダ
イヤモンドでコーティングされた熱分解性窒化ボロン製
中空体によって形成されている。窒化ボロンとダイヤモ
ンドとは互いに近い熱膨張係数を有しており、るつぼの
使用に伴う温度変化によってダイヤモンドコーティング
が剥離することがない。また、ダイヤモンドは優れた機
械特性を有しているので、アルミニウム等の内容物の固
化及び体積膨張によって、破壊されることがない。さら
に、ダイヤモンドは高い熱伝導率を有しているので、ダ
イヤモンドをコーティングすることによってるつぼの熱
伝導性を低下することもない。
イヤモンドでコーティングされた熱分解性窒化ボロン製
中空体によって形成されている。窒化ボロンとダイヤモ
ンドとは互いに近い熱膨張係数を有しており、るつぼの
使用に伴う温度変化によってダイヤモンドコーティング
が剥離することがない。また、ダイヤモンドは優れた機
械特性を有しているので、アルミニウム等の内容物の固
化及び体積膨張によって、破壊されることがない。さら
に、ダイヤモンドは高い熱伝導率を有しているので、ダ
イヤモンドをコーティングすることによってるつぼの熱
伝導性を低下することもない。
【００２２】本発明の実施態様を、図面を参照して説明
する。図１は、本発明によるるつぼの模式図である。
する。図１は、本発明によるるつぼの模式図である。
【００２３】図１を参照すると、るつぼ１は、分子線エ
ピタキシシステムの噴散セルに用いられるサイズおよび
形状を有する。るつぼ１は、端部が開状態の中空の本体
１０と、それに一体的に形成された支持フランジ１２と
を有する。本体１０と支持フランジ１２とは、それ自体
公知の方法、すなわち、グラファイト製の型にＣＶＤに
より熱分解性窒化ボロンを成長させるという方法で形成
される。
ピタキシシステムの噴散セルに用いられるサイズおよび
形状を有する。るつぼ１は、端部が開状態の中空の本体
１０と、それに一体的に形成された支持フランジ１２と
を有する。本体１０と支持フランジ１２とは、それ自体
公知の方法、すなわち、グラファイト製の型にＣＶＤに
より熱分解性窒化ボロンを成長させるという方法で形成
される。
【００２４】窒化ボロンと使用中のアルミニウムとの接
触を防止するために、るつぼ１の内表面をダイヤモンド
コーティング１４で被覆する。ダイヤモンドコーティン
グ１４は、ＣＶＤまたはプラズマアシスト型堆積により
形成されている。本実施態様において、ダイヤモンドコ
ーティング１４は、約２０μｍの厚さを有する。ダイヤ
モンドコーティングの厚さは、約１０〜５０μｍの範囲
が好ましい。ダイヤモンドコーティングの厚さが約１０
μｍ未満では、上記の保護膜としての作用が十分に得ら
れない可能性がある。また、約５０μｍを越える厚いダ
イヤモンドコーティングを形成するために、余分な時間
と材料コストがかかるので、好ましくない。
触を防止するために、るつぼ１の内表面をダイヤモンド
コーティング１４で被覆する。ダイヤモンドコーティン
グ１４は、ＣＶＤまたはプラズマアシスト型堆積により
形成されている。本実施態様において、ダイヤモンドコ
ーティング１４は、約２０μｍの厚さを有する。ダイヤ
モンドコーティングの厚さは、約１０〜５０μｍの範囲
が好ましい。ダイヤモンドコーティングの厚さが約１０
μｍ未満では、上記の保護膜としての作用が十分に得ら
れない可能性がある。また、約５０μｍを越える厚いダ
イヤモンドコーティングを形成するために、余分な時間
と材料コストがかかるので、好ましくない。
【００２５】るつぼ１は、図２（ａ）及び（ｂ）に模式
的に示した、公知の方法で動作し得る分子線エピタキシ
システム２において、それ自体公知の方法で用いられ得
る。分子線エピタキシシステム２は、エントリーロック
２２及びサブリメーションポンプ２４を備えた堆積チャ
ンバー２０を有する。エピタキシャル成長によって膜が
堆積される基板２８を保持するためにチャンバー２０内
にマウント２６が設けられている。基板２８は、エント
リーロック２２を介して、チャンバー２０内に装着また
は脱着される。チャンバー２０内に複数の噴散セル３０
が設けられており、それぞれの噴散セル３０は基板２８
に堆積される材料が入れられたるつぼを有している。こ
の複数の噴散セル３０の内の一つはエピタキシャル堆積
される材料の一つであるアルミニウムを含むるつぼ１を
有する。電源（不図示）は、るつぼ内の材料を加熱する
ためのヒーター３１に電力を供給する。しかしながら、
アルミニウムが入れられたるつぼ１にさえ、割り込み不
能電源を用いる必要はない。本発明によるるつぼは、ソ
ース材料としてのアルミニウムと共に用いられていると
きでさえ、室温まで冷却された後、再使用され得る。
的に示した、公知の方法で動作し得る分子線エピタキシ
システム２において、それ自体公知の方法で用いられ得
る。分子線エピタキシシステム２は、エントリーロック
２２及びサブリメーションポンプ２４を備えた堆積チャ
ンバー２０を有する。エピタキシャル成長によって膜が
堆積される基板２８を保持するためにチャンバー２０内
にマウント２６が設けられている。基板２８は、エント
リーロック２２を介して、チャンバー２０内に装着また
は脱着される。チャンバー２０内に複数の噴散セル３０
が設けられており、それぞれの噴散セル３０は基板２８
に堆積される材料が入れられたるつぼを有している。こ
の複数の噴散セル３０の内の一つはエピタキシャル堆積
される材料の一つであるアルミニウムを含むるつぼ１を
有する。電源（不図示）は、るつぼ内の材料を加熱する
ためのヒーター３１に電力を供給する。しかしながら、
アルミニウムが入れられたるつぼ１にさえ、割り込み不
能電源を用いる必要はない。本発明によるるつぼは、ソ
ース材料としてのアルミニウムと共に用いられていると
きでさえ、室温まで冷却された後、再使用され得る。
【００２６】
【発明の効果】本発明によると、るつぼにダメージが与
えられた後、真空蒸着システムを復帰させる必要性を減
少させることができる。分子線エピタキシのような真空
蒸着システムの場合、修理および復帰のための準備が約
２週間かかり得る。また、熱分解性窒化ボロンの典型的
な費用は、現在約１６００米ドルであり、１台の分子線
エピタキシ装置は、典型的には毎年約２つのるつぼを使
用する。本発明によると、ダイヤモンドコーティングに
より、アルミニウム等の内容物の固化及び体積膨張によ
る破壊が防止されるので、内容物を溶融状態に保つため
の割り込み不能電源を必要とせず、冷却後、再び使用す
ることが可能である。また、アルミニウムと窒化ボロン
との反応が防止され、るつぼの寿命を著しく長くするこ
とができる。
えられた後、真空蒸着システムを復帰させる必要性を減
少させることができる。分子線エピタキシのような真空
蒸着システムの場合、修理および復帰のための準備が約
２週間かかり得る。また、熱分解性窒化ボロンの典型的
な費用は、現在約１６００米ドルであり、１台の分子線
エピタキシ装置は、典型的には毎年約２つのるつぼを使
用する。本発明によると、ダイヤモンドコーティングに
より、アルミニウム等の内容物の固化及び体積膨張によ
る破壊が防止されるので、内容物を溶融状態に保つため
の割り込み不能電源を必要とせず、冷却後、再び使用す
ることが可能である。また、アルミニウムと窒化ボロン
との反応が防止され、るつぼの寿命を著しく長くするこ
とができる。
【図1】本発明によるるつぼの模式図である。
【図２】（ａ）は、図１のるつぼを用いたアルミニウム
を堆積するための分子線エピタキシシステムの模式図で
ある。（ｂ）は、（ａ）の分子線エピタキシシステムで
用いられる噴散セルの模式図である。
を堆積するための分子線エピタキシシステムの模式図で
ある。（ｂ）は、（ａ）の分子線エピタキシシステムで
用いられる噴散セルの模式図である。
１ るつぼ ２ 分子線エピタキシシステム １０ 本体 １２ フランジ １４ ダイヤモンドコーティング
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジェフリー ダガン イギリス国 オックスフォードシャー オ ーエックス15 ０エスジェイ，デディント ン，６／７ ハイ ストリート，キングス コテージ
Claims (12)
- 【請求項１】 熱分解性窒化ボロンにより形成された中
空の本体を有するるつぼであって、該中空の本体の内壁
ライニングとしてダイヤモンドコーティングが施され
た、るつぼ。 - 【請求項２】 前記ダイヤモンドコーティングが、約１
０〜５０μｍの厚みを有する、請求項１に記載のるつ
ぼ。 - 【請求項３】 アルミニウムを蒸着または堆積させるた
めの装置に用いられるように構成および適用された、請
求項１または２に記載のるつぼ。 - 【請求項４】 熱分解性窒化ボロンにより形成され、且
つ融解または蒸着すべき融解アルミニウムを収容するた
めに用いられる中空の本体を有するるつぼに対するダメ
ージを防止するための、ダイヤモンドコーティングの使
用であって、該ダイヤモンドコーティングが該中空の本
体の内壁ライニングを形成する、ダイヤモンドコーティ
ングの使用方法。 - 【請求項５】 前記ダイヤモンドコーティングが、約１
０〜５０μｍの厚みを有する、請求項４に記載の使用方
法。 - 【請求項６】 材料を蒸着または堆積させる装置であっ
て、該装置が、蒸着または堆積すべき材料を収容するた
めに用いられるるつぼを有し、該るつぼが、熱分解性窒
化ボロンにより形成される中空の本体を有し、該中空の
本体の内壁ライニングとしてダイヤモンドコーティング
が施された、装置。 - 【請求項７】 前記蒸着または堆積すべき材料が、アル
ミニウムである、請求項６に記載の装置。 - 【請求項８】 前記材料が、分子線エピタキシにより堆
積するように構成された、請求項６または７に記載の装
置。 - 【請求項９】 前記ダイヤモンドコーティングが、約１
０〜５０μｍの厚みを有する、請求項６から８のいずれ
かに記載の装置。 - 【請求項１０】 材料を蒸着または堆積させる方法であ
って、該蒸着または堆積される材料を、熱分解性窒化ボ
ロンにより形成される中空の本体を有するるつぼ内で加
熱することを含み、該中空の本体の内壁ライニングとし
てダイヤモンドコーティングを施す、方法。 - 【請求項１１】 前記材料が、アルミニウムである、請
求項１０に記載の方法。 - 【請求項１２】 前記ダイヤモンドコーティングが、約
１０〜５０μｍの厚みを有する、請求項１０または１１
に記載の方法。
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|---|---|---|---|
| GB9421699.1 | 1994-10-27 | ||
| GB9421699A GB2294532B (en) | 1994-10-27 | 1994-10-27 | Use of a Crucible |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08225926A true JPH08225926A (ja) | 1996-09-03 |
| JP3907132B2 JP3907132B2 (ja) | 2007-04-18 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27858195A Expired - Fee Related JP3907132B2 (ja) | 1994-10-27 | 1995-10-26 | ダイヤモンドコーティングが施されたるつぼを用いる蒸着または堆積方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3907132B2 (ja) |
| GB (1) | GB2294532B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013245372A (ja) * | 2012-05-25 | 2013-12-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 蒸着用ルツボの製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JP3638345B2 (ja) * | 1995-08-22 | 2005-04-13 | 信越化学工業株式会社 | 熱分解窒化硼素容器 |
Family Cites Families (1)
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|---|---|---|---|---|
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-
1995
- 1995-10-26 JP JP27858195A patent/JP3907132B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
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| GB2294532A (en) | 1996-05-01 |
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