JPH0299972U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0299972U JPH0299972U JP803989U JP803989U JPH0299972U JP H0299972 U JPH0299972 U JP H0299972U JP 803989 U JP803989 U JP 803989U JP 803989 U JP803989 U JP 803989U JP H0299972 U JPH0299972 U JP H0299972U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- molecular beam
- flange
- vacuum port
- evaporation source
- beam evaporation
- Prior art date
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- Granted
Links
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
第１図は本考案の実施例の構成を示す図、第２
図は分子線エピタキシ装置における基板と複数の
分子線源の位置関係を示す図、第３図は従来装置
における分子線源取付状態図である。 １……るつぼ、２……ヒータ、３……シヤツタ
ー、４……真空ポート、５……蒸発材料の堆積、
６……フランジニツプル、７……フランジ、８…
…熱電対、９……基板、１０……分子線源、１１
……液体溜り部。
図は分子線エピタキシ装置における基板と複数の
分子線源の位置関係を示す図、第３図は従来装置
における分子線源取付状態図である。 １……るつぼ、２……ヒータ、３……シヤツタ
ー、４……真空ポート、５……蒸発材料の堆積、
６……フランジニツプル、７……フランジ、８…
…熱電対、９……基板、１０……分子線源、１１
……液体溜り部。
Claims (1)
- 分子線蒸発源を傾斜させて取り付けるための真
空ポートのフランジと、分子線蒸発源のフランジ
との間に、傾斜面下腹部側に真空ポートの内壁面
よりもくぼんだ液体溜り部を有するフランジニツ
プル管を取り付けたことを特徴とする分子線エピ
タキシ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP803989U JPH0512297Y2 (ja) | 1989-01-26 | 1989-01-26 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP803989U JPH0512297Y2 (ja) | 1989-01-26 | 1989-01-26 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0299972U true JPH0299972U (ja) | 1990-08-09 |
| JPH0512297Y2 JPH0512297Y2 (ja) | 1993-03-29 |
Family
ID=31213565
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP803989U Expired - Lifetime JPH0512297Y2 (ja) | 1989-01-26 | 1989-01-26 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0512297Y2 (ja) |
-
1989
- 1989-01-26 JP JP803989U patent/JPH0512297Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0512297Y2 (ja) | 1993-03-29 |