JPH06108236A

JPH06108236A - 薄膜形成装置

Info

Publication number: JPH06108236A
Application number: JP25621492A
Authority: JP
Inventors: Masashi Yamakawa; 正志山川
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1992-09-25
Filing date: 1992-09-25
Publication date: 1994-04-19

Abstract

(57)【要約】【目的】蒸発した蒸着物質により基板表面に形成され
る薄膜に不純物が混入しない良好な薄膜を形成する薄膜
形成装置を得る。【構成】蒸着物質５を収容する容器３ａとノズル４を
備えた蓋３ｂからなるバケット型るつぼ３を真空槽１内
に設置し、このバケット型るつぼ３を加熱する加熱用フ
ィラメント６をバケット型るつぼ３の周囲と底面側に配
設し、この外側に熱シールド板７を設け、蓋３ｂに形成
されたつば３ｃが保持されたセラミック２４に排気口２
６を形成し、そのセラミック２４によりバケット型るつ
ぼ３，過熱用フィラメント６，熱シールド板７を密閉し
て蒸気発生源９を構成し、さらに、イオン化フィラメン
ト１０と熱シールド板１２からなるイオン化手段１３を
配置したことを特徴としている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子や光学素子
などの薄膜を形成する薄膜形成装置に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】図７は、例えば特公平３−５２５３３号
公報に示された従来のイオンビーム蒸着法による薄膜形
成装置を模式的に示す概略構成図であり、この図におい
て、１は所定の真空度に保持された真空槽、２はこの真
空槽１を真空状態に排気する真空排気系、３０は前記真
空槽１内に置かれた密閉型のるつぼで、薄膜形成装置の
蒸気発生源９の下方に設けられており、このるつぼ３０
は図８に示すように、支柱２３により支持されている。

【０００３】４は前記るつぼ３０の上部に設けられたノ
ズル、５は前記るつぼ３０内に充填された蒸着物質、６
は前記るつぼ３０を加熱する加熱用フィラメント、７は
この加熱用フィラメント６からの熱を遮断する熱シール
ド板、８は前記るつぼ３０の上部に設けられたノズル４
から蒸着物質５を噴出させて形成したクラスタ（塊状原
子集団）であり、前記蒸気発生源９は、るつぼ３０，加
熱用フィラメント６，および熱シールド板７により構成
されている。

【０００４】１０は電子ビームを放出するイオン化フィ
ラメント、１１はこのイオン化フィラメント１０から電
子を引き出し加速する電子ビーム引出電極、１２は前記
イオン化フィラメント１０の熱を遮断する熱シールド
板、１３は前記イオン化フィラメント１０，電子ビーム
引出電極１１および熱シールド板１２により構成された
イオン化手段である。１４はこのイオン化手段１３によ
ってイオン化されたイオン化クラスタ、１５ａおよび１
５ｂはこのイオン化クラスタ１４を電界で加速し、運動
エネルギーを付与する加速手段である加速電極とアース
電極である。１６はその表面に薄膜が形成される基板で
ある。

【０００５】１７は前記加熱用フィラメント６を加熱す
る第１交流電源、１８は前記るつぼ３０の電位を加熱用
フィラメント６に対して正にバイアスする第１直流電
源、１９は前記イオン化フィラメント１０を加熱する第
２交流電源、２０は前記イオン化フィラメント１０を電
子ビーム引出電極１１に対して負にバイアスする第２直
流電源、２１は前記るつぼ３０，電子ビーム引出電極１
１および加速電極１５ａをアース電極１５ｂに対して正
にバイアスする第３直流電源、２２は前記第１交流電源
１７，第１直流電源１８，第２交流電源１９，第２直流
電源２０および第３直流電源２１を収納する電源装置で
ある。

【０００６】次に、動作について説明する。従来の薄膜
形成装置は上述したように構成され、真空槽１を１０^-6
Ｔｏｒｒ程度の真空度になるまで真空排気系２によって
排気する。加熱用フィラメント６から放出される電子を
第１直流電源１８で印加される電界によって引き出し、
この引き出された電子をるつぼ３０に衝突させ、るつぼ
３０内の蒸気圧が数Ｔｏｒｒになる温度まで加熱する。
この加熱によって、るつぼ３０内の蒸着物質５は蒸発
し、ノズル４から真空槽１中に噴射される。この蒸着物
質５の蒸気は、ノズル４を通過する際、断熱膨張により
加速冷却されて凝縮し、クラスタ８と呼ばれる塊状原子
集団が形成される。このクラスタ８は、イオン化フィラ
メント１０から放出される電子ビームによって一部がイ
オン化されることにより、イオン化クラスタ１４とな
る。このイオン化クラスタ１４は、イオン化されていな
い中性のクラスタ８とともにアース電極１５ｂで印加さ
れる電界により加速され、基板１６表面に衝突して薄膜
が形成される。

【０００７】なお、電源装置２２内の各直流電源の機能
は次のとおりである。第１直流電源１８は、第１交流電
源１７によって加熱された加熱用フィラメント６から放
出された熱電子をるつぼ３０に衝突させる。第２直流電
源２０は、電子ビーム引出電極１１に対して第２交流電
源１９で加熱されたイオン化フィラメント１０を負にバ
イアスし、イオン化フィラメント１０から放出された熱
電子を電子ビーム引出電極１１内部に引き出す。第３直
流電源２１はアース電位にあるアース電極１５ｂに対し
てるつぼ３０，電子ビーム引出電極１１および加速電極
１５ａを正にバイアスし、加速電極１５ａとアース電極
１５ｂとの間に形成される電界レンズによって、正電荷
のイオン化クラスタ１４を加速制御する。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上記のように構成され
た従来の薄膜形成装置は、図８に示したように、るつぼ
３０が支柱２３により支持されているため、るつぼ３０
は底面から加熱することができず、また、支柱２３を通
して熱が逃げてしまい、るつぼ３０の加熱効率が低くな
る問題点があった。また、蒸着物質５をるつぼ３０へ収
容する際にはるつぼ３０の上面にあるノズル４からるつ
ぼ３０の内部に蒸着物質５を入れなければならず、この
作業には時間がかかり、また、蒸着物質５が小さな粉状
でなければ使用できないので、蒸着物質５の入手が困難
で、かつ高価であった。

【０００９】また、蒸気発生源９の熱シールド板７は、
上面および下面に開口部があり、この開口部を通して加
熱用フィラメント６からの電子、あるいはるつぼ３０か
らの不純物、あるいは蒸着物質５の原子、あるいはこれ
らが熱電子によりイオン化されたイオンが基板１６の表
面上の膜に不純物として混入したり、また、電圧印加部
を短絡してしまい、安定した装置運転ができなくなる。

【００１０】さらに、イオン化手段１３の上面と下面に
も開口部があり、このためイオン化フィラメント１０か
ら引き出された電子の一部が電子ビーム引出電極１１に
集められず迷走電子となり、イオン化手段１３以外でク
ラスタ８あるいは真空槽１内の残留ガスがイオン化され
てしまい、空間のインピーダンスの低下を引き起し、電
圧印加部を短絡してしまい、安定した装置運転ができな
くなる等の問題点があった。

【００１１】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、イオン化フィラメンとからの迷
走電子を低減し、安定した装置運転によりるつぼの加熱
効率を改善し、膜への不純物の混入のない良質な薄膜を
形成できるようにした薄膜形成装置を得ることを目的と
する。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明に係る請求項１に
記載の薄膜形成装置は、真空槽内に、薄膜が形成される
基板を設け、蒸着物質が収容されるるつぼを蒸着物質を
収容する容器と蓋とからなるバケット型るつぼとし、前
記蓋に少なくとも１つのノズルを設けて容器と蓋とを着
脱自在に構成し、前記バケット型るつぼを加熱する加熱
用フィラメントをバケット型るつぼの周囲および底面側
に設け、前記バケット型るつぼ，加熱用フィラメントお
よび熱シールド板をセラミックで覆い、このセラミック
にバケット型るつぼを保持させて蒸気発生源を構成した
ものである。

【００１３】また、請求項２に記載の薄膜形成装置は、
加熱用フィラメントと熱シールド板を同電位に保持する
とともに、イオン化フィラメントからの熱電子がバケッ
ト型るつぼに向う方向に電界が形成されるようにイオン
化フィラメントと熱シールド板とを配置したものであ
る。また、請求項３に記載の薄膜形成装置は、バケット
型るつぼの周囲と底面側に、バケット型るつぼの周囲の
上方部分が密になるようにして加熱用フィラメントを配
設したものである。

【００１４】

【作用】本発明の請求項１に記載の発明においては、蒸
着物質が収容される容器と、ノズルが設けられた蓋とが
分離するバケット型るつぼと、このバケット型るつぼの
周囲および底面側に加熱用フィラメントを配設したの
で、バケット型るつぼから周囲の構造物への熱伝導によ
る熱損失を低減し、るつぼの容量が大きくなっても効率
よく加熱される。さらに、バケット型るつぼと、加熱用
フィラメントと、熱シールド板をセラミックで覆って蒸
気発生源を構成したので、高温に加熱されたバケット型
るつぼ表面より放出される不純物，あるいはバケット型
るつぼ物質の原子が、バケット型るつぼより蒸発した蒸
着物質に混入することが低減される。

【００１５】また、請求項２に記載の発明においては、
加熱用フィラメントと熱シールド板を同電位に保持する
とともに、イオン化フィラメントからの熱電子が前記バ
ケット型るつぼに向う方向に電界が形成されるように、
イオン化フィラメントと熱シールド板を配置したので、
バケット型るつぼより蒸発した蒸着物質はバケット型る
つぼに集められ、イオン化フィラメントからの熱電子の
迷走が防止され、イオン化部以外で蒸着物質をイオン化
することが防止される。また、迷走電子が低減されるの
で、蒸着物質が効率よくイオン化される。さらに、イオ
ン化フィラメントからの輻射熱と熱電子のバケット型る
つぼへの衝突により、ノズル部分が加熱され、バケット
型るつぼの蓋に設けられたノズル部分の温度が低下する
ことがなくなり、蒸発した蒸着物質がノズルで固体化し
てノズルを詰まらせることがなくなる。

【００１６】また、請求項３に記載の発明においては、
バケット型るつぼの周囲と底面側に前記バケット型るつ
ぼの周囲の上方部分が密になるように加熱用フィラメン
トを配設したので、バケット型るつぼの上方部分に投入
される熱量が多くなり、蒸着物質の蒸気がノズルの内壁
や近傍で再固体化することがなく、ノズルの目詰まりが
防止される。

【００１７】

【実施例】以下、図面に基づいて本発明の一実施例につ
いて説明する。図１は本発明の一実施例を示す薄膜形成
装置の構成図である。この図において、１は所定の真空
度に保持された真空槽、２はこの真空槽１を真空状態に
排気する真空排気系、３は前記真空槽１内に設置された
バケット型るつぼで、容器３ａと蓋３ｂとからなり、か
つ着脱自在に構成されている。４は前記バケット型るつ
ぼ３の上部に設けられたノズル、５は前記容器３ａに充
填された蒸着物質、６は前記バケット型るつぼ３を加熱
する加熱用フィラメントで、バケット型るつぼ３の周囲
および底面側に設けられ、バケット型るつぼ３のノズル
４側の密度を高くして設けられている。７はこの加熱用
フィラメント６からの熱を遮断する熱シールド板、８は
前記ノズル４から蒸着物質を噴出させて形成した中性の
クラスタ（塊状原子集団）、２４は前記バケット型るつ
ぼ３，加熱用フィラメント６および熱シールド板７を覆
うように配置されたセラミックで、これらバケット型る
つぼ３，加熱用フィラメント６，熱シールド板７および
セラミック２４により蒸気発生源９が形成されている。
なお、３ｃは円板状のつばである。

【００１８】１０は電子ビームを放出するイオン化フィ
ラメント、１２は従来例と構造の異なる熱シールド板、
１３は前記イオン化フィラメント１０および熱シールド
板１２により構成されるイオン化手段である。１４はこ
のイオン化手段によってイオン化されたイオン化クラス
タ、１５ａおよび１５ｂは加速手段を構成する加速電極
およびアース電極である。１６は薄膜が形成される基
板、１７は前記加熱用フィラメント１０を加熱する第１
交流電源、１８は前記バケット型るつぼ３の電位を加熱
用フィラメント６に対して正にバイアスする第１直流電
源、１９は前記イオン化フィラメント１０を加熱する第
２交流電源、２０は前記イオン化フィラメント１０をバ
ケット型るつぼ３に対して負にバイアスする第２直流電
源、２１は前記バケット型るつぼ３および加速電極１５
ａをアース電極１５ｂに対して正にバイアスする第３直
流電源であり、これら各電源１７〜２１により電源装置
２２が構成されている。以下、さらに主要部の構成を詳
細図を用いて説明する。

【００１９】図２はイオン化手段１３を説明するための
断面斜視図であり、イオン化フィラメント１０はリング
形状をしており、それを取り囲むように熱シールド板１
２が配置されている。熱シールド板１２の上下面に設け
られた円形の開口部は、上面よりも下面が大きくなって
いる。

【００２０】図３はバケット型るつぼ３の説明図であ
り、３ａは前記蒸着物質５を収容する容器、３ｂは蓋
で、その上部に少なくとも１つのノズル４が設けられて
いる。また、この蓋３ｂの上部は円板状のつば３ｃとな
っており、容器３ａと蓋３ｂの両者の端部にはネジが形
成され、螺合により組み立てられるようになっている。
上記ノズル４は円筒と蓋３ｂの上部に向って拡がってい
る円錐とを組合せた形状となっている。また、螺合によ
り組み立てられたバケット型るつぼ３の外面および内面
ともに蓋３ｂより容器３ａに向って細くなるゆるやかな
テーパ形状となっている。

【００２１】図４は蒸気発生源９の説明図であり、セラ
ミック２４の外周面には、このセラミック２４を冷却す
るための冷却パイプ２５が設けられている。冷却パイプ
２５の内部には水が流通するようになっている。２６は
前記セラミック２４の底面に複数設けられた排気口で、
蒸気発生源９内部を真空排気するために設けられていあ
る。バケット型るつぼ３はセラミック２４の上部に設け
られた穴に差し込まれ、バケット型るつぼ３の上部にあ
るつば３ｃでセラミック２４の上部に保持されている。

【００２２】加熱用フィラメント６は、バケット型るつ
ぼ３の周囲に蓋３ｂに設けられたノズル４の部分で、フ
ィラメント密度が高くなるように配置されており、ま
た、加熱用フィラメント６はバケット型るつぼ３の底面
側にも配置されている。熱シールド板７は２つに分割さ
れており、この分割は熱シールド板７の内部を排気口２
６を通して真空排気するためと、また、さらに、熱シー
ルド板７の熱膨張による変形を逃げるためである。ま
た、第１交流電源１７は、加熱用フィラメント６を加熱
し、第１直流電源１８は、バケット型るつぼ３の電位を
加熱用フィラメント６に対して正にバイアスする。

【００２３】図５はイオン化手段１３と蒸気発生源９が
作る電界の説明図であり、イオン化フィラメント１０と
熱シールド板１２は、この電界、すなわちイオン化フィ
ラメント１０からの熱電子がバケット型るつぼ３に向か
う方向に電界を形成するように配置されている。イオン
化手段１３によってイオン化されたイオン化クラスタ１
４は、電界により加速手段で加速され、運動エネルギー
を付与される。第２交流電源１９は、イオン化フィラメ
ント１０を加熱し、第２直流電源２０は、イオン化フィ
ラメント１０をバッケット型るつぼ３に対して負にバイ
アスする。

【００２４】図６は加熱用フィラメント６の他の例を示
すものであり、フィラメントがバケット型るつぼ３の周
囲の円周上にバケット型るつぼ３の中心軸方向に長く設
置され、蓋３ｂ部分に相当する位置のフィラメント密度
が高くなるように構成されている。この加熱用フィラメ
ント６はコイル状になっていないため、電流を通電して
も発生する磁界が弱い。したがって、蒸着物質５が磁性
材料の場合でも磁界によりクラスタ８の軌道が曲がった
りクラスタ８が着磁されたりしないので、基板１６の表
面上に良質な膜が得られる。

【００２５】次に、動作について説明する。バケット型
るつぼ３は、容器３ａと蓋３ｂの螺合によって組み立て
られているので、容器３ａと蓋３ｂを回してネジをゆる
めて２つに分け、容器３ａに蒸着物質５を入れる。蒸着
物質５が入れられた容器３ａに蓋３ｂを装着することに
より、蒸着物質５が充填されたバケット型るつぼ３が組
み立てられる。このバケット型るつぼ３を蒸気発生源９
に取り付け、真空槽１を１０^-6Ｔｏｒｒ程度の真空度に
なるまで真空排気系２によって排気する。

【００２６】その後、第１交流電源１７で加熱用フィラ
メント６へ通電することにより、加熱用フィラメント６
の温度が上昇し、熱電子が放出され、この熱電子は第１
直流電源１８によりバケット型るつぼ３と加熱用フィラ
メント６間に発生する電界によって図４の矢印２７方向
に引っ張られ、加速されてバケット型るつぼ３に衝突す
る。バケット型るつぼ３は、この加速された熱電子によ
る衝撃と加熱用フィラメント６の輻射熱により加熱さ
れ、内部にある蒸着物質５が加熱され蒸発する。

【００２７】熱シールド板７は、第１直流電源１８によ
り加熱用フィラメント６と同電位となっている。図１に
示すように、加熱によってバケット型るつぼ３内の蒸着
物質５は蒸発し、ノズル４から真空槽１中に噴射され
る。この蒸着物質５の蒸気は、ノズル４を通過する際、
断熱膨張により加速冷却されて凝縮し、クラスタ８と呼
ばれる塊状原子集団が形成される。

【００２８】第２交流電源１９でイオン化フィラメント
１０へ通電することにより、イオン化フィラメント１０
の温度が上昇し熱電子が放出され、この熱電子は第２直
流電源２０でバケット型るつぼ３とイオン化フィラメン
ト１０間に発生する電界、すなわち図５中の破線で示す
電界によって加速および偏向され、クラスタ８と衝突し
てクラスタ８の一部がイオン化し、イオン化クラスタ１
４となりバケット型るつぼ３に到達する。蓋３ｂの上面
部分はイオン化フィラメント１０からの輻射熱と熱電子
の衝突により加熱される。イオン化クラスタ１４は第３
直流電源２１により加速電極１５ａとアース電極１５ｂ
間に発生する電界により加速され、イオン化されていな
い中性のクラスタ８はバケット型るつぼ３内の圧力（数
Ｔｏｒｒ）と、真空槽１内の圧力（〜１０^-6Ｔｏｒｒ）
との圧力差により、ノズル４から噴出し、この時の噴出
速度で前記イオン化クラスタ１４とともに基板１６の表
面に到達して薄膜が形成される。

【００２９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の請求項１
に記載の発明は、バケット型るつぼを蓋と容器の２つに
分離できるように構成したので、蒸着物質の充填が容易
であり、また、蒸着物質が粒状，粉体，線材あるいはペ
レット状のいずれでも入れることができる。また、加熱
用フィラメントをバケット型るつぼの周囲および底面側
に配置したので、バケット型るつぼはこの加熱用フィラ
メントにより底部も含めた全周囲から加熱されるので、
バケット型るつぼから周囲の構造物への熱伝導による熱
損失を低減でき、バケット型るつぼの容量が大きくなっ
ても均一に、かつ効率よく加熱することができる。

【００３０】さらに、蒸気発生源はセラミックで密閉さ
れているので、加熱用フィラメントから放出された熱電
子の迷走により、クラスタや残留ガスあるいはバケット
型るつぼの表面より放出された不純物がイオン化されて
空間のインピーダンス低下にともなう電圧印加部分の短
絡を防止するとともに、基板表面上の膜への不純物の混
入を防ぎ、良好な薄膜が形成できる。

【００３１】また、請求項２に記載の発明は、加熱用フ
ィラメントからの輻射熱を遮断する熱シールド板は、加
熱用フィラメントと同電位になっているので、加熱用フ
ィラメントより放出された熱電子が熱シールド板より外
部へ漏れることを防いでおり、また、加熱用フィラメン
トからの輻射熱が外部へ漏れることを防ぐとともに、バ
ケット型るつぼは、熱伝導率の低いセラミックで保持さ
れているので、バケット型るつぼより失われる熱損失を
低減でき、また、加熱効率を改善することができる。

【００３２】さらに、バケット型るつぼに向けて熱電子
が移動する方向に電界が形成されるように、イオン化フ
ィラメントと、熱シールド板を配置したので、イオン化
フィラメントから放出された熱電子は、バケット型るつ
ぼへ集められるので、迷走電子が低減され、イオン化手
段部分以外でクラスタあるいは真空槽内の残留ガスをイ
オン化することによる空間のインピーダンス低下にとも
なう電圧印加部分の短絡を防止するとともに、基板表面
上の膜への不純物の混入を防ぎ、良好な薄膜が形成でき
る。

【００３３】また、請求項３に記載の発明は、加熱用フ
ィラメントのフィラメント密度がバケット型るつぼの上
方部分で高くなっているので、この部分へ投入される熱
量が多くなり、ノズル部分の温度低下がなく、蒸着物質
の蒸気がノズルの内壁や近傍で再固体化してノズルの詰
りを防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例による薄膜形成装置を示す縦
断面図である。

【図２】図１のイオン化手段を示す断面図である。

【図３】図１のバケット型るつぼを示す縦断面図であ
る。

【図４】図１の蒸気発生源の詳細を示す縦断面図であ
る。

【図５】図１のイオン化手段の動作を示す説明図であ
る。

【図６】本発明の加熱用フィラメントの他の例を示す外
形図である。

【図７】従来の薄膜形成装置を示す断面図である。

【図８】従来のるつぼを示す外形図である。

【符号の説明】

１真空槽２真空排気系３バケット型るつぼ３ａ蓋３ｂ容器３ｃつば４ノズル５蒸着物質６加熱用フィラメント７熱シールド板８中性のクラスタ９蒸気発生源１０イオン化フィラメント１２熱シールド板１３イオン化手段１４イオン化クラスタ１５ａ加速電極１５ｂアース電極１６基板１７第１交流電源１８第１直流電源１９第２交流電源２０第２直流電源２１第３直流電源２２電源装置２４セラミック２５冷却パイプ２６排気口

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】真空槽内に、薄膜が形成される基板と、
ノズルが設けられ蒸着物質が収容されるるつぼ，このる
つぼを加熱する加熱用フィラメント，この加熱用フィラ
メントからの輻射熱を遮断する熱シールド板からなる蒸
気発生源と、前記るつぼから蒸発した蒸着物質が前記ノ
ズルを通過する際形成される中性のクラスタの一部をイ
オン化してイオン化クラスタとするイオン化フィラメン
トと熱シールド板とからなるイオン化手段と、前記中性
のクラスタおよびイオン化クラスタを加速し前記基板表
面に衝突させて薄膜を形成する加速電極とアース電極と
からなる加速手段と、を備えた薄膜形成装置において、
前記るつぼを、前記蒸着物質を収容する容器と前記少な
くとも１つのノズルが設けられた蓋とに分離可能なバケ
ット型るつぼとするとともに、このバケット型るつぼの
周囲と底面側に加熱用フィラメントを配設し、さらに前
記バケット型るつぼと加熱用フィラメントとこの加熱用
フィラメントからの輻射熱を遮断する熱シールド板とを
セラミックで覆い、このセラミックに前記バケット用る
つぼを保持させて前記蒸気発生源を構成したことを特徴
とする薄膜形成装置。
【請求項２】真空槽内に、薄膜が形成される基板と、
ノズルが設けられ蒸着物質が収容されるるつぼ，このる
つぼを加熱する加熱用フィラメント，この加熱用フィラ
メントからの輻射熱を遮断する熱シールド板からなる蒸
気発生源と、前記るつぼから蒸発した蒸着物質が前記ノ
ズルを通過する際形成される中性のクラスタの一部をイ
オン化してイオン化クラスタとするイオン化フィラメン
トと熱シールド板とからなるイオン化手段と、前記中性
のクラスタおよびイオン化クラスタを加速し前記基板表
面に衝突させて薄膜を形成する加速電極とアース電極と
からなる加速手段と、を備えた薄膜形成装置において、
前記加熱用フィラメントと熱シールド板を同電位に保持
するとともに、前記イオン化フィラメントからの熱電子
が前記バケット型るつぼに向う方向に電界が形成される
ように前記イオン化手段のイオン化フィラメントと熱シ
ールド板とを配置したことを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項３】真空槽内に、薄膜が形成される基板と、
ノズルが設けられ蒸着物質が収容されるるつぼ，このる
つぼを加熱する加熱用フィラメント，この加熱用フィラ
メントからの輻射熱を遮断する熱シールド板からなる蒸
気発生源と、前記るつぼから蒸発した蒸着物質が前記ノ
ズルを通過する際形成される中性のクラスタの一部をイ
オン化してイオン化クラスタとするイオン化フィラメン
トと熱シールド板とからなるイオン化手段と、前記中性
のクラスタおよびイオン化クラスタを加速し前記基板表
面に衝突させて薄膜を形成する加速電極とアース電極と
からなる加速手段と、を備えた薄膜形成装置において、
前記るつぼを、前記蒸着物質を収容する容器と前記少な
くとも１つのノズルが設けられた蓋とに分離可能なバケ
ット型るつぼとするとともに、このバケット型るつぼの
周囲と底面側に、前記バケット型るつぼの周囲の上方部
分が密になるようにして前記加熱用フィラメントを配設
したことを特徴とする薄膜形成装置。