JP5272485B2 - 基板支持部材 - Google Patents
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Description
耐食膜を設けなかった以外は図4に示す構造の基板支持部材を作製した。基板支持部材の材質にはニッケル純度96重量%を用いた。基板載置面は直径350mm、厚み15mmとし、金属箔(SUS316)にエッチングを施し精密な回路パターンを描いて抵抗発熱体を設けた。
反応容器の内部に露出している表面に耐食膜を設けた以外は実施例1と同様にして基板支持部材を作製した。この実施例2の基板支持部材を反応容器に設置して、実施例1と同様の試験を行った。
高熱伝導板状体を設けなかった以外は図5に示す構造の基板支持部材を作製した。輻射加熱にはカーボンヒーター(最大出力12kW)を使用した。基板支持部材の材料および基板載置面の直径は実施例1と同様にしたが、カーボンヒーターは薄型化が困難であるため、基板載置面の厚みは25mmとした。この実施例3の基板支持部材を反応容器に設置して、実施例1と同様の試験を行った。
基板載置面の厚みを15mmにし、輻射加熱にハロゲンランプ(最大出力12kW)を使用した以外は実施例3と同様の基板支持部材を作製した。この実施例4の基板支持部材を反応容器に設置して、実施例1と同様の試験を行った。
直径310mmの無酸素銅からなる高熱伝導板状体を設けた以外は実施例4と同様にして基板支持部材を作製した。この実施例5の基板支持部材を反応容器に設置して、実施例1と同様の試験を行った。
比較のため、図1に示す従来の構造の基板支持部材を作製した。基板搭載面の直径は実施例1と同様にしたが、基板支持部材の材料には窒化アルミニウムを使用した。この比較例1の基板支持部材を反応容器に設置して、実施例1と同様の試験を行った。
比較のため、図2に示す従来の構造の基板支持部材を作製した。基板支持部材の材料及び基板搭載面の直径は実施例1と同様にした。この比較例2の基板支持部材を反応容器に設置して、実施例1と同様の試験を行った。
比較のため、図3に示す従来の構造の基板支持部材を作製した。基板支持部材の材料及び基板搭載面の直径は実施例1と同様にした。この比較例3の基板支持部材を反応容器に設置して、実施例1と同様の試験を行った。
ニッケル純度93重量%の材料を基板支持部材に用いた以外は実施例1と同様にして基板支持部材を作製した。この比較例4の基板支持部材を反応容器に設置して、実施例1と同様の試験を行った。
10A、20A、30A 基板支持部
10B、20B 円管状支持体
10C、20C、44A 抵抗発熱体
10D、20D、44E 端子
30B 支持体
30C、41 反応容器
30D 透過窓
30E 反射板
30F 輻射加熱用発熱体
40A、40B 半導体製造装置
43 基材
44B 絶縁性板状体
44C 輻射加熱型ヒーター
44D 高熱伝導板状体
44F 接触面
44G ガス導入孔
45 耐食膜
46 支持体
60 ウェハ温度計
61 シリコンウェハ
62 熱電対接点部分
W 基板
Claims (3)
- 半導体製造装置の反応容器内部に設置されて基板の熱処理に使用される基板支持部材であって、該基板支持部材の内部には通電加熱される発熱体としてのハロゲンランプを有する空間が設けられており、該ハロゲンランプは該基板支持部材に埋設されておらず、該基板支持部材はニッケルを95重量%以上含む材料から成り、該基板支持部材内部の該空間と該反応容器内部の空間との間が気密であることを特徴とする基板支持部材。
- 前記基板支持部材の表面のうち、少なくとも前記反応容器内部に露出している表面にフッ化ニッケルから成る耐食膜が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の基板支持部材。
- 前記基板支持部材の基板搭載面と前記発熱体の間において、前記基板支持部材より高い熱伝導率を有する板状体が前記基板支持部材に結合されていることを特徴とする、請求項1又は2に記載の基板支持部材。
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