JP2009094138A - ウエハ保持体および半導体製造装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】チャンバー内に収容され、ウエハを処理するためのウエハ保持体であって、ウエハの載置面を有し、材料の主成分がAl−C、Al−SiC、Si−SiC、SiC、AlN、C、Cu、Alからなる群から選ばれた少なくとも一種である載置台と、載置台よりも熱伝導率が低く、載置台を載置面の反対側から支持し、載置台に気密に結合される筒状支持体と、載置台と筒状支持体との間に形成される空隙部と、空隙部内に収容される冷却モジュールおよび発熱体を備え、載置台は、50W/mK以上の熱伝導率を有し、空隙部は、チャンバー内の雰囲気と遮断され、冷却モジュールは載置台に設けられ、発熱体は載置台と冷却モジュールとの間に設けられていることを特徴とするウエハ保持体。
【選択図】 図1
Description
チャンバー内に収容され、ウエハを載置して処理するためのウエハ保持体であって、
ウエハを載置する載置面を有し、材料の主成分がAl−C、Al−SiC、Si−SiC、SiC、AlN、C、Cu、Alからなる群から選ばれた少なくとも一種である載置台と、
前記載置台よりも熱伝導率が低く、前記載置台を前記載置面の反対側から支持し、前記載置台に気密に結合される筒状支持体と、
前記載置台と前記筒状支持体との間に形成される空隙部と、
前記空隙部内に収容される冷却モジュールおよび発熱体を備え、
前記載置台は、50W/mK以上の熱伝導率を有し、
前記空隙部は、前記チャンバー内の雰囲気と遮断され、
前記冷却モジュールは前記載置台に設けられ、前記発熱体は前記載置台と前記冷却モジュールとの間に設けられていることを特徴とするウエハ保持体を提供する。
しかも、次に述べる本発明のウエハ保持体の構成の作用・効果により、載置台と冷却モジュールの間に発熱体を介在させているにも拘わらず、冷却モジュールによる載置台の冷却の効率化も可能になる。
前記空隙部は、前記チャンバー外の雰囲気と連通されていることを特徴とする請求項1に記載のウエハ保持体である。
前記空隙部を真空にするための減圧手段が設けられていることを特徴とする請求項1に記載のウエハ保持体である。
前記載置台を支持する支持部材が、前記載置台と前記筒状支持体の下方部との間に設けられていることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれかに記載のウエハ保持体である。
支持部材は複数設けられていることが好ましい。
また、筒状支持体の下方部を載置台と平行となる構造としておくことにより、容易に支持部材を設けることができる。さらに、筒状支持体の下方部に、載置台と平行に位置する部材を設け、前記部材に支持部材を設けてもよい。
前記載置台と、前記筒状支持体および/または前記チャンバーとは、結合部材で結合されていることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれかに記載のウエハ保持体である。
前記載置台と、前記筒状支持体および/または前記チャンバーに、前記支持部材が接着剤又は嵌め込み式により取り付けられていることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれかに記載のウエハ保持体である。
前記筒状支持体の少なくとも一部がムライト−アルミナ複合体であることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれかに記載のウエハ保持体である。
請求項1ないし請求項7のいずれかに記載のウエハ保持体が搭載されていることを特徴とする半導体製造装置である。
また、空隙部5を真空にした状態で、チャンバーを大気リークする場合、載置台3に外側から圧力がかかることによる載置台3の変形を防止するためには、載置台3と筒状支持体4の下方に位置する中間筒状支持体4bの間を支持する支持部材(図示せず)を複数配置することが好ましい。
この条件を満たす材料であれば、載置台3として好ましく使用することができる。具体的な材料としては、Al−SiC、Si−SiC、SiC、AlN、Al−Si−SiC、タングステン、モリブデンなどを例示することができる。これらの内でも、Al−SiC、Si−SiC、SiC、AlN、Al−Si−SiCは比較的密度も小さく、熱容量も小さいので、昇降温特性に優れるため好ましい。またこれらの材料をフッ素系ガスや塩素系ガスなどのハロゲン化ガス雰囲気で使用する場合、耐食性を向上させる目的でニッケルやフッ化ニッケルなどの膜を形成することも可能である。
また、セラミックスの場合、SiCやAlN、Si3N4、アルミナ、ムライトを挙げることができる。当然のことながらこれらの材料の耐酸化性は金属に比較して優れている。また金属−セラミックスの複合材料も使用することができる。この中でも熱伝導率の高いAl−SiCやSi−SiC、Al−Si−SiCなどを利用することができる。これらの材料についても、必要に応じて、上記の場合と同様に、ニッケルメッキ膜などを形成することが可能である。
好ましい冷却モジュール6の形成方法の一つとしては、上記したアルミニウムやその合金、あるいは銅やその合金、タングステンやモリブデンなどの金属材料を使用する場合、金属材料製の円形の基板の片側、もしくは両側に冷媒が流れる流路用の溝をザグリ加工などで形成し、もう一方の基板とロウ材などで接合することができる。ロウ材を使用する場合、ロウ材の濡れ性が悪い材料では、ロウ材にTiなどの活性金属が添加された活性金属ロウ材を使用することができる。またロウ材との濡れ性を改善するために、表面にメッキをし、その後銀ロウなどのロウ材でロウ付けすることも可能である。また基板にアルミニウム金属のように融点の低い金属を含有する場合はAl−Siロウ材を使用して接合することもできる。またこのAl系ロウ材に対して濡れ性が悪い場合は、接合する基板にAl膜を蒸着しておけば、より良好な接合体を得ることができる。
さらに、金属とセラミックスの複合体の場合においても、ロウ材を使用して形成することもできる。さらに、溶融金属を含浸させて形成することもできる。
また、上記のように溝を形成した基板に金属製のパイプを挿入し、金属パイプを固定するバンドをねじ止めなどの手法で基板に取り付け、固定する手法もある。この場合、冷媒が水の場合、Cuパイプやステンレスパイプなどが水に対する腐食性の面から使用される。またこれらのパイプの内では、Cuパイプは熱伝導率が高いため、冷却効率に優れ、好ましく利用することができる。
機械的な結合方法としては、例えば載置台3にねじ穴を形成し、冷却モジュール6側に貫通孔を形成する。この貫通孔にねじを挿入し、載置台3と冷却モジュール6を固定する。このとき冷却モジュール6側の貫通孔の大きさを、両者の熱膨張量の差を見込んだ径にしておけば、両者の間の熱膨張量の差を吸収することができるため、好ましい。ねじの材料に関しては特に制約はないが、熱膨張係数が載置台3と比較的近いものが好ましいのは言うまでもない。なお、発熱体7にも冷却モジュール6の貫通孔に対応する貫通孔をも設けるようにする。
筒状支持体4を分割することで、上部と下部の温度差によって発生する熱膨張差による変形を防止することができる。更には各部材間の熱伝達が阻害されるため、冷却速度も向上する。各部材間は、図示したように気密シール部(O−リング)9により気密封止すればよい。このとき各部材の材料は特に同一である必要はなく、目的に応じて適宜選択することができる。これらの形態の中で、断熱性を向上させるため、これら分割した筒状支持体の一つを断熱性に優れたムライト−アルミナ複合体によって形成すると効果的である。特に載置台3の近傍に位置する上部筒状支持体4aの材料として使用すれば、昇降温速度を向上することができるため特に好ましい。
ねじ止めをするに際しては、筒状支持体4の下方に載置台3と略平行な部分を設けることにより、より容易にねじ止めをすることができる。このため、図5に示した例においては、中間筒状支持体4bをドーナツ状の平板とし、図に示したように、載置台3に対して略平行に配置されている。また、その周縁部と円筒状の上部筒状部材4aの端面との当接面は、気密にシールされ、互いに固定されている。そして、略平行に配置された載置台3と中間筒状支持体4bとをねじ10によりねじ止めすることにより、載置台3は筒状支持体4に固定されている。
なお、図3に示すように、筒状支持体4が分割構造でなく一体形の場合も、筒状支持体4の中間部を、図5に示した例と同様、ドーナツ状の平板とし、載置台3と略平行になるように形成する。
また、中間筒状支持体4bや下部筒状支持体4c(一体形の筒状支持体4では中間筒状支持体4bや下部筒状支持体4cに相当する中間部分や下部部分)についても、その必要性がある。これは例えば載置台3の温度を急速に下げる場合、筒状支持体4の中間筒状支持体4bや下部筒状支持体4cの熱伝導率が高いと、中間筒状支持体4bや下部筒状支持体4cからの熱が、ねじ10や支持部材10aを通じて載置台3に供給され、冷却速度が低下するためである。特に、載置台3を発熱体7で加熱する後、冷却する場合には、特にその傾向が顕著となる。
発熱体7は、例えば、耐熱性、絶縁性を有するポリイミドやフェノール、シリコン、エポキシ系の樹脂やマイカなどの間にステンレスやニクロム、タングステン、モリブデンなどの金属箔をエッチングすることにより形成される。
200℃における均熱性は、ウエハの温度が200℃に達した後、10分後の温度分布である。またこのとき、チャンバー内は真空雰囲気、筒状支持体4内は大気圧であった。また上記テスト後、載置台3の温度が200℃のときの載置面2の平面度をレーザ変位計にて測定した。参考例*2として、ねじ(結合部材)を配置しない場合についても実施した。均熱性、昇温時間、冷却時間、平面度の結果を表2に示す。
また、表1、表2より、密度×比熱が3.9未満であれば昇温速度、冷却速度において優れていることが分かった。
2 載置面
3 載置台
4 筒状支持体
4a 上部筒状支持体
4b 中間筒状支持体
4c 下部筒状支持体
4d 貫通孔
5 空隙部
6 冷却モジュール
6a 流路
7 発熱体
8 チャンバーの壁面
9 気密シール部
10 ねじ(結合部材)
10a 支持部材
11 ねじ穴
12、12a、12b、12c 貫通孔
13 凹部
16 金属パイプ
17 熱電対
18 電極
Claims (8)
- チャンバー内に収容され、ウエハを載置して処理するためのウエハ保持体であって、
ウエハを載置する載置面を有し、材料の主成分がAl−C、Al−SiC、Si−SiC、SiC、AlN、C、Cu、Alからなる群から選ばれた少なくとも一種である載置台と、
前記載置台よりも熱伝導率が低く、前記載置台を前記載置面の反対側から支持し、前記載置台に気密に結合される筒状支持体と、
前記載置台と前記筒状支持体との間に形成される空隙部と、
前記空隙部内に収容される冷却モジュールおよび発熱体を備え、
前記載置台は、50W/mK以上の熱伝導率を有し、
前記空隙部は、前記チャンバー内の雰囲気と遮断され、
前記冷却モジュールは前記載置台に設けられ、前記発熱体は前記載置台と前記冷却モジュールとの間に設けられていることを特徴とするウエハ保持体。 - 前記空隙部は、前記チャンバー外の雰囲気と連通されていることを特徴とする請求項1に記載のウエハ保持体。
- 前記空隙部を真空にするための減圧手段が設けられていることを特徴とする請求項1に記載のウエハ保持体。
- 前記載置台を支持する支持部材が、前記載置台と前記筒状支持体の下方部との間に設けられていることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれかに記載のウエハ保持体。
- 前記載置台と、前記筒状支持体および/または前記チャンバーとは、結合部材で結合されていることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれかに記載のウエハ保持体。
- 前記載置台と、前記筒状支持体および/または前記チャンバーに、前記支持部材が接着剤又は嵌め込み式により取り付けられていることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれかに記載のウエハ保持体。
- 前記筒状支持体の少なくとも一部がムライト−アルミナ複合体であることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれかに記載のウエハ保持体。
- 請求項1ないし請求項7のいずれかに記載のウエハ保持体が搭載されていることを特徴とする半導体製造装置。
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