JP7317912B2 - 炉口部構造、基板処理装置、および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 40
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 64
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 54
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims description 40
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 23
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 18
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 16
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 14
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 13
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 8
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 7
- 238000004781 supercooling Methods 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Images
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-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
- F27B17/00—Furnaces of a kind not covered by any preceding group
- F27B17/0016—Chamber type furnaces
- F27B17/0025—Especially adapted for treating semiconductor wafers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
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Description
反応管の下部に設けられる第1突部と第1シール部材を介して接続され、前記反応管を下から支持するように構成される上側インレット部と、
該上側インレット部と第2シール部材を介して接続される下側インレット部と、
該上側インレット部と連結し、前記第1突部を上から固定する固定リングと、
を備え、
前記上側インレット部は、前記反応管の下部に設けられる排気管の下方に配置され、
前記上側インレット部及び前記固定リングのそれぞれの内部に設けられる流路に冷却媒体を流通させることにより前記第1突部を冷却可能に構成される、
技術が提供される。
以下、本開示の実施態様について、主に、図1~図5を参照しつつ説明する。なお、以下の説明において用いられる図面は、いずれも模式的なものであり、図面に示される、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は、現実のものとは必ずしも一致していない。また、複数の図面の相互間においても、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は必ずしも一致していない。
図5に示すように、制御部(制御手段)であるコントローラ280は、CPU(Central Processing Unit)280a、RAM(Random Access Memory)280b、記憶装置280c、I/Oポート280dを備えたコンピュータとして構成されている。RAM280b、記憶装置280c、I/Oポート280dは、内部バス280eを介して、CPU280aとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ280には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置122が接続されている。
続いて、本開示の一実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。導体装置の製造方法では、図1に示すCVD装置である基板処理装置100を準備(基板処理装置の準備工程)して、基板200を基板処理装置100の処理室201に搬入(基板の処理室への搬入工程)し、処理室201内において、ウエハ200にアンモニアアニール処理をし、その後、連続して窒化シリコン(Si3N4)を成膜する処理を行う工程(基板の処理工程)を一例として説明する。
本開示の一態様によれば、
反応管の下部に設けられる第1突部と第1シール部材を介して接続され、前記反応管を下から支持するように構成される上側インレット部と、
該上側インレット部と第2シール部材を介して接続される下側インレット部と、
該上側インレット部と連結し、前記第1突部を上から固定する固定リングと、
を備え、
前記上側インレット部は、前記反応管の下部に設けられる排気管の下方に配置され、
前記上側インレット部及び前記固定リングのそれぞれの内部に設けられる流路に冷却媒体を流通させることにより前記第1突部を冷却可能に構成される、
炉口部構造が提供される。
好ましくは、付記1において、
前記反応管の下端に設けられ、前記上側インレット部の内壁の少なくとも一部を覆うことが可能なように構成される第2突部を有する。
好ましくは、付記2において、
前記第2突部は、前記下側インレット部に当接しないように、前記上側インレット部の内壁を覆うように下側に突出するよう構成されている。
好ましくは、付記1において、
前記冷却媒体は、液体である。
好ましくは、付記1において、
前記下側インレット部には、外壁を加熱する加熱部が設けられる。
好ましくは、付記1において、
前記反応管は、前記排気管が設けられる部分の厚さを、他の部分よりも大きく構成している。
更に、好ましくは、付記1において、
前記下側インレット部と第3シール部材を介して接続される蓋体が設けられ、
前記反応管、前記上側インレット部、前記下側インレット部、前記蓋体で囲まれる空間は、前記第1シール部材、前記第2シール部材および前記第3シール部材により減圧可能に密閉される。
好ましくは、付記1において、
前記上側インレット部と前記固定リングの(接続部の)断面形状は、コの字形状である。
好ましくは、付記8において、
前記上側インレット部の前記流路は、前記第1突部の下側に配置され、
前記固定リングの前記流路は、前記第1突部の上側に配置される。
好ましくは、付記1において、
前記反応管は、基板を処理する処理室を内部に設けるインナーチューブ(内管)と、前記内管の外側に前記内管を囲うように設けられるアウターチューブ(外管)と、を有し、
前記上側インレット部は、前記アウターチューブ(外管)を支持し、
前記下側インレット部は、前記インナーチューブ(内管)を支持するように構成される。
好ましくは、付記1において、
前記下側インレット部の内壁には、コーティング処理が行われる。
本開示の他の一態様によれば、
付記1の炉口部構造を備えた基板処理装置が提供される。
好ましくは、付記12において、
前記反応管は、基板を処理する処理室を内部に設けるインナーチューブ(内管)と、
前記内管の外側に前記内管を囲うように設けられるアウターチューブ(外管)と、を有し、
前記上側インレット部は、前記アウターチューブ(外管)を支持し、
前記下側インレット部は、前記インナーチューブ(内管)を支持するように構成される。
好ましくは、付記12において、
前記下側インレット部の外壁には、該外壁を加熱する加熱部が設けられる。
更に好ましくは、付記14において、
前記下側インレット部の外壁には、温度センサ(温度スイッチ)が設けられ、
予め設定される温度(例えば、前記加熱部の設定温度)を検知することが可能に構成される。
更に好ましくは、付記15において、
前記予め設定される温度(例えば、前記加熱部の設定温度)より低い温度になると、前記温度センサからの信号により前記加熱部を実行可能に構成されている制御部を更に有する。
好ましくは、付記13において、
前記外管の外側に処理室を加熱する加熱機構を備え、
前記加熱機構の設定温度が第1の温度以上に調整可能に構成される。
更に好ましくは、付記17において、
前記上側インレット部および前記リング部(固定リング)に個別に冷却媒体を供給する冷媒供給部を有する。
更に好ましくは、付記17において、
前記加熱機構の設定温度が前記第1の温度以上であれば、前記下側インレット部の外壁に設けられるインレットヒータをオフにし、
前記加熱機構の設定温度が前記第1の温度より小さければ、前記インレットヒータをオンにし、
前記炉口部を構成する各部品(上側インレット部、下側インレット部)の温度を所定の温度範囲に制御することが可能な制御部を有する。
更に好ましくは、付記13において、
前記外管の外側に処理室を加熱する加熱機構と、
該加熱機構の設定温度(処理温度)と前記上側インレット部の予め指定された部分および前記下側インレット部の予め指定された部分の温度との相関関係を示すデータを記憶する記憶部と、
前記加熱機構の設定温度に応じて前記下側インレット部に設けられるインレットヒータを制御することが可能な制御部と、を有する。
本開示のさらに他の一態様によれば、
付記12の基板処理装置を準備する工程と、
基板を少なくとも前記反応管、前記炉口部構造の内部に構成される処理室に搬入する工程と、
前記基板を処理する工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。
203:反応管
209:炉口部
2091:上側インレット部
2092:下側インレット部
229:固定リング(リング部)
Claims (22)
- 反応管の下部に設けられる第1突部と第1シール部材を介して接続され、前記反応管を下から支持するように構成される上側インレット部と、
該上側インレット部と第2シール部材を介して接続される下側インレット部と、
該上側インレット部と連結し、前記第1突部を上から固定する固定リングと、
前記反応管の下端に設けられ、前記上側インレット部の内壁の少なくとも一部を覆うことが可能なように構成される第2突部と、
を備えた炉口部構造。 - 前記上側インレット部は、前記反応管の下部に設けられる排気管の下方に配置され、
前記上側インレット部及び前記固定リングのそれぞれの内部に設けられる流路に冷却媒体を流通させることにより前記第1突部を冷却可能に構成される請求項1記載の炉口部構造。 - 前記第2突部は、前記下側インレット部に当接しないように、前記上側インレット部の内壁を覆うように下側に突出するよう構成されている請求項1記載の炉口部構造。
- 前記冷却媒体は、液体である請求項2記載の炉口部構造。
- 前記下側インレット部には、外壁を加熱する加熱部が設けられる請求項1記載の炉口部構造。
- 前記反応管は、前記排気管が設けられる部分の厚さを、他の部分よりも大きく構成している請求項2記載の炉口部構造。
- 前記下側インレット部と第3シール部材を介して接続される蓋体が設けられ、
前記反応管、前記上側インレット部、前記下側インレット部、前記蓋体で囲まれる空間は、前記第1シール部材、前記第2シール部材および前記第3シール部材により減圧可能に密閉される請求項1記載の炉口部構造。 - 前記上側インレット部と前記固定リングの断面形状は、コの字形状で構成される請求項1記載の炉口部構造。
- 前記上側インレット部の前記流路は、前記第1突部の下側に配置され、
前記固定リングの前記流路は、前記第1突部の上側に配置されるように構成される請求項2記載の炉口部構造。 - 前記反応管は、基板を処理する処理室を内部に設ける内管と、前記内管の外側に前記内管を囲うように設けられる外管と、を有し、
前記上側インレット部は、前記外管を支持し、
前記下側インレット部は、前記内管を支持するように構成される請求項1記載の炉口部構造。 - 前記下側インレット部の内壁には、コーティング処理が行われる請求項1記載の炉口部構造。
- 反応管の下部に設けられる第1突部と第1シール部材を介して接続され、前記反応管を下から支持するように構成される上側インレット部と、
該上側インレット部と第2シール部材を介して接続される下側インレット部と、
該上側インレット部と連結し、前記第1突部を上から固定する固定リングと、
前記反応管の下端に設けられ、前記上側インレット部の内壁の少なくとも一部を覆うことが可能なように構成される第2突部と、を備えた炉口部構造を備えた基板処理装置。 - 前記上側インレット部は、前記反応管の下部に設けられる排気管の下方に配置され、
前記上側インレット部及び前記固定リングのそれぞれの内部に設けられる流路に冷却媒体を流通させることにより前記第1突部を冷却可能に構成される、請求項12記載の基板処理装置。 - 前記反応管は、基板を処理する処理室を内部に設ける内管と、前記内管の外側に前記内管を囲うように設けられる外管と、を有し、
前記上側インレット部は、前記外管を支持し、
前記下側インレット部は、前記内管を支持するように構成される、請求項12記載の基板処理装置。 - 前記下側インレット部の外壁には、該外壁を加熱する加熱部が設けられる、請求項12記載の基板処理装置。
- 前記下側インレット部の外壁には、温度センサが設けられ、予め設定される温度を検知することが可能に構成される請求項15記載の基板処理装置。
- 前記予め設定される温度より低い温度になると、前記温度センサからの信号により前記加熱部を実行可能に構成されている制御部を有する請求項16記載の基板処理装置。
- 前記外管の外側に処理室を加熱する加熱機構を備え、
前記加熱機構の設定温度が第1の温度以上に調整可能に構成される請求項14記載の基板処理装置。 - 前記上側インレット部および前記固定リングに個別に冷却媒体を供給する冷媒供給部を有する請求項12記載の基板処理装置。
- 前記加熱機構の設定温度が前記第1の温度以上であれば、前記下側インレット部の外壁に設けられるインレットヒータをオフにし、
前記加熱機構の設定温度が前記第1の温度より小さければ、前記インレットヒータをオンにし、
前記炉口部構造を構成する各部品の温度を所定の温度範囲に制御することが可能な制御部を有する請求項18記載の基板処理装置。 - 前記外管の外側に処理室を加熱する加熱機構と、
該加熱機構の設定温度と前記上側インレット部の予め指定された部分および前記下側インレット部の予め指定された部分の温度との相関関係を示すデータを記憶する記憶部と、
前記加熱機構の設定温度に応じて前記下側インレット部に設けられるインレットヒータを制御することが可能な制御部と、を有する請求項14記載の基板処理装置。 - 反応管と、
前記反応管の下部に設けられる第1突部と第1シール部材を介して接続され、前記反応管を下から支持するように構成される上側インレット部と、
該上側インレット部と第2シール部材を介して接続される下側インレット部と、
該上側インレット部と連結し、前記第1突部を上から固定する固定リングと、
前記反応管の下端に設けられ、前記上側インレット部の内壁の少なくとも一部を覆うことが可能なように構成される第2突部と、
を備えた炉口部構造との内部に形成される処理室に基板を搬入する工程と、
前記基板を処理する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021153668A JP7317912B2 (ja) | 2021-09-21 | 2021-09-21 | 炉口部構造、基板処理装置、および半導体装置の製造方法 |
TW111126569A TWI819705B (zh) | 2021-09-21 | 2022-07-15 | 爐口部構造、基板處理裝置及半導體裝置之製造方法 |
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021153668A JP7317912B2 (ja) | 2021-09-21 | 2021-09-21 | 炉口部構造、基板処理装置、および半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023045325A JP2023045325A (ja) | 2023-04-03 |
JP7317912B2 true JP7317912B2 (ja) | 2023-07-31 |
Family
ID=85572400
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021153668A Active JP7317912B2 (ja) | 2021-09-21 | 2021-09-21 | 炉口部構造、基板処理装置、および半導体装置の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230089509A1 (ja) |
JP (1) | JP7317912B2 (ja) |
KR (1) | KR20230042552A (ja) |
CN (1) | CN115841937A (ja) |
TW (1) | TWI819705B (ja) |
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2021
- 2021-09-21 JP JP2021153668A patent/JP7317912B2/ja active Active
-
2022
- 2022-07-15 TW TW111126569A patent/TWI819705B/zh active
- 2022-07-18 CN CN202210870323.0A patent/CN115841937A/zh active Pending
- 2022-08-09 KR KR1020220099274A patent/KR20230042552A/ko unknown
- 2022-08-10 US US17/885,076 patent/US20230089509A1/en active Pending
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JP2021052092A (ja) | 2019-09-25 | 2021-04-01 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理装置の洗浄方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN115841937A (zh) | 2023-03-24 |
JP2023045325A (ja) | 2023-04-03 |
TW202314908A (zh) | 2023-04-01 |
US20230089509A1 (en) | 2023-03-23 |
KR20230042552A (ko) | 2023-03-28 |
TWI819705B (zh) | 2023-10-21 |
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