TWI585225B - 真空鍍膜用氣管及應用該氣管的真空鍍膜裝置 - Google Patents

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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/228—Gas flow assisted PVD deposition
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16L—PIPES; JOINTS OR FITTINGS FOR PIPES; SUPPORTS FOR PIPES, CABLES OR PROTECTIVE TUBING; MEANS FOR THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16L9/00—Rigid pipes
    • F16L9/18—Double-walled pipes; Multi-channel pipes or pipe assemblies

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Description

真空鍍膜用氣管及應用該氣管的真空鍍膜裝置
本發明涉及一種真空鍍膜用氣管及應用該氣管的真空鍍膜裝置。
目前，物理氣相沉積法(PVD)被廣泛用於鍍裝飾膜層於電子裝置的外殼。真空鍍膜裝置中設置有氣管，用以輸送工作氣體和反應氣體於鍍膜室中。現有的氣管為單氣管，氣管從上到下均勻開設一列出氣孔。然，氣體從氣管的出氣孔排出後，通常較難保證氣體在鍍膜室內均勻分佈。此外，有的時候還要採用局部堵塞出氣孔的方式來調整氣體的分佈，這樣不僅費時，且較難保證氣體的均勻分佈，還可能導致鍍膜產品存在色差。
有鑒於此，提供一種能夠有效解決上述問題的真空鍍膜用氣管。
另外，還有必要提供一種應用上述氣管的真空鍍膜裝置。
一種真空鍍膜用氣管，該氣管包括外氣管和設置於外氣管內的內氣管，該內氣管沿管壁的軸向方向開設有一列第一氣孔，該外氣管沿管壁的軸向方向開設有一列第二氣孔。
一種應用上述氣管的真空鍍膜裝置，該真空鍍膜裝置的鍍膜室內設置有裝載鍍膜產品的裝置，該列第二氣孔正對所述裝載鍍膜產 品的裝置。
本發明所述的氣管包括外氣管和設置於外氣管內的內氣管，且外氣管和內氣管分別開設有氣孔，使得氣體從氣管排出後能夠在鍍膜裝置內均勻分佈，保證鍍膜產品的厚度均勻性和色差均勻性。
100‧‧‧真空鍍膜用氣管
10‧‧‧外氣管
30‧‧‧內氣管
31‧‧‧第一氣孔
11‧‧‧第二氣孔
40‧‧‧進氣管
200‧‧‧真空鍍膜裝置
210‧‧‧真空鍍膜室
220‧‧‧轉架
230‧‧‧靶材
240‧‧‧鍍膜產品
圖1為本發明一較佳實施例的真空鍍膜用氣管的示意圖。
圖2為本發明一較佳實施例的真空鍍膜裝置的剖面示意圖。
請參閱圖1，本發明較佳實施例的真空鍍膜用氣管100包括外氣管10和設置於外氣管10內的內氣管30。該外氣管10的內徑至少為內氣管30的內徑的2倍。
該內氣管30沿管壁的軸向方向開設有一列第一氣孔31。外氣管10沿管壁的軸向方向開設有一列第二氣孔11。該列第一氣孔31包括複數第一氣孔31，該列第二氣孔11包括複數第二氣孔11。
該列第二氣孔11與該列第一氣孔31的開設的較佳相對位置使得該列第二氣孔11的中心點的連線與該列第一氣孔31的中心點的連線的間距最大，即該列第二氣孔11與該列第一氣孔31位於沿著外氣管10的直徑方向的切平面上，且該列第二氣孔11與該列第一氣孔31分別位於外氣管10的圓心軸的兩側。
第一氣孔31和第二氣孔11的形狀不限，可為圓形孔、方形孔、橢圓形孔等，優選為圓形孔。
第一氣孔31和第二氣孔11為圓形孔時，每一第一氣孔31和每一第二氣孔11的直徑範圍均為0.3-2.0mm，優選直徑為0.5mm。
該複數第一氣孔31為等間隔排布，也可為非等間隔排布。該複數第二氣孔11為等間隔排布。
該內氣管30的一端直接連通有進氣管40。如此，氣體藉由進氣管40進入內氣管30，並從第一氣孔31排出碰撞到外氣管10的管壁，然後氣體在外氣管10中擴散，再從外氣管10的第二氣孔11排出，如此保證了氣體在真空鍍膜用氣管100的不同高度能夠均勻分佈。
如圖2所示，真空鍍膜裝置200包括真空鍍膜室210，設置於真空鍍膜室210內的靶材230以及用以裝載鍍膜產品240的轉架220。該真空鍍膜用氣管100設置於真空鍍膜室210內，且該第二氣孔11正對轉架220，從而保證反應氣體主要集中在鍍膜產品240處反應，減輕靶材230的“中毒”現象(反應氣體與靶材反應)。
本發明所述的真空鍍膜用氣管100包括外氣管10和設置於外氣管10內的內氣管30，且外氣管10和內氣管30分別開設有氣孔，使得氣體從真空鍍膜用氣管100排出後能夠在鍍膜裝置內均勻分佈，保證鍍膜產品的厚度均勻性和色差均勻性。此外，由於第二氣孔11正對鍍膜產品，如此即使在反應氣體的通入流量很大的情況下，也可避免反應氣體與靶材表面反應而引起靶材中毒現象。
100‧‧‧真空鍍膜用氣管
10‧‧‧外氣管
30‧‧‧內氣管
31‧‧‧第一氣孔
11‧‧‧第二氣孔
40‧‧‧進氣管

Claims (9)

  1. 一種真空鍍膜裝置，包括真空鍍膜室及真空鍍膜用氣管，该真空鍍膜用氣管設置於所述真空鍍膜室內，該真空鍍膜室內設置有靶材及裝載鍍膜產品的裝置，所述真空鍍膜用氣管包括外氣管及設置於外氣管內的內氣管，該內氣管沿管壁的軸向方向開設有一列第一氣孔，該外氣管沿管壁的軸向方向開設有一列第二氣孔，該列第二氣孔正對所述裝載鍍膜產品的裝置，以避免反應氣體與靶材表面反應。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之真空鍍膜裝置，其中該列第二氣孔與該列第一氣孔的相對位置為使得該列第二氣孔的中心點的連線與該列第一氣孔的中心點的連線之間距為最大。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之真空鍍膜裝置，其中該外氣管的內徑大小至少為內氣管的內徑大小的2倍。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之真空鍍膜裝置，其中第一氣孔和第二氣孔為圓形孔、方形孔或橢圓形孔。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之真空鍍膜裝置，其中第一氣孔和第二氣孔均為圓形孔，第一氣孔和第二氣孔的直徑範圍均為0.3-2.0mm。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之真空鍍膜裝置，其中第一氣孔和第二氣孔的直徑為0.5mm。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之真空鍍膜裝置，其中該內氣管的一端連通有進氣管。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之真空鍍膜裝置，其中該列第一氣孔中的複數第一氣孔為等間隔排布或非等間隔排布。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之真空鍍膜裝置，其中該列第二氣孔中的複數 第二氣孔為等間隔排布。
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