CN109306458A - 一种溅射阴极匀气装置 - Google Patents

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舒逸
刘光斗
李赞
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Abstract

本发明公开了一种溅射阴极匀气装置，包括安装在阴极靶门上的溅射阴极以及罩住溅射阴极的阴极挡板，在阴极挡板内侧、溅射阴极的两边沿溅射阴极长度方向，对称设有两段或两段以上的独立且互不连通的匀气管，所述匀气管由匀气外管和匀气内管组成，匀气内管套在匀气外管内，匀气内管与进气管道连接，进气管道穿过阴极靶门并与气体流量控制器连接，在匀气内管壁四周分布有出气孔，在匀气外管上沿长度方向分布有多个出气喷嘴。本发明通过在溅射阴极长度方向两边布置匀气管，外部通过单独的气体流量控制器来控制每一段匀气管的气体流量，对溅射阴极上中下各位置进行工艺气体流量补偿，进而来提高或者降低阴极区域等离子体浓度，提高产品的质量。

Description

一种溅射阴极匀气装置
技术领域
本发明涉及真空镀膜技术领域，具体为一种溅射阴极匀气装置。
背景技术
目前在大距离溅射阴极使用过程中，由于阴极靶长度较长，单纯的靠阴极内部工艺气体的引入装置，很难保证阴极上下的工艺气体的均匀一致，这样就会导致在溅射过程中上下等离子体浓度有差距，直接导致产品上下的膜层厚度不一致，从而影响产品质量。
发明内容
针对上述现有技术中存在的问题，本发明提供了一种溅射阴极匀气装置，通过增加补偿气体流量来调节上下位置气体的浓度，提高产品的质量。
本发明采用的技术方案如下：一种溅射阴极匀气装置，包括安装在阴极靶门上的溅射阴极以及罩住溅射阴极的阴极挡板，在阴极挡板内侧、溅射阴极的两边沿溅射阴极长度方向，对称设有两段或两段以上的独立且互不连通的匀气管，所述匀气管由匀气外管和匀气内管组成，匀气内管套在匀气外管内，匀气内管与进气管道连接，进气管道穿过阴极靶门并与气体流量控制器连接，在匀气内管壁四周分布有出气孔，在匀气外管上沿长度方向分布有多个出气喷嘴。
进一步地，所述匀气内管上的出气孔在沿匀气内管长度方向不等间距分布以使进入匀气外管内的气体均匀一致。
进一步地，所述出气喷嘴倾斜朝向溅射阴极。
进一步地，设置在溅射阴极的两边匀气管接连布置并覆盖整个溅射阴极长度范围。
进一步地，在真空室内、阴极挡板外的进气管道上方设有布气屏蔽挡板。
本发明通过在溅射阴极长度方向两边布置匀气管，匀气管的段数根据溅射阴极长度来合理设置，可以分成上中下三段也可以分成上下两段或者四段，匀气管通过进气管道引入工艺气体来进行相应的工艺气体补偿，匀气管采用单根内外套管的方式进行设计，匀气内管上不等间距的出气孔可控制进入匀气外管内的气体均匀一致，已保证从匀气外管喷出的气体的均匀性，外部通过单独的气体流量控制器来控制每一段匀气管的气体流量，根据每次打样出来的产品上中下几个位置的膜层物理性能来调节每段匀气管的工艺气体流量，来进行补偿，进而来提高或者降低阴极区域等离子体浓度。通过真空箱体内部阴极挡板和布气屏蔽挡板来保证工艺气体始终在阴极靶材区域，保证等离子体区域的浓度。
附图说明
图1是本发明的剖面结构示意图。
图2是本发明的匀气管的剖面结构示意图。
图3是本发明实施例的侧面结构示意图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下文将结合说明书附图和较佳的实施例对本发明作更全面、细致地描述，但本发明的保护范围并不限于以下具体的实施例。
如图1—图3所示，本实施例的一种溅射阴极匀气装置，包括安装在阴极靶门1上的溅射阴极2以及罩住溅射阴极2的阴极挡板3，在阴极挡板3内侧、溅射阴极2的两边沿溅射阴极2长度方向，对称设有两段或两段以上的独立且互不连通的匀气管4，匀气管4的段数根据溅射阴极2长度来合理设置，可以分成上中下三段也可以分成上下两段或者四段，本实施例中设有上中下三段匀气管（如图3所示），三段匀气管接连布置并覆盖整个溅射阴极长度范围。
所述匀气管4由匀气外管403和匀气内管401组成，匀气内管401套在匀气外管403内，匀气内管401与进气管道5连接，进气管道5穿过阴极靶门1并与气体流量控制器连接，在匀气内管401壁四周分布有出气孔402，出气孔402在沿匀气内管401长度方向不等间距分布以使进入匀气外管403内的气体均匀一致，在匀气外管403上沿长度方向分布有多个出气喷嘴404，出气喷嘴404倾斜朝向溅射阴极2。在真空室内、阴极挡板外的进气管道上方设有布气屏蔽挡板6。
本发明通过在溅射阴极长度方向两边布置匀气管，匀气管的段数根据溅射阴极长度来合理设置，可以分成上中下三段也可以分成上下两段或者四段，匀气管通过进气管道引入工艺气体来进行相应的工艺气体补偿，匀气管采用单根内外套管的方式进行设计，匀气内管上不等间距的出气孔可控制进入匀气外管内的气体均匀一致，已保证从匀气外管喷出的气体的均匀性，外部通过单独的气体流量控制器来控制每一段匀气管的气体流量，根据每次打样出来的产品上中下几个位置的膜层物理性能来调节每段匀气管的工艺气体流量，来进行补偿，进而来提高或者降低阴极区域等离子体浓度。通过真空箱体内部阴极挡板和布气屏蔽挡板来保证工艺气体始终在阴极靶材区域，保证等离子体区域的浓度。
在前述说明书与相关附图中存在的教导的帮助下，本发明所属领域的技术人员将会想到本发明的许多修改和其它实施方案。因此，要理解的是，本发明不限于公开的具体实施方案，修改和其它实施方案被认为包括在所附权利要求的范围内。尽管本文中使用了特定术语，它们仅以一般和描述性意义使用，而不用于限制。

Claims (5)

1.一种溅射阴极匀气装置，包括安装在阴极靶门上的溅射阴极以及罩住溅射阴极的阴极挡板，其特征在于：在阴极挡板内侧、溅射阴极的两边沿溅射阴极长度方向，对称设有两段或两段以上的独立且互不连通的匀气管，所述匀气管由匀气外管和匀气内管组成，匀气内管套在匀气外管内，匀气内管与进气管道连接，进气管道穿过阴极靶门并与气体流量控制器连接，在匀气内管壁四周分布有出气孔，在匀气外管上沿长度方向分布有多个出气喷嘴。
2.如权利要求1所述的一种溅射阴极匀气装置，其特征在于：所述匀气内管上的出气孔在沿匀气内管长度方向不等间距分布以使进入匀气外管内的气体均匀一致。
3.如权利要求1所述的一种溅射阴极匀气装置，其特征在于：所述出气喷嘴倾斜朝向溅射阴极。
4.如权利要求1所述的一种溅射阴极匀气装置，其特征在于：设置在溅射阴极的两边匀气管接连布置并覆盖整个溅射阴极长度范围。
5.如权利要求1—4任意一项所述的一种溅射阴极匀气装置，其特征在于：在真空室内、阴极挡板外的进气管道上方设有布气屏蔽挡板。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110592546A (zh) * 2019-10-21 2019-12-20 湖南玉丰真空科学技术有限公司 一种磁控溅射真空镀膜机工艺气体布气装置
CN111876742A (zh) * 2020-09-02 2020-11-03 光驰科技(上海)有限公司 光学薄膜用溅射阴极布气系统
CN113508189A (zh) * 2019-11-27 2021-10-15 东莞市中镓半导体科技有限公司 一种用于GaN材料生长的线性喷头

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4311360A1 (de) * 1993-04-06 1994-10-13 Leybold Ag Anordnung zum reaktiven Abscheiden von Werkstoffen als Dünnfilm durch Mittelfrequenz-Katodenzerstäubung
CN1274823A (zh) * 1999-05-21 2000-11-29 硅谷集团热系统责任有限公司 气体输送定量分配管
CN101497990A (zh) * 2009-03-10 2009-08-05 中国南玻集团股份有限公司 溅射镀膜装置
CN202595259U (zh) * 2012-04-28 2012-12-12 中国科学院深圳先进技术研究院 磁控溅射设备
CN103510045A (zh) * 2012-06-29 2014-01-15 深圳富泰宏精密工业有限公司 真空镀膜用气管及应用该气管的真空镀膜装置
CN104878361A (zh) * 2015-06-24 2015-09-02 安徽纯源镀膜科技有限公司 磁控溅射镀膜设备

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4311360A1 (de) * 1993-04-06 1994-10-13 Leybold Ag Anordnung zum reaktiven Abscheiden von Werkstoffen als Dünnfilm durch Mittelfrequenz-Katodenzerstäubung
CN1274823A (zh) * 1999-05-21 2000-11-29 硅谷集团热系统责任有限公司 气体输送定量分配管
CN101497990A (zh) * 2009-03-10 2009-08-05 中国南玻集团股份有限公司 溅射镀膜装置
CN202595259U (zh) * 2012-04-28 2012-12-12 中国科学院深圳先进技术研究院 磁控溅射设备
CN103510045A (zh) * 2012-06-29 2014-01-15 深圳富泰宏精密工业有限公司 真空镀膜用气管及应用该气管的真空镀膜装置
CN104878361A (zh) * 2015-06-24 2015-09-02 安徽纯源镀膜科技有限公司 磁控溅射镀膜设备

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
徐滨士等: "《材料表面工程技术》", 31 December 2014, 哈尔滨工业大学出版社 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110592546A (zh) * 2019-10-21 2019-12-20 湖南玉丰真空科学技术有限公司 一种磁控溅射真空镀膜机工艺气体布气装置
CN113508189A (zh) * 2019-11-27 2021-10-15 东莞市中镓半导体科技有限公司 一种用于GaN材料生长的线性喷头
CN111876742A (zh) * 2020-09-02 2020-11-03 光驰科技(上海)有限公司 光学薄膜用溅射阴极布气系统

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