KR102108181B1 - 유도결합 플라즈마 처리장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 유도결합 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.
본 발명은, 상측에 직사각형 개구부가 형성되는 챔버본체(100)와; 상기 직사각형 개구부를 복개하여 처리공간(S)을 형성하도록 설치되는 하나 이상의 유전체(310)와, 상기 유전체(310)를 지지하는 지지프레임(320)을 포함하는 유전체조립체(300)와; 상기 챔버본체(100)에 설치되어 기판(10)을 지지하는 기판지지대(130)와; 상기 처리공간(S)으로 가스를 분사하는 가스분사부(120)와; 상기 유전체 조립체(300)의 상부에 설치되어 상기 처리공간(S)에 유도전계를 형성하는 안테나부(200)와; 상기 지지프레임(320) 및 상기 유전체(310)가 처리공간(S)에 노출되는 부분을 복개하는 하나 이상의 실드부재(410, 420, 430)와; 상기 실드부재(410, 420, 430)로 가열가스를 분사하여 상기 실드부재(410, 420, 430)를 가열하는 실드부재가열수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 유도전계 플라즈마 처리장치를 개시한다.
본 발명은, 상측에 직사각형 개구부가 형성되는 챔버본체(100)와; 상기 직사각형 개구부를 복개하여 처리공간(S)을 형성하도록 설치되는 하나 이상의 유전체(310)와, 상기 유전체(310)를 지지하는 지지프레임(320)을 포함하는 유전체조립체(300)와; 상기 챔버본체(100)에 설치되어 기판(10)을 지지하는 기판지지대(130)와; 상기 처리공간(S)으로 가스를 분사하는 가스분사부(120)와; 상기 유전체 조립체(300)의 상부에 설치되어 상기 처리공간(S)에 유도전계를 형성하는 안테나부(200)와; 상기 지지프레임(320) 및 상기 유전체(310)가 처리공간(S)에 노출되는 부분을 복개하는 하나 이상의 실드부재(410, 420, 430)와; 상기 실드부재(410, 420, 430)로 가열가스를 분사하여 상기 실드부재(410, 420, 430)를 가열하는 실드부재가열수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 유도전계 플라즈마 처리장치를 개시한다.
Description
본 발명은 유도결합 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.
유도결합 플라즈마 처리장치는 증착공정, 식각공정 등 기판처리를 수행하는 장치로서, 밀폐된 처리공간을 형성하는 챔버본체와 챔버본체의 천정에 유전체를 설치하고 유전체의 상측에 고주파(RF) 안테나를 설치하여 안테나에 전원을 인가하여 처리공간에 유도전계를 형성하고 유도전계에 의하여 처리가스를 플라즈마화하여 기판처리를 수행한다.
여기서 상기 유도결합 플라즈마 처리장치의 기판처리의 대상에는 AMOLED 기판, LCD 패널용 기판, 반도체 웨이퍼 등 증착, 식각 등 기판처리가 필요한 대상이면 어떠한 기판도 가능하다.
상기와 같은 구성을 가지는 유도결합 플라즈마 처리장치는, 처리된 기판을 배출하고 새로이 처리될 기판을 도입, 즉 기판교환의 수행 후에 기판처리공정을 수행한다.
여기서 기판교환 등 플라즈마 형성이 불필요할 한 상태, 즉 아이들(idle) 상태에 있게 되며, 기판처리공정의 수행시만 안테나에 전원이 인가되어 플라즈마가 처리공간에 형성된다.
한편 아이들 상태에서 플라즈마가 형성되지 않게 되며, 플라즈마가 형성되지 않는 영향으로 처리공간(S) 내의 온도가 강하된다.
그리고 처리공간(S) 내의 온도 강하에 의하여 유전체의 보호를 위하여 설치된 실드부재 또한 온도가 강하되며, 실드부재의 온도 강하로 그 표면에 증착된 폴리머가 파티클로서 낙하하게 되며, 낙하되는 파티클로 인하여 양호한 기판처리의 불량 또는 지연의 원인으로 작용하는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 유전체를 복개하는 실드부재를 가열하기 위한 가열수단을 추가로 구비함으로써 기판처리의 불량을 최소화하며 파티클 제거를 위한 공정수행의 지연문제를 개선할 수 있는 유도결합 플라즈마 처리장치를 제공하는 데 있다.
본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은, 상측에 직사각형 개구부가 형성되는 챔버본체(100)와; 상기 직사각형 개구부를 복개하여 처리공간(S)을 형성하도록 설치되는 하나 이상의 유전체(310)와, 상기 유전체(310)를 지지하는 지지프레임(320)을 포함하는 유전체조립체(300)와; 상기 챔버본체(100)에 설치되어 기판(10)을 지지하는 기판지지대(130)와; 상기 처리공간(S)으로 가스를 분사하는 가스분사부(120)와; 상기 유전체 조립체(300)의 상부에 설치되어 상기 처리공간(S)에 유도전계를 형성하는 안테나부(200)와; 상기 지지프레임(320) 및 상기 유전체(310)가 처리공간(S)에 노출되는 부분을 복개하는 하나 이상의 실드부재(410, 420, 430)와; 상기 실드부재(410, 420, 430)로 가열가스를 분사하여 상기 실드부재(410, 420, 430)를 가열하는 실드부재가열수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 유도전계 플라즈마 처리장치를 개시한다.
상기 실드부재가열수단은, 상기 처리공간(S)에서 상기 실드부재(410, 420, 430)에 가열가스를 분사할 수 있다.
상기 실드부재가열수단은, 가열가스공급장치와 연결되도록 상기 지지프레임(320)에 형성된 가열가스공급유로(454)에 연통되는 노즐부재(510)를 포함할 수 있다.
상기 노즐부재(510)는, 상기 가열가스공급유로(454)에 연통되는 메인유로(512)와, 상기 실드부재(410, 420, 430)의 저면을 향하도록 상기 메인유로(512)와 연결되며 상측을 향하여 형성된 분사유로(513)가 형성될 수 있다.
상기 실드부재가열수단은, 상기 실드부재(410)의 상면 및 상기 유전체(310)의 저면 사이로 가열가스를 분사할 수 있다.
상기 실드부재가열수단은, 가열가스공급장치와 연결되도록 상기 지지프레임(320)에 형성된 가열가스공급유로(454)와 연결되며 상기 실드부재(410)의 상면 및 상기 유전체(310)의 저면 사이로 가열가스를 분사하는 분사유로(520)를 포함할 수 있다.
상기 실드부재가열수단은, 가열가스공급장치와 연결되도록 상기 유전체(310)에 형성되어 상기 실드부재(410)의 상면 및 상기 유전체(310)의 저면 사이로 가열가스를 분사하는 분사유로(530)를 포함할 수 있다.
상기 지지프레임(320) 및 상기 실드부재(410, 420, 430) 중 적어도 하나는, 상기 실드부재(410)의 상면 및 상기 유전체(310)의 저면 사이로 분사된 가열가스가 처리공간(S)으로 벤트되도록 하는 벤트수단을 구비할 수 있다.
상기 벤트수단은, 상기 지지프레임(320) 및 상기 실드부재(410, 420, 430) 중 적어도 하나에 서로 접촉하는 면에서 형성된 돌기 및 요홈 중 어느 하나로 구성될 수 있다.
상기 가열가스는, N2, O2 및 불활성가스 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 가열가스는, 60℃~120℃의 온도로 상기 실드부재(410, 420, 430)로 분사될 수 있다.
상기 지지프레임(320)은, 상기 직사각형 개구부를 기준으로 최외곽을 이루는 최외곽프레임(321)과, 상기 최외곽프레임(321)의 내측에 위치되는 하나 이상의 내측프레임(322)을 포함하여 하나의 유전체(310)가 설치되는 격자구조의 개구부들을 형성할 수 있다.
본 발명에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치는, 유전체를 복개하는 실드부재를 가열하기 위한 가열수단을 추가로 구비함으로써 기판처리의 불량을 최소화하며 파티클 제거를 위한 공정수행의 지연문제를 개선할 수 있는 이점이 있다.
보다 구체적으로, 본 발명에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치는, 유전체 및 이를 지지하는 지지프레임으로 구성된 유전체조립체 및 유전체조립체를 보호하는 실드부재에 있어서, 아이들 상태에서 가열가스를 실드부재로 분사함으로써 실드부재의 온도를 기판처리공정(식각, 증착 등) 수행시의 온도에 근사시킴으로써 온도강하에 따라 실드부재로부터 폴리머가 분리되어 비산되는 파티클이 발생되는 것을 최소화할 수 있다.
실제 실험에 따르면, 아이들 상태에서 가열가스를 실드부재로 분사함으로써 실드부재의 온도를 기판처리공정(식각, 증착 등) 수행시의 온도에 근사시킨 경우 실드부재로부터 분리되는 폴리머의 양이 현저히 감소됨을 확인하였다.
도 1은, 본 발명에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치를 보여주는 단면도로서 도 2에서 Ⅰ-Ⅰ방향의 단면도이다.
도 2는, 도 1의 유도결합 플라즈마 처리장치에서 실드부재 등 일부 구성을 보여주는 저면도이다.
도 3은, 도 1의 유도결합 플라즈마 처리장치에서 가스분사부 등 일부 구성을 보여주는 단면도로서, 도 2에서 Ⅲ-Ⅲ방향의 단면도이다.
도 4는, 도 1의 유도결합 플라즈마 처리장치에 설치된 가열가스분사부의 제1실시예를 보여주는 일부단면도로서, 도 2에서 Ⅳ-Ⅳ방향의 단면도이다.
도 5는, 도 1의 유도결합 플라즈마 처리장치에 설치된 가열가스분사부의 제2실시예를 보여주는 일부단면도로서, 변형된 상태의 도 2에서 Ⅳ-Ⅳ방향의 단면도이다.
도 6은, 도 1의 유도결합 플라즈마 처리장치에 설치된 가열가스분사부의 제3실시예를 보여주는 일부단면도로서, 변형된 상태의 도 2에서 Ⅳ-Ⅳ방향의 단면도이다.
도 2는, 도 1의 유도결합 플라즈마 처리장치에서 실드부재 등 일부 구성을 보여주는 저면도이다.
도 3은, 도 1의 유도결합 플라즈마 처리장치에서 가스분사부 등 일부 구성을 보여주는 단면도로서, 도 2에서 Ⅲ-Ⅲ방향의 단면도이다.
도 4는, 도 1의 유도결합 플라즈마 처리장치에 설치된 가열가스분사부의 제1실시예를 보여주는 일부단면도로서, 도 2에서 Ⅳ-Ⅳ방향의 단면도이다.
도 5는, 도 1의 유도결합 플라즈마 처리장치에 설치된 가열가스분사부의 제2실시예를 보여주는 일부단면도로서, 변형된 상태의 도 2에서 Ⅳ-Ⅳ방향의 단면도이다.
도 6은, 도 1의 유도결합 플라즈마 처리장치에 설치된 가열가스분사부의 제3실시예를 보여주는 일부단면도로서, 변형된 상태의 도 2에서 Ⅳ-Ⅳ방향의 단면도이다.
이하, 본 발명에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
본 발명에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치는, 상측에 직사각형 개구부가 형성되는 챔버본체(100)와; 직사각형 개구부를 복개하여 처리공간(S)을 형성하도록 설치되는 하나 이상의 유전체(310)와, 유전체(310)를 지지하는 지지프레임(320)을 포함하는 유전체조립체(300)와; 챔버본체(100)에 설치되어 기판(10)을 지지하는 기판지지대(130)와; 처리공간(S)으로 가스를 분사하는 가스분사부(120)와; 유전체 조립체(300)의 상부에 설치되어 처리공간(S)에 유도전계를 형성하는 안테나부(200)와; 지지프레임(320) 및 유전체(310)가 처리공간(S)에 노출되는 부분을 복개하는 하나 이상의 실드부재(410, 420, 430)와; 실드부재(410, 420, 430)로 가열가스를 분사하여 실드부재(410, 420, 430)를 가열하는 실드부재가열수단을 포함한다.
상기 챔버본체(100)는, 처리공간(S)을 형성하기 위한 구성으로서 공정수행에 필요한 소정의 진공압을 견딜 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하다.
상기 챔버본체(100)는, 처리되는 기판(10)의 형상에 대응되는 형상을 이룸이 바람직하며, 기판(10)의 입출을 위한 하나 이상의 게이트(111)가 형성되며 처리공간(S) 내의 압력제어 및 부산물을 제거하기 위하여 진공펌프(미도시)와 연결되는 배기관(180)이 연결될 수 있다.
또한 상기 챔버본체(100)는, 안테나부(200)의 지지, 안테나부(200)에서 형성되는 유도전계의 차폐 등을 위하여 안테나부(200)를 복개하도록 설치되는 상부리드(140)가 탈착가능하게 결합될 수 있다.
상기 기판지지대(130)는 기판(10)이 안착되는 구성으로서 기판(10)을 지지할 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하며 공정에 따라서 전원이 인가되거나 접지될 수 있으며, 냉각 또는 가열을 위한 열전달부재가 설치될 수 있다.
상기 가스분사부(120)는, 공정수행을 위하여 가스공급장치와 연결되어 처리공간(S)으로 가스를 분사하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.
상기 가스분사부(120)는 챔버본체(100)의 측벽에 설치되거나, 도 1에 도시된 바와 같이, 유전체조립체(300)에 설치되는 등 다양하게 설치될 수 있다.
특히 상기 가스분사부(120)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 유전체(310)를 지지하는 지지프레임(320)에 설치될 수도 있다.
구체적인 예로서, 상기 가스분사부(120)는, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 지지프레임(320)에 구비되며 공정가스공급장치와 연결되어 처리공간(S)으로 공정가스를 분사하는 공정가스분사부(311)를 포함할 수 있다.
그리고, 상기 공정가스분사부(311)는, 지지프레임(320)에 형성되며 공정가스공급장치와 연결되는 공정가스공급유로(324)에 연통되는 노즐부재로 구성될 수 있다.
상기 안테나부(200)는, 유전체조립체(300)의 상부에 설치되어 처리공간(S)에 유도전계를 형성하기 위한 구성으로서 금속재질의 플레이트부재 등 다양한 구성이 가능하다.
상기 유전체조립체(300)는, 안테나부(200)에 의하여 처리공간(S)에 유도전계를 형성할 수 있도록 처리공간(S)과 안테나부(200) 사이에 개재되는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.
예로서, 상기 유전체조립체(300)는, 도 1 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 직사각형 개구부를 복개하여 처리공간(S)을 형성하도록 설치되는 하나 이상의 유전체(310)와, 유전체(310)를 지지하는 지지프레임(320)을 포함할 수 있다.
상기 유전체(310)는, 안테나부(200)에 의하여 처리공간(S)에 유도전계를 형성할 수 있도록 처리공간(S)과 안테나부(200) 사이에 개재되는 구성으로, 그 재질은 석영, 세라믹 등이 사용될 수 있다.
상기 지지프레임(320)은, 유전체(310)을 지지하는 구성으로서 유전체(310)의 수 및 구조에 따라서 다양한 형상 및 구조를 가질 수 있다.
일 예로서, 상기 지지프레임(320)은, 챔버본체(100)의 직사각형 개구부를 기준으로 최외곽을 이루는 최외곽프레임(321)과, 최외곽프레임(321)의 내측에 위치되는 하나 이상의 내측프레임(322)을 포함하여 하나의 유전체(310)가 설치되는 격자구조의 개구부들을 형성하도록 구성될 수 있다.
상기 최외곽프레임(321) 및 내측프레임(322)은, 구조적 강성이 충분한 알루미늄, 알루미늄 합금 등 강성이 있는 재질을 가짐이 바람직하다.
그리고 상기 최외곽프레임(321) 및 내측프레임(322)은, 일체로 구성되거나 또는 복수의 프레임부재로 구성되어, 유전체(310)를 지지하기 위한 구성으로서 유전체(310)에 가장자리에 형성된 단차(311)가 걸림되도록 지지단차(323)가 형성될 수 있다.
여기서 상기 지지프레임(320) 및 유전체(310)가 서로 접촉하는 면에는, 오링(390) 등이 설치되어 처리공간(S) 내부의 공정압(미리 설정된 공정압력)이 외부로 누설되지 않도록 한다.
상기 실드부재(410, 420, 430)는, 지지프레임(320) 및 유전체(310)가 처리공간(S)에 노출되는 부분을 복개하는 구성으로서 하나 이상으로 구성되며, 실드부재(410, 420, 430)은, 유전체조립체(300)의 구조 및 형상에 따라서 다양한 구조를 가질 수 있다.
일예로서, 상기 실드부재(410, 420, 430)는, 유전체(310)의 저면과 간격을 두고 유전체(310)의 저면을 복개하는 제1실드부재(410)와, 지지프레임(320) 중 최외각프레임(321)의 저면을 복개하며 제1실드부재(410)와 상하방향으로 일부 중첩되는 제2실드부재(420)와, 지지프레임(320) 중 내측프레임(322)의 저면을 복개하는 제3실드부재(430)을 포함할 수 있다.
상기 실드부재(410)는, 유전체(310), 지지프레임(320)을 플라즈마로부터의 보호 및 폴리머 증착방지를 위한 구성으로서 플라즈마에 강한 세라믹 등의 재질을 가질 수 있다.
상기 실드부재가열수단은, 실드부재(410, 420, 430)로 가열가스를 분사하여 실드부재(410, 420, 430)를 가열하는 구성으로서 가열가스의 분사방식 및 분사위치에 따라서 다양한 구성이 가능하다.
여기서 상기 가열가스는, N2, O2 및 불활성가스 중 어느 하나를 포함할 수 있으며, ICP(Inductively coupled plasma) 공정이 상대적으로 저온임을 고려하여 60℃~120℃의 온도로 실드부재(410, 420, 430)로 분사될 수 있다.
제1실시예로서, 상기 실드부재가열수단은, 도 1, 도 2 및 도 4에 도시된 바와 같이, 처리공간(S)에서 실드부재(410, 420, 430)에 가열가스를 분사하도록 구성될 수 있다.
상기 실드부재가열수단은, 처리공간(S)에서 실드부재(410, 420, 430)에 가열가스를 분사하도록 구성된 예로서, 가열가스공급장치(미도시)와 연결되도록 지지프레임(320)에 형성된 가열가스공급유로(454)에 연통되는 노즐부재(510)를 포함할 수 있다.
그리고, 상기 노즐부재(510)는, 예로서, 가열가스공급유로(454)에 연통되는 메인유로(512)와, 실드부재(410, 420, 430)의 저면을 향하도록 메인유로(512)와 연결되며 상측을 향하여 형성된 분사유로(513)가 형성될 수 있다.
상기와 같은 구성에 의하여, 가열가스는 메인유로(512)를 거쳐 분사유로(513)을 통하여 실드부재(410, 420, 430)의 저면을 향하여 분사됨으로써 실드부재(410, 420, 430)를 가열하게 된다.
여기서 상기 실드부재가열수단의 작동은, 기판처리공정의 비수행시, 즉 아이들 상태에서 작동됨을 물론이다.
다른 실시예들로서, 상기 실드부재가열수단은, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 실드부재(410)의 상면 및 유전체(310)의 저면 사이로 가열가스를 분사하도록 구성될 수 있다.
상기 실드부재(410)의 상면 및 유전체(310)의 저면 사이로 가열가스를 분사하게 되면, 실드부재(410)의 저면에 분사하는 것(제1실시예)에 비하여 가열가스의 분사에 따른 폴리머의 분리를 방지하고 실드부재(410)의 상면 및 유전체(310)의 저면 사이에 채워진 상태로서 보다 효과적으로 실드부재(410)를 가열할 수 있다.
상기 실드부재(410)의 상면 및 유전체(310)의 저면 사이로 가열가스를 분사하도록 구성된 구체적인 예, 즉 제2실시예로서, 실드부재가열수단은, 도 5에 도시된 바와 같이, 가열가스공급장치와 연결되도록 지지프레임(320)에 형성된 가열가스공급유로(454)와 연결되며 실드부재(410)의 상면 및 유전체(310)의 저면 사이로 가열가스를 분사하는 분사유로(520)를 포함할 수 있다.
상기와 같은 구성에 의하여, 가열가스는 가열가스공급유로(454)를 거쳐 분사유로(520)를 통하여 실드부재(410)의 상면 및 유전체(310)의 저면 사이로 분사됨으로써 실드부재(410, 420, 430)를 가열하게 된다.
상기 실드부재(410)의 상면 및 유전체(310)의 저면 사이로 가열가스를 분사하도록 구성된 구체적인 예, 즉 제3실시예로서, 실드부재가열수단은, 도 6에 도시된 바와 같이, 가열가스공급장치와 연결되도록 유전체(310)에 형성되어 실드부재(410)의 상면 및 유전체(310)의 저면 사이로 가열가스를 분사하는 분사유로(530)를 포함할 수 있다.
상기 분사유로(530)는, 가열가스공급장치와 연결되도록 연결되어 가열가스가 실드부재(410)의 상면 및 유전체(310)의 저면 사이로 분사되도록 하는 구성으로서 다양한 구조 및 형상이 가능하다.
특히 상기 분사유로(530)는, 유전체(310)를 상하로 관통된 관통공으로 형성될 수 있으며 가열가스공급장치와 가스공급관 등에 의하여 연결될 수 있다.
한편 상기 가열가스가 실드부재(410)의 상면 및 유전체(310)의 저면 사이로 분사되는 경우, 가열가스가 실드부재(410)의 상면 및 유전체(310)의 저면 사이의 공간에 가열가스가 채워져 가열가스의 추가 주입이 곤란할 수 있다.
이에, 상기 지지프레임(320) 및 실드부재(410, 420, 430) 중 적어도 하나는, 실드부재(410)의 상면 및 유전체(310)의 저면 사이로 분사된 가열가스가 처리공간(S)으로 벤트되도록 하는 벤트수단을 구비할 수 있다.
상기 벤트수단은, 실드부재(410)의 상면 및 유전체(310)의 저면 사이로 분사된 가열가스가 처리공간(S)으로 벤트되도록 하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.
예로서, 상기 벤트수단은, 지지프레임(320) 및 실드부재(410, 420, 430) 중 적어도 하나에 서로 접촉하는 면에서 형성된 돌기 및 요홈(도 5에서 439) 중 적어도 어느 하나로 구성될 수 있다.
상기와 같이, 벤트수단으로서, 지지프레임(320) 및 실드부재(410, 420, 430) 중 적어도 하나에 서로 접촉하는 면에서 돌기 및 요홈(도 5에서 439) 중 적어도 어느 하나가 형성되면, 지지프레임(320) 및 실드부재(410, 420, 430) 사이로 돌기 또는 요홈에 의하여 틈이 형성되고, 그 틈으로 실드부재(410)의 상면 및 유전체(310)의 저면 사이로 분사된 가열가스가 처리공간(S)으로 벤트된다.
이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께 하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.
100 : 챔버본체 300 : 유전체조립체
200 : 안테나부 410, 420, 430 : 실드부재
200 : 안테나부 410, 420, 430 : 실드부재
Claims (12)
- 상측에 직사각형 개구부가 형성되는 챔버본체(100)와;
상기 직사각형 개구부를 복개하여 처리공간(S)을 형성하도록 설치되는 하나 이상의 유전체(310)와, 상기 유전체(310)를 지지하는 지지프레임(320)을 포함하는 유전체조립체(300)와;
상기 챔버본체(100)에 설치되어 기판(10)을 지지하는 기판지지대(130)와;
상기 처리공간(S)으로 가스를 분사하는 가스분사부(120)와;
상기 유전체 조립체(300)의 상부에 설치되어 상기 처리공간(S)에 유도전계를 형성하는 안테나부(200)와;
상기 지지프레임(320) 및 상기 유전체(310)가 처리공간(S)에 노출되는 부분을 복개하는 하나 이상의 실드부재(410, 420, 430)와;
기판처리공정이 수행되지 않을 때, 상기 처리공간(S)에서 상기 실드부재(410, 420, 430)로 가열가스를 분사하여 상기 실드부재(410, 420, 430)를 가열하는 실드부재가열수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 유도전계 플라즈마 처리장치. - 삭제
- 청구항 1에 있어서,
상기 실드부재가열수단은,
가열가스공급장치와 연결되도록 상기 지지프레임(320)에 형성된 가열가스공급유로(454)에 연통되는 노즐부재(510)를 포함하는 것을 특징으로 하는 유도전계 플라즈마 처리장치. - 청구항 3에 있어서,
상기 노즐부재(510)는,
상기 가열가스공급유로(454)에 연통되는 메인유로(512)와, 상기 실드부재(410, 420, 430)의 저면을 향하도록 상기 메인유로(512)와 연결되며 상측을 향하여 형성된 분사유로(513)가 형성된 것을 특징으로 하는 유도전계 플라즈마 처리장치. - 상측에 직사각형 개구부가 형성되는 챔버본체(100)와;
상기 직사각형 개구부를 복개하여 처리공간(S)을 형성하도록 설치되는 하나 이상의 유전체(310)와, 상기 유전체(310)를 지지하는 지지프레임(320)을 포함하는 유전체조립체(300)와;
상기 챔버본체(100)에 설치되어 기판(10)을 지지하는 기판지지대(130)와;
상기 처리공간(S)으로 가스를 분사하는 가스분사부(120)와;
상기 유전체 조립체(300)의 상부에 설치되어 상기 처리공간(S)에 유도전계를 형성하는 안테나부(200)와;
상기 지지프레임(320) 및 상기 유전체(310)가 처리공간(S)에 노출되는 부분을 복개하는 하나 이상의 실드부재(410, 420, 430)와;
기판처리공정이 수행되지 않을 때, 상기 실드부재(410)의 상면 및 상기 유전체(310)의 저면 사이로 가열가스를 분사하여 상기 실드부재(410, 420, 430)를 가열하는 실드부재가열수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 유도전계 플라즈마 처리장치. - 청구항 5에 있어서,
상기 실드부재가열수단은,
가열가스공급장치와 연결되도록 상기 지지프레임(320)에 형성된 가열가스공급유로(454)와 연결되며 상기 실드부재(410)의 상면 및 상기 유전체(310)의 저면 사이로 가열가스를 분사하는 분사유로(520)를 포함하는 것을 특징으로 하는 유도전계 플라즈마 처리장치. - 청구항 5에 있어서,
상기 실드부재가열수단은,
가열가스공급장치와 연결되도록 상기 유전체(310)에 형성되어 상기 실드부재(410)의 상면 및 상기 유전체(310)의 저면 사이로 가열가스를 분사하는 분사유로(530)를 포함하는 것을 특징으로 하는 유도전계 플라즈마 처리장치. - 청구항 5 내지 청구항 7 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 지지프레임(320) 및 상기 실드부재(410, 420, 430) 중 적어도 하나는,
상기 실드부재(410)의 상면 및 상기 유전체(310)의 저면 사이로 분사된 가열가스가 처리공간(S)으로 벤트되도록 하는 벤트수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 유도전계 플라즈마 처리장치. - 청구항 8에 있어서,
상기 벤트수단은,
상기 지지프레임(320) 및 상기 실드부재(410, 420, 430) 중 적어도 하나에 서로 접촉하는 면에서 형성된 돌기 및 요홈 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유도전계 플라즈마 처리장치. - 청구항 1 및 청구항 3 내지 청구항 7 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 가열가스는, N2, O2 및 불활성가스 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유도전계 플라즈마 처리장치. - 청구항 1 및 청구항 3 내지 청구항 7 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 가열가스는, 60℃~120℃의 온도로 상기 실드부재(410, 420, 430)로 분사되는 것을 특징으로 하는 유도전계 플라즈마 처리장치. - 청구항 1 및 청구항 3 내지 청구항 7 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 지지프레임(320)은, 상기 직사각형 개구부를 기준으로 최외곽을 이루는 최외곽프레임(321)과, 상기 최외곽프레임(321)의 내측에 위치되는 하나 이상의 내측프레임(322)을 포함하여 하나의 유전체(310)가 설치되는 격자구조의 개구부들을 형성하는 것을 특징으로 하는 유도전계 플라즈마 처리장치.
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