KR20180072916A - 기판 처리 장치 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 3
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 abstract description 10
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
- H01L21/02312—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
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- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
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Abstract
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 기판 처리 장치는 챔버; 상기 챔버 내에 위치되고, 기판을 지지하는 지지 유닛; 상기 지지 유닛 상에 위치되고, 상기 챔버 내로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 및 상기 챔버 내에 위치되고, 상기 지지 유닛을 둘러싸는 라이너 유닛을 포함하고, 상기 지지 유닛은: 베이스; 상기 베이스 상에 위치되고, 기판이 놓이는 척; 및 상기 베이스 상에서 상기 척을 둘러싸고, 그의 일부가 상기 라이너 유닛과 중첩되는 유전체 링을 포함한다.
Description
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 소자들은 그들의 작은 크기, 다기능, 및/또는 낮은 제조 단가 특성들로 인하여 전자 산업에서 널리 사용되고 있다. 반도체 소자들은 증착 공정들, 이온 주입 공정들, 포토리소그라피 공정들, 및/또는 식각 공정들과 같은 다양한 반도체 제조 공정들을 이용하여 형성된다. 이러한 반도체 제조 공정들 중에서 일부는 공정 가스로부터 발생된 플라즈마를 이용하여 수행될 수 있다. 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치는 척에서 발생된 아크 방전으로부터 챔버를 보호하기 위해, 링 어셈블리 및/또는 라이너 유닛을 사용할 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치에서 아크(arc) 방전의 발생을 최소화하는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 과제는 플라즈마에 의해 식각된 라이너 유닛의 금속 파티클에 의한 기판의 불량률을 감소시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 챔버; 상기 챔버 내에 위치되고, 기판을 지지하는 지지 유닛; 상기 지지 유닛 상에 위치되고, 상기 챔버 내로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 및 상기 챔버 내에 위치되고, 상기 지지 유닛을 둘러싸는 라이너 유닛을 포함하고, 상기 지지 유닛은: 베이스; 상기 베이스 상에 위치되고, 기판이 놓이는 척; 및 상기 베이스 상에서 상기 척을 둘러싸고, 그의 일부가 상기 라이너 유닛과 중첩되는 유전체 링을 포함한다.
기타 실시 예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시 예들에 따르면, 척에 인가된 고주파 전력에 의한 아크(arc) 방전의 발생을 최소화할 수 있다. 또한, 라이너 유닛의 금속 파티클에 의한 기판의 불량률을 감소시킬 수 있다.
본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 처리 장치의 개략도이다.
도 2는 도 1의 라이너 유닛을 설명하기 위한 절단된 사시도이다.
도 3은 도 2의 외측벽부를 설명하기 위한 개략도이다.
도 4는 도 2의 배플부를 설명하기 위한 개략도이다.
도 5는 도 2의 I-I' 선에 따른 단면도이다.
도 6은 도 2의 라이너 유닛의 변형 예를 나타낸 절단된 사시도이다.
도 7은 도 6의 II-II' 선에 따른 단면도이다.
도 8은 도 1의 A 영역을 확대한 확대도이다.
도 9는 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 처리 장치의 일부 구성을 나타낸 개략도이다.
도 2는 도 1의 라이너 유닛을 설명하기 위한 절단된 사시도이다.
도 3은 도 2의 외측벽부를 설명하기 위한 개략도이다.
도 4는 도 2의 배플부를 설명하기 위한 개략도이다.
도 5는 도 2의 I-I' 선에 따른 단면도이다.
도 6은 도 2의 라이너 유닛의 변형 예를 나타낸 절단된 사시도이다.
도 7은 도 6의 II-II' 선에 따른 단면도이다.
도 8은 도 1의 A 영역을 확대한 확대도이다.
도 9는 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 처리 장치의 일부 구성을 나타낸 개략도이다.
이하, 도면을 참조하여, 본 발명의 개념 및 이에 따른 실시 예들에 대해 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 처리 장치의 개략도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 처리 장치(10)는 플라즈마(P)를 이용하여 기판(W)을 처리할 수 있다. 예를 들면, 기판 처리 장치(10)는 유도 결합형 플라즈마(ICP: inductively coupled plasma)를 이용한 기판 처리 장치(10)일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 기판 처리 장치(10)는 챔버(100), 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300), 플라즈마 소스 유닛(400), 및 라이너 유닛(500)을 포함할 수 있다.
챔버(100)는 내부에 기판(W)의 처리 공정이 수행되는 내부 공간(S)을 가질 수 있다. 챔버(100)는 몸체(110)와 윈도우(120)를 포함할 수 있다.
몸체(110)는 상면이 개방될 수 있다. 몸체(110)는 내부에 상면이 개방된 내부 공간(S)을 가질 수 있다. 기판(W)은 내부 공간(S)에서 위치되어, 처리 공정이 수행될 수 있다. 몸체(110)는 금속 재질로 제공될 수 있다. 예를 들면, 몸체(110)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 몸체(110)는 접지될 수 있다. 몸체(110)는 바닥부(115)와 측벽부(111)를 포함할 수 있다.
바닥부(115)는 내부 공간(S)과 연결된 적어도 하나의 배출구(117)를 가질 수 있다. 배출구(117)는 챔버(100) 내에 진공압을 제공하는 펌프(150)와 연결된 배기 라인(155)과 연결된다. 이에 따라, 처리 공정에서 발생한 반응 부산물 및 몸체(110)의 내부 공간(S)에 잔류하는 공정 가스는 배출구(117)와 배기 라인(155)을 통해 챔버(100)의 외부로 배출될 수 있다.
측벽부(111)는 바닥부(115)로부터 위로 돌출될 수 있다. 예를 들면, 측벽부(111)는 바닥부(115)의 경계로부터 위로 돌출될 수 있다. 측벽부(111)는 기판(W)이 출입하는 출입구(113)를 가질 수 있다. 기판(W)은 출입구(113)를 통해 챔버(100)의 내부로 이동되거나 출입구(113)를 통해 챔버(100)의 외부로 이동될 수 있다. 출입구(113)는 도어 어셈블리(600)에 의해 개폐될 수 있다.
윈도우(120)는 몸체(110)의 개방된 상면을 덮을 수 있다. 윈도우(120)는 판 형상으로 제공될 수 있다. 윈도우(120)는 몸체(110)의 내부 공간(S)을 밀폐시킬 수 있다. 윈도우(120)는 유전체(dielectric) 재질로 이루어질 수 있다.
지지 유닛(200)과 라이너 유닛(500)은 챔버(100)의 내부 공간(S)에 위치될 수 있다.
지지 유닛(200)은 기판(W)을 지지할 수 있다. 실시 예에서, 지지 유닛(200)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 흡착하는 척(210)을 포함할 수 있다. 이와 달리, 다른 실시 예에서, 지지 유닛(200)은 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수 있다. 이하, 지지 유닛(200)의 척(210)은 정전 척(Electrostatic Chuck)인 경우에 대하여 설명한다.
지지 유닛(200)은 척(210), 가열 부재(250), 베이스(230), 링 어셈블리(220), 및 하부 플레이트(240)를 포함할 수 있다.
척(210)은 베이스(230) 상에 위치될 수 있다. 예를 들면, 척(210)은 베이스(230) 상에 고정 결합될 수 있다. 척(210)은 상면(211)에 기판(W)이 놓일 수 있다. 척(210)은 내부에 하부 전극(213)을 가질 수 있다. 척(210)은 제1 외부 전원(450)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상세하게, 척(210) 내의 하부 전극(213)은 제1 외부 전원(450)로부터 전력을 인가 받을 수 있다. 제1 외부 전원(450)은 고주파 전원일 수 있다. 척(210)은 정전기력에 의해 기판(W)을 그의 상면(211)에 지지할 수 있다. 척(210)의 폭은 기판(W)의 폭보다 작을 수 있다. 이에 따라, 기판(W)이 척(210) 상에 놓일 때, 기판(W)의 가장자리 영역은 척(210)과 수직하게 중첩되지 않을 수 있다.
베이스(230)는 척(210)과 몸체(110)의 바닥부(115) 사이에 위치될 수 있다. 베이스(230)는 척(210)의 아래에 위치될 수 있다. 베이스(230)는 척(210)과 링 어셈블리(220)를 지지할 수 있다. 베이스(230)의 폭은 척(210)의 폭보다 클 수 있다. 베이스(230)는 금속 물질을 포함할 수 있다. 이에 따라, 베이스(230)는 척(210)과 함께 하부 전극의 기능을 할 수 있다.베이스(230) 내에 냉각 유로(255)가 배치될 수 있다. 냉각 유로(255)는 베이스(230), 척(210) 및 기판(W)을 함께 냉각시킬 수 있다. 이에 따라, 기판(W)은 소정의 온도로 유지될 수 있다.
가열 부재(250)는 척(210)의 내부에 위치될 수 있다. 가열 부재(250)는 외부 전원(미도시)으로부터 인가된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킬 수 있다. 기판(W)은 가열 부재(250)에서 발생된 열에 의해 소정의 온도로 유지될 수 있다.
링 어셈블리(220)는 척(210)의 둘레를 둘러쌀 수 있다. 링 어셈블리(220)는 베이스(230) 상에 위치될 수 있다. 링 어셈블리(220)는 포커스 링(221)과 유전체 링(223)을 포함할 수 있다.
포커스 링(221)은 척(210)을 둘러싸도록 제공될 수 있다. 포커스 링(221)은 플라즈마를 기판(W)으로 집중시킬 수 있다.
유전체 링(223)은 척(210)과 포커스 링(221)을 둘러쌀 수 있다. 고주파 전력이 척(210)에 인가될 때, 아크 방전이 발생될 수 있다. 유전체 링(223)은 유전체(dielectric) 재질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 유전체 링(223)은 석영, Al2O3, Y2O3, Si, SiC, C, SiO2 등의 재질을 포함할 수 있다. 유전체 링(223)은 절연 특성을 가질 수 있다. 이에 따라, 유전체 링(223)은 아크 방전의 발생을 줄일 수 있다. 즉, 유전체 링(223)은 척(210)과 챔버(100)를 전기적으로 절연할 수 있다. 포커스 링(221)은 유전체 링(223)과 동일 또는 유사한 재질을 포함할 수 있다. 이에 따라, 포커스 링(221)도 절연 특성을 가질 수 있다. 유전체 링(223)에 대한 자세한 사항은 도 6에서 후술한다.
하부 플레이트(240)는 베이스(230)와 몸체(110)의 바닥부(115) 사이에 위치될 수 있다. 즉, 하부 플레이트(240)는 베이스(230)의 아래에 위치될 수 있다. 하부 플레이트(240)는 바닥부(115)에 결합될 수 있다. 하부 플레이트(240)는 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 하부 플레이트(240)는 석영, Al2O3, Y2O3, Si, SiC, C, SiO2 등의 물질을 포함할 수 있다. 이에 따라, 하부 플레이트(240)는 척(210)과 베이스(230)를 챔버(100)로부터 전기적으로 절연시킬 수 있다.
가스 공급 유닛(300)은 지지 유닛(200) 상에 위치될 수 있다. 가스 공급 유닛(300)은 챔버(100) 내로 공정 가스를 공급할 수 있다. 가스 공급 유닛(300)은 가스 분사부(310), 가스 공급부(320), 가스 공급 라인(330), 및 밸브(340)를 포함할 수 있다.
가스 분사부(310)는 내부 공간(S) 내에 가스를 분사할 수 있다. 가스 분사부(310)는 적어도 하나의 노즐(미부호)을 포함할 수 있다. 가스 분사부(310)는 지지 유닛(200)의 위에 위치될 수 있다. 실시 예에서, 가스 분사부(310)의 노즐은 노즐 지지 로드(미도시)에 의해 지지되어, 윈도우(120)에 위치될 수 있다.
가스 공급부(320)는 공정 가스를 저장할 수 있다. 가스 공급부(320)의 공정 가스는 가스 분사부(310)로 공급될 수 있다. 가스 공급 라인(330)은 가스 공급부(320)와 가스 분사부(310)를 연결할 수 있다. 가스 공급 라인(330)은 가스 공급부(320)의 공정 가스를 가스 분사부(310)에 제공할 수 있다. 밸브(340)는 가스 공급 라인(330) 상에 위치될 수 있다. 밸브(340)는 가스 공급 라인(330)을 개폐할 수 있다. 이에 따라, 밸브(340)는 가스 분사부(310)로 공급되는 공정 가스의 유량을 조절할 수 있다.
플라즈마 소스 유닛(400)은 챔버(100) 내의 공정 가스를 플라즈마 상태로 여기시킬 수 있다. 플라즈마 소스 유닛(400)은 유도 결합형 플라즈마(ICP: inductively coupled plasma) 소스가 사용될 수 있다. 플라즈마 소스 유닛(400)은 안테나 실(410), 안테나(420), 제2 외부 전원(430)을 포함할 수 있다.
안테나 실(410)은 하부가 개방된 통 형상으로 제공될 수 있다. 예를 들면, 안테나 실(410)은 내부에 공간이 제공될 수 있다. 안테나 실(410)은 하부가 개방될 수 있다. 예를 들면, 안테나 실(410)은 하부가 개방된 원통형으로 제공될 수 있다. 안테나 실(410)은 챔버(100)와 대응되는 직경을 가질 수 있다. 윈도우(120)는 안테나 실(410)의 하부를 덮을 수 있다. 즉, 윈도우(120)는 안테나 실(410)을 밀폐할 수 있다.
안테나(420)는 안테나 실(410)의 내에 위치될 수 있다. 안테나(420)는 복수 회 감긴 나선 형상의 코일로 제공될 수 있다. 안테나(420)는 제2 외부 전원(430)과 전기적으로 연결될 수 있다. 안테나(420)는 제2 외부 전원(430)으로부터 전력을 인가 받아, 챔버(100) 내의 내부 공간(S)에 전자기장을 형성할 수 있다. 공정 가스는 안테나(420)에 의해 형성된 전자기장에 의해 플라즈마 상태로 여기될 수 있다.
라이너 유닛(500)은 챔버(100) 내에 위치될 수 있다. 라이너 유닛(500)은 지지 유닛(200)을 둘러쌀 수 있다. 라이너 유닛(500)은 챔버(100)와 동일 또는 유사한 재질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 라이너 유닛(500)은 알루미늄 재질을 포함할 수 있다. 라이너 유닛(500)은 챔버(100)의 내측면의 적어도 일부를 둘러쌀 수 있다. 예를 들면, 라이너 유닛(500)은 측벽부(111)의 내측면(112)의 일부를 둘러쌀 수 있다. 이에 따라, 라이너 유닛(500)은 내부 공간(S)에서 생성된 공정 부산물이 챔버(100)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 라이너 유닛(500)은 챔버(100)의 내측면을 보호할 수 있다. 예를 들면, 척(210)에 고주파 전력이 인가될 때, 챔버(100) 내에 아크(Arc) 방전이 발생할 수 있다. 챔버(100)는 아크 방전에 의해 손상될 수 있다. 하지만, 라이너 유닛(500)이 챔버(100) 대신에 아크 방전에 의해 손상됨으로써, 챔버(100)의 내측면은 보호될 수 있다. 이에 따라, 챔버(100)의 수명이 향상될 수 있다. 라이너 유닛(500)의 일부는 챔버(100)와 접촉할 수 있다. 이에 따라, 라이너 유닛(500)은 챔버(100)를 통해 접지될 수 있다. 라이너 유닛(500)은 출입구(113)와 연결되는 관통 홀(527)을 가질 수 있다. 관통 홀(527)은 방사 방향으로 출입구(113)와 중첩될 수 있다. 챔버(100) 외의 기판(W)은 출입구(113)와 관통 홀(527)을 통과한 후, 챔버(100) 내에 위치될 수 있다.
라이너 유닛(500)에 대한 자세한 사항은 도 2 내지 도 5에서 후술한다.
도 2는 도 1의 라이너 유닛을 설명하기 위한 절단된 사시도이다. 도 3은 도 2의 외측벽부를 설명하기 위한 개략도이다. 도 4는 도 2의 배플부를 설명하기 위한 개략도이다. 도 5는 도 2의 I-I' 선에 따른 단면도이다.
도 1 내지 도 5를 참조하면, 라이너 유닛(500)은 배플부(510), 외측벽부(520) 및 플랜지부(530)를 포함할 수 있다. 실시 예에서, 배플부(510), 외측벽부(520), 및 플랜지부(530)는 일체로 형성될 수 있다.
배플부(510)는 베이스(230)의 둘레를 둘러쌀 수 있다. 배플부(510)는 링 형상으로 제공될 수 있다. 배플부(510)의 일단은 지지 유닛(200)과 인접하게 위치될 수 있다. 배플부(510)의 타단은 외측벽부(520)와 연결될 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 챔버(100)의 내부 공간(S)은 배플부(510)에 의해 공정 공간(PS)과 배기 공간(ES)으로 구획될 수 있다. 여기서, 공정 공간(PS)은 배플부(510)를 기준으로 위에 위치되는 영역이고, 배기 공간(ES)은 배플부(510)를 기준으로 아래에 위치되는 영역일 수 있다.
배플부(510)는 그를 관통하는 복수의 유동 홀들(515)을 가질 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 배출구(117)는 유동 홀들(515) 중 적어도 일부와 수직하게 중첩될 수 있다. 반응 부산물 및 잔류 가스는 유동 홀들(515)을 통과한 후, 배출구(117)를 통해 챔버(100)의 외부로 배출될 수 있다.
유동 홀들(515)은 배플부(510)의 원주 방향을 따라 일정 간격으로 배열될 수 있다. 실시 예에서, 유동 홀들(515)의 각각은 원주 방향으로 길게 형성된 슬릿 형상으로 제공될 수 있다.
외측벽부(520)는 배플부(510)로부터 위를 향해 돌출될 수 있다. 실시 예에서, 외측벽부(520)는 배플부(510)와 대략 수직하게 돌출될 수 있다. 외측벽부(520)는 몸체(110)의 측벽부(111)의 일부를 둘러쌀 수 있다. 외측벽부(520)는 원통형으로 형성될 수 있다. 외측벽부(520)는 몸체(110)의 측벽부(111)와 인접하게 위치될 수 있다. 외측벽부(520)는 하단이 배플부(510)와 연결될 수 있다. 외측벽부(520)는 상단이 플랜지부(530)와 연결될 수 있다. 외측벽부(520)는 그의 내측면(521)에 적어도 하나의 함몰부(525)를 포함할 수 있다. 이에 따라, 내측면(521)의 면적은 함몰부(525)가 없는 경우보다 증가될 수 있다. 즉, 라이너 유닛(500)은 접지 면적을 증가시킬 수 있다.
외측벽부(520)는 복수의 함몰부들(525)을 포함할 수 있다. 복수의 함몰부들(525)은 외측벽부(520)의 원주 방향을 따라 일정 간격으로 배열될 수 있다. 실시 예에서, 함몰부들(525)의 각각은 배플부(510)로부터 수직한 방향으로 형성될 수 있다. 이와 달리, 다른 실시 예에서, 함몰부들(525)의 각각은 사선 방향으로 형성될 수 있다.
플랜지부(530)는 외측벽부(520)로부터 챔버(100)를 향해 연장될 수 있다. 예를 들면, 플랜지부(530)는 외측벽부(520)로부터 외측을 향해 연장될 수 있다. 플랜지부(530)는 배플부(510)와 평행할 수 있다. 플랜지부(530)는 링 형상으로 제공될 수 있다. 플랜지부(530)는 후술한 측벽부(111)의 결합 개구부(114)에 삽입될 수 있다. 이에 따라, 라이너 유닛(500)은 챔버(100) 내에 결합될 수 있다.
도 6은 도 2의 라이너 유닛의 변형 예를 나타낸 절단된 사시도이다. 도 7은 도 6의 II-II' 선에 따른 단면도이다. 설명의 간결함을 위해, 도 2 내지 도 5를 참조하여 설명한 실시 예와 실질적으로 동일한 구성요소에 대한 설명은 생략하거나 간략히 설명한다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 라이너 유닛(501)은 배플부(510), 외측벽부(520) 및 플랜지부(530)를 포함할 수 있다. 도 6의 라이너 유닛(501)은 도 2의 라이너 유닛(500)과 달리, 유동 홀들(515)이 상이하고, 함몰부들(525)이 생략될 수 있다. 배플부(510)는 그를 관통하는 복수의 유동 홀들(515)을 가질 수 있다. 유동 홀들(515)의 각각은 방사 방향으로 길게 형성된 슬릿 형상으로 제공될 수 있다. 유동홀들(515)은 일정 간격으로 배플부(510)의 원주 방향을 따라 이격될 수 있다. 도 8은 도 1의 A영역을 확대한 확대도이다.
도 1 내지 도 5, 및 도 8을 참조하면, 포커스 링(221)은 내측부(2211)와, 내측부(2211)의 외측에 위치하는 외측부(2213)를 포함할 수 있다. 내측부(2211)는 척(210) 상에 놓은 기판(W)의 아래에 위치될 수 있다. 예를 들면, 내측부(2211)의 상면(2212)은 척(210)의 상면(211)보다 아래에 위치되거나 동일 평면 상에 위치될 수 있다. 내측부(2211)의 일부는 기판(W)의 가장자리 영역과 수직하게 중첩될 수 있다.
외측부(2213)는 내측부(2211)의 외측에 위치될 수 있다. 외측부(2213)의 상면(2214)은 척(210)의 상면(211)보다 위에 위치될 수 있다. 외측부(2213)의 상면(2214)은 척(210) 상의 기판(W)보다 위에 위치될 수 있다. 외측부(2213)는 기판(W)의 둘레를 둘러쌀 수 있다. 내측부(2211)와 외측부(2213)는 일체로 형성될 수 있다.
유전체 링(223)은 베이스(230) 상으로부터 베플부(510) 상으로 연장될 수 있다. 이에 따라, 유전체 링(223)은 그의 일부(이하, 외측 영역)가 라이너 유닛(500)과 중첩될 수 있다. 예를 들면, 유전체 링(223)의 외측 영역은 배플부(510)와 수직하게 중첩될 수 있다. 즉, 유전체 링(223)의 외주면(2235)는 배플부(510)와 수직하게 중첩될 수 있다. 유전체 링(223)의 외측 영역은 베이스(230) 및/또는 유동 홀(515)과 수직하게 중첩되지 않을 수 있다. 유전체 링(223)이 베이스(230) 상으로부터 베플부(510) 상으로 연장됨으로써, 유전체 링(223)의 방사 방향의 두께는 커질 수 있다. 이에 따라, 유전체 링(223)은 아크 방전의 발생을 크게 줄이거나 방지할 수 있다. 유전체 링(223)의 상면(2231)은 전술한 외측부(213)의 상면(2131)과 동일 평면 상에 위치할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
배플부(510)는 유전체 링(223)의 아래에 위치될 수 있다. 이에 따라, 배플부(510)는 유전체 링(223)의 둘레를 둘러싸지 않는다. 배플부(510)는 유전체 링(223)과 인접한 베이스(230)의 상부를 둘러쌀 수 있다. 배플부(510)는 일단이 유전체 링(223)과 수직하게 중첩될 수 있다. 배플부(510)의 타단은 외측벽부(520)와 연결될 수 있다. 챔버(100)의 측벽부(111)는 결합 개구부(114)를 가질 수 있다. 결합 개구부(114)는 링 형상의 홈일 수 있다. 전술한 바와 같이, 플랜지부(530)는 결합 개구부(114)에 삽입될 수 있다. 실시 예에서, 몸체(110)는 결합 개구부(114)를 기준으로 상하로 분리될 수 있다. 예를 들면, 몸체(110)는 상부 몸체부(미부호)와 하부 몸체부(미부호)를 포함할 수 있다. 상부 몸체부는 결합 개구부(114)의 위에 위치될 수 있다. 하부 몸체부는 결합 개구부(114)의 아래에 위치될 수 있다.
라이너 유닛(500)은 유전체 링(223)과 인접하게 위치되어, 유전체 링(223)을 둘러싸는 영역을 포함하지 않을 수 있다. 즉, 플라즈마에 노출되는 라이너 유닛(500)의 영역은 작을 수 있다. 이에 따라, 플라즈마에 의해 식각된 라이너 유닛(500)의 금속 파티클에 의한 기판(W)의 불량률은 줄어들 수 있다.
도 9는 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 처리 장치의 일부 구성을 나타낸 개략도이다. 도 9는 도 8의 확대도에 대응되는 도면이다. 설명의 간결함을 위해, 도 8을 참조하여 설명한 실시 예와 실질적으로 동일한 구성요소에 대한 설명은 생략하거나 간략히 설명한다. 도 9의 기판 처리 장치()는 도 8의 기판 처리 장치와 비교하여, 링 어셈블리(220)와 라이너 유닛(500)이 상이할 수 있다.
도 9를 참조하면, 기판 처리 장치는 챔버(미부호), 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(미도시), 플라즈마 소스 유닛(미도시), 및 라이너 유닛(500)을 포함할 수 있다. 지지 유닛(200)은 척(210), 가열 부재(250), 베이스(230), 링 어셈블리(220a) 및 하부 플레이트(240)를 포함할 수 있다.
링 어셈블리(220a)는 베이스(230) 상에 위치될 수 있다. 링 어셈 블리는 척(210) 및/또는 기판(W)을 둘러쌀 수 있다. 링 어셈블리(220a)는 포커스 링(221)과 유전체 링(223)을 포함할 수 있다.
포커스 링(221)은 유전체 링(223) 위에 위치될 수 있다. 즉, 포커스 링(221)은 베이스(230)의 위에 이격될 수 있다. 이에 따라, 유전체 링(223)은 포커스 링(221)과 베이스(230) 사이에 위치될 수 있다. 유전체 링(223)의 상면(미부호)는 척(210)의 상면(211)보다 아래에 위치될 수 있다. 실시 예에서, 링 어셈블리(220a)는 하나의 포커스 링(221)을 포함한다. 이와 달리, 다른 실시 예에서, 링 어셈블리(220a)는 복수의 포커스 링들(221)을 포함할 수 있다. 또한, 복수의 포커스 링들(221)은 유전체 링(223) 상에 순차적으로 적층될 수 있다. 포커스 링(221)은 베이스(230) 상으로부터 베플부(510) 상으로 연장될 수 있다. 이에 따라, 포커스 링(221)의 방사 방향의 두께는 커질 수 있다. 또한, 포커스 링(221)의 일부는 배플부(510)와 수직하게 중첩될 수 있다.
실시 예에서, 라이너 유닛(500)은 유동 홀들(515)이 방사 방향으로 연장된 슬릿으로 형성될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시 예에 한정되지 아니하며, 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안될 것이다.
10: 기판 처리 장치
100: 챔버
110: 몸체 111: 측벽부
112: 내측면 113: 출입구
114: 결합 개구부 115: 바닥부
117: 배출구 120: 윈도우
200: 지지 유닛 210: 척
220: 링 어셈블리 221: 포커스 링
2211: 내측부 2213: 외측부
223: 유전체 링 230: 베이스
240: 하부 플레이트 300: 가스 공급 유닛
400: 플라즈마 소스 유닛 500: 라이너 유닛
510: 배플부 515: 유동 홀들
520: 외측벽부 525: 함몰부
527: 관통 홀 530: 플랜지부
S: 내부 공간
110: 몸체 111: 측벽부
112: 내측면 113: 출입구
114: 결합 개구부 115: 바닥부
117: 배출구 120: 윈도우
200: 지지 유닛 210: 척
220: 링 어셈블리 221: 포커스 링
2211: 내측부 2213: 외측부
223: 유전체 링 230: 베이스
240: 하부 플레이트 300: 가스 공급 유닛
400: 플라즈마 소스 유닛 500: 라이너 유닛
510: 배플부 515: 유동 홀들
520: 외측벽부 525: 함몰부
527: 관통 홀 530: 플랜지부
S: 내부 공간
Claims (10)
- 챔버;
상기 챔버 내에 위치되고, 기판을 지지하는 지지 유닛;
상기 지지 유닛 상에 위치되고, 상기 챔버 내로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 및
상기 챔버 내에 위치되고, 상기 지지 유닛을 둘러싸는 라이너 유닛을 포함하고,
상기 지지 유닛은:
베이스;
상기 베이스 상에 위치되고, 기판이 놓이는 척; 및
상기 베이스 상에서 상기 척을 둘러싸고, 그의 일부가 상기 라이너 유닛과 중첩되는 유전체 링을 포함하는 기판 처리 장지. - 제1항에 있어서,
상기 라이너 유닛은:
상기 유전체 링 아래에 위치되고, 그를 관통하는 복수의 유동 홀들을 갖는 링 형상의 배플부; 및
상기 배플부로부터 위를 향해 연장되는 외측벽부를 포함하는 기판 처리 장치. - 제2항에 있어서,
상기 유동 홀들은 상기 배플부의 원주 방향을 따라 배열되는 기판 처리 장치. - 제2항에 있어서,
상기 외측벽부의 상단으로부터 상기 챔버를 향해 연장되는 플랜지부를 더 포함하는 기판 처리 장치. - 제4항에 있어서,
상기 챔버는 상기 플랜지부가 삽입되는 결합 개구부를 갖는 기판 처리 장치. - 제2항에 있어서,
상기 챔버는, 상기 배플부의 아래에, 상기 유동 홀들 중 어느 하나와 수직하게 중첩되는 배출구를 갖는 기판 처리 장치. - 제2항에 있어서,
상기 외측벽부는 그의 내측면에 적어도 하나의 함몰부를 포함하는 기판 처리 장치. - 제1항에 있어서,
상기 척과 상기 유전체 링 사이에 위치되고, 상기 척을 둘러싸는 포커스 링을 더 포함하는 기판 처리 장치. - 제1항에 있어서,
상기 유전체 링은 유전체(dielectric) 물질을 포함하는 기판 처리 장치. - 제1항에 있어서,
상기 라이너 유닛은 상기 챔버와 동일한 물질을 포함하는 기판 처리 장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160175874A KR20180072916A (ko) | 2016-12-21 | 2016-12-21 | 기판 처리 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160175874A KR20180072916A (ko) | 2016-12-21 | 2016-12-21 | 기판 처리 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20180072916A true KR20180072916A (ko) | 2018-07-02 |
Family
ID=62914259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020160175874A KR20180072916A (ko) | 2016-12-21 | 2016-12-21 | 기판 처리 장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20180072916A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20230159091A (ko) * | 2022-05-13 | 2023-11-21 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
-
2016
- 2016-12-21 KR KR1020160175874A patent/KR20180072916A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20230159091A (ko) * | 2022-05-13 | 2023-11-21 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
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