KR20230159091A

KR20230159091A - 기판 처리 장치

Info

Publication number: KR20230159091A
Application number: KR1020220059029A
Authority: KR
Inventors: 봉윤근; 장경훈; 최윤석; 강한림; 신재원; 이상정; 조현우; 박종원
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2022-05-13
Filing date: 2022-05-13
Publication date: 2023-11-21
Also published as: KR102646591B1; TW202345201A; US20230369018A1; CN117059464A; JP2023168227A

Abstract

본 발명의 기술적 사상은 내부에 처리 공간을 가지는 챔버; 상기 챔버의 상부에 배치되며, 상기 챔버의 상면을 덮도록 구성된 유전체 윈도우; 및 상기 유전체 윈도우 상에 배치되며, RF 파워를 공급하여, 상기 처리 공간의 가스로부터 플라즈마를 발생시키도록 구성된 RF 소스;를 포함하고, 상기 RF 소스는 상기 유전체 윈도우 상에 배치되는 RF 전극 및 상기 RF 전극 상에 배치되는 RF 플레이트를 포함하며, 상기 유전체 윈도우는 상기 유전체 윈도우의 최상면에서 수직 하 방향으로 연장된 그루브;를 포함하고, 상기 RF 플레이트는 링 형상인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치를 제공한다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치에 관한 것이다.

플라즈마 발생장치에는 박막증착을 위한 플라즈마 장치(Plasma Enhanced Chemical Vaper Deposition, PECVD), 증착된 박막을 식각하여 패터닝하는 식각장치, 스퍼터(Sputter), 애싱(Ashing) 장치 등이 있다.

또한, 이러한 플라즈마 장치는 RF전력의 인가방식에 따라 용량결합형(Capacitively Coupled Plasma, CCP) 장치와 유도결합형(Inductively Coupled Plasma, ICP) 장치로 구분된다. 용량결합형 장치는 서로 대향되는 평행판과 전극에 RF전력을 인가하여 전극 사이에 수직으로 형성되는 RF전기장을 이용하여 플라즈마를 발생시키는 방식이다. 유도결합형 장치는 안테나에 의하여 유도되는 유도전기장을 이용하여 소스 물질을 플라즈마로 변환시키는 방식이다.

본 발명은 전기적 및 기계적으로 안정성을 높인 구조를 가지는 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.

상술한 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 기술적 사상은 내부에 처리 공간을 가지는 챔버; 상기 챔버의 상부에 배치되며, 상기 챔버의 상면을 덮도록 구성된 유전체 윈도우; 및 상기 유전체 윈도우 상에 배치되며, RF 파워를 공급하여, 상기 처리 공간의 가스로부터 플라즈마를 발생시키도록 구성된 RF 소스;를 포함하고, 상기 RF 소스는 상기 유전체 윈도우 상에 배치되는 RF 전극 및 상기 RF 전극 상에 배치되는 RF 플레이트를 포함하며, 상기 유전체 윈도우는 상기 유전체 윈도우의 최상면에서 수직 하 방향으로 연장된 그루브;를 포함하고, 상기 RF 플레이트는 링 형상인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치를 제공한다.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 RF 플레이트의 돌출부가 상기 그루브의 내측면과 맞물린다.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 유전체 윈도우의 최상면은, 상기 RF 전극의 하면과 동일한 수직 레벨에 위치하고, 및 상기 RF 플레이트의 최하면보다 높은 수직 레벨에 위치한다.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 평면적 관점에서, 상기 RF 전극의 측면은, 상기 그루브의 측면 각각과 수직 방향으로 정렬되지 않고, 및 상기 그루브의 측면 각각보다 수평 방향으로 상기 그루브의 내부에 위치한다.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 RF 전극은 광학적으로 투명한 물질을 포함한다.

상술한 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 또 다른 기술적 사상은 내부에 처리 공간을 가지는 챔버; 상기 챔버의 상부에 배치되며, 상기 챔버의 상면을 덮도록 구성된 유전체 윈도우; 및 상기 유전체 윈도우 상에 배치되며, RF 파워를 공급하여, 상기 처리 공간의 가스로부터 플라즈마를 발생시키도록 구성된 RF 소스;를 포함하고, 상기 RF 소스는 RF 파워를 생성하도록 구성된 RF 전원, 상기 유전체 윈도우 상에 배치되는 RF 전극 및 상기 RF 전극 상에 배치되는 RF 플레이트를 포함하며, 상기 RF 플레이트는 상기 RF 플레이트와 상기 RF 전극이 맞닿는 면에서, 수직 상 방향으로 연장된 트렌치; 및 상기 트렌치의 내부에 배치되는 가스켓; 을 더 포함하고, 상기 유전체 윈도우는 상기 유전체 윈도우의 최상면에서 수직 하 방향으로 연장된 그루브를 포함하고, 상기 RF 플레이트의 돌출부가 상기 그루브의 내측면에 맞물리고, 상기 RF 전극은 광학적으로 투명한 물질을 포함하고, 상기 RF 플레이트는 링 형상인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치를 제공한다.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 가스켓의 최상면은 상기 RF 플레이트의 요철 형상을 가지는 면 중 가장 높은 면과 직접적으로 접촉하고, 및 상기 가스켓의 최하면은 상기 RF 전극의 상면과 직접적으로 접촉한다.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 RF 전극의 상면은 상기 트렌치의 하면과 접촉하고, 상기 RF 전극의 하면은 상기 유전체 윈도우의 최상면과 접촉한다.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 RF 플레이트는 홀을 포함하고, 상기 홀의 내부에 배치되어 상기 RF 플레이트와 상기 유전체 윈도우를 고정하는 결합 유닛;을 더 포함한다.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 결합 유닛의 하면은 상기 RF 플레이트의 최하면보다 낮은 수직 레벨에 위치하고, 평면적 관점에서, 상기 결합 유닛은 상기 그루브의 내부에 배치된다.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 결합 유닛은 상기 유전체 윈도우의 전기적 절연을 위해 비전도성 물질을 포함한다.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 가스켓은 상기 RF 전극과 상기 RF 플레이트 사이의 전기적인 연결을 위해, 전도성 물질을 포함한다.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 가스켓은 탄성적으로 압착된다.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 가스켓의 수직 단면은, 장축이 수평 방향과 평행하고, 및 단축이 수직 방향과 평행한 타원 형상을 가진다.

상술한 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 또 다른 기술적 사상은 내부에 처리 공간을 가지는 챔버; 상기 챔버의 하부에 배치되며, 기판을 지지하도록 구성된 지지 유닛; 상기 처리 공간의 내부로 가스를 공급하도록 구성된 가스 공급 유닛; 상기 챔버의 상부에 배치되며, 상기 챔버의 상면을 덮도록 구성된 유전체 윈도우; 및 상기 유전체 윈도우 상에 배치되며, RF 파워를 공급하여, 상기 처리 공간의 가스로부터 플라즈마를 발생시키도록 구성된 RF 소스;를 포함하고, 상기 RF 소스는 RF 파워를 생성하도록 구성된 RF 전원, 상기 RF 파워를 전달시키도록 구성된 RF 로드, 상기 유전체 윈도우 상에 배치되는 RF 전극 및 상기 RF 전극 상에 배치되는 RF 플레이트를 포함하며, 상기 유전체 윈도우는 상기 유전체 윈도우의 최상면에서 수직 아래 방향으로 연장된 그루브;를 포함하고, 상기 RF 플레이트는 홀을 포함하고 상기 홀의 내부에 배치되어 상기 RF 플레이트와 상기 유전체 윈도우를 고정하는 결합 유닛;을 더 포함하며, 상기 RF 플레이트는 상기 RF 플레이트와 상기 RF 전극이 맞닿는 면에서, 수직 상 방향으로 연장된 트렌치; 및 상기 트렌치의 내부에 배치되는 가스켓;을 더 포함하고, 상기 RF 플레이트의 돌출부가 상기 그루브의 내측면에 맞물리며, 상기 RF 전극은 광학적으로 투명한 물질을 포함하고, 상기 RF 플레이트는 내경과 외경을 가지는 링 형상인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치를 제공한다.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 RF 전극은 0.1 마이크로미터 내지 1 마이크로미터의 두께를 갖는다.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 그루브는 1 마이크로 미터 내지 5 마이크로미터의 두께를 갖는다.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 RF 전극의 중심, 상기 RF 플레이트의 중심 및 상기 기판의 중심은 수직 방향으로 정렬되고, 및 상기 RF 전극의 직경 및 상기 RF 플레이트의 내경 각각은 상기 기판의 직경 보다 크다.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 RF 전극의 직경은 상기 RF 플레이트의 내경보다는 크고, 상기 RF 플레이트의 외경보다는 작다.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 RF 전극은, 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화주석(SnO2) 및 산화아연(ZnO) 중 적어도 하나를 포함한다.

본 발명은 광학적으로 투명한 RF 전극을 포함하며 전기적 및 기계적으로 안정성을 높인 구조를 가지는 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.

또한, 본 발명은, RF 플레이트가 링 형상으로 제공되어, RF 전극의 상면의 일부가 RF 플레이트에 의해 커버되지 않는 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 사시도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 사시도이다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이 다. 그러나 본 발명은 이하에서 게시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 게시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.

소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.

비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.

본 실시예에서는 플라즈마 처리 대상물로서 웨이퍼를 예로 들고, 플라즈마 소스로서 용량 결합형 플라즈마(capacitively coupled plasma)를 사용하는 플라즈마 처리 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않으며, 대상물은 유리 기판 등과 같이 다른 종류의 기판일 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 사시도이다.

도 1 및 도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리한다. 예를 들어, 기판 처리 장치(10)는 기판(W)에 대하여 식각 공정을 수행할 수 있다. 기판 처리 장치(10)는 챔버(100), 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300), RF 소스(400) 및 배플 유닛(500)을 포함한다.

챔버(100)는 기판 처리 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 챔버(100)는 하우징(110), 유전체 윈도우(120), 그리고 라이너(130)를 포함한다.

하우징(110)은 내부에 상면이 개방된 공간을 가진다. 하우징(110)의 내부 공간은 기판 처리 공정이 수행되는 공간으로 제공된다. 하우징(110)은 금속 재질로 제공된다. 일 예로, 하우징(110)은 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 하우징(110)은 접지될 수 있다. 하우징(110)의 바닥면에는 배기홀(102)이 형성된다. 배기홀(102)은 배기 라인(151)과 연결된다. 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 하우징의 내부 공간에 머무르는 가스는 배기 라인(151)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 배기 과정에 의해 하우징(110) 내부는 소정 압력으로 감압된다.

유전체 윈도우(120)는 하우징(110)의 개방된 상면을 덮는다. 유전체 윈도우(120)는 판 형상으로 제공되며, 하우징(110)의 내부공간을 밀폐시킨다. 유전체 윈도우(120)는 분리 가능하도록 제공될 수 있다. 즉, 유전체 윈도우(120)는 챔버의 상벽에 해당될 수 있다.

유전체 윈도우(120)는 석영 유리, 또는 질화알루미늄과 같은 세라믹 절연체로 마련될 수 있다. 유전체 윈도우(120)의 상부에는 전극 판이 배치될 수 있다. 유전체 윈도우(120)는 하우징(110)과 동일한 직경을 갖는다.

상기 유전체 윈도우(120) 상에는 RF 플레이트(420) 및 RF 전극(430)이 배치될 수 있다. 이에 관한 설명은 후술하겠다.

유전체 윈도우(120)는 상기 RF 플레이트(420)가 배치될 수 있는 그루브(GR)를 포함할 수 있다. 상기 그루브(GR)는 유전체 윈도우(120)의 최상면에서, 수직 하 방향으로 연장될 수 있다. 상기 그루브(GR)의 내부에 RF 플레이트(420)의 돌출부가 맞물릴 수 있다. 즉, 상기 그루브(GR)의 내측면에 RF 플레이트(420)의 돌출부가 맞물릴 수 있다. 즉, 유전체 윈도우(120)의 최상면은, RF 플레이트(420)의 최하면보다 낮은 수직 레벨에 위치할 수 있다. 그루브(GR)는 유전체 윈도우(120)의 원주 방향을 따라 배치될 수 있다.

여기서, 수평 방향(X 방향 및/또는 Y 방향)은 챔버(100)의 주면의 연장 방향과 평행한 방향을 의미하고, 수직 방향(Z 방향)은 챔버(100) 높이 방향과 평행한 방향을 의미한다.

라이너(130)는 하우징(110)의 내부에 제공된다. 라이너(130)는 상면 및 하면이 개방된 공간이 내부에 형성된다. 일 예로, 라이너(130)는 원통 형상으로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면에 상응하는 반경을 가질 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면을 따라 제공된다. 라이너(130)의 상단에는 지지 링(131)이 형성된다. 지지 링(131)은 링 형상의 판으로 제공되며, 라이너(130)의 둘레를 따라 라이너(130)의 외측으로 돌출된다. 지지 링(131)은 하우징(110)의 상단에 놓이며, 라이너(130)를 지지한다. 라이너(130)는 하우징(110)과 동일한 재질로 제공될 수 있다. 일 예로, 라이너(130)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면을 보호한다. 공정 가스가 여기되는 과정에서 챔버(100) 내부에는 아크(arc) 방전이 발생될 수 있다. 아크 방전은 주변 장치들을 손상시킨다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면을 보호하여 하우징(110)의 내측면이 아크 방전으로 손상되는 것을 방지한다. 또한, 기판 처리 공정 중에 발생한 불순물이 하우징(110)의 내측벽에 증착되는 것을 방지한다. 라이너(130)는 하우징(110)에 비하여 비용이 저렴하고, 교체가 용이하다. 따라서, 아크 방전으로 라이너(130)가 손상될 경우, 작업자는 새로운 라이너(130)로 교체할 수 있다.

하우징(110)의 내부에는 지지 유닛(200)이 위치한다. 지지 유닛(200)은 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(200)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 흡착하는 정전 척(210)을 포함할 수 있다. 이와 달리, 지지 유닛(200)은 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수도 있다. 이하에서는 정전 척(210)을 포함하는 지지 유닛(200)에 대하여 설명한다.

지지 유닛(200)은 정전 척(210), 절연 플레이트(250) 그리고 하부 커버(270)를 포함한다. 지지 유닛(200)은 챔버(100) 내부에서 하우징(110)의 바닥면에서 상부로 이격되어 위치된다.

정전 척(210)은 지지판(220), 하부 전극(223), 히터(225), 베이스 판(230), 그리고 포커스 링(240)을 포함한다.

지지판(220)은 정전 척(210)의 상단부에 위치한다. 지지판(220)은 원판 형상의 유전체(dielectric substance)로 제공될 수 있다. 지지판(220)의 상면에는 기판(W)이 놓인다. 지지판(220)의 상면은 기판(W)보다 작은 반경을 갖는다. 때문에, 기판(W) 가장자리 영역은 지지판(220)의 외측에 위치한다.

지지판(220)에는 공급 유로(221)가 형성된다. 공급 유로(221)는 정전 척(210)의 상면으로부터 저면으로 제공된다. 공급 유로(221)는 서로 이격하여 복수 개 형성되며, 기판(W)의 저면으로 열전달 매체가 공급되는 통로로 제공된다.

지지판(220)의 내부에는 하부 전극(223)과 히터(225)가 매설된다. 하부 전극(223)은 히터(225)의 상부에 위치한다. 하부 전극(223)은 제1 하부 전원(223a)과 전기적으로 연결된다. 제1 하부 전원(223a)은 직류 전원을 포함한다. 하부 전극(223)과 제1 하부 전원(223a) 사이에는 스위치(223b)가 설치된다. 하부 전극(223)은 스위치(223b)의 온/오프(ON/OFF)에 의해 제1 하부 전원(223a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 스위치(223b)가 온(ON) 되면, 하부 전극(223)에는 직류 전류가 인가된다. 하부 전극(223)에 인가된 전류에 의해 하부 전극(223)과 기판(W) 사이에는 정전기력이 작용하며, 정전기력에 의해 기판(W)은 지지판(220)에 흡착된다.

히터(225)는 제2 하부 전원(225a)과 전기적으로 연결된다. 히터(225)는 제2 하부 전원(225a)에서 인가된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킨다. 발생된 열은 지지판(220)을 통해 기판(W)으로 전달된다. 히터(225)에서 발생된 열에 의해 기판(W)은 소정 온도로 유지된다. 히터(225)는 나선 형상의 코일을 포함한다.

지지판(220)의 하부에는 베이스 판(230)이 위치한다. 지지판(220)의 저면과 베이스 판(230)의 상면은 접착제(236)에 의해 접착될 수 있다. 베이스 판(230)은 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 베이스 판(230)의 상면은 중심 영역이 가장자리 영역보다 높게 위치되도록 단차질 수 있다. 베이스 판(230)의 상면 중심 영역은 지지판(220)의 저면에 상응하는 면적을 가지며, 지지판(220)의 저면과 접착된다. 베이스 판(230)에는 제1 순환 유로(231) 및 제2 순환 유로(232))가 형성된다.

제1 순환 유로(231)는 열전달 매체가 순환하는 통로로 제공된다. 제1 순환 유로(231)는 베이스 판(230) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 제1 순환 유로(231)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제1 순환 유로(231)들은 서로 연통될 수 있다. 제1 순환 유로(231)들은 동일한 높이에 형성된다.

제2 순환 유로(232)는 냉각 유체가 순환하는 통로로 제공된다. 제2 순환 유로(232)는 베이스 판(230) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또한, 제2 순환 유로(232)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제2 순환 유로(232)들은 서로 연통될 수 있다. 제2 순환 유로(232)는 제1 순환 유로(231)보다 큰 단면적을 가질 수 있다. 제2 순환 유로(232)들은 동일한 높이에 형성된다. 제2 순환 유로(232)는 제1 순환 유로(231)의 하부에 위치될 수 있다.

공급 유로(221)는 제1 순환 유로(231)부터 상부로 연장되며, 베이스 판(230)의 상면으로 제공된다. 공급 유로(221)는 제1 순환 유로(231)와 연결될 수 있다.

제1 순환 유로(231)는 열전달 매체 공급 라인(231b)을 통해 열전달 매체 저장부(231a)와 연결된다. 열전달 매체 저장부(231a)에는 열전달 매체가 저장된다. 열전달 매체는 불활성 가스를 포함한다. 실시예에 의하면, 열전달 매체는 헬륨(He) 가스를 포함한다. 헬륨 가스는 공급 라인(231b)을 통해 제1 순환 유로(231)에 공급되며, 공급 유로(221)를 순차적으로 거쳐 기판(W) 저면으로 공급된다. 헬륨 가스는 플라즈마에서 기판(W)으로 전달된 열이 정전 척(210)으로 전달되는 매개체 역할을 한다.

제2 순환 유로(232)는 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 냉각 유체 저장부(232a)와 연결된다. 냉각 유체 저장부(232a)에는 냉각 유체가 저장된다. 냉각 유체 저장부(232a) 내에는 냉각기(232b)가 제공될 수 있다. 냉각기(232b)는 냉각 유체를 소정 온도로 냉각시킨다. 이와 달리, 냉각기(232b)는 냉각 유체 공급 라인(232c) 상에 설치될 수 있다. 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 제2 순환 유로(232)에 공급된 냉각 유체는 제2 순환 유로(232)를 따라 순환하며 베이스 판(230)을 냉각한다. 베이스 판(230)은 냉각되면서 지지판(220)과 기판(W)을 함께 냉각시켜 기판(W)을 소정 온도로 유지시킨다.

포커스 링(240)은 정전 척(210)의 가장자리 영역에 배치된다. 포커스 링(240)은 링 형상을 가지며, 지지판(220)의 둘레를 따라 배치된다. 포커스 링(240)의 상면은 외측부(240a)가 내측부(240b)보다 높도록 단차질 수 있다. 포커스 링(240)의 상면 내측부(240b)는 지지판(220)의 상면과 동일 수직 레벨에 위치된다. 포커스 링(240)의 상면 내측부(240b)는 지지판(220)의 외측에 위치된 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 포커스 링(240)의 외측부(240a)는 기판(W)의 가장자리 영역을 둘러싸도록 제공된다. 포커스 링(240)은 챔버(100) 내에서 플라즈마가 기판(W)과 마주하는 영역으로 집중되도록 한다.

베이스 판(230)의 하부에는 절연 플레이트(250)가 위치한다. 절연 플레이트(250)는 베이스 판(230)에 상응하는 단면적으로 제공된다. 절연 플레이트(250)는 베이스 판(230)과 하부 커버(270) 사이에 위치한다. 절연 플레이트(250)는 절연 재질로 제공되며, 베이스 판(230)과 하부 커버(270)를 전기적으로 절연시킨다.

하부 커버(270)는 지지 유닛(200)의 하단부에 위치한다. 하부 커버(270)는 하우징(110)의 바닥면에서 상부로 이격되어 위치한다. 하부 커버(270)는 상면이 개방된 공간이 내부에 형성된다. 하부 커버(270)의 상면은 절연 플레이트(250)에 의해 덮어진다. 따라서 하부 커버(270)의 단면의 외부 반경은 절연 플레이트(250)의 외부 반경과 동일한 길이로 제공될 수 있다. 하부 커버(270)의 내부 공간에는 반송되는 기판(W)을 외부의 반송 부재로부터 정전 척(210)으로 이동시키는 리프트 핀 모듈(미도시) 등이 위치할 수 있다.

하부 커버(270)는 연결 부재(273)를 갖는다. 연결 부재(273)는 하부 커버(270)의 외측면과 하우징(110)의 내측벽을 연결한다. 연결 부재(273)는 하부 커버(270)의 외측면에 일정한 간격으로 복수 개 제공될 수 있다. 연결 부재(273)는 지지 유닛(200)을 챔버(100)의 내부에서 지지한다. 또한, 연결 부재(273)는 하우징(110)의 내측벽과 연결됨으로써 하부 커버(270)가 전기적으로 접지(ground)되도록 한다. 제1 하부 전원(223a)과 연결되는 제1 전원라인(223c), 제2 하부 전원(225a)과 연결되는 제2 전원라인(225c), 열전달 매체 저장부(231a)와 연결된 열전달 매체 공급 라인(231b) 그리고 냉각 유체 저장부(232a)와 연결된 냉각 유체 공급 라인(232c)등은 연결 부재(273)의 내부 공간을 통해 하부 커버(270)의 내부로 연장된다.

가스 공급 유닛(300)은 챔버(100) 내부에 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(300)은 가스 공급 노즐(310), 가스 공급 라인(320), 그리고 가스 저장부(330)를 포함한다. 일 예로, 가스 공급 노즐(310)은 하우징(110)의 상부 측면에 인접하여 배치될 수 있다. 가스 공급 노즐(310)의 일측면에는 분사구가 형성된다. 분사구는 유전체 윈도우(120)의 하부에 위치하며, 챔버(100) 내부로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 라인(320)은 가스 공급 노즐(310)과 가스 저장부(330)를 연결한다. 가스 공급 라인(320)은 가스 저장부(330)에 저장된 공정 가스를 가스 공급 노즐(310)에 공급한다. 가스 공급 라인(320)에는 밸브(321)가 설치된다. 밸브(321)는 가스 공급 라인(320)을 개폐하며, 가스 공급 라인(320)을 통해 공급되는 공정 가스의 유량을 조절한다. 또 다른 예로, 가스 공급 노즐(310)은 하우징(110)의 상단 테두리를 따라 제공될 수 있다.

RF 소스(400)는 챔버(100) 내의 공정 가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다. RF 소스(400)로는 용량결합형 플라즈마(CCP: capacitively coupled plasma) 소스가 사용될 수 있다. RF 소스(400)는 RF 로드(410), RF 플레이트(420), RF 전극(430) 및 RF 전원(440)을 포함할 수 있다.

RF 로드(410)는 RF 전원(440)에서 생성된 RF 파워를 RF 플레이트(420) 및/또는 RF 전극(430)에 전달하도록 구성될 수 있다.

RF 플레이트(420)는 RF 전극(430)을 지지하고, RF 전극(430)에 RF 파워를 전달하도록 구성될 수 있다. RF 플레이트(420)는 링 형으로 제공될 수 있다. 즉, RF 플레이트(420)는 내경(inner diameter, ID) 및 외경(outer diameter, OD)을 가질 수 있다. RF 플레이트(420)는 전도체 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, RF 플레이트(420)는 주석(Sn), 은(Ag), 구리(Cu), 및/또는 알루미늄(Al)을 포함할 수 있다.

RF 전극(430)은 RF 전원(440)으로부터 RF 파워를 전달받아, 챔버(100)의 내부에 RF 파워를 전달시킬 수 있다. RF 전극(430)은 원형의 플레이트 형상으로 제공될 수 있다. 예를 들어, RF 전극(430)은 광학적으로 투명한 물질을 포함할 수 있다. RF 전극(430)은 예를 들어, 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화주석(SnO₂) 및/또는 산화아연(ZnO)을 포함할 수 있다.

RF 전극(430)이 광학적으로 투명한 물질을 포함하는 경우, 챔버(100)의 상면에서 조사된 레이저가, RF 전극(430) 및 유전체 윈도우(120)를 통과하여, 기판(W)에 도달할 수 있다. 따라서, RF 전극(430)의 직경 및/또는 RF 플레이트(420)의 내경(ID)은 기판(W)의 직경보다 클 수 있다. 또한, RF 전극(430)의 직경은 RF 플레이트(420)의 내경(ID) 보다는 크고, RF 플레이트(420)의 외경(OD) 보다는 작을 수 있다. 예를 들어, RF 전극(430)의 직경 및/또는 RF 플레이트(420)의 내경(ID)은 약 300mm 이상일 수 있다. 또한, 기판(W)의 중심, RF 플레이트(420)의 중심 및 RF 전극(430)의 중심은 수직 방향으로 정렬될 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따르면, RF 전극(430)의 하면은 유전체 윈도우(120)의 최상면과 실질적으로 동일한 수직 레벨에 위치할 수 있고, RF 전극(430)의 상면은 RF 플레이트(420)의 요철 형상을 가지는 면 중 가장 높은 수직 레벨에 위치한 하면과 동일 수직 레벨에 위치할 수 있다.

또한, RF 플레이트(420)의 최하면은 유전체 윈도우(120)의 상면 중 낮은 수직 레벨에 위치한 상면과 동일 수직 레벨에 위치할 수 있다. 즉, RF 플레이트(420)의 최하면은 유전체 윈도우(120)의 최상면과 RF 전극(430)의 하면보다 낮은 수직 레벨에 위치할 수 있다.

RF 플레이트(420)의 최하면이 RF 전극(430)의 하면보다 높은 수직 레벨에 위치하여, RF 플레이트(420)가 효과적으로 RF 전극(430)을 커버할 수 있다. 따라서, RF 전극(430)의 신뢰성이 증가할 수 있다.

RF 전극(430)의 측면은 그루브(GR)의 측면 각각과 수직 방향으로 정렬되지 않을 수 있다. 또한, 평면적 관점에서, 그루브(GR)의 측면 각각보다 수평 방향으로 그루브(GR)의 내부에 위치할 수 있다. 즉, RF 전극(430)의 측면은 그루브(GR)의 측면과 맞닿지 않을 수 있다.

RF 전극(430)은 예를 들어, 약 0.1 마이크로미터 내지 약 1 마이크로미터의 두께를 가질 수 있다. 또한, 그루브(GR)는 약 2 마이크로미터 내지 약 5 마이크로미터의 두께를 가질 수 있다. RF 전극(430)이 광학적으로 투명하기 위해서, RF 전극(430)의 두께는 충분히 얇을 수 있다.

배플 유닛(500)은 하우징(110)의 내측벽과 지지 유닛(200)의 사이에 위치된다. 배플 유닛(500)은 관통홀들이 형성된 몸체를 포함한다. 배플 유닛(500)의 몸체는 환형의 링 형상으로 제공된다. 하우징(110) 내에 제공된 공정가스는 배플 유닛(500)의 관통홀들을 통과하여 배기홀(102)로 배기된다. 배플 유닛(500)의 형상 및 관통홀들의 형상에 따라 공정가스의 흐름이 제어될 수 있다.

일반적인 기판 처리 장치는 RF 전극이 투명하지 않아, RF 전극의 상면에서 레이저가 조사되는 경우, 상기 레이저가 RF 전극을 투과할 수 없었다. 또한, 일반적인 기판 처리 장치는 유전체 윈도우가 그루브를 포함하지 않아, RF 전극 및 RF 플레이트의 기계적 결합이 상대적으로 약했다.

반면에, 본 실시예의 기판 처리 장치(10)는 광학적으로 투명한 RF 전극(430)을 포함하여, RF 전극(430)의 상면에서 레이저가 조사되는 경우, 상기 레이저가 RF 전극(430)을 투과할 수 있다. 따라서, 상기 레이저는 기판(W)까지 도달할 수 있다.

또한, 본 실시예의 기판 처리 장치(10)는 유전체 윈도우(120)가 그루브(GR)를 포함하여, RF 플레이트(420)와 RF 전극(430)의 기계적 결합이 상대적으로 강할 수 있다. 따라서, 기판 처리 장치(10)의 신뢰성이 향상될 수 있다.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다. 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 사시도이다.

도 3 및 도 4를 참조하면, 기판 처리 장치(10a)는 챔버(100), 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300), RF 소스(400a) 및 배플 유닛(500)을 포함한다. 도 3의 챔버(100), 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300) 및 배플 유닛(500)은 도 1의 챔버(100), 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300) 및 배플 유닛(500)과 실질적으로 동일하므로, 여기서는 RF 소스(400a)에 대해서만 서술하겠다.

RF 플레이트(420a)는 트렌치(426)를 포함할 수 있다. 트렌치(426)는 RF 플레이트(420a)와 RF 전극(430)이 맞닿는 면 상에 배치될 수 있다. 즉, 트렌치(426)는 RF 플레이트(420a)의 요철을 가지는 면에 상에 배치될 수 있다. 트렌치(426)는 RF 플레이트(420a)의 내부에서, RF 플레이트(420a)와 RF 전극(430)이 맞닿는 면으로부터 수직 상 방향으로 연장될 수 있다. 트렌치(426)는 RF 플레이트(420a)의 원주 방향을 따라 배치될 수 있다.

상기 트렌치(426)의 내부에 가스켓(450)이 배치될 수 있다. 가스켓(450)은 예를 들어, 전도성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 가스켓(450)은 금속을 포함할 수 있다. 예를 들어, 가스켓(450)은 구리 및/또는 베릴륨을 포함할 수 있다. 가스켓(450)이 전도성 물질을 포함하는 경우, RF 플레이트(420a)와 RF 전극(430)의 전기적 연결성이 향상될 수 있다. 또한, 가스켓(450)이 트렌치(426)의 내부에 배치되어, RF 플레이트(420a)와 RF 전극(430)의 물리적 연결성이 향상될 수 있다. 즉, 가스켓(450)은 RF 전극(430) 및 RF 플레이트(420a) 각각과 직접적으로 접촉할 수 있다. 따라서, 가스켓(450)은 RF 플레이트(420a)와 RF 전극(430)의 조립 공차를 완충할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 가스켓(450)은 복수 개로 구비될 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 트렌치(426)의 하면 및/또는 가스켓(450)의 하면은 RF 전극(430)의 상면과 직접적으로 접촉할 수 있다. 또한, 가스켓(450)의 상면은 RF 플레이트(420a)의 하면 중 가장 높은 수직 레벨에 위치한 면 및 트렌치(426)의 상면과 직접적으로 접촉할 수 있다.

가스켓(450)은 예를 들어, 탄성적으로 압착될 수 있다. 따라서, RF 플레이트(420b) 상에 RF 전극(430)이 배치된 경우, 가스켓(450)은 일부 찌그러져 타원 형상을 가질 수 있다. 즉, 가스켓(450)의 수직 단면의 형상은 타원 형상일 수 있다. 상기 타원 형상은 장축의 연장 방향이 수평 방향과 평행하고, 단축의 연장 방향이 수직 방향과 평행한 형상을 가질 수 있다.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다. 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 사시도이다.

도 5 및 도 6를 참조하면, 기판 처리 장치(10b)는 챔버(100a), 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300), RF 소스(400b) 및 배플 유닛(500)을 포함한다. 도 3의 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300) 및 배플 유닛(500)은 도 1의 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300) 및 배플 유닛(500)과 실질적으로 동일하므로, 여기서는 챔버(100a) 및 RF 소스(400b)에 대해서만 서술하겠다.

RF 플레이트(420b)는 링 형상으로 제공될 수 있다. RF 플레이트(420b)의 가장자리에는 슬롯홀(422)이 형성될 수 있고, 유전체 윈도우(120a)에 형성된 체결공(122)에 결합 유닛(424)에 의해 고정될 수 있다. 따라서, RF 플레이트(420b)는 유전체 윈도우(120a)의 상면에 결합될 수 있다.

결합 유닛(424)은 예를 들어, 비전도성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 결합 유닛(424)은 수지를 포함할 수 있다. 결합 유닛(424)은 예를 들어 플라스틱 볼트(bolt)일 수 있다. 결합 유닛(424)이 전도성 물질을 포함하는 경우, RF 파워가 RF 플레이트(420b)에서 유전체 윈도우(120a)로 누설될 수 있다. 반대로, 결합 유닛(424)이 비전도성 물질을 포함하는 경우, 유전체 윈도우(120a)에 RF 파워가 누설되지 않을 수 있다. 즉, 결합 유닛(424)이 비전도성 물질을 포함하는 경우, 유전체 윈도우(120a)의 전기적 절연성이 유지될 수 있다. 즉, 결합 유닛(424)이 비전도성 물질을 포함하는 경우, 기판 처리 장치(10b)의 신뢰성이 향상될 수 있다.

결합 유닛(424)의 하면은 RF 플레이트(420b)의 최하면보다 낮은 수직 레벨에 위치할 수 있다. 또한, 결합 유닛(424)의 상면은 RF 플레이트(420b)의 상면과 동일한 수직 레벨에 위치하거나 또는 RF 플레이트(420b)의 상면보다 높은 수직 레벨에 위치할 수 있다. 또한, 평면적 관점에서, 결합 유닛(424)은 그루브(GR)의 내부에 위치할 수 있다.

이상과 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

10, 10a, 10b: 기판 처리 장치 100, 100a: 챔버
120, 120a: 유전체 어셈블리 120, 120a: 유전체 윈도우
200: 지지 유닛 300: 가스 공급 유닛
400: RF 소스 410: RF 로드
420, 420a, 420b: RF 플레이트 430: RF 전극
440: RF 전원 450: 가스켓
GR: 그루브

Claims

내부에 처리 공간을 가지는 챔버;
상기 챔버의 상부에 배치되며, 상기 챔버의 상면을 덮도록 구성된 유전체 윈도우; 및
상기 유전체 윈도우 상에 배치되며, RF 파워를 공급하여, 상기 처리 공간의 가스로부터 플라즈마를 발생시키도록 구성된 RF 소스;를 포함하고,
상기 RF 소스는 상기 유전체 윈도우 상에 배치되는 RF 전극 및 상기 RF 전극 상에 배치되는 RF 플레이트를 포함하며,
상기 유전체 윈도우는 상기 유전체 윈도우의 최상면에서 수직 하 방향으로 연장된 그루브;를 포함하고,
상기 RF 플레이트는 링 형상인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제1 항에 있어서,
상기 RF 플레이트의 돌출부가 상기 그루브의 내측면과 맞물리는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제1 항에 있어서,
상기 유전체 윈도우의 최상면은,
상기 RF 전극의 하면과 동일한 수직 레벨에 위치하고, 및
상기 RF 플레이트의 최하면보다 높은 수직 레벨에 위치하는 것을
특징으로 하는 기판 처리 장치.
제1 항에 있어서,
평면적 관점에서,
상기 RF 전극의 측면은,
상기 그루브의 측면 각각과 수직 방향으로 정렬되지 않고, 및
상기 그루브의 측면 각각보다 수평 방향으로 상기 그루브의 내부에 위치하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제1 항에 있어서,
상기 RF 전극은 광학적으로 투명한 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
내부에 처리 공간을 가지는 챔버;
상기 챔버의 상부에 배치되며, 상기 챔버의 상면을 덮도록 구성된 유전체 윈도우; 및
상기 유전체 윈도우 상에 배치되며, RF 파워를 공급하여, 상기 처리 공간의 가스로부터 플라즈마를 발생시키도록 구성된 RF 소스;를 포함하고,
상기 RF 소스는 RF 파워를 생성하도록 구성된 RF 전원, 상기 유전체 윈도우 상에 배치되는 RF 전극 및 상기 RF 전극 상에 배치되는 RF 플레이트를 포함하며,
상기 RF 플레이트는 상기 RF 플레이트와 상기 RF 전극이 맞닿는 면에서, 수직 상 방향으로 연장된 트렌치; 및
상기 트렌치의 내부에 배치되는 가스켓; 을 더 포함하고,
상기 유전체 윈도우는 상기 유전체 윈도우의 최상면에서 수직 하 방향으로 연장된 그루브를 포함하고,
상기 RF 플레이트의 돌출부가 상기 그루브의 내부에 맞물리고,
상기 RF 전극은 광학적으로 투명한 물질을 포함하고,
상기 RF 플레이트는 링 형상인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제6 항에 있어서,
상기 가스켓의 최상면은 상기 RF 플레이트의 요철 형상을 가지는 면 중 가장 높은 면과 직접적으로 접촉하고, 및
상기 가스켓의 최하면은 상기 RF 전극의 상면과 직접적으로 접촉하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제6 항에 있어서,
상기 RF 전극의 상면은 상기 트렌치의 하면과 접촉하고,
상기 RF 전극의 하면은 상기 유전체 윈도우의 최상면과 접촉하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제6 항에 있어서,
상기 RF 플레이트는 홀을 포함하고,
상기 홀의 내부에 배치되어 상기 RF 플레이트와 상기 유전체 윈도우를 고정하는 결합 유닛;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제9 항에 있어서,
상기 결합 유닛의 하면은 상기 RF 플레이트의 최하면보다 낮은 수직 레벨에 위치하고,
평면적 관점에서,
상기 결합 유닛은 상기 그루브의 내부에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제9 항에 있어서,
상기 결합 유닛은 상기 유전체 윈도우의 전기적 절연을 위해 비전도성 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제6 항에 있어서,
상기 가스켓은 상기 RF 전극과 상기 RF 플레이트 사이의 전기적인 연결을 위해, 전도성 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제12 항에 있어서,
상기 가스켓은 탄성적으로 압착되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제6 항에 있어서,
상기 가스켓의 수직 단면은,
장축이 수평 방향과 평행하고, 및
단축이 수직 방향과 평행한 타원 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
내부에 처리 공간을 가지는 챔버;
상기 챔버의 하부에 배치되며, 기판을 지지하도록 구성된 지지 유닛;
상기 처리 공간의 내부로 가스를 공급하도록 구성된 가스 공급 유닛;
상기 챔버의 상부에 배치되며, 상기 챔버의 상면을 덮도록 구성된 유전체 윈도우; 및
상기 유전체 윈도우 상에 배치되며, RF 파워를 공급하여, 상기 처리 공간의 가스로부터 플라즈마를 발생시키도록 구성된 RF 소스;를 포함하고,
상기 RF 소스는 RF 파워를 생성하도록 구성된 RF 전원, 상기 RF 파워를 전달시키도록 구성된 RF 로드, 상기 유전체 윈도우 상에 배치되는 RF 전극 및 상기 RF 전극 상에 배치되는 RF 플레이트를 포함하며,
상기 유전체 윈도우는 상기 유전체 윈도우의 최상면에서 수직 아래 방향으로 연장된 그루브;를 포함하고,
상기 RF 플레이트는 홀을 포함하고 상기 홀의 내부에 배치되어 상기 RF 플레이트와 상기 유전체 윈도우를 고정하는 결합 유닛;을 더 포함하며,
상기 RF 플레이트는 상기 RF 플레이트와 상기 RF 전극이 맞닿는 면에서, 수직 상 방향으로 연장된 트렌치; 및
상기 트렌치의 내부에 배치되는 가스켓;을 더 포함하고,
상기 RF 플레이트의 돌출부가 상기 그루브의 내측면에 맞물리며,
상기 RF 전극은 광학적으로 투명한 물질을 포함하고,
상기 RF 플레이트는 내경과 외경을 가지는 링 형상인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제15 항에 있어서,
상기 RF 전극은 0.1 마이크로미터 내지 1 마이크로미터의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제15 항에 있어서,
상기 그루브는 1 마이크로 미터 내지 5 마이크로미터의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제15 항에 있어서,
상기 RF 전극의 중심, 상기 RF 플레이트의 중심 및 상기 기판의 중심은 수직 방향으로 정렬되고, 및
상기 RF 전극의 직경 및 상기 RF 플레이트의 내경 각각은 상기 기판의 직경 보다 큰 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제15 항에 있어서,
상기 RF 전극의 직경은 상기 RF 플레이트의 내경보다는 크고, 상기 RF 플레이트의 외경보다는 작은 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제15 항에 있어서,
상기 RF 전극은, 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화주석(SnO₂) 및 산화아연(ZnO) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.