KR20210061269A - 플라즈마 처리 장치 및 그 조절 방법 - Google Patents

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Abstract

플라즈마 처리 장치 및 그 조절 방법에 있어서, 플라즈마 처리 장치는: 처리 챔버; 상기 처리 챔버 내부의 하단에 위치하는 베이스; 상기 베이스에 위치하며 가공될 기판을 적재 및 흡착하는 정전 척; 상기 정전 척을 둘러싸는 초점 링; 상기 초점 링의 하단에 위치하며 상기 베이스를 둘러싸는 열전도 링; 및 처리 챔버의 하단에 고정되고 상기 열전도 링과 연결되는 팽창 가능 부재;를 포함하며, 상기 팽창 가능 부재에는 열팽창 계수가 높은 재료가 포함되며, 상기 팽창 가능 부재의 내부에는 제1 유체탱크가 구비되며, 상기 제1 유체탱크는 제1 유체를 수용하고, 상기 제1 유체의 온도를 변화시켜, 상기 팽창 가능 부재가 팽창 또는 수축하게 하며, 상기 열전도 링이 정전 척 표면에 수직인 방향으로 이동하도록 하여, 상기 초점 링의 높이를 변경한다. 상기 플라즈마 처리 장치는 가공될 기판의 가장자리 식각의 시준성을 동적으로 조절할 수 있다.

Description

플라즈마 처리 장치 및 그 조절 방법{PLASMA PROCESSING APPARATUS AND ADJUSTMENT METHOD THEREOF}
본 발명은 반도체 분야에 관한 것으로, 특히 플라즈마 처리 장치 및 그 조절 방법에 관한 것이다.
기존 플라즈마 처리 장비에는 용량 결합 플라즈마 식각 장비(CCP) 및 유도 결합 플라즈마 식각 장비(ICP)가 포함된다. 유도 결합 플라즈마(ICP) 식각 장치와 용량 결합 플라즈마(CCP) 식각 장치는 구조가 간단하고, 상대적으로 저렴하기 때문에, 건식 식각 분야에서 널리 사용된다.
상기 플라즈마 처리 장치에서 플라즈마의 밀도 분포는 가공될 기판의 식각 속도에 비례하며, 플라즈마 밀도가 높을수록 식각 속도가 빠르고, 플라즈마 밀도가 낮을수록 식각 속도는 더 느리다. 플라즈마 기류 작용으로 인해, 가공될 기판의 중심 부분의 플라즈마 밀도는 감소하고 가공될 기판의 가장자리 부분의 플라즈마 밀도는 증가하여，가공될 기판 표면의 중심 부분의 식각 속도가 느려지고, 가장자리의 식각 속도가 상승하여, 가공될 기판의 식각 속도가 균일하지 않게 된다.
상기 문제점을 해결하기 위해, 가공될 기판의 주변에 초점 링이 구비되며, 이는 가공될 기판의 반경을 바깥쪽으로 확장하는 것과 동일하므로, 가공될 기판의 상부와 동일한 조건의 플라즈마가 초점 링의 상부에 생성되어, 가공될 기판의 플라즈마 분포의 가장자리를 초점 링의 외측벽까지 효과적으로 확장하여, 플라즈마의 분포 범위를 확대하고, 가공될 기판 표면의 플라즈마 밀도 분포 곡선을 확장하여, 가공될 기판의 플라즈마 밀도 분포가 완만해지고, 가공될 기판의 플라즈마 밀도 분포가 더 균일해지도록 하여, 가장자리 부분 및 중심 부분의 식각 공정 균일성 확보에 유리하다.
일반적으로 초점 링의 재료로 규소 또는 탄화 규소를 사용하며, 식각 공정 시간이 길어짐에 따라, 초점 링의 표면도 플라즈마 식각에 의해 소모된다. 초점 링 표면의 높이가 감소하여, 초점 링 상부의 플라즈마 쉬스(plasma sheath)가 아래로 이동하며, 가공될 기판의 가장자리 부분의 식각 시준성이 낮아진다. 그러나 새로운 초점 링을 교체하지 않을 경우, 기존의 플라즈마 처리 장치에서는 초점 링의 높이를 조절하기 어려우며, 따라서 가공될 기판의 가장자리의 식각 시준성은 공정 과정에서 조절하기 어렵다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 플라즈마 처리 장치 및 그 조절 방법을 제공하여 새로운 초점 링을 교체하지 않고 가공될 기판의 가장자리 식각의 시준성을 동적으로 조절하는 것이다.
상기 기술적 문제점을 해결하기 위해 본 발명은 플라즈마 처리 장치에 있어서, 처리 챔버; 상기 처리 챔버 내부의 하단에 위치하는 베이스; 상기 베이스에 위치하며, 가공될 기판을 적재 및 흡착하는 정전 척; 상기 정전 척을 둘러싸는 초점 링; 상기 초점 링의 하단에 위치하며, 상기 베이스를 둘러싸는 열전도 링; 및 처리 챔버의 하단에 고정되고 상기 열전도 링과 연결되는 팽창 가능 부재;를 포함하며, 상기 팽창 가능 부재에는 열팽창 계수가 높은 재료가 포함되며, 상기 팽창 가능 부재의 내부에는 제1 유체탱크가 구비되며, 상기 제1 유체탱크는 제1 유체를 수용하고, 상기 제1 유체의 온도를 변화시켜, 상기 팽창 가능 부재가 팽창 또는 수축하게 하며, 상기 열전도 링이 정전 척 표면에 수직인 방향으로 이동하도록 하여, 상기 초점 링의 높이를 변경하는 플라즈마 처리 장치를 제공한다.
선택적으로, 상기 팽창 가능 부재의 재료는 열팽창 계수가 높은 금속 재료이며; 상기 열팽창 계수가 높은 금속 재료에는 알루미늄 합금이 포함된다.
선택적으로, 상기 팽창 가능 부재의 재료는 높은 열팽창 계수를 갖는 유기 재료이고; 상기 높은 열팽창 계수를 갖는 유기 재료에는 폴리 메틸 메타크릴레이트, 폴리 염화 비닐, 폴리 아미드가 포함된다.
선택적으로, 상기 팽창 가능 부재의 상단과 열전도 링의 하단은 연결된다.
선택적으로, 상기 팽창 가능 부재의 측벽과 열전도 링의 측벽은 연결되고, 상기 팽창 가능 부재는 열전도 링을 둘러싼다.
선택적으로, 상기 팽창 가능 부재와 열전도 링은 나사로 고정된다.
선택적으로, 상기 팽창 가능 부재와 열전도 링 사이에 위치하는 열차단 링을 더 포함한다.
선택적으로, 상기 팽창 가능 부재는 튜브 구조를 갖는다.
선택적으로, 상기 팽창 가능 부재의 수는 하나보다 많고, 복수의 상기 팽창 가능 부재는 서로 분리되어 베이스를 둘러싸며 분포된다.
선택적으로, 상기 팽창 가능 부재의 상부에 위치하는 가장자리 링을 더 포함하고, 상기 팽창 가능 부재와 가장자리 링 사이에는 갭이 있어, 상기 팽창 가능 부재에 팽창을 위한 충분한 공간이 있다.
선택적으로, 처리 챔버의 상단에 위치하는 실장용 기판 및 실장용 기판에 위치하는 가스 스프레이 헤드를 더 포함하며, 상기 가스 스프레이 헤드는 정전 척의 반대편에 설치된다.
선택적으로, 상기 처리 챔버의 상단에 위치하는 유전체 윈도우 및 유전체 윈도우 상부에 위치하는 유도 코일을 추가로 포함한다.
선택적으로, 상기 팽창 가능 부재와 처리 챔버의 하부 사이에 위치하는 절연 링을 더 포함한다.
이에 대응하여, 본 발명은 플라즈마 처리 장치의 조절 방법에 있어서, 상기 플라즈마 처리 장치를 제공하며, 상기 초점 링의 상부와 정전 척 사이의 거리는 사전에 설정된 범위를 초과하며; 상기 제1 유체탱크 내부에 제1 유체를 주입하고, 상기 제1 유체의 온도를 조절하여, 상기 팽창 가능 부재가 팽창 또는 수축하도록 하며, 상기 초점 링에서 정전 척 사이의 거리가 사전에 설정된 범위 내에 있도록, 열전도 링 및 초점 링을 정전 척의 표면에 수직인 방향으로 이동하도록 하는 플라즈마 처리 장치의 조절 방법을 제공한다.
선택적으로, 상기 플라즈마 처리 장치 내부에서 제1 플라즈마 공정을 진행하며, 제1 플라즈마 공정 초기 단계에서 상기 초점 링의 상단에서 정전 척까지의 거리를 L로 설정하며, 제1 플라즈마 공정이 진행됨에 따라, 상기 초점 링의 상단에서 정전 척까지의 거리는 점차 L보다 작아지고, 상기 초점 링 상단에서 정전 척까지의 거리가 사전에 설정한 범위인 L-ΔL를 초과하면, 상기 제1 유체의 온도를 높여, 상기 팽창 가능 부재가 팽창되도록 하여, 상기 초점 링의 상단과 초점 링 사이의 거리가 L로 회복되도록, 초점 링을 위로 이동시킨다.
선택적으로, 상기 플라즈마 처리 장치 내부에서 제1 플라즈마 공정을 진행한 후, 제2 플라즈마 공정을 진행하며, 상기 제2 플라즈마 공정과 제1 플라즈마 공정의 사전 설정된 범위는 상이하며 제1 유체의 온도를 조절하여 상기 팽창 가능 부재가 팽창 또는 수축하도록 하여, 상기 초점 링과 정전 척 사이의 거리가 제2 플라즈마 공정의 사전 설정 범위 내에 있도록, 열전도 링 및 초점 링을 정전 척의 표면에 수직인 방향으로 이동시킨다.
기존 기술에 비해, 본 발명의 실시예의 기술적 해결책은 다음과 같은 유익한 효과를 갖는다:
본 발명의 기술적 해결책에 의해 제공되는 플라즈마 처리 장치에서, 상기 팽창 가능 부재에는 높은 열팽창 계수를 갖는 재료가 포함되며, 팽창 가능 부재 내부의 제1 유체의 온도를 조절함으로써, 상기 팽창 가능 부재가 팽창 또는 수축될 수 있게 한다. 상기 팽창 가능 부재가 열전도 링에 연결되어 있기 때문에, 상기 팽창 가능 부재가 팽창 또는 수축할 때 열전도 링의 움직임을 유도할 수 있다. 상기 열전도 링은 초점 링의 하부에 위치 하므로, 팽창 가능 부재가 팽창 또는 수축 될 때, 초점 링을 올리거나 내려, 상기 초점 링과 정전 척 표면 사이의 높이 차이가 조절 가능하도록 하며, 따라서 정전 척의 표면에서 가공될 기판의 가장자리 부분의 전기장 방향도 조절 가능하므로 가공될 기판의 가장자리 구역의 시준성을 동적으로 조절하는데 유리하다.
또한, 상기 팽창 가능 부재의 측벽은 열전도 링의 측벽과 연결되어, 팽창 가능 부재의 높이가 비교적 높게 하고, 팽창 가능 부재의 온도가 일정하게 상승할 때, 팽창 가능 부재의 팽창 보상값이 비교적 크게 된다. 다시 말해, 동일한 팽창 보상값을 얻기 위해서는, 팽창 가능 부재의 높이가 더 크기 때문에, 팽창 가능 부재가 상승해야 하는 온도는 비교적 낮다.
도 1은 본 발명의 플라즈마 처리 장치의 구조 설명도이다.
도 2는 본 발명의 다른 플라즈마 처리 장치의 구조 설명도이다.
도 3은 도 1의 플라즈마 처리 장치에서의 팽창 가능 부재 및 열전도 링의 조감도이다.
도 4는 도 1의 플라즈마 처리 장치의 다른 팽창 가능 부재 및 열전도 링의 조감도이다.
도 5는 본 발명의 플라즈마 처리 장치의 조절 방법 흐름도이다.
배경 기술에서 서술한 바와 같이, 기존의 플라즈마 처리 장치는 가공될 기판의 가장자리 식각의 시준성을 조절하기가 어려우며, 상기 기술적인 문제를 해결하기 위해 본 발명의 기술방안은 플라즈마 처리 장치에 있어서, 처리 챔버; 상기 처리 챔버 내부의 하단에 위치하는 베이스; 상기 베이스에 위치하며, 가공될 기판을 적재 및 흡착하는 정전 척; 상기 정전 척을 둘러싸는 초점 링; 상기 초점 링의 하단에 위치하며 상기 베이스를 둘러싸는 열전도 링; 처리 챔버의 하단에 고정되고 상기 열전도 링과 연결되는 팽창 가능 부재;를 포함하며, 상기 팽창 가능 부재에는 열팽창 계수가 높은 재료가 포함되며, 상기 팽창 가능 부재의 내부에는 제1 유체탱크가 구비되며, 상기 유체탱크는 제1 유체를 수납하는 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 상기 플라즈마 처리 장치는 새로운 초점 링을 교체하지 않고 가공될 기판 가장자리 부분의 식각의 시준성을 동적으로 조절할 수 있다.
본 발명의 상기 목적, 특징 및 유익한 효과를 보다 명확하고 이해하기 쉽게 하기 위해, 첨부된 도면을 결합하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 플라즈마 처리 장치의 구조 설명도이다.
도 1을 참조하면, 처리 챔버(100); 상기 처리 챔버(100) 내부의 하단에 위치하는 베이스(101); 상기 베이스(101)에 위치하며, 가공될 기판을 적재 및 흡착하는 정전 척(102); 상기 정전 척(102)을 둘러싸는 초점 링(103); 상기 초점 링(103)의 하단에 위치하며 상기 베이스(101)를 둘러싸는 열전도 링(104); 및 상기 열전도 링(104)과 연결되는 팽창 가능 부재(105);를 포함하며, 상기 팽창 가능 부재(105)는 열팽창 계수가 높은 재료를 포함하며, 상기 팽창 가능 부재(105)의 내부에는 제1 유체탱크(105a)가 구비되며, 상기 제1 유체탱크(105a)는 제1 유체를 수용하고, 상기 제1 유체의 온도를 변화시켜, 상기 팽창 가능 부재(105)가 팽창 또는 수축하게 하며, 상기 열전도 링(104)이 정전 척(102)의 표면에 수직인 방향으로 이동하도록 하여 상기 초점 링(103)의 높이를 변경한다.
본 실시예에서, 플라즈마 처리 장치는 용량 결합 플라즈마 식각 장치(CCP)이며, 상기 플라즈마 처리 장치에는: 실장용 기판(미도시), 가스 스프레이 헤드(106), 가스 공급 장치(107) 및 무선주파수 파워 소스가 더 포함되며, 상기 실장용 기판(미도시)은 상기 처리 챔버(100)의 상단에 위치하며, 상기 가스 스프레이 헤드(106)는 실장용 기판(미도시)에 위치하고, 정전 척(102)의 반대편에 배치되며, 상기 가스 공급 장치(107)는 상기 가스 스프레이 헤드(106)에 연결되고, 가스 스프레이 헤드(106) 내부에 반응 가스를 수송하며, 상기 무선주파수 파워 소스는 상기 가스 스프레이 헤드(106) 또는 베이스(101)에 연결되며, 대응되는 가스 스프레이 헤드(106) 또는 베이스(101)는 접지되며, 상기 무선주파수 파워 소스에서 발생하는 무선주파수 신호는 가스 스프레이 헤드(106)와 베이스(101)에 의해 형성되는 전기 용량을 통해 반응 가스를 플라즈마로 전환하며, 상기 플라즈마는 가공될 기판에 플라즈마 공정 처리를 한다.
상기 가공될 기판의 주변에는 초점 링(103)이 구비되며, 이는 가공될 기판의 반경을 바깥쪽으로 확장하는 것과 동일하므로, 가공될 기판 상부와 동일한 조건의 플라즈마가 초점 링(103) 상부에 생성되어, 가공될 기판 상부의 플라즈마 분포의 가장자리를 초점 링(103)의 외측벽까지 효과적으로 확장하여, 플라즈마의 분포 범위를 확대하고, 가공될 기판 표면의 플라즈마 밀도 분포 곡선을 확장하여, 가공될 기판의 플라즈마 밀도 분포가 완만해지고, 나아가 가공될 기판의 플라즈마 밀도 분포가 더 균일해지도록 하여, 가장자리 부분 및 중심 부분의 식각 공정 균일성 확보에 유리하다.
초점 링(103)의 재료에는 규소 또는 탄화 규소를 포함되며, 상기 가공될 기판의 재료에는 규소가 포함되므로, 가공될 기판의 표면에서 플라즈마 처리를 하는 과정에서, 초점 링(103)의 표면을 식각하기 용이하며, 즉, 가공될 기판의 표면에 플라즈마 처리를 하는 과정에서, 초점 링(103)의 높이는 지속적으로 줄어들며, 따라서, 상기 초점 링(103)의 초기 설계 높이는 가공될 기판의 높이보다 약간 높으며, 초점 링(103)이 초기 설계 높이와 가공될 기판 표면의 높이차를 L로 정의하면, 이때, 가공될 기판 표면의 가장 자리 부분 및 중심 부분의 시준성이 비교적 우수하다.
식각 공정이 진행됨에 따라, 상기 초점 링(103)의 높이는 지속적으로 감소하여, 상기 초점 링(103)과 가공될 기판 사이의 높이차가 L보다 작게 되며, 초점 링(103) 높이의 일정 감소 범위 내에서, 상기 가공될 기판의 가장자리 부분의 시준성이 허용 가능하며, 이때의 초점 링(103)과 가공될 기판 표면 사이의 높이차는 L-ΔL(0보다 크다)로 정의한다. 초점 링(103)의 높이가 계속하여 감소하면, 상기 초점 링(103)과 가공될 기판의 높이차가 L-ΔL보다 작게 되며, 이때, 상기 가공될 기판의 가장자리 시준성이 허용 범위를 초과하게 된다. 일반적인 해결책은 초점 링(103)을 새 것으로 교체하는 것이다. 그러나, 초점 링(103)을 새로 교체하면, 필연적으로 원가가 증가한다. 본 발명의 해결책은 초점 링(103)을 새로 교체하지 않고, 팽창 가능 부재(105)를 이용하여 초점 링(103)의 높이를 높여주어, 상기 초점 링(103)과 가공될 기판의 높이차가 L로 회복시키는 것을 포함한다. 이하, 팽창 가능 부재(105)에 의해 초점 링(103)의 높이를 높이는 방법에 대해 상세하게 설명한다:
본 실시예에서, 상기 팽창 가능 부재(105)의 재료에는 높은 열팽창 계수를 갖는 금속 재료가 포함되며, 상기 높은 열팽창 계수를 갖는 금속 재료에는 알루미늄 합금(열팽창 계수: 23.3×10-6/℃)이 포함된다.
다른 실시예에서, 상기 팽창 가능 부재의 재료에는 높은 열팽창 계수를 갖는 유기 재료가 포함되며; 상기 높은 열팽창 계수를 갖는 유기 재료에는: 폴리 메틸 메타크릴레이트(열팽창 계수: 130×10-6/℃), 폴리 염화 비닐(열팽창 계수: 80×10-6℃), 폴리 아미드(열팽창 계수: 110×10-6/℃ ~ 140×10-6/℃)가 포함된다.
상기 팽창 가능 부재(105)와 열전도 링(104)이 강접합으로 연결되어, 상기 열전도 링(104)은 초점 링(103)의 하부에 위치하여, 초점 링(103)을 지탱하고 초점 링의 온도를 제어하며, 따라서, 제1 유체의 온도를 높여, 팽창 가능 부재(105)가 팽창하도록 할 수 있으며, 이로써, 상기 팽창 가능 부재(105)는 열전도 링(104)을 이끌어 초점 링(103)을 올라가게 하여, 초점 링(103) 표면의 플라즈마 쉬스가 올라가게 되며, 이는 가공될 기판의 가장 자리 부분의 전기장 방향을 개선하는데 유리하며, 따라서, 가공될 기판의 가장 자리 부분의 시준성을 향상하고, 가공될 기판의 가장 자리 부분과 중심 부분의 식각 균일성 향상에 유익하다.
상기 제1 유체에는 액체 또는 기체가 포함된다.
본 실시예에는: 초점 링(103)과 열전도 링(104) 사이에 위치하는 열전도 결합 링(108); 상기 열전도 결합 링(108)과 초점 링(103)의 경계면, 및 열전도 결합 링(108)과 열전도 링(104)의 경계면에 위치하는 열전도 접착제(109)가 더 포함된다.
상기 열전도 결합 링(108)은 열전도 링(104)과 초점 링(103) 사이의 열 전도를 촉진한다. 상기 열전도 결합 링(108)의 재료에는, 열전도 성능이 양호하지만 전기 절연성인 재료가 포함되며, 예를 들어, 상기 열전도 결합 링(108)의 재료에는 산화 알루미늄 또는 석영이 포함된다.
상기 열전도 접착제(109)는 상기 열전도 결합 링(108)과 초점 링(103)의 경계면, 및 열전도 결합 링(108)과 열전도 링(104)의 경계면의 열전도성을 향상시키며, 열전도 링(104)이 초점 링(103)의 온도를 더 잘 제어하는데 유리하다.
초점 링(103)은 플라즈마 처리 과정에서 플라즈마의 충격을 지속적으로 받으므로, 초점 링(103)의 온도는 비교적 높다. 상기 초점 링(103)의 온도가 비교적 높으면, 플라즈마의 분포에 불리하며, 따라서, 상기 열전도 링(104)의 내부에 제2 유체탱크(104a)를 설치하고, 상기 제2 유체탱크(104a) 내부의 제2 유체의 온도를 제어하여, 초점 링(103)의 온도를 낮추고, 초점 링(103)의 온도가 지나치게 높아지는 것을 방지한다,
상기 팽창 가능 부재(105)와 열전도 링(104)을 연결하는 의미는: 상기 팽창 가능 부재(105)가 열전도 링(104)을 구동하여 초점 링(103)을 올리는 과정에서, 한편으로 상기 초점 링(103)과 열전도 링(104) 사이의 전기 용량이 변하지 않도록 하며, 상기 열전도 링(104)과 베이스(101)는 전위가 동일하며, 따라서 상기 초점 링(103)과 베이스(101) 사이의 전기 용량이 변하지 않아, 가공될 기판의 가장 자리 부분에서 플라즈마 쉬스의 두께가 변하지 않는다. 다른 한편으로, 이동하는 과정에, 상기 열전도 링(104)은 계속하여 초점 링(103)의 온도를 독립적으로 제어하여, 초점 링(103)과 가공될 기판의 가장 자리 온도 차이를 조절 가능하게 하며, 따라서 상기 가공될 기판 가장 자리의 폴리머 분포를 조절할 수 있어, 가공될 기판의 가장 자리 부분에 공정 요구를 만족하는 그루브를 형성하는 것에 유리하다.
또한, 상기 팽창 가능 부재(105)가 열전도 링(104)을 이끌어 초점 링(103)을 올리는 과정에서, 상기 열전도 링(104), 열전도 결합 링(108) 및 초점 링(103)이 동시에 올려지며, 초점 링(103)만 올려지는 것이 아니므로, 초점 링(103)과 열전도 결합 링(108) 사이에 초점 링(103)만 올려지고 열전도 결합 링(108)은 올려지지 않음으로 인한 갭이 형성되지 않으며, 따라서, 초점 링(103)과 열전도 결합 링(108) 사이의 아크 방전 현상 방지에 유리하며, 동시에, 열전도 링(104), 열전도 결합 링(108) 및 초점 링(103)은 동시에 승강하여, 초점 링과 열전도 링 사이의 온도 전달을 효과적으로 보장한다.
본 실시예에서 상기 팽창 가능 부재(105)의 측벽은 열전도 링(104)의 측벽과 연결되며, 상기 팽창 가능 부재(105)는 열전도 링(104)을 둘러싸며, 상기 팽창 가능 부재(105)의 하단은 처리 챔버(100)에 연결되므로, 상기 팽창 가능 부재(105)의 높이가 비교적 높게 된다. 팽창 가능 부재(105)의 보상값 수학식은 Δd = d * (T-T0) * α이며, 여기서 Δd는 팽창 가능 부재(105)의 보상값, d는 팽창 가능 부재(105)의 높이, T는 팽창 가능 부재(105)의 온도, T0은 팽창 가능 부재(105)의 기준 온도이다. 팽창 가능 부재(105)의 보상값에 관한 수학식으로부터 T-T0의 값이 일정할 경우, 팽창 가능 부재(105)의 높이가 높을수록 팽창 가능 부재(105)의 보상값이 더 크며, 또는 팽창 가능 부재(105)의 보상값이 일정 할 경우, 높이가 높을수록, 온도를 조금만 높여도 실현할 수 있다.
본 실시예에서 상기 팽창 가능 부재(105)와 열전도 링(104) 사이에는 단열 링(110)이 구비된다. 상기 단열 링(110)은 팽창 가능 부재(105)와 열전도 링(104) 사이의 상호 간섭을 방지한다.
본 실시예에서 플라즈마 처리 장치에는: 상기 팽창 가능 부재(105)의 상부에 위치하는 가장자리 링(111); 상기 가장자리 링(111)의 하부에 위치하는 차단 링(112); 상기 차단 링(112)을 둘러싸는 하단 접지 링(113); 및 상기 하단 접지 링(113)과 처리 챔버(100) 사이에 위치하는 플라즈마 제한 링(114)이 더 포함되며, 여기서, 상기 팽창 가능 부재(105)와 가장자리 링(111) 사이에는 갭(150)이 구비되어, 상기 팽창 가능 부재(105)에 충분한 팽창 공간을 제공하며, 상기 차단 링(112)은 팽창 가능 부재(105)를 둘러싼다.
본 실시예에서 상기 팽창 가능 부재(105)의 높이는 가장자리 링(111)의 배치에 유리하도록 지나치게 높지 않다.
본 실시예에서 팽창 가능 부재(105)와 처리 챔버(100)의 하부 사이에 절연 링(160)이 더 구비된다. 상기 절연 링(160)은 팽창 가능 부재(105)와 처리 챔버(100) 사이를 이격시킨다. 상기 열전도 링(104)은 고전위이고, 처리 챔버(100)는 접지되지만, 상기 절연 링(160)이 팽창 가능 부재(105)와 처리 챔버(100) 사이를 이격시키므로, 상기 열전도 링(104)과 팽창 가능 부재(105) 사이에서 아크 방전이 쉽게 발생하지 않는다. 동시에, 열전도 링(104), 열전도 결합 링(108) 및 초점 링(103)이 동시에 승강하여, 초점 링과 열전도 링 사이의 온도 전달을 효과적으로 보장한다.
본 실시예에서 초점 링(103)을 구동하는 승강 장치는 비교적 간단하며, 복잡한 기계 승강 장치가 필요하지 않다.
상기 팽창 가능 부재(105)는 초점 링(103)을 올려, 상기 초점 링(103)과 가공될 기판의 높이차를 L로 회복시켜, 기존의 플라즈마 공정을 계속 진행하게 하는 것 외에도, 상기 팽창 가능 부재(105)는 초점 링(103)의 높이를 조절하여, 기타 플라즈마 공정 요구를 만족시킬 수 있다. 그 이유는: 플라즈마 처리 장치의 이용률을 높이기 위해, 상기 플라즈마 처리 장치에서 한 가지 플라즈마 공정만 진행하는 것이 아니며, 여러 가지 플라즈마 공정을 진행할 수 있으며, 상이한 플라즈마 공정은 초점 링(103) 상단과 정전 척(102) 사이의 거리에 대한 요구가 다르고, 따라서 제1 유체의 온도를 조절하는 것을 통해, 상기 팽창 가능 부재(105)가 팽창 또는 수축하게 하여, 열전도 링(104)과 초점 링(103)이 정전 척(102)의 표면에 수직인 방향으로 이동하게 하여, 상기 초점 링(103)과 정전 척(102) 사이의 거리가 상이한 플라즈마 공정의 요구를 만족하도록 한다.
도 2는 본 발명의 다른 플라즈마 처리 장치의 구조 설명도 이다.
도 2를 참고하면, 처리 챔버(200); 상기 처리 챔버(200) 내부의 하단에 위치하는 베이스(201); 상기 베이스(201)에 위치하고, 가공될 기판을 적재 및 흡착하는 정전 척(202); 상기 정전 척(202)을 둘러싸는 초점 링(203); 상기 초점 링(203)의 하단에 위치하며 상기 베이스(201)를 둘러싸는 열전도 링(204); 및 상기 열전도 링(204)과 연결되는 팽창 가능 부재(205);를 포함하며, 상기 팽창 가능 부재(205)는 열팽창 계수가 높은 재료를 포함하며, 상기 팽창 가능 부재(205)의 내부에는 제1 유체탱크(205a)가 구비되며, 상기 제1 유체탱크(205a)는 제1 유체를 수용하며, 상기 제1 유체의 온도를 변화시켜, 상기 팽창 가능 부재(205)가 팽창 또는 수축 하게 하며, 상기 열전도 링(204)이 정전 척(202)의 표면에 수직인 방향으로 이동하도록 하여 상기 초점 링(203)의 높이를 변경한다.
본 실시예에서, 플라즈마 처리 장치는 유도 결합 플라즈마 식각 설비(ICP）이고, 상기 플라즈마 처리 장치에는: 상기 처리 챔버(200) 상단에 위치하는 유전체 윈도우(206); 상기 유전체 윈도우(206)의 상부에 위치하는 유도 코일(207); 처리 챔버(200) 내부에 반응 가스를 수송하는 가스 수송 통로(208);를 포함한다. 상기 유도 코일(207)은 무선주파수 파워 소스(미도시)에 연결되며, 상기 무선주파수 파워 소스는 유도 코일(207)에 비교적 강한 고주파 교번 자기장이 형성되도록 구동하여, 반응 가스가 플라즈마로 전환되게 하며, 상기 플라즈마는 가공될 기판의 표면에 대해 플라즈마 공정 처리를 진행한다.
본 실시예에서 상기 팽창 가능 부재(205)의 상단은 상기 열전도 링(204)의 하단에 연결된다.
위의 실시예와 같이, 상기 팽창 가능 부재(205)는 초점 링(203)을 올려, 상기 초점 링(203)과 가공될 기판의 높이차를 L로 회복시켜, 기존의 플라즈마 공정을 계속하여 진행하게 하는 것 외에도, 상기 팽창 가능 부재(205)는 초점 링(203)의 높이를 조절하여, 상이한 플라즈마 공정 요구를 만족시킬 수 있다. 본 실시예에서, 상기 초점 링(203)과 열전도 링(204) 사이에는 열전도 결합 링 및 열전도 접착제가 구비되며, 상기 열전도 결합 링 및 열전도 접착제는 위의 실시예와 동일하므로, 여기서 반복하여 서술하지 않는다.
상기 팽창 가능 부재(205)는 열전도 링(204), 열전도 결합 링 및 초점 링(203)을 동시에 올리거나 내릴 수 있어, 한편으로 상기 초점 링(203)과 열전도 링(204) 사이의 전기 용량이 변하지 않도록 하고, 상기 열전도 링(204)과 베이스(201)는 전위가 동일하며, 따라서 상기 초점 링(203)과 베이스(201) 사이의 전기 용량이 변하지 않아, 가공될 기판의 가장 자리 부분에서 플라즈마 쉬스의 두께가 변하지 않는다. 다른 한편으로, 이동하는 과정에서, 상기 열전도 링(204)은 계속하여 초점 링(203)의 온도를 독립적으로 제어하여, 초점 링(203)과 가공될 기판의 가장 자리 온도 차이를 조절 가능하게 하며, 따라서 상기 가공될 기판 가장자리의 폴리머 분포를 조절할 수 있어, 가공될 기판의 가장자리 부분에 공정 요구를 만족하는 그루브를 형성하는 것에 유리하다.
또한 상기 팽창 가능 부재(205)가 열전도 링(204) 및 초점 링(203)을 동시에 올리거나 내릴 수 있으며, 초점 링(203)만 올리거나 내리는 것이 아니므로, 초점 링(203)과 열전도 결합 링 사이에 초점 링(203)만 올려지고 열전도 결합 링은 올려지거나 내려지지 않음으로 인한 갭이 발생하지 않으며, 따라서, 초점 링(203)과 열전도 결합 링 사이의 아크 방전 현상 방지에 유리하다.
본 실시예에서 상기 팽창 가능 부재(205)와 처리 챔버(200) 사이에는 절연 링(260)이 더 구비되며, 상기 절연 링(260)은 위의 실시예와 동일하므로 여기서 반복하여 서술하지 않는다.
본 실시예에서 초점 링(203)을 구동하는 승강 장치는 비교적 간단하며, 복잡한 기계 승강 장치가 필요하지 않다.
도 1 및 도 2 중의 플라즈마 처리 장치에서, 상기 팽창 가능 부재는 모두 튜브 구조일 수 있으며; 또는, 상기 팽창 가능 부재는 하나 이상으로, 복수의 상기 팽창 가능 부재는 서로 분리되어 베이스를 둘러싸고 분포될 수 있다. 이하 도 1의 플라즈마 처리 장치에서의 팽창 가능 부재와 열전도 링의 조감도에 대해 설명한다.
도 3은 도 1의 플라즈마 처리 장치에서의 팽창 가능 부재 및 열전도 링의 조감도이다.
도 3을 참고하면, 팽창 가능 부재(105)는 열전도 링(104)을 둘러싸며, 상기 팽창 가능 부재(105)의 측벽과 열전도 링(104)의 측벽 사이는 커넥터(300)에 의해 연결된다.
본 실시예에서 상기 팽창 가능 부재(105)는 튜브 ±조이다. 상기 커넥터(300)는 팽창 가능 부재(105)와 열전도 링(104) 사이에 분포된다.
본 실시예에서 상기 커넥터(300)는 나사이다. 다른 실시 예에서, 상기 커넥터는 기타 연결 부품일 수 있다.
본 실시예에는, 상기 팽창 가능 부재(105)와 열전도 링(104) 사이의 열차단 링(110)이 더 포함된다. 상기 열차단 링(110)은 팽창 가능 부재(105)와 열전도 링(104) 사이의 열 차단에 사용된다.
도 4는 도 1의 플라즈마 처리 장치에서의 다른 팽창 가능 부재 및 열전도 링의 조감도이다.
도 4 를 참고하면 팽창 가능 부재(105)는 열전도 링(104)을 둘러싸며, 상기 팽창 가능 부재(105)의 측벽과 열전도 링(104)의 측벽 사이는 커넥터(400)에 의해 연결된다.
본 실시예에서 상기 팽창 가능 부재(105)는 아치형 구조이고 상기 팽창 가능 부재(105) 하나보다 많으며, 복수 개의 팽창 가능 부재(105)는 열전도 링(104)의 바깥 둘레에 분포되며, 따라서 초점 링의 둘레를 따라 필요로 하는 높이가 상이할 경우, 상이한 구역의 팽창 가능 부재(105)를 별도로 조절하여 실현할 수 있으며, 이는 초점 링의 원주 방향에서의 플라즈마 분포의 균일성 향상에 유리하다.
본 실시예에는 상기 팽창 가능 부재(105)와 열전도 링(104) 사이에 위치하는 열차단 링(110)이 포함된다.
상기 열차단 링(110) 및 커넥터(400)는 도 3에 도시된 실시예와 동일하므로 여기서 반복하여 서술하지 않는다.
도 5는 본 발명의 플라즈마 처리 장치의 조절 방법 흐름도이다.
도5를 참고하면, S1단계: 상술한 플라즈마 처리 장치를 제공하며, 상기 초점 링의 상단에서 정전 척 표면까지의 거리는 사전 설정 범위를 초과하며;
S2 단계: 상기 제1유체탱크 내부에 제1 유체를 주입하여, 상기 체 1 유체의 온도를 조절하며, 상기 팽창 가능 부재가 팽창 또는 수축하도록 하며, 상기 초점 링에서 정전 척까지의 거리가 사전 설정 범위 내에 있도록, 열전도 링 및 초점 링을 정전 척 표면과 수직인 방향으로 이동시킨다.
상기 플라즈마 처리 장치 내부에서 제1 플라즈마 공정을 진행하며, 초점 링이 가공될 기판의 표면을 처리하는 과정에서 지속적으로 소모되는 것을 감안하여, 새로운 초점 링의 높이는 가공될 기판의 표면보다 조금 높으며, 상기 새로운 초점 링의 높이와 가공될 기판의 높이 차이를 L로 정의하면, 이때, 플라즈마 처리 장치에서 가공될 기판 표면의 가장 자리 부분 및 중심 부분에 대한 식각의 시준성이 비교적 우수하다. 식각 공정이 진행 됨에 따라, 상기 초점 링(103)의 높이는 지속적으로 감소하여, 상기 초점 링(103)과 가공될 기판 사이의 높이 차이가 L보다 작게 되며, 초점 링(103) 높이의 일정한 감소 범위 내에서, 상기 가공될 기판의 가장자리 부분의 시준성은 여전히 수용 가능하며, 이때 초점 링(103)과 가공될 기판 표면의 높이 차이를 L-ΔL로 정의한다. 초점 링(103)의 높이가 계속하여 감소하면, 상기 초점 링(103)과 가공될 기판의 높이차는 L-ΔL보다 커지며, 이때, 상기 가공될 기판 가장 자리의 시준성은 수용 가능한 범위를 초과하게 된다.
새로운 초점 링과 가공될 기판의 높이차가 L에서 L-ΔL로 줄어들 때 소요되는 시간은 제1 수명이며, 상기 사전설정 범위는: L~（L-ΔL)이다.
상기 초점 링(103)과 가공될 기판 표면의 높이차가 L-ΔL일 경우, 팽창 가능 부재를 팽창시켜 초점 링(103)을 올리며, 상기 초점 링과 가공될 기판의 높이차가 L로 회복되게 하여, 제1 플라즈마 공정의 수요를 계속하여 만족시킨다.
초점 링(103)을 올려서, 상기 초점 링과 가공될 기판 사이의 높이차를 L로 회복시키는 정량 분석은 구체적으로 아래와 같다:
본 실시예에서, (1) 팽창 가능 부재의 높이 d=200mm, 팽창 가능 부재 내부의 제1 유체의 온도 범위T: 0℃-100℃; (2) 팽창 가능 부재의 재질은 알루미늄 합금, 열팽창 계수 α=23.3*10-6/℃; (3) 초점 링과 가공될 기판의 초기 높이차 L=2mm, 제1 기준 수명 T1=200 RF hrs, 대응되는 초점 링 높이 감소값 ΔL=0.2mm; (4) 초점 링 높이에 대한 팽창 가능 부재의 보상값 Δd=d*(T-T0)*α이며, 여기서, T0은 팽창 가능 부재의 기준 온도이며, T0=Tlow=0℃로 가정한다.
다른 실시예에서, 팽창 가능 부재의 높이는 다른 값을 가질 수도 있다.
위의 조건에 기초하여, 팽창 가능 부재의 보상값은 팽창 가능 부재의 온도에 따라 아래와 같이 변화한다:
팽창 가능 부재의 온도 (℃) 20 40 60 80 100
초점 링 높이 보상값 (mm) 0.09 0.19 0.28 0.37 0.47
위의 표에서 볼 수 있는 바와 같이, 제1 수명이 끝날 때, 제1 유체의 온도를 40℃까지 높일 수 있으며, 이때, 초점 링의 높이에 대한 팽창 가능 부재의 보상값은 0.19mm이다. 초점 링이 0.19mm 올리면, 초점 링이 기본적으로 초기 위치로 복원되며, 이때, 가공될 기판 가장자리 부분의 식각 시준성이 비교적 우수하다. 초점 링의 높이 보상값이 0.19mm일 때, 가공될 기판에 대해 계속하여 식각 처리하고, 초점 링과 가공될 기판의 높이차가 L-ΔL보다 클 때에만, 상기 초점 링의 제2 수명이 종료되며, 상기 제2 수명과 제1 수명은 대략적으로 동일한 것으로 간주되며, 이때, 초점 링의 총 수명은 제1 수명의 2배로 연장되며, 즉 이 때 초점 링의 총 수명은 400 RF hrs이다.
초점 링의 제2 수명이 종료될 때, 제1 유체의 온도를 80℃ 좌우까지 높이고, 다시 초점 링의 높이를 보상하며, 보상값은 0.18mm이다. 초점 링이 0.18mm 올려지면, 초점 링은 기본적으로 초기 위치로 회복되며, 이때 가공될 기판의 가장자리 부분의 식각 시준성이 비교적 우수하다. 초점 링의 높이 보상값이 0.18mm일 때, 가공될 기판에 대해 계속하여 식각 처리하며, 초점 링과 가공될 기판의 높이차가 L-ΔL보다 클 때에만, 상기 초점 링의 제 3 수명이 종료되며, 상기 제 3 수명과 제1 수명은 대략적으로 동일한 것으로 간주되며, 이때, 초점 링의 총 수명은 제1 수명의 3배로 연장되며, 즉 이때 초점 링의 총 수명은 600 RF hrs이다.
초점 링의 제 3 수명이 종료될 때, 제1 유체의 온도가 최고 온도인 100℃까지 높아져, 초점 링에 대한 마지막 보상을 완성하며, 이때 초점 링에 대한 높이 보상값은 0.1mm이고, 초점 링의 총 수명은 제1 수명의 3.5배로 연장되며, 즉 이때 초점 링의 총 수명은 700 RF hrs이다.
상술한 바를 종합하면, 상기 초점 링의 사용 수명의 영향 요소에는: 제1 유체의 온도 상한이 포함되며, 구체적으로, 제1 유체 온도의 상한 온도가 높을수록, 상기 초점 링의 사용 수명이 더 길며, 반대로, 제1 유체 온도의 상한이 낮을수록, 상기 초점 링의 사용 수명은 더 짧다.
제1 유체 온도의 상한 온도 및 초점 링의 초기 높이가 충분히 높을 경우, 초점 링의 사용 수명은 제N 수명으로 연장되고 Tn = NT1이며, 여기서 T1은 제1 수명이다.
제1 유체의 온도 상승 방식은 점프형 상승 방식으로, 예를 들면: 0℃ - 40℃ - 80℃ - 100℃일 수 있고; 또는, 제1 유체의 온도 상승 방식은 단계적 상승방식으로, 예를 들면: 0℃ - 5℃ - 10℃ ... - 100℃일 수 있다.
그러나, 실제 플라즈마 처리 장치에서, 상기 플라즈마 처리 장치 내부에서 제1 플라즈마 공정만 진행되는 것이 아니며, 제2 플라즈마 공정도 진행된다. 상기 제2 플라즈마 공정과 제1 플라즈마 공정의 사전 설정 범위는 상이하며, 제1 유체의 온도를 조절하는 것을 통해, 상기 팽창 가능 부재가 팽창 또는 수축하게 하여, 열전도 링 및 초점 링이 정전 척 표면에 수직인 방향으로 이동하게 하며, 상기 초점 링과 정전 척 사이의 거리가 제2 플라즈마 공정에서 사전 설정 범위 내에 있도록 한다.
이상과 같이 본 발명을 개시하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 당업자라면, 본 발명의 사상과 범위를 벗어나지 않고 다양한 변경 및 수정을 할 수 있으므로, 본 발명의 보호 범위는 청구범위에서 한정한 범위를 기준으로 해야 한다.

Claims (16)

  1. 플라즈마 처리 장치에 있어서,
    처리 챔버;
    상기 처리 챔버 내부의 하단에 위치하는 베이스;
    상기 베이스에 위치하며, 가공될 기판을 적재 및 흡착하는 정전 척;
    상기 정전 척을 둘러싸는 초점 링;
    상기 초점 링의 하단에 위치하며, 상기 베이스를 둘러싸는 열전도 링; 및
    상기 처리 챔버의 하단에 고정되고 상기 열전도 링과 연결되는 팽창 가능 부재;를 포함하며,
    상기 팽창 가능 부재의 내부에는 제1 유체탱크가 구비되며, 상기 제1 유체탱크는 제1 유체를 수용하고, 상기 제1 유체의 온도를 변화시켜, 상기 팽창 가능 부재가 팽창 또는 수축하게 하며, 상기 열전도 링이 상기 정전 척의 표면과 수직인 방향으로 이동하도록 하여, 상기 초점 링의 높이를 변경하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 팽창 가능 부재의 재료는 금속 재료이며; 상기 금속 재료에는 알루미늄 합금이 포함되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 팽창 가능 부재의 재료는 유기 재료이며; 상기 유기 재료에는 폴리 메틸 메타크릴레이트, 폴리 염화 비닐, 폴리아미드가 포함되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 팽창 가능 부재의 상단과 상기 열전도 링의 하단은 연결되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 팽창 가능 부재의 측벽과 상기 열전도 링의 측벽은 연결되며, 상기 팽창 가능 부재는 상기 열전도 링을 둘러싸는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 팽창 가능 부재와 상기 열전도 링은 나사로 고정되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 팽창 가능 부재와 상기 열전도 링 사이에 위치하는 열차단 링을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 팽창 가능 부재는 튜브 구조인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 팽창 가능 부재는 하나보다 많으며, 복수의 상기 팽창 가능 부재는 서로 분리되어 상기 베이스를 둘러싸며 분포되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  10. 제5항에 있어서,
    상기 팽창 가능 부재의 상부에 위치하는 가장자리 링;을 더 포함하며, 상기 팽창 가능 부재와 상기 가장자리 링 사이에는 갭이 있어, 상기 팽창 가능 부재에 팽창을 위한 충분한 공간이 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 처리 챔버의 상단에 위치하는 실장용 기판 및 상기 실장용 기판에 위치하는 가스 스프레이 헤드를 더 포함하며, 상기 가스 스프레이 헤드는 상기 정전 척의 반대편에 설치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 처리 챔버의 상단에 위치하는 유전체 윈도우 및 상기 유전체 윈도우의 상부에 위치하는 유도 코일을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 팽창 가능 부재와 상기 처리 챔버의 하부 사이에 위치하는 절연 링을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  14. 플라즈마 처리 장치의 조절 방법에 있어서,
    제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 따르는 플라즈마 처리 장치를 제공하며, 상기 초점 링의 상단에서 상기 정전 척까지의 거리는 사전 설정 범위를 초과하며;
    상기 제1 유체탱크 내부에 상기 제1 유체를 주입하며, 상기 제1 유체의 온도를 조절하여, 상기 팽창 가능 부재가 팽창 또는 수축하도록 하며, 상기 초점 링과 상기 정전 척 사이의 거리가 사전 설정 범위 내에 있도록, 상기 열전도 링 및 상기 초점 링을 상기 정전 척의 표면에 수직인 방향으로 이동하도록 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치의 조절 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 플라즈마 처리 장치 내부에서 제1 플라즈마 공정을 진행하며, 상기 제1 플라즈마 공정의 초기 단계에서 상기 초점 링의 상단에서 정전 척까지의 거리를 L이라 설정하며, 상기 제1 플라즈마 공정이 진행됨에 따라, 상기 초점 링의 상단에서 상기 정전 척까지의 거리는 점차 L보다 작아지며, 상기 초점 링의 상단에서 상기 정전 척까지의 거리가 사전 설정 범위인 L-ΔL를 초과하면, 상기 제1 유체의 온도를 높여, 상기 팽창 가능 부재가 팽창되도록 하여, 상기 초점 링의 상단과 상기 정전 척 사이의 거리가 L로 회복되도록, 상기 초점 링을 위로 이동시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치의 조절 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 플라즈마 처리 장치 내부에서 상기 제1 플라즈마 공정을 진행한 후, 제2 플라즈마 공정을 진행하며; 상기 제2 플라즈마 공정과 상기 제1 플라즈마 공정의 사전 설정 범위는 상이하며, 상기 제1 유체의 온도를 조절하여, 상기 팽창 가능 부재가 팽창 또는 수축하도록 하여, 상기 초점 링과 상기 정전 척 사이의 거리가 상기 제2 플라즈마 공정의 사전 설정 범위 내에 있도록, 상기 열전도 링 및 상기 초점 링을 상기 정전 척의 표면에 수직인 방향으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치의 조절 방법.
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