KR101008863B1 - 기판상의 중합체 증착을 감소시키기 위한 디바이스를 구비한 플라즈마 장치 및 중합체 증착을 감소시키는 방법 - Google Patents
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Abstract
조절가능한 RF 결합 링은 진공 프로세싱 챔버에서의 기판과 핫 에지 링 사이의 수직 간극을 줄일 수 있다. 간극의 감소는 기판 및 정전 척 상의 중합체 증착을 감소시키며 웨이퍼 프로세싱을 개선한다.
플라즈마 프로세싱, 프로세싱 챔버, 결합 링, 핫 에지 링, 간극 조절
Description
발명의 분야
본 발명은 기판 및 기판 지지대 상의 중합체 증착을 감소시키기 위한 장치 및 방법에 관한 것이며, 보다 상세하게는, 기판 홀더의 노출면 및 기판의 바닥면상의 중합체 증착을 감소시키기 위한 기판 홀더와 기판 사이의 간극 조절에 관한 것이다.
관련기술의 설명
일반적으로 진공 프로세싱 챔버는 프로세스 가스를 진공 챔버에 공급하고 그 가스에 RF 필드 (field) 를 인가함으로써 기판상의 재료 에칭 및 화학적 기상 증착 (CVD) 에 이용된다. 평행판, 유도 결합형 플라즈마 (TCPTM, ICP 로도 불림) 및 전자 사이클로트론 공진 (ECR) 반응기의 예들이 본 출원과 동일 출원인에 의한 미국 특허 제 4,340,462 호; 제 4,948,458 호; 및 제 5,200,232 호에서 개시되어 있다. 그 기판들은 프로세싱 동안 기판 홀더에 의해 진공 챔버 내의 위치에 고정된다. 종래의 기판 홀더는 기계적 클램프 및 정전 클램프 (ESC) 를 포함한다. 기계적 클램프 및 ESC 기판 홀더의 예들은 본 출원과 동일 출원인에 의한 미국 특허 제 5,262,029 호 및 본 출원과 동일 출원인에 의한 미국 특허 제 5,671,116 호에서 제공된다. 전극 형태의 기판 홀더는 미국 특허 제 4,579,618 호에 개시된 바와 같이 챔버에 고주파 (RF) 전력을 공급할 수 있다.
산소 에칭 프로세스에서 에칭되는 기판은 일반적으로 하층 (underlayer), 에칭될 산화물층, 및 그 산화물층의 상부에 형성되는 포토레지스트층을 포함한다. 산화물층은 SiO2, BPSG, PSG, 또는 다른 산화물 재료 중 하나일 수도 있다. 하층은 Si, TiN, 실리사이드 또는 다른 하부층 또는 기판 재료일 수도 있다. 기판의 프로세싱 동안, 챔버의 표면상에 원하지 않는 중합체 증착이 발생할 수 있다. 예컨대, 산화물 에칭동안 챔버가 80℃ 이상까지 가열되면, CF3 가 CF2 및 HF 를 형성하는 반응이 발생할 수 있다. CF2 의 형성은 챔버 내 표면상의 중합체 증착의 증가를 초래한다.
플라즈마 반응기에서 반도체 웨이퍼와 같은 기판을 에칭하는 동안에, 정전 척 (chuck) 과 같은 기판 지지대의 노출면 및 그 기판 지지대를 둘러싸고 있는 유전성의 고리모양 캡 (cap)/ 포커스 (focus) 링과 같은 다른 면을 포함하는 챔버의 냉각된 노출면에 중합체가 퇴적될 수 있다. 이러한 퇴적은 그것이 벗겨져 떨어져서 정전 척의 상면상에 운반되면 문제를 야기할 수도 있다. 이러한 척의 상면 상의 오염물질은 정전 척이 적절히 동작할 수 없도록 하여 정전 척이 웨이퍼를 안전하게 유지하지 못하게 한다. 또한, 그 오염물질은 냉각 매체로서 웨이퍼 아래에 공급되는 헬륨이 웨이퍼 하부로부터 누설되게 하여 웨이퍼 냉각을 감소시킬 수 있다. 또한, 오염물질은 웨이퍼상에 증착될 수도 있으며 웨이퍼 자체에 악영향을 미칠 수 있다.
중합체의 퇴적은 연속적인 웨이퍼들의 프로세싱 사이에 수행되는 세정 단계에 의해 제거될 수 있다. 일반적으로 세정은 챔버 내로의 산소 주입, 플라즈마 발생 (striking) 및 증착된 중합체와의 산소 반응에 의해 프로세싱 챔버의 공격성 산소세정을 달성함으로써 수행될 수 있다.
프로세싱 챔버의 공격성 산소세정은 이것이 웨이퍼 사이클 시간에 더해져 시스템의 처리율 (through-put) 을 저하시키므로 바람직하지 않다. 또한, 공격성 산소세정은 프로세싱 챔버 내의 부재들의 이온 충격으로 인해 그 부재의 수명을 감소시킬 것이다. 따라서, 공격성 산소세정 단계에 대한 필요없이 기판 프로세싱을 수행하여 사이클 시간을 단축하고 챔버 구성요소의 수명을 연장할 수 있다면 바람직할 것이다.
진공 프로세싱 챔버 (10) 의 일 예를 도 1 에 나타내었다. 진공 프로세싱 챔버 (10) 는 그 위에 지지되는 기판에 RF 바이어스를 제공하는 전극을 포함하는 기판 홀더 (12) 를 구비한다. 기판 홀더 (12) 는 기판을 클램핑시키기 위한 정전 클램프 (14) 를 포함한다. 정전 클램프 (14) 상에 위치되는 기판은 기판과 정전 클램프 사이에 제공된 헬륨 백쿨링 (backcooling) (미도시) 에 의해 냉각되는 것이 바람직하다. 링 (16) 이 정전 클램프 (14) 를 둘러싼다. 링 (16) 은 세라믹 포커스 링; 포커스 링, 결합 링 및 에지 링의 결합체; 또는 또 다른 링들의 결합체일 수도 있다.
진공 프로세싱 챔버 (10) 는 챔버 위에 위치하고 적절한 RF 소스로부터 전력을 공급받는 안테나 (18) (평면형 나선 코일 또는 다른 적절한 디자인과 같음) 와 같이 챔버 내에서 고밀도의 (예컨대, 1011~1012 ions/cm3) 플라즈마를 유지하기 위한 에너지원을 포함한다. 적절한 RF 임피던스 매칭 회로는 고밀도의 플라즈마를 제공하기 위해 RF 를 챔버 (10) 에 유도적으로 결합한다. 또한, 챔버 (10) 는 챔버 내부를 바람직한 압력 (예컨대, 50mTorr 이하, 전형적으로는 1~20 mTorr) 으로 유지하기 위한 적절한 진공 펌핑 장치를 구비한다. 유전성 윈도우 (20) (석영, 알루미나, 질화 실리콘 등의 균일한 두께를 가진 평면 시트 등) 이 프로세싱 챔버 (10) 내부와 안테나 (18) 사이에 제공되며 프로세싱 챔버 (10) 의 상부에서 진공 챔버 벽을 형성한다. 일반적으로 샤워헤드 (22) 라 불리는 유전성 가스 분배판은 윈도우 (20) 아래에 제공되며, 가스 공급원에 의해 프로세싱 챔버 (10) 로 공급된 프로세스 가스를 운반하기 위한 원형 홀 (미도시) 과 같은 다수의 개구를 포함한다. 그러나, 가스 분배판 (22) 은 생략될 수 있으며, 프로세스 가스는 가스 링 등과 같은 다른 장치에 의해 챔버로 공급될 수 있다.
프로세싱 챔버에서 중합체의 증착이 발생할 수 있는 일 영역으로는 정전 척 (14) 상에 지지된 웨이퍼와 이를 둘러싸는 링(들) (16) 사이의 좁은 간극 (30) 이 있다. 특히, 간극 (30) 은 그 둘러싸는 링에 돌출 (overhang) 하는 웨이퍼 에지의 아래에 제공된다. 이러한 간극 (30) 은 부품의 제조 오차, 열 팽창 및 마모를 고려한다. 그러나, 챔버 (10) 내의 프로세스 가스 및 휘발성의 부산물이 간극 (30) 안으로 이동할 수도 있으며, 간극 내 및 웨이퍼의 하측 에지에 바람직하지 않은 중합체 증착을 초래하는데, 이는 벗겨져 떨어져나갈 수 있고 웨이퍼 및/또는 챔버를 오염시킬 수도 있다.
도 2 는 포커스 링 (16'), 결합 링 (40), 및 핫 에지 링 (42) 을 포함하는 둘러싸는 링 및 정전 척 (14') 의 외측 부분을 나타내는 확대 단면도이다.
도 3 의 확대도에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼 형태의 기판 (S) 이 정전 척 (14') 상에 위치하고 적절한 정전 클램핑 힘에 의해 적절한 위치에 고정되었을 때, 핫 에지 링 (42) 의 에지에 제공된 그루브 (44) 와 기판 (S) 의 돌출 에지 사이에 작은 수직 간극 (30') 이 제공된다. 이 수직 클리어런스 (clearance) 간극 (30') 은 기판 (S) 의 돌출 에지가 올라가는 것을 방지하여 정전 척 (14') 에 의해 인가된 클램핑 힘의 감소를 피하도록 설계된다. 그러나, 이 부가적인 수직 클리어런스 간극 (30') 은 벗겨져 떨어져나가서 기판 (S) 또는 정전 척 (14') 을 오염시킬 수도 있는 중합체 퇴적에 대한 부가적인 가능성을 제공한다.
따라서, 핫 에지 링 (42) 또는 다른 둘러싸는 링과 돌출한 기판 에지 사이의 수직 간극 (30') 을 줄이는 것이 바람직할 것이다.
발명의 개요
본 발명은 기판과 기판 지지대를 둘러싸는 링 사이의 간극을 조절하기 위한 장치와 관련된 것이다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 플라즈마 프로세싱 장치는, 프로세싱 챔버, 기판을 프로세싱하기 위해 프로세싱 챔버 내부의 프로세스 가스를 플라즈마 상태로 활성화하는 전원, 프로세싱 챔버 내부에서 기판을 지지하고 상면을 가지는 기판 지지대, 기판 지지대를 둘러싸는 상부 링으로서, 기판이 기판 지지대상에 위치했을때 기판 아래로 연장되는 부분을 가지는 상부 링, 및 기판 지지대를 둘러싸는 결합 링으로서, 결합 링의 높이를 조절하고 상부 링과 기판 사이의 간극을 조절하기 위해 제 2 링에 대해 회전가능한 제 1 링을 가지는 결합 링을 구비한다.
본 발명의 또 다른 양태에 따르면, 플라즈마 프로세싱 장치는, 프로세싱 챔버, 기판을 프로세싱하기 위해 프로세싱 챔버 내부의 프로세스 가스를 플라즈마 상태로 활성화하는 프로세스 가스, 프로세싱 챔버 내부에서 기판을 지지하며 상면을 가지는 기판 지지대, 기판 지지대를 둘러싸는 상부 링으로서, 기판이 기판 지지대상에 위치했을때 기판 아래로 연장되는 부분을 가지는 상부 링, 및 기판 지지대를 둘러싸는 결합 링으로서, 결합 링의 높이를 조절하고 상부 링과 기판 사이의 간극을 조절하기 위해 제 2 링에 대해 회전가능한 제 1 링을 가지는 결합 링을 구비한다.
본 발명의 또 다른 양태에 따르면, 플라즈마 프로세싱 시스템에서의 기판 지지대 상의 중합체 증착을 감소시키는 방법은, 플라즈마 프로세싱 장치에서의 기판과 둘러싸는 링 사이의 간극을 조절하기 위한 조절 메커니즘을 제공하는 단계, 및 조절 메커니즘의 제 2 링에 대해 제 1 링을 회전시킴으로서 기판과 둘러싸는 링 사이의 간극을 조절하는 단계를 포함한다.
도면의 간단한 설명
첨부한 도면에 나타낸 바람직한 실시형태를 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명하며, 여기에서 동일한 도면부호는 동일한 대상을 나타낸다.
도 1 은 진공 프로세싱 챔버의 단면도이다.
도 2 는 정전 척 및 둘러싸는 링을 나타내는 도 1 의 일부의 확대 단면도이다.
도 3 은 도 2 의 A 부분의 확대 단면도이다.
도 4 는 조절가능한 결합 링을 포함하는 본 발명에 따른 진공 프로세싱 챔버의 일부의 확대 단면도이다.
도 5 는 도 4 의 조절가능한 결합 링의 개략적인 분해 사시도이다.
도 6 은 포커스 링과 기판 사이의 간극을 나타내는 정전 척 및 포커스 링의 일부를 나타내는 확대 단면도이다.
발명의 상세한 설명
본 발명의 일 실시형태에 따른 진공 프로세싱 챔버의 기판 지지대의 일부를 도 4 에 도시한다. 도 1 에 도시한 기판 지지대 (100) 는 정전 척 (102), 포커스 링 (104), 결합 링 (106) 및 핫 에지 링 (108) 을 구비한다.
플라즈마 프로세싱 기술에 정통한 자에게 잘 알려진 바와 같이, 정전 척을 둘러싸고 있는 링은 포커스 링 (104), 결합 링 (106) 및 핫 에지 링 (108) 을 포함하는데, 이는 특히 기판 에지에서의 프로세스 균일성을 개선하기 위해 기판의 표면상의 RF 유도 플라즈마 영역으로부터 이온을 포커싱하는 것을 돕는다. 이는 RF 전력이 정전 척 (102) 에 공급될 때, 등전위 필드 라인이 기판 및 바닥 전극 위에 형성되기 때문이다. 그 등전위 필드 라인은 정적이지 않으며 RF 사이클 동안 변한다. 시간 평균화된 필드는 벌크 (bulk) 플라즈마를 양극 (positive) 화시키고, 기판의 표면 및 정전 척을 음극 (negative) 화시킨다. 기하학적 요인으로 인해 기판 에지에서의 필드 라인은 균일하지 않다. 포커스 링, 결합 링 및 핫 에지 링은 플라즈마와 전력이 공급된 전극 (예컨대, RF 전력이 공급된 척) 사이의 커패시터로서 기능함으로써 RF 결합의 벌크를 기판을 통해 그 위에 놓인 플라즈마로 향하게 한다.
핫 에지 링 (108) 은 조절가능한 RF 결합 링 (106) 위에 놓인다. 핫 에지 링 (108) 은 정전 척 (102) 을 둘러싸는 희생 (sacrificial) 에지 링이다. 핫 에지 링 (108) 은 기판의 프로세싱 동안 가열되기 쉬운 교체가능한 구성요소이므로 핫 에지 링이라 한다. 핫 에지 링 (180) 은 SiC 및 실리콘과 같은 전도성의 전극 재료 또는 석영과 같은 유전성 재료로 제조될 수 있다. 에지 링 재료를 변경함으로써, 플라즈마를 통한 결합정도는 프로세싱되는 기판의 외측 부분에서 바람직한 국부적인 "에지" 에칭율을 제공하기 위해 맞춤화된다. 보다 낮은 용량성의 임피던스를 가지는 SiC는 일반적으로 실리콘보다 더 빠른 에지 에칭율을 야기할 것이다. 석영 및 다른 유전체는 에지 에칭율에 대해 보다 작은 효과를 가질 것이다.
바람직한 실시형태에서 도 6 에 도시한 간극 (130) 은 기판 (S) 의 돌출 에지와 실리콘 핫 에지 링 (108) 사이에 형성된다. 그 간극 (130) 은 조절가능한 RF 결합 링 (106) 에 의해 제어되는 수직 치수 (d) 를 가진다. 조절가능한 RF 결합 링 (106) 은 실리콘 핫 에지 링 (108) 을 수직 방향으로 적절히 이동시킴으로써 간극의 수직 치수 (d) 를 제어할 수 있다. 도 1 및 도 6 에 도시한 바와 같이, 수직 방향은 실질적으로 Y 축에 평행한 어떤 방향이다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 조절가능한 RF 결합 링 (106) 은 실리콘 핫 에지 링 (108) 을 이동 가능하게 지지한다. 조절가능한 RF 결합 링 (106) 은 지정된 범위 내에서 간극 거리 (d) 를 제어하는 능력 뿐만 아니라 실리콘 핫 에지 링 (108) 을 위한 기계적인 지지부를 제공한다. 본 발명의 일 양태에서, 조절가능한 RF 결합 링 (106) 은 약 0.5 밀 (mil) 내지 6 밀 미만 사이의 관련된 간극 거리 (d) 를 갖는 간극을 형성할 수 있다.
전술한 실시형태에서, 조절가능한 RF 결합 링 (106) 은 도 5 에 도시한 바와 같이 2 개의 링 (110,112) 을 가진다. RF 결합 링 (106) 의 상부 (top) 에 위치한 제 1 링 (110) 은 그 링으로부터 그 링의 Y축에 평행한 방향으로 연장된 3 개의 돌출부 (114) 를 포함한다. RF 결합 링 (106) 의 하부 (bottom) 에 위치한 제 2 링 (112) 은 그 링의 원주 둘레로 다수의 점증적인 (graduated) 계단 (116) 의 3 개의 세트를 포함한다. 제 2 링 (112) 에 대한 제 1 링 (110) 의 시계방향으로의 회전은 결합 링 (106) 의 전체적인 수직 높이를 감소시키며, 기판과 핫 에지 링 (108) 사이의 간극을 조절한다.
전술한 실시형태에서, 조절가능한 결합 링 (106) 은 약 0.0001 내지 0.01 인치 및 바람직하게는 약 0.001 인치의 높이 증가분으로 변화하는 점증적인 계단 (116) 을 포함하는 것이 바람직하다. 비록 예시된 실시형태는 계단들의 3 개의 세트의 각각에서, 6 개의 점증적인 계단 (116) 을 포함하지만, 원하는 조절의 등급과 조절량에 따라 다른 수의 계단이 또한 이용될 수도 있다. 또 다른 실시형태에 따르면 12 개의 조절 높이에 대한 12 개의 점증적인 계단 (116) 이 제공된다.
전술한 실시형태에서, 조절가능한 결합 링 (106) 의 제 1 링 (110) 은 다수의 점증적인 계단의 3 개의 세트 중 하나의 세트에서 모든 계단 (116) 의 총 높이와 대략 동일한 높이를 가지는 돌출부 (114) 를 구비한다. 바람직한 실시형태에서, 그 돌출부 (114) 는 약 0.012 인치의 높이를 가진다. 전술한 실시형태에서, 조절가능한 결합 링 (106) 은 석영으로 형성될 수 있다.
본 발명에 따른 조절가능한 RF 결합 링 (106) 은 기판 (S) 과 핫 에지 링 (108) 사이의 간극 (130) 을 다수의 개별적인 계단에 의해 정밀하게 조절하는 것을 가능하게 한다. 결합 링 (106) 은 기판의 프로세싱 중 어느때 또는 진공 프로세싱 챔버의 셋업 (set up) 동안에 운전자로 하여금 결합 링을 재조절하는 것을 가능하게 한다. 또한, RF 결합 링 (106) 은 핫 에지 링 (108) 이 기판의 모든 면상에서 균등하게 조절되는 것과 결합 링의 상면이 실질적으로 수평으로 유지되는 것을 보장한다.
조절가능한 RF 결합 링 (106) 은 새로운 진공 프로세싱 챔버에 설치되거나 또는 기존의 진공 프로세싱 챔버를 개량하기 위해 이용되어 핫 에지 링 (108) 의 조절가능성을 제공할 수도 있다.
조절가능한 RF 결합 링 (106) 의 설치 및 조절에 대한 프로세스는 다음과 같이 용이하게 구현된다. 결합 링 (106) 의 제 2 링 (112) 은 위로 향한 다수의 점증적인 계단 (116) 을 가지며 정전 척 (102) 의 계단 상에 위치된다. 그후, 제 1 링 (110) 은 점증적인 계단의 최고 높이로 각각 정렬된 3 개의 돌출부 (114) 를 가지며 제 2 링 (112) 위에 위치된다. 그후에, 핫 에지 링 (108) 이 조립된 결합 링 (106) 의 상부에 위치되며, 그 간극이 측정 디바이스에 의해 측정된다. 측정 디바이스의 일예는 정전 척 (102) 상에 위치하는 수직 마운트 눈금 표시기 (vertical mount dial indicator) 가 있으며, 척의 상부로부터 핫 에지 링 (108) 의 에지 상부까지의 수직 거리를 측정한다. 바람직하게는, 간극 (130) 은 정전 척 주위로 90°간격으로 측정된다. 정전 척 (102) 에 근접한 핫 에지 링 (108) 의 위치에서 측정이 이루어진다. 핫 에지 링의 파손 또는 마모로 인하여, 척 (102) 에 가장 근접한, 기판 에지의 바로 외측인 핫 에지 링 (108) 의 영역이 핫 에지 링 그루브의 가장 높은 위치가 되어야 한다. 일반적으로 측정에 의해 핫 에지 링 (108) 은 정전 척 (102) 보다 더 높게 위치되며, 핫 에지 링은 아래로 조절될 필요가 있음을 알 수 있다. 그 후, 핫 에지 링 (108) 이 제거된다. 그 후, 결합 링 (106) 은 제 1 링 (110) 을 시계방향으로 회전시키고, 결합 링의 높이를 감소시킴으로써 조절된다. 그 후, 핫 에지 링 (108) 이 교환되고, 최소의 간극 거리 (d) 가 획득될 때까지 그 조절이 반복된다.
본 발명의 바람직한 일실시형태에 따라, 결합 링 (106) 의 링들 (110, 112) 은 정렬된 방사상 위치에서 링을 로킹하는 로킹 피쳐 (미도시) 를 포함한다. 로킹 메커니즘의 일 예는 제 2 링 (112) 의 각 계단상의 그루브와 서로맞물리는 제 1 링 (110) 상의 멈춤쇠 (detent) 를 포함한다.
특정 시스템에서, 포커스 링 (104), 결합 링 (106) 및 핫 에지 링 (108) 의 특정 형상은 척 (102), 기판 및/또는 다른 것들의 배치에 따라 변할 수도 있다는 것을 이해해야 한다. 따라서, 도 4 내지 도 6 에서의 정전 척을 둘러싸는 링들의 정확한 형상은 단지 예시적인 목적으로 도시되었을 뿐이며 어떤 방법으로도 한정하지 않는다. 비록 본 발명에 대해 핫 에지 링을 조절하기 위해 배치된 결합 링으로 설명되었지만 다른 링들도 역시 결합 링을 이용하여 조절될 수도 있다.
본 발명이 그 바람직한 실시형태를 참조하여 상세히 설명되었지만, 당업자에 의해 본 발명을 벗어나지 않는 한 다양한 변경 및 수정이 이뤄지고 균등물이 사용될 수 있다는 것은 자명하다.
Claims (20)
- 프로세싱 챔버;기판을 프로세싱하기 위해 상기 프로세싱 챔버 내부의 프로세스 가스를 플라즈마 상태로 활성화하는 전원;상기 프로세싱 챔버 내부에서 기판을 지지하고, 상면을 가지는 기판 지지대;상기 기판 지지대를 둘러싸는 상부 링으로서, 상기 기판이 상기 기판 지지대 상에 배치될 때 기판 아래로 연장되는 부분을 가지는, 상기 상부 링; 및상기 기판 지지대를 둘러싸는 결합 링으로서, 상기 결합 링의 높이를 조절하고 상기 상부 링과 상기 기판 사이의 간극을 조절하기 위해 제 2 링에 대해 회전가능한 제 1 링을 구비한, 상기 결합 링을 포함하는, 플라즈마 프로세싱 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 결합 링은 상기 상부 링 아래에 배치되고, 상기 제 2 링에 대해 상기 제 1 링을 회전시킴으로써 상기 기판의 하면과 상기 상부 링의 상기 기판 아래로 연장되는 부분의 상면 사이의 거리를 조절하도록 동작가능한, 플라즈마 프로세싱 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 상부 링은 핫 에지 링인, 플라즈마 프로세싱 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 링은 다수의 계단형 면들을 포함하는, 플라즈마 프로세싱 장치.
- 제 4 항에 있어서,상기 결합 링은,상기 제 1 링으로부터 상기 제 1 링의 축에 평행한 방향으로 연장되는 3 개 이상의 돌출부들을 가지는 상기 제 1 링; 및상기 3 개 이상의 돌출부들의 각각을 수용하도록 배치된 다수의 계단들의 3 개 이상의 세트들을 가지는 상기 제 2 링으로서, 상기 제 1 링 및 상기 제 2 링의 전체 두께는 상기 제 2 링에 대한 상기 제 1 링의 회전에 의해 조절가능한, 상기 제 2 링을 포함하는, 플라즈마 프로세싱 장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 계단들 각각은 0.001 인치의 높이를 가지는, 플라즈마 프로세싱 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 기판 지지대는 정전 척을 포함하는, 플라즈마 프로세싱 장치.
- 플라즈마 프로세싱 장치에서의 기판과 에지 링 사이의 간극을 조절하기 위한 조절 장치로서,제 1 링으로부터 상기 제 1 링의 축에 평행한 방향으로 연장되는 3 개 이상의 돌출부들을 가지는, 상기 제 1 링; 및상기 3 개 이상의 돌출부들의 각각을 수용하도록 배치된 다수의 계단들의 3 개 이상의 세트들을 가지는 제 2 링으로서, 상기 제 1 링 및 상기 제 2 링의 전체 두께는 상기 제 2 링에 대한 상기 제 1 링의 회전에 의해 조절가능한, 상기 제 2 링을 포함하는, 조절 장치.
- 제 8 항에 있어서,상기 계단들 각각은 0.001 인치의 높이를 가지는, 조절 장치.
- 플라즈마 프로세싱 시스템에서의 기판 지지대 상의 중합체 증착을 감소시키는 방법으로서,플라즈마 프로세싱 장치에서의 기판과 에지 링 사이의 간극을 조절하기 위한 제 8 항에 기재된 조절 장치를 제공하는 단계; 및상기 조절 메커니즘의 상기 제 2 링에 대하여 상기 제 1 링을 회전시킴으로써 상기 기판과 상기 에지 링 사이의 간극을 조절하는 단계를 포함하는, 중합체 증착을 감소시키는 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 에지 링은 핫 에지 링인, 중합체 증착을 감소시키는 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 조절 장치는 포커스 링과 상기 핫 에지 링 사이에 배치되는, 중합체 증착을 감소시키는 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 링 및 상기 제 2 링은 석영으로 이루어진, 플라즈마 프로세싱 장치.
- 제 8 항에 있어서,상기 제 1 링 및 상기 제 2 링은 석영으로 이루어진, 조절 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 기판 지지대는 RF-전력공급된 척을 포함하며,상기 상부 링 및 상기 결합 링은, 상기 기판이 상기 기판 지지대 상에 배치될 때 RF 결합을 상기 기판을 통해 상기 플라즈마 프로세싱 장치에 발생된 플라즈마로 향하게 하는, 플라즈마 프로세싱 장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 제 2 링의 계단들의 세트들의 각각은 점증적인 높이들을 갖는 계단들을 포함하는, 플라즈마 프로세싱 장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 제 1 링은 상기 제 2 링과 접촉하고 있는, 플라즈마 프로세싱 장치.
- 제 8 항에 있어서,상기 제 1 링은 균일한 높이의 돌출부들을 가지며,상기 제 2 링은 점증적인 높이의 계단들을 가지는, 조절 장치.
- 제 8 항에 있어서,상기 제 1 링은 상기 제 2 링과 접촉하고 있는, 조절 장치.
- 제 8 항에 있어서,상기 제 1 링은 상기 제 2 링에 대해 수동으로 회전되도록 되어 있는, 조절 장치.
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