CN101488468B - 一种晶片夹持系统及应用该夹持系统的半导体处理设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种晶片夹持系统，用于在半导体加工/处理过程中固定被加工/处理的半导体器件其包括：夹持工具、围绕夹持工具而设置的可动基环、以及置于可动基环之上且围绕夹持工具而设置的聚焦环。该晶片夹持系统还设置有包括第一调节部和第二调节部的升降调节组件，第一调节部和第二调节部相互配合而使可动基环相对于夹持工具可连续地升降，以带动聚焦环连续升降，从而可连续地调整聚焦环上表面和夹持工具上表面之间的间距。此外，本发明还提供一种应用上述晶片夹持系统的半导体处理设备。本发明提供的晶片夹持系统及半导体处理设备能够对聚焦环上表面和夹持工具上表面之间的间距进行连续精确地调节，可以提高产品良率。同时，本发明还便于加工。

Description

一种晶片夹持系统及应用该夹持系统的半导体处理设备 

技术领域

本发明涉及微电子技术领域，更具体地，涉及一种用于半导体加工/处理工艺的晶片夹持系统。此外，本发明还涉及一种应用该晶片夹持系统的半导体处理设备。 

背景技术

在集成电路(IC)制造工艺过程中，特别是等离子刻蚀(ETCH)、物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)等工艺过程中，为了固定、支撑及传送晶片(Wafer)等被加工器件，避免被加工器件出现移动或错位现象，往往使用静电卡盘(Electro Static Chuck，简称ESC)或者机械夹具等晶片夹持装置。 

其中，静电卡盘利用静电引力来固定晶片等被加工器件，其可分为库仑和Johnson-Rahbek两种类型。由于静电卡盘是采用静电引力的方式而不是传统的机械方式来固定晶片等被加工器件，因此，其可以减少传统机械方式中因压力、碰撞等机械原因而对晶片等被加工器件所造成的不可修复的损伤，以及减少因机械碰撞而产生的颗粒污染。另外，采用静电卡盘还可以增大晶片等被加工器件的有效加工面积，并且使静电卡盘与晶片等被加工器件完全接触，从而更加有利于进行热传导。 

上述静电卡盘等晶片夹持装置通常置于诸如等离子体反应装置的半导体加工/处理装置的反应腔室中，并且该静电卡盘还配置有诸如聚焦环、基环和绝缘环等外围相关部件。通常，静电卡盘呈阶梯状，所述基环置于静电卡盘的台阶上并环绕着所述静电卡盘，所述聚焦环置于所述基环上，所述绝缘环环绕在所述基环和/或所述聚焦环的外围。这样，在反应腔室中对晶片等半导体器件进行刻蚀/沉积等加工处理时，反应生成的聚合物有可能会沉积在暴露于反应腔室内的上述各个 部件的表面上，这些表面也包括上述静电卡盘等晶片夹持装置及其外围相关部件。 

请参阅图1，其中示出了现有技术中常见的静电卡盘系统。该静电卡盘系统包括：静电卡盘1，其上部为陶瓷层部分，下部为铝基体部分，在本图中为了简化说明而未示出这两部分的分界线，在陶瓷层部分内部嵌有由丝网印刷或淀积钨等金属材料而形成的电极层2，在铝基体内通常设有水槽(图未示)，以便对静电卡盘上的晶片3进行温度控制；基环4，其设置在静电卡盘1的台阶部分，并环绕着静电卡盘1的侧面；聚焦环5，其呈台阶状，并置于基环4之上而直接与反应腔室内部的等离子体接触，用以在对晶片3进行定位的同时对静电卡盘的表面进行保护；以及隔离环6，其通常由石英或合成材料等抗等离子体强的材料制成，用以对静电卡盘的侧面形成保护。 

在静电卡盘系统工作时，向电极层2通以交流电或直流电，以在电极层2上聚集电荷，同时使位于静电卡盘上表面的晶片3的背面聚集相反电荷，这样，借助于正负电荷之间的相互吸引而形成所谓的静电引力。 

请参阅图2，在静电卡盘系统的局部放大图中可以清楚的看到：聚焦环5的台阶部分与晶片3背面预留有间隙A。预留间隙A的原因在于：正常工作状态下，反应腔室内部温度较高，而聚焦环5材料本身在较高温度下容易受热膨胀，这种情况下，如果聚焦环5的台阶部分与晶片3背面之间没有间隙或者间隙较小，则受热膨胀后的聚焦环5会把晶片3顶起，这将会降低静电卡盘的吸引力。 

然而，在实际工艺过程中，反应生成的聚合物常常会脱落，因此，在存在上述间隙的情况下，脱落的聚合物会淀积在间隙内，进而可能会淀积在静电卡盘的上表面，从而影响静电卡盘的吸引效果，妨碍静电卡盘正确地保持晶片。更严重的是，前述淀积层会导致电荷分布不均匀，这将影响晶片的加工结果，特别是在工艺完成后晶片被举起的时候，容易出现晶片粘片或破碎的问题，从而降低了产品良率。 

另外，淀积在上述间隙内的聚合物可能会进入到晶片背面的氦气沟道，从而直接影响氦气的背吹效果；同时也会使作为温控气体的氦 气由晶片背面泄漏，从而降低晶片表面的温度分布不均匀，并最终降低产品良率。 

为避免上述问题，现有技术中通常采用干法清洗技术来除去上述聚合物的沉淀物，具体地，可以将氧气注入反应腔室内，并激发等离子体，使氧气与淀积的聚合物发生反应，以此来清除上述淀积在反应腔室内的聚合物。 

然而在实际应用中，上述干法清洗技术存在这样的缺陷：其一，需要在实际工艺过程之外另外实施上述干法清洗过程，因此降低了系统的生产效率；其二，在上述干法清洗过程中，通入反应腔室内的氧气不仅会与前述聚合物发生反应以将其清除掉，而且也会侵蚀反应腔室内的部件(例如，较为昂贵的静电卡盘的上表面就会在干法清洗过程中遭受到氧气的侵蚀)，从而降低这些部件的使用寿命。 

为此，人们一直试图寻求一种减少聚合物在反应腔室内淀积的方法。例如，专利号为“03822266.3”、发明名称为“具有减少基片上聚合物沉积部件的等离子体装置以及减少聚合物沉积的方法”的中国专利文献中就公开了这样一种方法。在该方法中，通过为静电卡盘设置一种高度可调的基环来减少聚合物的沉积。 

请参阅图3，上述专利中所采用的基环(连接环)106由旋转环110和静止环112组成。其中，静止环112的上表面由不同高度的台阶116构成，旋转环110的下表面设置有3个与静止环112的台阶116相配合的凸块114。这样，转动旋转环110可以使其上的三个凸块114与静止环112的不同台阶116相配合，从而可以调整上述基环106的总体高度，进而可以根据实际需要而改变位于基环106上的聚焦环同晶片之间的垂直间隙，以便减少前述聚合物在反应腔室内的淀积。 

尽管现有技术中提供的高度可调基环能够根据实际需要而改变位于基环上的聚焦环同晶片之间的垂直间隙，进而可以减小前述聚合物在反应腔室内的淀积，但是在实际应用中，其不可避免地存在下述缺陷： 

其一，由于现有技术中提供的基环的静止环上的台阶高度非连续变化，这使得在基环高度调节过程中，其高度变化呈阶跃变化而非 连续的。然而在通常的静电卡盘系统中，聚焦环与晶片之间的垂直间隙较小，基环高度呈阶跃变化将使得聚焦环与晶片之间的垂直间隙变得更不容易控制。 

其二，若要使基环高度能够微量调节，则需要将静止环的台阶高度变化量设置得较小，这样将使加工变得困难，进而导致成本增加。 

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供了一种晶片夹持系统以及应用该晶片夹持系统的半导体处理设备，其能够对聚焦环上表面和夹持工具上表面之间的间距进行连续调节，并且调整精度较高，从而可以提高产品良率。同时，本发明提供的晶片夹持系统还便于加工。 

为此，本发明提供了一种晶片夹持系统，用于在半导体加工/处理过程中固定被加工/处理的半导体器件，其包括：夹持工具、围绕所述夹持工具而设置的可动基环、以及置于所述可动基环之上且围绕所述夹持工具而设置的聚焦环。所述晶片夹持系统还设置有包括第一调节部和第二调节部的升降调节组件，所述第一调节部和第二调节部相互配合而使所述可动基环相对于所述夹持工具可连续地升降，以带动所述聚焦环连续升降，从而可连续地调整所述聚焦环上表面和所述夹持工具上表面之间的间距。 

其中，所述第一调节部包括斜长槽和/或调节柱，相应地，所述第二调节部包括与所述第一调节部相互配合的调节柱和/或斜长槽，所述调节柱嵌入所述斜长槽内，进行升降调节时，所述斜长槽相对于所述调节柱而上下运动，以使所述可动基环相对于所述夹持工具而可连续地升降。 

其中，所述第一调节部和第二调节部为相互配合的螺纹。 

其中，所述第一调节部设置在所述可动基环的内周面上，相应地，所述第二调节部设置在所述夹持工具的外周面上，在需要进行升降调节时，旋转所述可动基环而使其相对于所述夹持工具可连续地升降。 

其中，所述晶片夹持系统还包括围绕在所述夹持工具、所述可动基环外侧的隔离环，所述第一调节部设置在所述可动基环的外周面上，相 应地，所述第二调节部设置在所述隔离环的内周面上。 

其中，所述晶片夹持系统还包括静止基环，其设置在所述可动基环的下方，并且所述静止基环的至少一部分与所述可动基环相互嵌套，所述第一调节部设置在所述可动基环的外周面上和/或内周面上，相应地，所述第二调节部设置在所述静止基环的内周面上和/或外周面上。 

其中，所述第一调节部的数量至少为两个，并沿所述可动基环的内周面和/或外周面均匀设置，所述第二调节部的数量与所述第一调节部的数量相适配，并且对应于所述第一调节部的设置位置而设置在所述夹持工具的外周面，和/或设置在所述静止基环的内周面或外周面上。 

其中，所述斜长槽沿其所在周面呈左上向右下的方向倾斜，或者呈右下向左上的方向倾斜。而且，所述斜长槽包括贯通槽和/或盲槽。 

其中，所述调节柱沿其径向方向的截面形状呈圆形和/或方形，并与所述斜长槽相适配。 

其中，所述调节柱可以与其所在的周面一体成型，和/或通过螺纹连接方式而设置在所述周面上，和/或通过插接方式而设置在所述周面上。 

优选地，所述升降调节组件还配置有锁紧部件，用以在调整好所述聚焦环上表面和所述夹持工具上表面之间的间距后，将第一调节部的位置固定住。其中，所述调节柱端部带有螺纹，所述锁紧部件包括与所述螺纹相互配合的螺母或螺帽，用于在锁紧定位时固定住所述可动基环以阻止其活动。或者，所述锁紧部件包括可形变的栓柱，用以塞嵌在所述斜长槽内而阻止所述可动基环活动。 

优选地，在所述夹持工具的周面上和/或所述隔离环的周面上和/或所述可动基环的周面上设置调节刻度。 

更为优选地，所述夹持工具为静电卡盘。 

此外，本发明还提供一种半导体处理设备，包括反应腔室以及上述晶片夹持系统，所述晶片夹持系统置于反应腔室内，用以在半导体加工/处理过程中固定被加工/处理的半导体器件。 

相对于现有技术，本发明具有下述有益效果： 

其一，由于本发明提供的晶片夹持系统以及应用该晶片夹持系统的半导体处理设备均设置有包括第一调节部和第二调节部的升降调节组件，并且第一调节部和第二调节部相互配合可以使可动基环相对于夹持工具可连续地升降。这样便可以带动聚焦环连续升降，从而可连续地精确调整聚焦环上表面和所述夹持工具上表面之间的间距，以便将上述间距调整到工艺允许的范围内，从而减小工艺加工过程中因聚合物脱落而对晶片等半导体器件的夹持/固定效果的影响，从而提高产品良率。 

其二，由于本发明提供的晶片夹持系统以及应用该晶片夹持系统的半导体处理设备可连续地精确调整聚焦环上表面和所述夹持工具上表面之间的间隙，从而可以最低限度地减小上述间隙，这样便可以增大基环与聚焦环间直接的热传递效果，从而使位于聚焦环上的晶片等半导体器件的边缘部分与其中央部分处的温度均匀性也得到改善。 

其三，由于本发明提供的晶片夹持系统以及应用该晶片夹持系统的半导体处理设备可以连续地精确调整聚焦环上表面和所述夹持工具上表面之间的间隙，因此无需像现有技术那样，为了精确调节所述间隙而加工出若干阶跃变化的台阶，因此相对于现有技术，本发明提供的晶片夹持系统以及应用该晶片夹持系统的半导体处理设备加工较为方便，且加工成本较低。 

附图说明

图1为现有技术中静电卡盘系统的结构示意图； 

图2为图1所示静电卡盘系统边缘部分的局部放大图； 

图3为现有技术中提供的高度可调的基环的结构示意图； 

图4为本发明提供的高度可调的基环的结构示意图； 

图5为使用状态下可动基环9的斜长槽91部分在平面投影的局部放大图，其中示出了图4所示基环的工作原理； 

图6A为图4所示基环未进行调节时在静电卡盘系统中的应用效果图；以及 

图6B为图4所示基环进行调节后在静电卡盘系统中的应用效果 图。 

具体实施方式

为使本技术领域的人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的晶片夹持系统以及应用该夹持系统的半导体处理设备进行详细描述。 

本发明提供的晶片夹持系统可以包括：诸如静电卡盘的夹持工具；可动基环，其围绕所述夹持工具而设置；聚焦环，其置于所述可动基环之上，且同样围绕所述夹持工具而设置；以及升降调节组件，其包括第一调节部和第二调节部，所述第一调节部和第二调节部相互配合而使所述可动基环相对于所述夹持工具可连续地升降，以带动位于可动基环上的聚焦环连续升降，以便可连续地调整聚焦环上表面和夹持工具上表面之间的间距。在实际工艺过程中，诸如晶片等的半导体器件就置于夹持工具上，并且延伸至聚焦环的部分区域。 

其中，第一调节部指的是设置在可动基环上的调节部件，相应地，第二调节部就是指设置在晶片夹持系统中的与可动基环周面(包括内周面和外周面)相邻的部分上且与第一调节部能够相互配合的调节部件。例如，当静电卡盘的外周面仅仅依靠可动基环和聚焦环进行完全遮蔽时，也就是说，在可动基环外围不再设置有隔离环时，与可动基环周面相邻的部分仅仅是指静电卡盘等夹持工具的外周面；而当在可动基环外围还设置有隔离环时，与可动基环周面相邻的部分可以包括静电卡盘等夹持工具的外周面以及隔离环的内周面。 

至于第一调节部的形状，例如可以是设置在可动基环上的斜长槽和/或调节柱，相应地，第二调节部可以是与第一调节部相互配合的调节柱和/或斜长槽。这样，在实际应用中，调节柱可以嵌入斜长槽内，并在需要进行升降调节时，斜长槽相对于调节柱而上下运动，以使可动基环相对于夹持工具可连续地升降。当然，第一调节部和第二调节部也可以为相互配合的螺纹。 

至于第一调节部的数量，例如其可以为至少两个，并沿可动基环的内周面和/或外周面均匀设置，相应地，第二调节部的数量与第一调节 部的数量相适配，并且对应于第一调节部的设置位置而设置在夹持工具的外周面，和/或设置在静止基环的内周面或外周面上。当然，第一调节部和第二调节部的数量也可以这样设置：即，第一调节部和第二调节部中的至少一个调节部设置为环绕其设置周面至少一圈的斜长槽，另一个为与之相配合的调节柱，且调节柱的数量至少为两个。或者，第一调节部和第二调节部的数量还可以这样设置：即，第一调节部和第二调节部为环绕其设置周面至少一圈并且可以相互配合的螺纹。 

此外，斜长槽形状可以是沿其所在周面呈左上向右下的方向倾斜，或者呈右下向左上的方向倾斜。而且，该斜长槽可以是贯通设置面的通槽和/或设置在周面上而未将其内外打通的盲槽。 

下面通过具体实例对本发明进行详细描述。 

请一并参阅图4和图5，本发明所提供的晶片夹持系统中所应用的一种基环包括：可动基环9和静止基环10。通常可动基环9和静止基环10围绕在静电卡盘外周面，以保护静电卡盘的外周面。其中，可动基环9周围加工有三个斜长槽91，这三个斜长槽91沿圆周方向均匀分布，至于斜长槽91的倾斜方向，可以采用左高右低或左低右高的形式。可动基环9靠下部位处向内凹进而形成凹进部分92，且凹进部分92的高度略大于斜长槽91的垂直距离H。相应地，静止基环10靠下部位处向内延伸有凸台阶101，并且凸台阶101的高度这样设置：即，使静止基环10在凸台阶101之上的那一部分的高度大于等于凹进部分92的高度。这样，当可动基环9调整到其最高位置时，可动基环9和静止基环10依然能够遮蔽住静电卡盘的外周面。 

至于可动基环9的高度调节，例如可以采用这样的方式：即，对应于可动基环9上的斜长槽91的设置位置，而在静电卡盘的外周面上设置调节柱11，并使调节柱11塞嵌到相应的斜长槽91中。调节柱11沿其径向的截面的形状可以为圆形或方形等，且大小恰好与斜长槽91的高度相适应。这样，在高度调节过程中，由于调节柱11的一端固定在静电卡盘上静止不动，因此旋转可动基环9来调节高度实际上就是使斜长槽91沿调节柱11而上下滑动，由此支撑可动基环9整体向上/向下移动，也就是使 斜长槽91所在的可动基环9相对于静止不动的静止基环10产生上下位移，从而使可动基环9和静止基环10之间的间隙发生变化，进而调节聚焦环与晶片之间的垂直间隙。 

此外，H为斜长槽91在基环轴向上的总体高度，其对应于基环的最大可调量，若改变H也就可以改变基环的最大可调量。L为斜长槽91的总体长度，其在圆周方向上的投影为圆弧，这段圆弧所对应的角度即为基环调节过程中所能旋转的最大角度。在实际应用中，高度H相对于长度L非常小。事实上，H与L的比例越小，基环的调节精度越高，也就是可动基环9的位移的最小分辨率越小，这样，基环的自锁性能也就越好。所谓基环的调节精度指的是，可动基环9和静止基环10之间的垂直间隙的调节精度。 

在实际应用中，通过调节可动基环9和静止基环10之间的垂直间隙而将聚焦环与晶片之间的垂直间距调整到工艺加工过程中可以接受的最小距离时，需要将可动基环9固定在该高度上，也就是，需要将斜长槽91及其内的调节柱11之间的位置固定住，这通常可以采用锁紧部件，以便在调整好所述聚焦环上表面和所述夹持工具上表面之间的间距后，将第一调节部的位置固定住。例如，可以在斜长槽91内添加弹性组件，以将斜长槽91内的调节柱11锁死，从而使得斜长槽91不能够相对调节柱11滑动，这样也就将可动基环9的位置固定住；或者在调节柱11的末端设置螺纹，借助于与上述螺纹相配合的螺母或者螺帽而将可动基环9的位置固定住。 

为更加明确地解释可动基环9的精确可调作用，下面通过具体的实例来说明。假定沿可动基环9的圆周方向设置有三个斜长槽91，每个斜长槽91为自右下向左上的方向倾斜，并且每个斜长槽91的高度H设置为2mm，其总体长度L沿圆周方向对应的圆心角度为50°，这样，可动基环9围绕基环的中心轴每旋转1°，可动基环9就会上升0.04mm。通过这种方法可以把沿圆周方向运动距离较长的旋转运动转化为沿轴向运动距离较小的直线运动，从而可以实现其在轴向上的精确位移。 

在实际生产工艺中，通常要求聚焦环台阶面(例如，对于设置为一级台阶状的聚焦环而言，处于聚焦环最上表面和最下表面之间的那一层 台阶的表面)在受热膨胀之后与晶片背面之间的间隙不超过1mm。因此，当测量的间隙值超过上述额定限度后，就需要对基环进行调节。假设上述间隙的测量值为1.2mm，已经超过1mm，因此为满足工艺要求，就需要使可动基环9相对于静止基环10向上运动至少0.2mm。事实上，可动基环9相对于静止基环10向上运动的距离范围在0.2mm至1.2mm之间，优选地为1.2mm，这样可以完全消除上述间隙。当需要使可动基环9相对于静止基环10向上运动1.2mm时，就需要使上述基环旋转30°。 

事实上，为便于进行精确调整，可以在可动基环9或静止基环10等其它部件上设置供参考的调整刻度。 

至于调节柱11在静电卡盘外周面上的设置方式，例如可以采用如下方式：其一，使调节柱11与静电卡盘外周面一体成型；其二，在静电卡盘外周面上设置螺纹口，在调节柱上设置与之相配合的螺纹，通过螺纹连接方式而将调节柱11设置在静电卡盘外周面上；其三，在静电卡盘外周面上设置插口，通过插接方式而将调节柱11设置在静电卡盘外周面上。 

请一并参阅图6A和图6B，其中，图6A示出图4所示基环置于静电卡盘上并且未进行高度调节时的情况。从图中可以看出，聚焦环5的台阶上表面与晶片3的背面之间存在一定间隙，而此间隙的存在将有可能导致前述背景技术中所提到的种种不良效果。 

图6B示出图4所示基环置于静电卡盘上并且进行高度调节后的情况。其中，可动基环9通过围绕静电卡盘旋转而相对于静止基环10向上移动(也就是相对于静电卡盘而向上移动)，从而带动位于可动基环9之上的聚焦环5向上精确位移，如前所述，其位移量小于等于所测量的间隙值。在可动基环9向上移动后，其下方与静止基环10之间存在间隙B，为了防止因上述间隙B的存在而致使静电卡盘的外周面暴露在反应腔室内，就需要在静止基环10上设置能够与可动基环9的台阶相配合(互补)的台阶。这样，尽管可动基环9向上发生位移，但是由于静止基环10上的台阶的遮蔽而使静电卡盘外周面仍旧处于静止基环10的保护之下。 

需要指出的是，本发明提供的晶片夹持系统中的可动基环可以由金属材料，例如铝加工而成，也可以由石英、陶瓷或其它像聚酰亚胺等化学合成物质加工而成。 

此外，本发明还提供一种应用上述晶片夹持系统的半导体处理设备。该晶片夹持系统置于反应腔室内，用以在半导体加工/处理过程中固定被加工/处理的半导体器件。 

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。 

Claims (17)

1.一种晶片夹持系统，用于在半导体加工/处理过程中固定被加工/处理的半导体器件，其包括：夹持工具、围绕所述夹持工具而设置的可动基环、以及置于所述可动基环之上且围绕所述夹持工具而设置的聚焦环，其特征在于，所述晶片夹持系统还设置有包括第一调节部和第二调节部的升降调节组件，所述第一调节部和第二调节部相互配合而使所述可动基环相对于所述夹持工具可连续地升降，以带动所述聚焦环连续升降，从而可连续地调整所述聚焦环上表面和所述夹持工具上表面之间的间距。

2.根据权利要求1所述的晶片夹持系统，其特征在于，所述第一调节部包括斜长槽和/或调节柱，相应地，所述第二调节部包括与所述第一调节部相互配合的调节柱和/或斜长槽，所述调节柱嵌入所述斜长槽内，进行升降调节时，所述斜长槽相对于所述调节柱而上下运动，以使所述可动基环相对于所述夹持工具而可连续地升降。

3.根据权利要求1所述的晶片夹持系统，其特征在于，所述第一调节部和第二调节部为相互配合的螺纹。

4.根据权利要求1所述的晶片夹持系统，其特征在于，所述第一调节部设置在所述可动基环的内周面上，相应地，所述第二调节部设置在所述夹持工具的外周面上，在需要进行升降调节时，旋转所述可动基环而使其相对于所述夹持工具可连续地升降。

5.根据权利要求1所述的晶片夹持系统，其特征在于，所述晶片夹持系统还包括围绕在所述夹持工具、所述可动基环外侧的隔离环，所述第一调节部设置在所述可动基环的外周面上，相应地，所述第二调节部设置在所述隔离环的内周面上。

6.根据权利要求1所述的晶片夹持系统，其特征在于，所述晶片夹持系统还包括静止基环，其设置在所述可动基环的下方，并且所述静止基环的至少一部分与所述可动基环相互嵌套，所述第一调节部设置在所述可动基环的外周面上和/或内周面上，相应地，所述第二调节部设置在所述静止基环的内周面上和/或外周面上。

7.根据权利要求6所述的晶片夹持系统，其特征在于，所述第一调节部的数量至少为两个，并沿所述可动基环的内周面和/或外周面均匀设置，所述第二调节部的数量与所述第一调节部的数量相适配，并且对应于所述第一调节部的设置位置而设置在所述夹持工具的外周面，和/或设置在所述静止基环的内周面或外周面上。

8.根据权利要求2所述的晶片夹持系统，其特征在于，所述斜长槽沿其所在周面呈左上向右下的方向倾斜，或者呈右下向左上的方向倾斜。

9.根据权利要求8所述的晶片夹持系统，其特征在于，所述斜长槽包括贯通槽和/或盲槽。

10.根据权利要求2所述的晶片夹持系统，其特征在于，所述调节柱沿其径向方向的截面形状呈圆形和/或方形，并与所述斜长槽相适配。

11.根据权利要求2所述的晶片夹持系统，其特征在于，所述调节柱可以与其所在的周面一体成型，和/或通过螺纹连接方式而设置在所述周面上，和/或通过插接方式而设置在所述周面上。

12.根据权利要求1所述的晶片夹持系统，其特征在于，所述升降调节组件还配置有锁紧部件，用以在调整好所述聚焦环上表面和所述夹持工具上表面之间的间距后，将第一调节部的位置固定住。

13.根据权利要求12所述的晶片夹持系统，其特征在于，所述调节柱端部带有螺纹，所述锁紧部件包括与所述螺纹相互配合的螺母或螺帽，用于在锁紧定位时固定住所述可动基环以阻止其活动。

14.根据权利要求12所述的晶片夹持系统，其特征在于，所述锁紧部件包括可形变的栓柱，用以塞嵌在所述斜长槽内而阻止所述可动基环活动。

15.根据权利要求1至14中任意一项所述的晶片夹持系统，其特征在于，所述夹持工具包括静电卡盘。

16.根据权利要求1或5或6所述的晶片夹持系统，其特征在于，在所述夹持工具的周面上和/或所述隔离环的周面上和/或所述可动基环的周面上设置调节刻度。

17.一种半导体处理设备，包括反应腔室，其特征在于，还包括权利要求1至16中任意一项所述的晶片夹持系统，所述晶片夹持系统置于反应腔室内，用以在半导体加工/处理过程中固定被加工/处理的半导体器件。

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