JP2002075969A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
- H01Q1/12—Supports; Mounting means
- H01Q1/22—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles
- H01Q1/26—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles with electric discharge tube
Abstract
(57)【要約】
【課題】ＶＨＦもしくはＵＨＦ帯の高周波と磁場とを用
いてプラズマを生成する方式において、広いパラメータ
領域で、高密度，高均一のプラズマを実現するプラズマ
処理装置を提供する。 【解決手段】プラズマ処理装置として、ＵＨＦもしくは
ＶＨＦ帯の高周波を処理室に供給するアンテナ及び放射
口と、前記処理室に磁場を形成する磁場形成手段とを有
し、前記アンテナ半径と放射口の実効長との比が０.４
以上１.５以下となるアンテナ及び放射口を具備する。
いてプラズマを生成する方式において、広いパラメータ
領域で、高密度，高均一のプラズマを実現するプラズマ
処理装置を提供する。 【解決手段】プラズマ処理装置として、ＵＨＦもしくは
ＶＨＦ帯の高周波を処理室に供給するアンテナ及び放射
口と、前記処理室に磁場を形成する磁場形成手段とを有
し、前記アンテナ半径と放射口の実効長との比が０.４
以上１.５以下となるアンテナ及び放射口を具備する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマを利用し
て被処理物を処理するプラズマ処理装置に関する。
て被処理物を処理するプラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】プラズマを利用して被処理物特に絶縁膜
を処理する際には、例えば、異なる２つのＲＦを対向す
る電極に印加する平行平板型プラズマ処理装置を用いて
いる（従来技術１）。また、ＲＦ電極の背面に永久磁石
を備え、その永久磁石をリング状に配置したプラズマ処
理装置が、例えば特開平８−２８８０９６号公報に開示
されている（従来技術２）。また被処理体を載置する電
極に対向するように平面アンテナ部材を設け、このアン
テナ部材にμ波を供給し、また平面アンテナ部材の前面
にスリット開口部を設けたプラズマ処理装置が、例えば
特開平９−６３７９３号公報に記載されている（従来技
術３）。ＵＨＦ帯の高周波を用いたエッチング装置とし
て、アンテナ上部のアース構造を凹型にした構造が、例
えば特開平１１−３５４５０２号公報に開示されている
(従来技術４)。また、ＵＨＦ帯の高周波を同軸ケーブル
によってディスク状のアンテナに供給した平行平板型Ｕ
ＨＦ−プラズマ装置が記載され、アンテナの直径を所定
値ｎ／２・λ（ｎ：整数）に設定するプラズマ処理装置
が、例えば特開平１０−１３４９９５号公報には、開示
されている（従来技術５）。
を処理する際には、例えば、異なる２つのＲＦを対向す
る電極に印加する平行平板型プラズマ処理装置を用いて
いる（従来技術１）。また、ＲＦ電極の背面に永久磁石
を備え、その永久磁石をリング状に配置したプラズマ処
理装置が、例えば特開平８−２８８０９６号公報に開示
されている（従来技術２）。また被処理体を載置する電
極に対向するように平面アンテナ部材を設け、このアン
テナ部材にμ波を供給し、また平面アンテナ部材の前面
にスリット開口部を設けたプラズマ処理装置が、例えば
特開平９−６３７９３号公報に記載されている（従来技
術３）。ＵＨＦ帯の高周波を用いたエッチング装置とし
て、アンテナ上部のアース構造を凹型にした構造が、例
えば特開平１１−３５４５０２号公報に開示されている
(従来技術４)。また、ＵＨＦ帯の高周波を同軸ケーブル
によってディスク状のアンテナに供給した平行平板型Ｕ
ＨＦ−プラズマ装置が記載され、アンテナの直径を所定
値ｎ／２・λ（ｎ：整数）に設定するプラズマ処理装置
が、例えば特開平１０−１３４９９５号公報には、開示
されている（従来技術５）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来技術１では、プラ
ズマ分布制御手段がないため、ガス種や圧力を変化させ
た時には、ラジカル組成や反応生成物の分布が変化する
ので、処理分布の均一化が困難になることがあるという
課題がある。またプラズマの高密度化が困難であるた
め、処理速度（エッチングレート）が遅いという課題が
ある。
ズマ分布制御手段がないため、ガス種や圧力を変化させ
た時には、ラジカル組成や反応生成物の分布が変化する
ので、処理分布の均一化が困難になることがあるという
課題がある。またプラズマの高密度化が困難であるた
め、処理速度（エッチングレート）が遅いという課題が
ある。
【０００４】従来技術２では、永久磁石ではその大きさ
程度に限定された箇所に局所的に磁場が形成される。磁
場による閉じ込め効果を増そうとすると磁石近傍での磁
場強度が強くなるため、この部分でプラズマ密度が高く
なる。またＲＦ電極にはバイアスが印加され、イオンを
引き込むので、スパッタリングが局所的に起こる。その
ため電極の局所的消耗を招き、異物の増加，装置信頼性
が低下するという課題がある。その部分に形成される磁
場では局所的に向上と分布制御性の両立が困難になるこ
とがあるという課題がある。
程度に限定された箇所に局所的に磁場が形成される。磁
場による閉じ込め効果を増そうとすると磁石近傍での磁
場強度が強くなるため、この部分でプラズマ密度が高く
なる。またＲＦ電極にはバイアスが印加され、イオンを
引き込むので、スパッタリングが局所的に起こる。その
ため電極の局所的消耗を招き、異物の増加，装置信頼性
が低下するという課題がある。その部分に形成される磁
場では局所的に向上と分布制御性の両立が困難になるこ
とがあるという課題がある。
【０００５】従来技術３では、アンテナ部にスリットを
設け、スリットの長さを（１／２−１／１０）λ（λ：
μ波の管内波長）程度にすることにより分布を調整する
としているが、μ波の放射及び電界分布の調整が困難で
あるという課題がある。
設け、スリットの長さを（１／２−１／１０）λ（λ：
μ波の管内波長）程度にすることにより分布を調整する
としているが、μ波の放射及び電界分布の調整が困難で
あるという課題がある。
【０００６】従来技術４は電界集中を避けるためのアン
テナ上部のアース構造に関するもので、これを凹にして
も、電界分布そのものを均一にすることは困難であり、
ガス，圧力，パワー等を変化させた時の分布の調整が困
難となるという課題がある。
テナ上部のアース構造に関するもので、これを凹にして
も、電界分布そのものを均一にすることは困難であり、
ガス，圧力，パワー等を変化させた時の分布の調整が困
難となるという課題がある。
【０００７】従来技術５では、アンテナ中央が電界の腹
に、アンテナ端が電界の節に相当するため、アンテナ直
下での電界分布は必ず凸となる。そのためプラズマを均
一にすることが困難という課題がある。
に、アンテナ端が電界の節に相当するため、アンテナ直
下での電界分布は必ず凸となる。そのためプラズマを均
一にすることが困難という課題がある。
【０００８】本発明の目的は、ＶＨＦもしくはＵＨＦ帯
の高周波と磁場とを用いてプラズマを生成する方式にお
いて、広いパラメータ領域で、高密度，高均一のプラズ
マを実現するプラズマ処理装置を提供することにある。
の高周波と磁場とを用いてプラズマを生成する方式にお
いて、広いパラメータ領域で、高密度，高均一のプラズ
マを実現するプラズマ処理装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の一つの見方によ
れば、本発明の特徴は、真空容器と、該真空容器内部に
あってガスが供給される処理室と、該処理室内に設けら
れ処理対象物を支持する支持電極と、ＵＨＦもしくはＶ
ＨＦ帯の高周波を処理室に供給するディスク状アンテナ
及びアンテナ横に配置された絶縁体で構成された放射口
からなる高周波導入手段と、前記処理室に磁場を形成す
る磁場形成手段とを有し、前記高周波導入手段におい
て、アンテナの半径と放射口の実効長との比が０.４以
上１.５以下となるアンテナ及び放射口を具備するプラ
ズマ処理装置にある。ここで放射口の実効長ｄ* とは、
放射口の実寸をｄ、放射口を構成する絶縁体の比誘電率
をεr、使用周波数をｆ、基準周波数としてｆ0＝４５０
ＭＨｚを用いると、ｄ*＝（ｆ／ｆ0）ｄ／εr 1/2であ
る。
れば、本発明の特徴は、真空容器と、該真空容器内部に
あってガスが供給される処理室と、該処理室内に設けら
れ処理対象物を支持する支持電極と、ＵＨＦもしくはＶ
ＨＦ帯の高周波を処理室に供給するディスク状アンテナ
及びアンテナ横に配置された絶縁体で構成された放射口
からなる高周波導入手段と、前記処理室に磁場を形成す
る磁場形成手段とを有し、前記高周波導入手段におい
て、アンテナの半径と放射口の実効長との比が０.４以
上１.５以下となるアンテナ及び放射口を具備するプラ
ズマ処理装置にある。ここで放射口の実効長ｄ* とは、
放射口の実寸をｄ、放射口を構成する絶縁体の比誘電率
をεr、使用周波数をｆ、基準周波数としてｆ0＝４５０
ＭＨｚを用いると、ｄ*＝（ｆ／ｆ0）ｄ／εr 1/2であ
る。
【００１０】前記アンテナの半径は、高周波の真空中の
波長をλ0とすると、λ0／４ 以下となることが望まし
い。また、処理室に面する側のアンテナ表面の部材はＳ
ｉ，ＳｉＣもしくはＣであることが望ましい。前記放射
口の一部を金属板で塞ぎ、放射口を処理するウエハ径程
度にまで縮めた方が望ましい。また前記アンテナにスリ
ット開口部を設け、プラズマに接する側にＳｉもしくは
ＳｉＣ，Ｃで構成される板状部材を配置し、板状部材を
介して高周波を前記処理室に供給することが望ましい。
波長をλ0とすると、λ0／４ 以下となることが望まし
い。また、処理室に面する側のアンテナ表面の部材はＳ
ｉ，ＳｉＣもしくはＣであることが望ましい。前記放射
口の一部を金属板で塞ぎ、放射口を処理するウエハ径程
度にまで縮めた方が望ましい。また前記アンテナにスリ
ット開口部を設け、プラズマに接する側にＳｉもしくは
ＳｉＣ，Ｃで構成される板状部材を配置し、板状部材を
介して高周波を前記処理室に供給することが望ましい。
【００１１】
【発明の実施の形態】ＵＬＳＩ素子の微細化，高集積化
が急速に進められ、 加工寸法０.１８μｍデバイスは間
もなく量産化へ移行し、さらに０.１３μｍ のデバイス
も開発されつつある。またφ３００mmウエハラインの構
築も進められており、エッチング技術の高精度化，大口
径対応が求められている。その中でも酸化膜エッチング
では、対下地や対レジストに対して高い選択比を得よう
とすると、エッチング反応が途中で停止する‘エッチス
トップ’やＲＩＥ−lag が発生しやすく、高アスペクト
垂直加工と高選択比との両立が益々困難である。また，
デバイス動作の高速化のため低誘電率膜が導入されつつ
あり、加工すべき膜種も増えている。
が急速に進められ、 加工寸法０.１８μｍデバイスは間
もなく量産化へ移行し、さらに０.１３μｍ のデバイス
も開発されつつある。またφ３００mmウエハラインの構
築も進められており、エッチング技術の高精度化，大口
径対応が求められている。その中でも酸化膜エッチング
では、対下地や対レジストに対して高い選択比を得よう
とすると、エッチング反応が途中で停止する‘エッチス
トップ’やＲＩＥ−lag が発生しやすく、高アスペクト
垂直加工と高選択比との両立が益々困難である。また，
デバイス動作の高速化のため低誘電率膜が導入されつつ
あり、加工すべき膜種も増えている。
【００１２】また、ＵＬＳＩ素子の微細化，高集積化が
急速に進められ、それに応じてエッチング技術の高精度
化，大口径対応が求められている。その中でも酸化膜や
低誘電率絶縁膜を加工する絶縁膜エッチングでは、デバ
イス構造の複雑化，加工幅の微細化と並んで加工膜種の
多様化に対応する必要が生じており、対レジストや対Ｓ
ｉ3Ｎ4に対する高選択比、垂直加工形状が求められてい
る。ところが対下地や対レジストに対して高い選択比を
得ようとすると、エッチング反応が途中で停止する‘エ
ッチストップ’やＲＩＥ−lag が発生しやすく、高アス
ペクト垂直加工と高選択比との両立が益々困難になって
いる。絶縁膜エッチングでは、炭素とフッ素を含むフロ
ロカーボンガスが用いられ、プラズマによって分解され
たフロロカーボンラジカル（ＣｘＦｙ）の膜堆積とイオ
ン入射によりエッチング反応が進行する。酸化膜，レジ
スト，Ｓｉ3Ｎ4上に堆積するフロロカーボン膜の膜厚や
組成が異なることによって選択比が発現する。フロロカ
ーボンラジカルとＦラジカルの密度比ＣｘＦｙ／Ｆが高
い方が高選択比を得られると考えられているが、一方Ｃ
ｘＦｙの量や炭素の割合が増えるとエッチング反応が停
止することがある。フロロカーボンラジカルの組成はプ
ラズマの密度や電子温度のみならず、チャンバー壁での
化学反応，リサイクリングによって支配される。また反
応生成物やその解離物がエッチングを阻害する。そのた
め、酸化膜エッチングでは、ラジカルや反応生成物の解
離を支配するプラズマの密度，温度を制御するにあり、
大口径均一処理のためには、その分布制御が必要とな
る。また、高スループットすなわち高エッチング速度を
実現するためにはプラズマの高密度化が必須である。本
発明の実施の形態を、以下、参考例と実施例とを用いて
説明する。
急速に進められ、それに応じてエッチング技術の高精度
化，大口径対応が求められている。その中でも酸化膜や
低誘電率絶縁膜を加工する絶縁膜エッチングでは、デバ
イス構造の複雑化，加工幅の微細化と並んで加工膜種の
多様化に対応する必要が生じており、対レジストや対Ｓ
ｉ3Ｎ4に対する高選択比、垂直加工形状が求められてい
る。ところが対下地や対レジストに対して高い選択比を
得ようとすると、エッチング反応が途中で停止する‘エ
ッチストップ’やＲＩＥ−lag が発生しやすく、高アス
ペクト垂直加工と高選択比との両立が益々困難になって
いる。絶縁膜エッチングでは、炭素とフッ素を含むフロ
ロカーボンガスが用いられ、プラズマによって分解され
たフロロカーボンラジカル（ＣｘＦｙ）の膜堆積とイオ
ン入射によりエッチング反応が進行する。酸化膜，レジ
スト，Ｓｉ3Ｎ4上に堆積するフロロカーボン膜の膜厚や
組成が異なることによって選択比が発現する。フロロカ
ーボンラジカルとＦラジカルの密度比ＣｘＦｙ／Ｆが高
い方が高選択比を得られると考えられているが、一方Ｃ
ｘＦｙの量や炭素の割合が増えるとエッチング反応が停
止することがある。フロロカーボンラジカルの組成はプ
ラズマの密度や電子温度のみならず、チャンバー壁での
化学反応，リサイクリングによって支配される。また反
応生成物やその解離物がエッチングを阻害する。そのた
め、酸化膜エッチングでは、ラジカルや反応生成物の解
離を支配するプラズマの密度，温度を制御するにあり、
大口径均一処理のためには、その分布制御が必要とな
る。また、高スループットすなわち高エッチング速度を
実現するためにはプラズマの高密度化が必須である。本
発明の実施の形態を、以下、参考例と実施例とを用いて
説明する。
【００１３】本発明の第１の実施例を図１に示す。プラ
ズマ処理装置はガス導入系２を介しガスが導入される処
理室３と被処理物４を支持する支持台（電極）５とを備
えた真空容器１を有し、処理室内のガスは排気系６によ
って排気される。ＵＨＦもしくはＶＨＦ発生源７で発生
されたＵＨＦもしくはＶＨＦ帯の高周波８は整合器９及
び伝送線路１０を通して高周波電極１１に供給される。
高周波電極１１と導体壁１２の間には誘電体１３が充填
されており、高周波は放射口１４を通して、処理室３に
導入される。ＵＨＦもしくはＶＨＦ発生源７とは別のＲ
Ｆ発生源１５が設けられ、ＲＦ帯の高周波が同じく高周
波電極１１に供給される。真空容器１の周囲には磁場形
成手段１６があり、処理室３内に磁場を形成する。高周
波電極には、ディスク状アンテナ１７が接続される。ア
ンテナの半径と放射口の実効長との比が０.４以上１.５
以下となるアンテナ及び放射口を具備することを特徴と
する。ここで放射口の実効長ｄ* とは、使用周波数を
ｆ、基準周波数としてｆ0 ＝４５０ＭＨｚを用いると、
放射口の実寸をｄ，放射口を構成する絶縁体の比誘電率
をεrとするとｄ*＝（ｆ／ｆ0）ｄ／εr 1/2である。
ズマ処理装置はガス導入系２を介しガスが導入される処
理室３と被処理物４を支持する支持台（電極）５とを備
えた真空容器１を有し、処理室内のガスは排気系６によ
って排気される。ＵＨＦもしくはＶＨＦ発生源７で発生
されたＵＨＦもしくはＶＨＦ帯の高周波８は整合器９及
び伝送線路１０を通して高周波電極１１に供給される。
高周波電極１１と導体壁１２の間には誘電体１３が充填
されており、高周波は放射口１４を通して、処理室３に
導入される。ＵＨＦもしくはＶＨＦ発生源７とは別のＲ
Ｆ発生源１５が設けられ、ＲＦ帯の高周波が同じく高周
波電極１１に供給される。真空容器１の周囲には磁場形
成手段１６があり、処理室３内に磁場を形成する。高周
波電極には、ディスク状アンテナ１７が接続される。ア
ンテナの半径と放射口の実効長との比が０.４以上１.５
以下となるアンテナ及び放射口を具備することを特徴と
する。ここで放射口の実効長ｄ* とは、使用周波数を
ｆ、基準周波数としてｆ0 ＝４５０ＭＨｚを用いると、
放射口の実寸をｄ，放射口を構成する絶縁体の比誘電率
をεrとするとｄ*＝（ｆ／ｆ0）ｄ／εr 1/2である。
【００１４】アンテナの半径１７ａと放射口１４の実効
長との比がプラズマ分布の決定因子であることを図８
（ａ）（ＵＨＦ周波数４５０ＭＨｚ）の体系で説明す
る。例として放射口を形成する誘電体として石英（比誘
電率３.５ ）を用いた場合の結果を以下に示す。ＵＨＦ
の電界はプラズマとアンテナの間に形成されるシース中
を伝播する。まず、アンテナ半径ｒ＝１６４mmの場合の
電界分布を図８（ｂ）に示す。アンテナ直下の電界の径
方向分布を、アンテナ径をパラメータとして図８（ｃ）
に示す。アンテナ下の電界分布は端部を除いてｚ方向成
分のみを持ち、中央部が高く、管内波長の１／４の位置
（図８では、半径１１０mm付近）で節を持ち、またアン
テナ端で０となるような凸分布（ベッセル関数）とな
る。一方、アンテナ径を１３３mmとすると電界分布はｒ
＝１１０mmまでは上記と同じ分布をしているが、それよ
り外側では電界強度が高くなる。このようにアンテナ径
によって電界の分布及び径方向分布が変化するのは、放
射口から供給されたＵＨＦはシース中を伝播しプラズマ
で吸収される一方で、一部は反射され放射口側に戻り、
さらにアンテナ横及び背面に設けられた金属で反射さ
れ、再びシース側に伝播することを繰り返すことにより
定在波を形成するためである。そのため、アンテナ寸法
と放射口の寸法が変わると、電界の分布が変わることに
なる。中心での電界強度をＥ0 、アンテナより外側の周
辺電界強度の最大値（これは、アンテナ径によってその
位置は変化する）をＥedge とする（図８（ｃ）に表
示）。アンテナ径と放射口径の和をチャンバー径ｒc と
し、チャンバー径は一定のまま、アンテナ径を変えると
Ｅedge／Ｅ0 は、図８のように変化し、特定の寸法の所
で１を超える。周辺電界強度が最大となる位置ｒ
peakは、この場合ｒpeak〜０.３５*(ｒc−ａ）＋ａとな
る。チャンバー径を先の寸法の１.２倍 に変化させて
も、Ｅedge／Ｅ0 が１を超えるアンテナ径が存在する。
上記の比Ｅedge／Ｅ0 をアンテナ径／チャンバー径の比
で表示するとチャンバー径が異なっても両者の曲線が概
ね重なる。このことは、まさしくＵＨＦが、アンテナ径
と放射口径で決まる定在波を形成して伝播している事を
示している。
長との比がプラズマ分布の決定因子であることを図８
（ａ）（ＵＨＦ周波数４５０ＭＨｚ）の体系で説明す
る。例として放射口を形成する誘電体として石英（比誘
電率３.５ ）を用いた場合の結果を以下に示す。ＵＨＦ
の電界はプラズマとアンテナの間に形成されるシース中
を伝播する。まず、アンテナ半径ｒ＝１６４mmの場合の
電界分布を図８（ｂ）に示す。アンテナ直下の電界の径
方向分布を、アンテナ径をパラメータとして図８（ｃ）
に示す。アンテナ下の電界分布は端部を除いてｚ方向成
分のみを持ち、中央部が高く、管内波長の１／４の位置
（図８では、半径１１０mm付近）で節を持ち、またアン
テナ端で０となるような凸分布（ベッセル関数）とな
る。一方、アンテナ径を１３３mmとすると電界分布はｒ
＝１１０mmまでは上記と同じ分布をしているが、それよ
り外側では電界強度が高くなる。このようにアンテナ径
によって電界の分布及び径方向分布が変化するのは、放
射口から供給されたＵＨＦはシース中を伝播しプラズマ
で吸収される一方で、一部は反射され放射口側に戻り、
さらにアンテナ横及び背面に設けられた金属で反射さ
れ、再びシース側に伝播することを繰り返すことにより
定在波を形成するためである。そのため、アンテナ寸法
と放射口の寸法が変わると、電界の分布が変わることに
なる。中心での電界強度をＥ0 、アンテナより外側の周
辺電界強度の最大値（これは、アンテナ径によってその
位置は変化する）をＥedge とする（図８（ｃ）に表
示）。アンテナ径と放射口径の和をチャンバー径ｒc と
し、チャンバー径は一定のまま、アンテナ径を変えると
Ｅedge／Ｅ0 は、図８のように変化し、特定の寸法の所
で１を超える。周辺電界強度が最大となる位置ｒ
peakは、この場合ｒpeak〜０.３５*(ｒc−ａ）＋ａとな
る。チャンバー径を先の寸法の１.２倍 に変化させて
も、Ｅedge／Ｅ0 が１を超えるアンテナ径が存在する。
上記の比Ｅedge／Ｅ0 をアンテナ径／チャンバー径の比
で表示するとチャンバー径が異なっても両者の曲線が概
ね重なる。このことは、まさしくＵＨＦが、アンテナ径
と放射口径で決まる定在波を形成して伝播している事を
示している。
【００１５】外部磁場として図１０のような発散型磁場
（中央部の磁場強度が大きく、周辺部にいくに連れ、強
度が下がる）を用いた時のプラズマ密度分布を図１１に
示す。比Ｅedge／Ｅ0 が１程度となる所で、比較的平坦
分布となっている。このようにアンテナ径と放射口径の
比を特定することで電界分布を変え、これによってプラ
ズマを大口径均一化できることになる。
（中央部の磁場強度が大きく、周辺部にいくに連れ、強
度が下がる）を用いた時のプラズマ密度分布を図１１に
示す。比Ｅedge／Ｅ0 が１程度となる所で、比較的平坦
分布となっている。このようにアンテナ径と放射口径の
比を特定することで電界分布を変え、これによってプラ
ズマを大口径均一化できることになる。
【００１６】次に、媒質として空気（比誘電率１）を薄
い石英で封じ込めた誘電体を用いた場合について記述す
る。周辺電界と中心電界との比Ｅedge／Ｅ0 を、アンテ
ナ半径ａと放射口の実効長ｄ* の比に対して図示する
と、図１２のようになる。上記の誘電体媒質として石英
を用いた場合も併記した。電界の比Ｅedge／Ｅ0 が１程
度もしくはそれ以上となるａ／ｄ＊は両者で略一致し、
０.４〜１.２の範囲となる。このようにアンテナの半径
と放射口の実効長ｄ* との比が０.４以上１.５以下とす
ると、周辺での電界強度を高めることができる。なお、
放射口の形状については種々の形が考えられるが、その
場合、放射口１４の実寸ｄは、プラズマに接する面から
金属壁までの距離と定義する。
い石英で封じ込めた誘電体を用いた場合について記述す
る。周辺電界と中心電界との比Ｅedge／Ｅ0 を、アンテ
ナ半径ａと放射口の実効長ｄ* の比に対して図示する
と、図１２のようになる。上記の誘電体媒質として石英
を用いた場合も併記した。電界の比Ｅedge／Ｅ0 が１程
度もしくはそれ以上となるａ／ｄ＊は両者で略一致し、
０.４〜１.２の範囲となる。このようにアンテナの半径
と放射口の実効長ｄ* との比が０.４以上１.５以下とす
ると、周辺での電界強度を高めることができる。なお、
放射口の形状については種々の形が考えられるが、その
場合、放射口１４の実寸ｄは、プラズマに接する面から
金属壁までの距離と定義する。
【００１７】本発明の第２の実施例を図２に示す。本実
施例は、プラズマ処理装置に用いられる、電極及びアン
テナの構成に着目している。図１記載の実施例におい
て、前記アンテナの半径１７ａは、高周波の真空中の波
長をλ0 とすると、λ0／４ 以下となることを特徴とす
る。ＶＨＦもしくはＵＨＦ帯の高周波はシース中を伝播
し定在波を形成する。ちょうどλ／４（閉空間に閉じ込
められるので、波長λは真空中の波長λ0 より小さくな
る）の位置が、波の節に当たるので電界強度が小さく、
その部分ではプラズマ密度が低下することになる。そこ
で、アンテナ径をλ0 より小さくし、電界の節を避け
る。さらに図８に示したように、アンテナ径を縮めた方
が周辺電界のピーク位置が内側に移動する。その結果、
前記の図１１（ｆ＝４５０ＭＨｚ，誘電体石英，チャン
バー径１.２ｒc）に示したように、アンテナ半径１６４
mmとアンテナ径１５０mmとを比較すると、アンテナ径１
５０mmの方が周辺部のプラズマ密度が上がり、分布が均
一になっているのが判る。
施例は、プラズマ処理装置に用いられる、電極及びアン
テナの構成に着目している。図１記載の実施例におい
て、前記アンテナの半径１７ａは、高周波の真空中の波
長をλ0 とすると、λ0／４ 以下となることを特徴とす
る。ＶＨＦもしくはＵＨＦ帯の高周波はシース中を伝播
し定在波を形成する。ちょうどλ／４（閉空間に閉じ込
められるので、波長λは真空中の波長λ0 より小さくな
る）の位置が、波の節に当たるので電界強度が小さく、
その部分ではプラズマ密度が低下することになる。そこ
で、アンテナ径をλ0 より小さくし、電界の節を避け
る。さらに図８に示したように、アンテナ径を縮めた方
が周辺電界のピーク位置が内側に移動する。その結果、
前記の図１１（ｆ＝４５０ＭＨｚ，誘電体石英，チャン
バー径１.２ｒc）に示したように、アンテナ半径１６４
mmとアンテナ径１５０mmとを比較すると、アンテナ径１
５０mmの方が周辺部のプラズマ密度が上がり、分布が均
一になっているのが判る。
【００１８】本発明の第３の実施例を図３に示す。プラ
ズマ処理装置に用いられる、電極及びアンテナの構成に
着目している。本実施例では、図１及び図２いずれか記
載の実施例において、アンテナの横にリング状の導体１
８を置いたことを特徴とする。リング状の導体の配置箇
所は、上記の周辺電界が最大となる箇所ｒ＝ｒpeak付近
に置く。リングとアンテナとの間隔は、その箇所での高
周波の管内波長をλ1とすると、１／８λ1以上が望まし
く、さらには３／８λ1以下が望ましい。リング１８の
幅については任意である。リング状の導体１８は、その
配置した箇所の下側（処理室側）の電界強度を強めるこ
とができるので、電界強度をより高めようとすると、そ
の厚さについては、厚いほど望ましい。周波数ｆ＝４５
０ＭＨｚ、放射口の誘電体として石英を用いた場合、リ
ングとアンテナとの間隔は８mm以上２４mm以下が望まし
い。リングの幅として１５mmとした時の電界強度のアン
テナ径／チャンバー径依存性を図１３に示す。前記図９
に記載したリングの無い時の比Ｅedge／Ｅ0 の値が、各
アンテナ径の場合より大きくなっていることが判る。
ズマ処理装置に用いられる、電極及びアンテナの構成に
着目している。本実施例では、図１及び図２いずれか記
載の実施例において、アンテナの横にリング状の導体１
８を置いたことを特徴とする。リング状の導体の配置箇
所は、上記の周辺電界が最大となる箇所ｒ＝ｒpeak付近
に置く。リングとアンテナとの間隔は、その箇所での高
周波の管内波長をλ1とすると、１／８λ1以上が望まし
く、さらには３／８λ1以下が望ましい。リング１８の
幅については任意である。リング状の導体１８は、その
配置した箇所の下側（処理室側）の電界強度を強めるこ
とができるので、電界強度をより高めようとすると、そ
の厚さについては、厚いほど望ましい。周波数ｆ＝４５
０ＭＨｚ、放射口の誘電体として石英を用いた場合、リ
ングとアンテナとの間隔は８mm以上２４mm以下が望まし
い。リングの幅として１５mmとした時の電界強度のアン
テナ径／チャンバー径依存性を図１３に示す。前記図９
に記載したリングの無い時の比Ｅedge／Ｅ0 の値が、各
アンテナ径の場合より大きくなっていることが判る。
【００１９】本発明の第４の実施例を図４に示す。プラ
ズマ処理装置に用いられる、電極及びアンテナの構成に
着目している。本実施例は、図１乃至図３いずれか記載
の実施例において、プラズマに接する電極もしくはアン
テナの表面部材である板状部材１９をＳｉもしくはＳｉ
Ｃ，Ｃで構成したことを特徴とする。これにより、被処
理物への金属汚染を防ぐ。また、フロロカーボンガスが
解離して発生するＦをＳｉもしくはＳｉＣ，Ｃでスカベ
ンジしＦ濃度を減らす、もしくは制御し、CFx／Ｆ比を
上げてＳｉＯ2／Ｓｉ，Ｓｉ3Ｎ4／ＳｉＯ2 の選択比を
向上させる。
ズマ処理装置に用いられる、電極及びアンテナの構成に
着目している。本実施例は、図１乃至図３いずれか記載
の実施例において、プラズマに接する電極もしくはアン
テナの表面部材である板状部材１９をＳｉもしくはＳｉ
Ｃ，Ｃで構成したことを特徴とする。これにより、被処
理物への金属汚染を防ぐ。また、フロロカーボンガスが
解離して発生するＦをＳｉもしくはＳｉＣ，Ｃでスカベ
ンジしＦ濃度を減らす、もしくは制御し、CFx／Ｆ比を
上げてＳｉＯ2／Ｓｉ，Ｓｉ3Ｎ4／ＳｉＯ2 の選択比を
向上させる。
【００２０】本発明の第５の実施例を図５に示す。プラ
ズマ処理装置に用いられる、放射口の構成に着目してい
る。本実施例では、図１乃至図３いずれか記載の実施例
において、放射口１４より幅の小さい第２の放射口（誘
電体）２０を放射口１４の処理室側の外周部に配置した
ことを特徴とする。この時、第２の放射口２０を内径ｒ
1，外径ｒ2，厚さｔのリング状にした誘電体で構成する
とすると、ｒ1 を周辺部電界のピーク位置、上記のｒ
peakより大きくすればよく、ｒ2 はチャンバー径と一致
させる方が望ましい。またリングの厚さとしては、ＵＨ
ＦもしくはＶＨＦがプラズマに浸透する距離skin depth
δ＝ｃ／（ω＊Ｉｍκp 1/2）より大きければ良い。ここ
でωは各周波数で、ω＝２πｆ，ｃ：光速，κp はプラ
ズマの誘電率定数で、κp＝１−ωpe 2／ω（ω−ｊ
νm），ωpe：プラズマ周波数，νm ：電子−中性粒子
衝突周波数、で与えられる。誘電体の厚さｔがδより厚
いと、ＶＨＦもしくはＵＨＦは第２の放射口を通るより
も、放射口を通ってプラズマ側へ伝わりやすくなる。例
えば、図１１記載のアンテナ径１５０mmの場合では、周
辺部の密度が高くなりすぎる。そこで第２の放射口材質
を石英として、厚さｔ＝１０mmの板状部材をｒ1 ＝１８
０mmとしてチャンバー外側から挿入すると、図１３に示
すように、周辺部密度を低下させ、均一性を増すことが
できる。また、第２の放射口下のプラズマを弱められる
ので、第２の放射口の無い場合に比べ、同じ入力パワー
の場合よりもプラズマを高密度化できる。
ズマ処理装置に用いられる、放射口の構成に着目してい
る。本実施例では、図１乃至図３いずれか記載の実施例
において、放射口１４より幅の小さい第２の放射口（誘
電体）２０を放射口１４の処理室側の外周部に配置した
ことを特徴とする。この時、第２の放射口２０を内径ｒ
1，外径ｒ2，厚さｔのリング状にした誘電体で構成する
とすると、ｒ1 を周辺部電界のピーク位置、上記のｒ
peakより大きくすればよく、ｒ2 はチャンバー径と一致
させる方が望ましい。またリングの厚さとしては、ＵＨ
ＦもしくはＶＨＦがプラズマに浸透する距離skin depth
δ＝ｃ／（ω＊Ｉｍκp 1/2）より大きければ良い。ここ
でωは各周波数で、ω＝２πｆ，ｃ：光速，κp はプラ
ズマの誘電率定数で、κp＝１−ωpe 2／ω（ω−ｊ
νm），ωpe：プラズマ周波数，νm ：電子−中性粒子
衝突周波数、で与えられる。誘電体の厚さｔがδより厚
いと、ＶＨＦもしくはＵＨＦは第２の放射口を通るより
も、放射口を通ってプラズマ側へ伝わりやすくなる。例
えば、図１１記載のアンテナ径１５０mmの場合では、周
辺部の密度が高くなりすぎる。そこで第２の放射口材質
を石英として、厚さｔ＝１０mmの板状部材をｒ1 ＝１８
０mmとしてチャンバー外側から挿入すると、図１３に示
すように、周辺部密度を低下させ、均一性を増すことが
できる。また、第２の放射口下のプラズマを弱められる
ので、第２の放射口の無い場合に比べ、同じ入力パワー
の場合よりもプラズマを高密度化できる。
【００２１】本発明の第６の実施例を図６に示す。プラ
ズマ処理装置に用いられる、放射口の構成に着目してい
る。本実施例では、図１乃至図３いずれか記載の実施例
において、放射口１４より幅の小さい金属板２１を処理
室側の外周部に配置したことを特徴とする。金属板２１
は、内径ｒ1，外径ｒ2からなるリング状とし、内径ｒ1
については上記のｒpeakより大きくすればよく、ｒ2 は
チャンバー径と一致させる。金属板２１により、ＶＨ
Ｆ，ＵＨＦは確実に遮断できるので、この部分の厚さ
は、任意である。図１１（ａ）のアンテナ径１５０mmの
場合では、金属板の内径ｒ1 を１８０mmより大きくすれ
ばよい。外周部に生成される余分なプラズマを消すこと
ができるので、均一性を保ったまま、プラズマ密度を高
くすることができる。なお、金属板を処理室内に露出さ
せないように、金属板を第３の誘電体で覆う方が望まし
い。この場合、上記のskin depthと厚さｔの関係を、第
３の誘電体の半径方向の厚さに適用すると、１０mm以下
が望ましい。
ズマ処理装置に用いられる、放射口の構成に着目してい
る。本実施例では、図１乃至図３いずれか記載の実施例
において、放射口１４より幅の小さい金属板２１を処理
室側の外周部に配置したことを特徴とする。金属板２１
は、内径ｒ1，外径ｒ2からなるリング状とし、内径ｒ1
については上記のｒpeakより大きくすればよく、ｒ2 は
チャンバー径と一致させる。金属板２１により、ＶＨ
Ｆ，ＵＨＦは確実に遮断できるので、この部分の厚さ
は、任意である。図１１（ａ）のアンテナ径１５０mmの
場合では、金属板の内径ｒ1 を１８０mmより大きくすれ
ばよい。外周部に生成される余分なプラズマを消すこと
ができるので、均一性を保ったまま、プラズマ密度を高
くすることができる。なお、金属板を処理室内に露出さ
せないように、金属板を第３の誘電体で覆う方が望まし
い。この場合、上記のskin depthと厚さｔの関係を、第
３の誘電体の半径方向の厚さに適用すると、１０mm以下
が望ましい。
【００２２】本発明の第７の実施例を図７に示す。プラ
ズマ処理装置に用いられる、アンテナの構成及び放射口
に着目している。本実施例では、図６記載の実施例にお
いて、放射口１４より幅の小さい金属板２１を処理室側
の外周部に配置し、さらに電極１１に接続されたディス
ク状アンテナ１７にスリット開口部２２を設け、処理室
３側にＳｉもしくはＳｉＣ，Ｃで構成される板状部材１
９を配置し、板状部材１９を介してＵＨＦもしくはＶＨ
Ｆの高周波を処理室３に供給することを特徴とする。ス
リット開口部２２は、まず、高周波電界の方向を変化さ
せるべき箇所に配置すれば良い。電界はアンテナに対し
て垂直成分しか持ち得ないので、ディスク状アンテナ１
７のみを用いた場合、Ｅｚ成分しか持たないが、スリッ
トを開けると必然的にＥｒ成分が生成される。外部磁場
Ｂはｒ成分Ｂｒとｚ方向成分Ｂｚがあるので、スリット
開口部でＥ×Ｂ≠０となるので、この部分にプラズマが
生成されることになる。図８記載のプラズマ処理装置で
は、電界の節はｒ＝１１０mmの位置にあるので、周辺部
ｒ＞１００mmの位置のプラズマ密度を上昇させるために
は、節の付近、例えばｒ＝１２０mmの位置に幅１０mmの
スリット開口部を設ければ良い。また軸対称性を確保す
るため、スリットは同心円上に円周方向に数箇所開けれ
ばよい。この時スリット開口部での電界を強めようとす
ると、スリット開口部の長さは管内波長の１／２λの整
数倍とすれば良い。スリット開口部へ充填材として誘電
体（比誘電率εｒ）を用いると、λ＝ｃ／ｆ／(εｒ)
1/2であり、石英εｒ＝３.５，ｆ＝４５０ＭＨｚの場合
はλ／２〜１８cmであるから、長さ（円弧）１８cmのス
リット開口部をｒ＝１２０mmの位置（円周７５４mm）に
円周方向に３個開ければ効率が良い。また中央部と周辺
部の電界を共に強めようとすると、例えば図７（ｂ）の
ように半径方向、及び円周方向に複数個スリット開口部
を設ければよい。
ズマ処理装置に用いられる、アンテナの構成及び放射口
に着目している。本実施例では、図６記載の実施例にお
いて、放射口１４より幅の小さい金属板２１を処理室側
の外周部に配置し、さらに電極１１に接続されたディス
ク状アンテナ１７にスリット開口部２２を設け、処理室
３側にＳｉもしくはＳｉＣ，Ｃで構成される板状部材１
９を配置し、板状部材１９を介してＵＨＦもしくはＶＨ
Ｆの高周波を処理室３に供給することを特徴とする。ス
リット開口部２２は、まず、高周波電界の方向を変化さ
せるべき箇所に配置すれば良い。電界はアンテナに対し
て垂直成分しか持ち得ないので、ディスク状アンテナ１
７のみを用いた場合、Ｅｚ成分しか持たないが、スリッ
トを開けると必然的にＥｒ成分が生成される。外部磁場
Ｂはｒ成分Ｂｒとｚ方向成分Ｂｚがあるので、スリット
開口部でＥ×Ｂ≠０となるので、この部分にプラズマが
生成されることになる。図８記載のプラズマ処理装置で
は、電界の節はｒ＝１１０mmの位置にあるので、周辺部
ｒ＞１００mmの位置のプラズマ密度を上昇させるために
は、節の付近、例えばｒ＝１２０mmの位置に幅１０mmの
スリット開口部を設ければ良い。また軸対称性を確保す
るため、スリットは同心円上に円周方向に数箇所開けれ
ばよい。この時スリット開口部での電界を強めようとす
ると、スリット開口部の長さは管内波長の１／２λの整
数倍とすれば良い。スリット開口部へ充填材として誘電
体（比誘電率εｒ）を用いると、λ＝ｃ／ｆ／(εｒ)
1/2であり、石英εｒ＝３.５，ｆ＝４５０ＭＨｚの場合
はλ／２〜１８cmであるから、長さ（円弧）１８cmのス
リット開口部をｒ＝１２０mmの位置（円周７５４mm）に
円周方向に３個開ければ効率が良い。また中央部と周辺
部の電界を共に強めようとすると、例えば図７（ｂ）の
ように半径方向、及び円周方向に複数個スリット開口部
を設ければよい。
【００２３】上記のように構成した本発明の実施例にお
いては、ディスク状アンテナ径と放射口の組み合わせに
より、１）アンテナ径と放射口径により半径方向の電界
強度分布を変化させる、２）放射口に設けた高周波制御
手段によって、外周部への高周波伝播を低減させる、
３）スリットによって電界強度とその成分を変化させる
ことができるのでプラズマ分布の制御範囲を広げること
が可能になる。この電界制御手段と磁場発生手段の組み
合わせによって、圧力やガス種，パワー等のプロセスパ
ラメータの変化に対応して、プラズマ分布を制御するこ
とが可能となる。
いては、ディスク状アンテナ径と放射口の組み合わせに
より、１）アンテナ径と放射口径により半径方向の電界
強度分布を変化させる、２）放射口に設けた高周波制御
手段によって、外周部への高周波伝播を低減させる、
３）スリットによって電界強度とその成分を変化させる
ことができるのでプラズマ分布の制御範囲を広げること
が可能になる。この電界制御手段と磁場発生手段の組み
合わせによって、圧力やガス種，パワー等のプロセスパ
ラメータの変化に対応して、プラズマ分布を制御するこ
とが可能となる。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、ＶＨＦもしくはＵＨＦ
帯の高周波と磁場とを用いてプラズマを生成する方式に
おいて、広いパラメータ領域で、高密度，高均一のプラ
ズマを実現するプラズマ処理装置が提供でき、その結
果、高処理速度，大口径ウエハの均一加工が実現され
る。
帯の高周波と磁場とを用いてプラズマを生成する方式に
おいて、広いパラメータ領域で、高密度，高均一のプラ
ズマを実現するプラズマ処理装置が提供でき、その結
果、高処理速度，大口径ウエハの均一加工が実現され
る。
【図１】本発明の第１の実施例によるプラズマ処理装置
である。
である。
【図２】本発明の第２の実施例を示す図である。
【図３】本発明の第３の実施例を示す図である。
【図４】本発明の第４の実施例を示す図である。
【図５】本発明の第５の実施例を示す図である。
【図６】本発明の第６の実施例を示す図である。
【図７】本発明の第７の実施例を示す図である。
【図８】本発明の第１の実施例の作用を示す図である。
【図９】本発明の第１の実施例の作用及び効果を示す図
である。
である。
【図１０】本発明の第１の実施例の効果を説明するため
の図である。
の図である。
【図１１】本発明の第１及び第２の実施例の作用及び効
果を示す図である。
果を示す図である。
【図１２】本発明の第１の実施例の作用を示す図であ
る。
る。
【図１３】本発明の第３の実施例の作用及び効果を示す
図である。
図である。
【図１４】本発明の第５の実施例の作用及び効果を示す
図である。
図である。
【符号の説明】 １…真空容器、２…ガス導入系、３…処理室、３ａ…チ
ャンバー半径、４…被処理物、５…支持台（電極）、６
…排気系、７…ＵＨＦもしくはＶＨＦ発生源、８…ＵＨ
Ｆ，ＶＨＦ帯の高周波、９…整合器、１０…伝送線路、
１１…高周波電極、１２…導体壁、１３…誘電体（導波
路）、１３ａ…導波路径、１４…高周波導入手段（放射
口）、１４ａ…放射口径、１５…ＲＦ発生源、１６…磁
場形成手段、１７…ディスク状アンテナ、１７ａ…アン
テナ半径、１８…リング状導体、１９…板状部材（Ｓ
ｉ，ＳｉＣ，Ｃ）、２０…第２の放射口（誘電体）、２
１…金属板、２２…スリット開口部。
ャンバー半径、４…被処理物、５…支持台（電極）、６
…排気系、７…ＵＨＦもしくはＶＨＦ発生源、８…ＵＨ
Ｆ，ＶＨＦ帯の高周波、９…整合器、１０…伝送線路、
１１…高周波電極、１２…導体壁、１３…誘電体（導波
路）、１３ａ…導波路径、１４…高周波導入手段（放射
口）、１４ａ…放射口径、１５…ＲＦ発生源、１６…磁
場形成手段、１７…ディスク状アンテナ、１７ａ…アン
テナ半径、１８…リング状導体、１９…板状部材（Ｓ
ｉ，ＳｉＣ，Ｃ）、２０…第２の放射口（誘電体）、２
１…金属板、２２…スリット開口部。
Claims (7)
- 【請求項１】真空容器と、該真空容器内部にあってガス
が供給される処理室と、該処理室内に設けられ処理対象
物を支持する支持電極と、 ＵＨＦもしくはＶＨＦ帯の高周波を処理室に供給するア
ンテナ及び放射口と、 前記処理室に磁場を形成する磁場形成手段とを有し、 前記アンテナ半径と放射口の実効長（ここで放射口の実
効長ｄ* は、ＵＨＦもしくはＶＨＦ帯の高周波をｆ、基
準周波数としてｆ0＝４５０ＭＨｚ を用いると、放射口
の実寸をｄ，放射口を構成する絶縁体の比誘電率をεr
とするとｄ*＝（ｆ／ｆ0）ｄ／εr 1/2である。） との
比が０.４以上１.５以下となるアンテナ及び／又は放射
口を具備するプラズマ処理装置。 - 【請求項２】請求項１において、 高周波の真空中の波長をλ0 とすると、前記アンテナの
半径がλ0／４ 以下となるアンテナを有するプラズマ処
理装置。 - 【請求項３】請求項１又は請求項２において、 前記アンテナの外側側面に、リング状の導体を配置した
プラズマ処理装置。 - 【請求項４】請求項１乃至請求項３のいずれかにおい
て、 前記アンテナの表面に、ＳｉもしくはＳｉＣ，Ｃで構成
される板状部材を配置するプラズマ処理装置。 - 【請求項５】請求項１乃至請求項３のいずれかにおい
て、 前記高周波の放射口の処理室側に、前記放射口より小さ
い第２の放射口を配置したプラズマ処理装置。 - 【請求項６】請求項１乃至請求項３のいずれかにおい
て、 前記高周波の放射口の処理室側に、前記放射口より小さ
い金属板を配置したプラズマ処理装置。 - 【請求項７】請求項５又は請求項６において、 前記アンテナにスリット開口部を設け、処理室側にＳｉ
もしくはＳｉＣ，Ｃで構成される板状部材を配置し、板
状部材を介してＵＨＦもしくはＶＨＦの高周波を処理室
に供給するプラズマ処理装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000260849A JP2002075969A (ja) | 2000-08-25 | 2000-08-25 | プラズマ処理装置 |
| TW090102250A TW497370B (en) | 2000-08-25 | 2001-02-02 | Plasma processing apparatus |
| KR1020010008958A KR100785960B1 (ko) | 2000-08-25 | 2001-02-22 | 플라즈마 처리 장치 |
| US09/796,619 US6388624B1 (en) | 2000-08-25 | 2001-03-02 | Parallel-planar plasma processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000260849A JP2002075969A (ja) | 2000-08-25 | 2000-08-25 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002075969A true JP2002075969A (ja) | 2002-03-15 |
Family
ID=18748792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000260849A Pending JP2002075969A (ja) | 2000-08-25 | 2000-08-25 | プラズマ処理装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6388624B1 (ja) |
| JP (1) | JP2002075969A (ja) |
| KR (1) | KR100785960B1 (ja) |
| TW (1) | TW497370B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003085718A1 (fr) * | 2002-04-09 | 2003-10-16 | Tokyo Electron Limited | Systeme de traitement par plasma |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001267305A (ja) * | 2000-03-17 | 2001-09-28 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
| US7252738B2 (en) | 2002-09-20 | 2007-08-07 | Lam Research Corporation | Apparatus for reducing polymer deposition on a substrate and substrate support |
| JP3868925B2 (ja) * | 2003-05-29 | 2007-01-17 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置 |
| JP4584572B2 (ja) * | 2003-12-22 | 2010-11-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置および処理方法 |
| US7167129B1 (en) * | 2004-10-12 | 2007-01-23 | Sandia Corporation | Reproducible, high performance patch antenna array apparatus and method of fabrication |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6251792B1 (en) * | 1990-07-31 | 2001-06-26 | Applied Materials, Inc. | Plasma etch processes |
| JPH08288096A (ja) * | 1995-02-13 | 1996-11-01 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ処理装置 |
| JP3257328B2 (ja) * | 1995-03-16 | 2002-02-18 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| JPH0963793A (ja) * | 1995-08-25 | 1997-03-07 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPH10134995A (ja) * | 1996-10-28 | 1998-05-22 | Toshiba Corp | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| TW403959B (en) * | 1996-11-27 | 2000-09-01 | Hitachi Ltd | Plasma treatment device |
| US5824607A (en) * | 1997-02-06 | 1998-10-20 | Applied Materials, Inc. | Plasma confinement for an inductively coupled plasma reactor |
| JP3555447B2 (ja) * | 1998-06-05 | 2004-08-18 | 株式会社日立製作所 | ドライエッチング装置 |
-
2000
- 2000-08-25 JP JP2000260849A patent/JP2002075969A/ja active Pending
-
2001
- 2001-02-02 TW TW090102250A patent/TW497370B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-02-22 KR KR1020010008958A patent/KR100785960B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-03-02 US US09/796,619 patent/US6388624B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003085718A1 (fr) * | 2002-04-09 | 2003-10-16 | Tokyo Electron Limited | Systeme de traitement par plasma |
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