KR102644459B1 - 절연 플레이트 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

에어갭(air-gap)이 설치된 절연 플레이트를 이용하여 식각율을 제어할 수 있는, 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치가 제공된다. 상기 기판 처리 장치는 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하기 위한 처리 공간을 포함하는 챔버; 및 상기 처리 공간 내에 위치하고, 상기 기판을 지지하는 지지 모듈; 을 포함하고, 상기 지지 모듈은 고주파 전력을 제공받는 지지판과, 상기 지지판의 하부에 배치되고, 상기 지지판을 마주보는 제1 면을 포함하고, 상기 제1 면에는 적어도 하나의 제1 리세스가 형성되는 절연 플레이트를 포함한다.

Description

절연 플레이트 및 이를 포함하는 기판 처리 장치{Insulation plate and substrate processing apparatus including the same}
본 발명은 절연 플레이트 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 장치 또는 디스플레이 장치를 제조할 때에는, 플라즈마를 이용한 다양한 공정(예를 들어, 식각, 애싱, 이온주입, 세정 등)이 사용될 수 있다. 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치는, 플라즈마 발생 방식에 따라 CCP(Capacitively Coupled Plasma) 타입과 ICP(Inductively Coupled Plasma) 타입으로 구분할 수 있다. CCP 타입은 챔버 내에 두 전극이 서로 마주보도록 배치되고, 두 전극 중 어느 하나 또는 둘 모두에 RF 신호를 인가하여 챔버 내에 전기장을 형성함으로써 플라즈마를 생성한다. 반면, ICP 타입은 챔버에 하나 또는 그 이상의 코일이 설치되고, 코일에 RF 신호를 인가하여 챔버 내에 전자장을 유도함으로써 플라즈마를 생성한다.
한편, ICP 타입의 기판 처리 장치에서, 기판이 안착되는 정전척의 하부에는 절연 플레이트(또는, 세라믹 아이솔레이터(ceramic isolator)가 배치된다. 절연 플레이트는 기판 처리 장치의 하부로 바이어스 파워가 손실되는 것을 방지한다. 그런데, 종래의 절연 플레이트는 소재 고유의 유전율(εr)과 커패시턴스(C)에 의존하여 바이어스 파워 손실에 영향을 주는 리액턴스(X)를 변화시킨다. 리액턴스(X)에 따라 포락선 전압(Vrms)가 결정되기 때문에 식각율 향상에 한계가 있었다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 에어갭(air-gap)이 설치된 절연 플레이트를 이용하여 식각율을 제어할 수 있는, 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는, 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치에 사용되는, 에어갭(air-gap)이 설치된 절연 플레이트를 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치의 일 면(aspect)은, 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하기 위한 처리 공간을 포함하는 챔버; 및 상기 처리 공간 내에 위치하고, 상기 기판을 지지하는 지지 모듈; 을 포함하고, 상기 지지 모듈은 고주파 전력을 제공받는 지지판과, 상기 지지판의 하부에 배치되고, 상기 지지판을 마주보는 제1 면을 포함하고, 상기 제1 면에는 적어도 하나의 제1 리세스가 형성되는 절연 플레이트를 포함한다.
상기 절연 플레이트의 하부에 배치되는 하부 커버를 더 포함하고, 상기 절연 플레이트는 상기 하부 커버와 마주보는 제2 면을 포함하고, 상기 제2 면에는 적어도 하나의 제2 리세스가 형성된다.
상기 절연 플레이트는, 제1 영역과, 상기 제1 영역의 내측에 위치하는 제2 영역을 포함하고, 상기 제1 영역의 상면은 상기 지지판과 접촉하여 상기 지지판을 지지하고, 상기 제2 영역에 상기 적어도 하나의 제1 리세스가 형성된다.
상기 절연 플레이트는, 상기 고주파 전력을 상기 지지판에 전달하기 위한 로드(rod)가 관통되는 관통홀을 포함하고, 상기 제1 면에는 상기 로드의 측면 일부를 둘러싸는 보호부가 설치되고, 상기 보호부의 상면은, 상기 제1 리세스의 바닥면보다 상기 지지판에 가깝다. 상기 보호부의 상면은 상기 지지판과 접촉하여 상기 지지판을 지지한다.
상기 지지판의 상부에는 유전판을 더 포함하고, 상기 유전판 내부에 상기 기판의 온도를 제어하기 위한 히터가 설치되고, 상기 히터는 서로 다른 온도로 제어가능한 다수의 히팅 유닛을 포함하고, 상기 유전판은 상기 다수의 히팅 존으로 구분되되, 다수의 히팅 존 각각은 상기 다수의 히팅 유닛 각각에 대응된다.
여기서, 상기 제1 리세스는 서로 구분되는 다수의 제1 부분 리세스를 포함하고, 다수의 제1 부분 리세스 각각은 상기 다수의 히팅 존 각각에 대응된다.
또는, 상기 절연 플레이트는, 상기 고주파 전력을 상기 지지판에 전달하기 위한 로드(rod)가 관통되는 관통홀을 더 포함하고, 상기 제1 리세스는, 상기 관통홀을 중심으로 링형으로 형성된 다수의 제1 부분 리세스를 포함한다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치의 다른 면은, 상면이 개방되고, 처리 공간을 포함하는 하우징; 상기 하우징의 상면을 커버하여, 상기 처리 공간 내에 공정 가스를 제공하기 위한 가스 공급홀을 포함하는 유전체 윈도우; 상기 밀폐 커버 상에 배치되고, 코일 형태이며, 제1 고주파 전력을 제공받아 상기 공정 가스를 플라즈마로 여기시키기 위한 안테나; 및 상기 처리 공간 내에 위치하고, 상기 기판을 지지하는 지지 모듈을 포함하고, 상기 지지 모듈은 제2 고주파 전력을 제공받아, 상기 플라즈마가 상기 기판 방향으로 공급되도록 유도하는 지지판과, 상기 지지판의 하부에 배치된 절연 플레이트와, 상기 절연 플레이트의 하부에 배치된 하부 커버를 포함하고, 상기 절연 플레이트는 상기 지지판을 마주보는 제1 면과, 상기 하부 커버를 마주보는 제2 면을 포함하고, 상기 제1 면 및 제2 면 중 적어도 하나에는, 적어도 하나의 리세스가 형성된다.
상기 절연 플레이트는, 상기 고주파 전력을 상기 지지판에 전달하기 위한 로드(rod)가 관통되는 관통홀을 포함하고, 상기 제1 면에는 상기 로드의 측면 일부를 둘러싸는 보호부가 설치되고, 상기 보호부의 상면은, 상기 제1 면에 형성된 리세스의 바닥면보다 상기 지지판에 가깝다.
상기 지지판의 상부에는 유전판을 더 포함하고, 상기 유전판 내부에 상기 기판의 온도를 제어하기 위한 히터가 설치되고, 상기 히터는 서로 다른 온도로 제어가능한 다수의 히팅 유닛을 포함하고, 상기 유전판은 상기 다수의 히팅 존으로 구분되되, 다수의 히팅 존 각각은 상기 다수의 히팅 유닛 각각에 대응될 수 있다.
상기 리세스는, 상기 관통홀을 중심으로 링형으로 형성된 다수의 부분 리세스를 포함할 수 있다.
상기 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명의 절연 플레이트의 일 면은, 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치에서 사용되고, 상면과 하면을 포함하는 원기둥 형상이며, 세라믹 재질의 바디; 상기 바디의 중앙을 관통하는 관통홀; 및 상기 상면 및 하면 중 적어도 하나에 형성되어, 에어갭을 구성하는 적어도 하나의 리세스를 포함할 수 있다.
상기 절연 플레이트는, 제1 영역과, 상기 제1 영역의 내측에 위치하는 제2 영역을 포함하고, 상기 제2 영역에 상기 적어도 하나의 리세스가 형성될 수 있다.
상기 상면 및 하면 중 적어도 하나에는, 상기 리세스의 바닥면보다 돌출되어 상기 관통홀을 정의하는 보호부를 더 형성될 수 있다.
상기 적어도 하나의 리세스는, 상기 관통홀을 중심으로 링형으로 형성된 다수의 부분 리세스를 포함할 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 절연 플레이트를 설명하기 위한 사시도이다.
도 3은 도 2의 III - III을 따라 절단한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 절연 플레이트를 설명하기 위한 사시도이다.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 절연 플레이트를 설명하기 위한 사시도이다.
도 6은 도 5의 VI-VI 을 따라 절단한 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제4 실시예에 따른 절연 플레이트를 설명하기 위한 사시도이다.
도 8은 본 발명의 제5 실시예에 따른 절연 플레이트를 설명하기 위한 사시도이다.
도 9는 본 발명의 제6 실시예에 따른 절연 플레이트를 설명하기 위한 단면도이다.
도 10은 본 발명의 제7 실시예에 따른 절연 플레이트를 설명하기 위한 단면도이다.
도 11은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치의 효과를 설명하기 위한 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 게시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 게시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.
도 1은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 단면도이다. 도 1에서는 예시적으로 ICP(Inductively Coupled Plasma) 방식으로 플라즈마를 발생시키는 기판 처리 장치를 도시하지만, 이에 한정되지 않는다.
도 1을 참고하면, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치(10)는 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리한다. 예를 들어, 기판 처리 장치(10)는 기판(W)에 대하여 식각 공정을 수행할 수 있다. 기판 처리 장치(10)는 공정 챔버(100), 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300), 플라즈마 발생 유닛(400) 및 배플 유닛(500)을 포함할 수 있다.
공정 챔버(100)는 기판 처리 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 공정 챔버(100)는 하우징(110), 밀폐 커버(120) 및 라이너(130)를 포함한다.
하우징(110)은 내부에 상면이 개방된 공간을 갖는다. 하우징(110)의 내부 공간은 기판 처리 공정이 수행되는 처리 공간으로 제공된다. 하우징(110)은 금속 재질로 제공된다. 하우징(110)은 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 하우징(110)은 접지될 수 있다. 하우징(110)의 바닥면에는 배기홀(102)이 형성된다. 배기홀(102)은 배기 라인(151)과 연결된다. 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 하우징의 내부 공간에 머무르는 가스는 배기 라인(151)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 배기 과정에 의해 하우징(110) 내부는 소정의 압력으로 감압된다.
밀폐 커버(120)는 하우징(110)의 개방된 상면을 덮는다. 밀폐 커버(120)는 판 형상으로 제공되며, 하우징(110)의 내부 공간을 밀폐시킨다. 밀폐 커버(120)는 유전체 윈도우(dielectric substance window)을 포함할 수 있다.
라이너(130)는 하우징(110) 내부에 제공된다. 라이너(130)는 상면 및 하면이 개방된 공간의 내부에 형성된다. 라이너(130)는 원통 형상으로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면에 상응하는 반경을 가질 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면을 따라 제공된다. 라이너(130)의 상단에는 지지 링(131)이 형성된다. 지지 링(131)은 링 형상의 판으로 제공되며, 라이너(130)의 둘레를 따라 라이너(130)의 외측으로 돌출된다. 지지 링(131)은 하우징(110)의 상단에 놓이며, 라이너(130)를 지지한다. 라이너(130)는 하우징(110)과 동일한 재질로 제공될 수 있다. 즉, 라이너(130)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110) 내측면을 보호한다. 공정 가스가 여기되는 과정에서 챔버(100) 내부에는 아크(Arc) 방전이 발생될 수 있다. 아크 방전은 주변 장치들을 손상시킨다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면을 보호하여 하우징(110)의 내측면이 아크 방전으로 손상되는 것을 방지한다. 또한, 기판 처리 공정 중에 발생한 불순물이 하우징(110)의 내측벽에 증착되는 것을 방지한다. 라이너(130)는 하우징(110)에 비하여 비용이 저렴하고, 교체가 용이하다. 따라서, 아크 방전으로 라이너(130)가 손상될 경우, 작업자는 새로운 라이너(130)로 교체할 수 있다.
하우징(110)의 내부에는 기판 지지 유닛(200)이 위치한다. 기판 지지 유닛(200)은 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(200)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 흡착하는 정전 척(210)을 포함할 수 있다. 이와 달리, 기판 지지 유닛(200)은 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수도 있다. 이하에서는 정전 척(210)을 포함하는 지지 유닛(200)에 대하여 설명한다.
지지 유닛(200)은 정전 척(210), 절연 플레이트(250) 및 하부 커버(270)를 포함한다. 지지 유닛(200)은 챔버(100) 내부에서 하우징(110)의 바닥면으로부터 상부로 이격되어 위치될 수 있다.
정전 척(210)은 유전판(220), 하부 전극(223), 히터(225), 지지판(230) 및 포커스 링(240)을 포함한다.
유전판(220)은 정전 척(210)의 상단부에 위치한다. 유전판(220)은 원판 형상의 유전체(dielectric substance)로 제공된다. 유전판(220)의 상면에는 기판(W)이 놓인다. 유전판(220)의 상면은 기판(W)보다 작은 반경을 갖는다. 따라서, 기판(W) 가장자리 영역은 유전판(220)의 외측에 위치한다. 유전판(220)에는 제1 공급 유로(221)가 형성된다. 제1 공급 유로(221)는 유전판(210)의 상면으로부터 저면으로 제공된다. 제1 공급 유로(221)는 서로 이격하여 복수 개 형성되며, 기판(W)의 저면으로 열전달 매체가 공급되는 통로로 제공된다.
유전판(220)의 내부에는 하부 전극(223)과 히터(225)가 매설된다. 하부 전극(223)은 히터(225)의 상부에 위치한다. 하부 전극(223)은 제1 하부 전원(223a)과 전기적으로 연결된다. 제1 하부 전원(223a)은 직류 전원을 포함한다. 하부 전극(223)과 제1 하부 전원(223a) 사이에는 스위치(223b)가 설치된다. 하부 전극(223)은 스위치(223b)의 온/오프에 의해 제1 하부 전원(223a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 스위치(223b)가 온 되면, 하부 전극(223)에는 직류 전류가 인가된다. 하부 전극(223)에 인가된 전류에 의해 하부 전극(223)과 기판(W) 사이에는 정전기력이 작용하며, 정전기력에 의해 기판(W)은 유전판(220)에 흡착된다.
히터(225)는 제2 하부 전원(225a)과 전기적으로 연결된다. 히터(225)는 제2 하부 전원(225a)에서 인가된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킨다. 발생된 열은 유전판(220)을 통해 기판(W)으로 전달된다. 히터(225)에서 발생된 열에 의해 기판(W)은 소정 온도로 유지된다. 히터(225)는 나선 형상의 코일을 포함한다.
유전판(220)의 하부에는 지지판(230)이 위치한다. 유전판(220)의 저면과 지지판(230)의 상면은 접착제(236)에 의해 접착될 수 있다. 지지판(230)은 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 지지판(230)의 상면은 중심 영역이 가장자리 영역보다 높게 위치되도록 단차질 수 있다. 지지판(230)의 상면 중심 영역은 유전판(220)의 저면에 상응하는 면적을 가지며, 유전판(220)의 저면과 접착된다. 지지판(230)에는 제1 순환 유로(231), 제2 순환 유로(232) 및 제2 공급 유로(233)가 형성된다.
지지판(230)은 금속판을 포함할 수 있다. 지지판(230)은 고주파 전송 라인(610)에 의해 고주파 전원(620)과 연결될 수 있다. 지지판(230)은 고주파 전원(620)으로부터 전력이 인가되어, 처리 공간에 생성되는 플라즈마가 기판으로 원활히 공급되도록 할 수 있다. 즉, 지지판(230)은 전극으로 기능할 수 있다. 또한, 도 10에서 기판 처리 장치(10)는 ICP 타입으로 구성되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(10)는 CCP 타입으로 구성될 수 있다. 기판 처리 장치(10)가 CCP 타입으로 구성되는 경우, 고주파 전송 라인(610)은 플라즈마를 생성하기 위한 하부 전극에 연결되어 고주파 전원(620)으로부터 하부 전극으로 전력을 인가할 수 있다.
제1 순환 유로(231)는 열전달 매체가 순환하는 통로로 제공된다. 제1 순환 유로(231)는 지지판(230) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 제1 순환 유로(231)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제1 순환 유로(231)는 서로 연통될 수 있다. 제1 순환 유로(231)는 동일한 높이에 형성된다.
제2 순환 유로(232)는 냉각 유체가 순환하는 통로로 제공된다. 제2 순환 유로(232)는 지지판(230) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또한, 제2 순환 유로(232)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제2 순환 유로(232)는 서로 연통될 수 있다. 제2 순환 유로(232)는 제1 순환 유로(231)보다 큰 단면적을 가질 수 있다. 제2 순환 유로(232)는 동일한 높이에 형성된다. 제2 순환 유로(232)는 제1 순환 유로(231)의 하부에 위치될 수 있다.
제2 공급 유로(233)는 제1 순환 유로(231)부터 상부로 연장되며, 지지판(230)의 상면으로 제공된다. 제2 공급 유로(243)는 제1 공급 유로(221)에 대응하는 개수로 제공되며, 제1 순환 유로(231)와 제1 공급 유로(221)를 연결한다.
제1 순환 유로(231)는 열전달 매체 공급 라인(231b)을 통해 열전달 매체 저장부(231a)와 연결된다. 열전달 매체 저장부(231a)에는 열전달 매체가 저장된다. 열전달 매체는 불활성 가스를 포함한다. 실시예에 의하면, 열전달 매체는 헬륨(He) 가스를 포함한다. 헬륨 가스는 공급 라인(231b)을 통해 제1 순환 유로(231)에 공급되며, 제2 공급 유로(233)와 제1 공급 유로(221)를 순차적으로 거쳐 기판(W) 저면으로 공급된다. 헬륨 가스는 플라즈마에서 기판(W)으로 전달된 열이 정전 척(210)으로 전달되는 매개체 역할을 한다.
제2 순환 유로(232)는 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 냉각 유체 저장부(232a)와 연결된다. 냉각 유체 저장부(232a)에는 냉각 유체가 저장된다. 냉각 유체 저장부(232a) 내에는 냉각기(232b)가 제공될 수 있다. 냉각기(232b)는 냉각 유체를 소정 온도로 냉각시킨다. 이와 달리, 냉각기(232b)는 냉각 유체 공급 라인(232c) 상에 설치될 수 있다. 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 제2 순환 유로(232)에 공급된 냉각 유체는 제2 순환 유로(232)를 따라 순환하며 지지판(230)을 냉각한다. 지지판(230)은 냉각되면서 유전판(220)과 기판(W)을 함께 냉각시켜 기판(W)을 소정 온도로 유지시킨다.
포커스 링(240)은 정전 척(210)의 가장자리 영역에 배치된다. 포커스 링(240)은 링 형상을 가지며, 유전판(220)의 둘레를 따라 배치된다. 포커스 링(240)의 상면은 외측부(240a)가 내측부(240b)보다 높도록 단차질 수 있다. 포커스 링(240)의 상면 내측부(240b)는 유전판(220)의 상면과 동일 높이에 위치된다. 포커스 링(240)의 상면 내측부(240b)는 유전판(220)의 외측에 위치된 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 포커스 링(240)의 외측부(240a)는 기판(W)의 가장자리 영역을 둘러싸도록 제공된다. 포커스 링(240)은 챔버(100) 내에서 플라즈마가 기판(W)과 마주하는 영역으로 집중되도록 한다.
지지판(230)의 하부에는 절연 플레이트(250)가 위치한다. 절연 플레이트(250)는 지지판(230)에 상응하는 단면적으로 제공된다. 절연 플레이트(250)는 지지판(230)과 하부 커버(270) 사이에 위치한다. 절연 플레이트(250)는 절연 재질로 제공되며, 지지판(230)과 하부 커버(270)를 전기적으로 절연시킨다.
절연 플레이트(250)의 일면 또는 양면에 리세스를 형성하여, 에어갭(air-gap)을 구현함으로써, 파워손실에 영향을 주는 리액턴스(X)의 크기를 조절할 수 있다. 이러한 절연 플레이트(250)의 구체적인 구조는, 도 2 내지 도 10을 이용하여 후술한다.
하부 커버(270)는 기판 지지 유닛(200)의 하단부에 위치한다. 하부 커버(270)는 하우징(110)의 바닥면에서 상부로 이격되어 위치한다. 하부 커버(270)는 상면이 개방된 공간이 내부에 형성된다. 하부 커버(270)의 상면은 절연 플레이트(250)에 의해 덮어진다. 따라서, 하부 커버(270)의 단면의 외부 반경은 절연 플레이트(250)의 외부 반경과 동일한 길이로 제공될 수 있다. 하부 커버(270)의 내부 공간에는 반송되는 기판(W)을 외부의 반송 부재로부터 정전 척(210)으로 이동시키는 리프트 핀 모듈(미도시) 등이 위치할 수 있다.
하부 커버(270)는 연결 부재(273)를 갖는다. 연결 부재(273)는 하부 커버(270)의 외측면과 하우징(110)의 내측벽을 연결한다. 연결 부재(273)는 하부 커버(270)의 외측면에 일정한 간격으로 복수 개 제공될 수 있다. 연결 부재(273)는 기판 지지 유닛(200)을 챔버(100) 내부에서 지지한다. 또한, 연결 부재(273)는 하우징(110)의 내측벽과 연결됨으로써 하부 커버(270)가 전기적으로 접지되도록 한다. 제1 하부 전원(223a)과 연결되는 제1 전원 라인(223c), 제2 하부 전원(225a)과 연결되는 제2 전원 라인(225c), 열전달 매체 저장부(231a)와 연결된 열전달 매체 공급 라인(231b), 및 냉각 유체 저장부(232a)와 연결된 냉각 유체 공급 라인(232c) 등은 연결 부재(273)의 내부 공간을 통해 하부 커버(270) 내부로 연장된다.
가스 공급 유닛(300)은 챔버(100) 내부에 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(300)은 가스 공급 노즐(310), 가스 공급 라인(320) 및 가스 저장부(330)를 포함한다. 가스 공급 노즐(310)은 밀폐 커버(120)의 중앙부에 설치된다. 가스 공급 노즐(310)의 저면에는 분사구가 형성된다. 분사구는 밀폐 커버(120)의 하부에 위치하며, 챔버(100) 내부의 처리공간으로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 라인(320)은 가스 공급 노즐(310)과 가스 저장부(330)를 연결한다. 가스 공급 라인(320)은 가스 저장부(330)에 저장된 공정 가스를 가스 공급 노즐(310)에 공급한다. 가스 공급 라인(320)에는 밸브(321)가 설치된다. 밸브(321)는 가스 공급 라인(320)을 개폐하며, 가스 공급 라인(320)을 통해 공급되는 공정 가스의 유량을 조절한다.
플라즈마 발생 유닛(400)은 챔버(100) 내 공정 가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 플라즈마 발생 유닛(400)은 ICP 타입으로 구성될 수 있다.
플라즈마 발생 유닛(400)은 고주파 전원(420), 제1 안테나(411), 제2 안테나(413), 그리고 전력 분배기(430)를 포함할 수 있다. 고주파 전원(420)은 고주파 신호(즉, RF 신호)를 공급한다.
제1 안테나(411) 및 제2 안테나(413)는 고주파 전원(420)와 직렬로 연결된다. 제1 안테나(411) 및 제2 안테나(413)는 각각 복수 회로 감긴 코일로 제공될 수 있다. 제1 안테나(411) 및 제2 안테나(413)는 고주파 전원(420)에 전기적으로 연결되어 RF 전력을 인가받는다. 전력 분배기(430)는 고주파 전원(420)로부터 공급되는 전력을 제1 안테나(411) 및 제2 안테나(413)로 분배한다.
제1 안테나(411) 및 제2 안테나(413)는 기판(W)에 대향하는 위치에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 안테나(411) 및 제2 안테나(413)는 공정 챔버(100)의 상부에 설치될 수 있다. 제1 안테나(411) 및 제2 안테나(413)는 링 형상으로 제공될 수 있다. 이때, 제1 안테나(411)의 반경은 제2 안테나(413)의 반경보다 작게 제공될 수 있다. 또한, 제1 안테나(411)는 공정 챔버(100)의 상부 안쪽에 위치하고, 제2 안테나(413)은 공정 챔버(100)의 상부 바깥쪽에 위치할 수 있다.
실시예에 따라, 상기 제1 및 제2 안테나(411, 413)는 공정 챔버(100)의 측부에 배치될 수도 있다. 실시예에 따라, 상기 제1 및 제2 안테나(411, 413) 중 어느 하나는 공정 챔버(100)의 상부에 배치되고, 다른 하나는 공정 챔버(100)의 측부에 배치될 수도 있다. 복수의 안테나가 공정 챔버(100) 내에서 플라즈마를 생성하는 한, 코일의 위치는 제한되지 않는다.
제1 안테나(411) 및 제2 안테나(413)는 고주파 전원(420)으로부터 RF 전력을 인가받아 챔버에 시변 전자장을 유도할 수 있으며, 그에 따라 공정 챔버(100)에 공급된 공정 가스는 플라즈마로 여기될 수 있다.
배플 유닛(500)은 하우징(110)의 내측벽과 기판 지지 유닛(200) 사이에 위치된다. 배플 유닛(500)은 관통홀이 형성된 배플을 포함한다. 배플은 환형의 링 형상으로 제공된다. 하우징(110) 내에 제공된 공정가스는 배플의 관통홀들을 통과하여 배기홀(102)로 배기된다. 배플의 형상 및 관통홀들의 형상에 따라 공정가스의 흐름이 제어될 수 있다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 절연 플레이트를 설명하기 위한 사시도이다. 도 3은 도 2의 III - III을 따라 절단한 단면도이다.
도 2 및 도 3을 참고하면, 절연 플레이트(250)는 대향하는 제1 면(UF)과 제2 면(DF)를 포함하고, 원기둥 형상이며 세라믹 재질의 바디를 포함한다. 제1 면(UF)은 지지판(도 1의 230)을 마주보고, 제2 면(DF)은 하부 커버(270)를 마주본다.
제1 면(UF)에는 적어도 하나의 제1 리세스(R1)가 형성되고, 제2 면에도 적어도 하나의 제2 리세스(R2)가 형성된다. 리세스(R1, R2)에 공기가 채워지면, 제1 면(UF)과 지지판(230) 사이와, 제2 면(DF)과 하부 커버(270) 사이에는 에어갭(air-gap)이 형성된다.
또한, 절연 플레이트(250)는 제1 영역(또는, 에지 영역)(bulk2)과, 제1 영역(256)의 내측에 위치하는 제2 영역(또는, 중심 영역)(air,bulk)을 포함한다. 제1 영역(bulk2)의 상면(256)은 지지판(230)과 접촉하여 지지판(230)을 지지한다. 제2 영역(air,bulk)에는 적어도 하나의 리세스(R1)가 형성될 수 있다.
또한, 전술한 것과 같이, 지지판(230)은 고주파 전송 라인(도 1의 610 참고)에 의해서 고주파 전원(620)과 연결된다. 더 구체적으로, 고주파 전송 라인(610)과 연결된 로드(rod)가 절연 플레이트(250)를 관통하고, 로드는 지지판(230)에 고주파 전력을 공급하게 된다. 따라서, 절연 플레이트(250)의 제2 영역(air,bulk)에는, 고주파 전력을 공급하기 위한 로드(rod)가 관통되는 관통홀(251)이 배치된다.
제1 면(UF) 및 제2 면(DF)에 형성된 적어도 하나의 제1 및 제2 리세스(R1, R2)는, 절연 플레이트(250)의 전체 커패시턴스(Ctotal)를 낮출 수 있다.
구체적으로, 수학식 1을 참고하면, Ctotal 은 절연 플레이트(250)의 전체 커패시턴스이고, Cbulk2 는 제1 영역(또는, 에지 영역)(bulk2)의 커패시턴스이고, 는 제2 영역(또는, 중심 영역)(air,bulk)의 커패시턴스를 의미한다. Cair는 제2 영역(air,bulk)에서 제1 리세스(R1) 및 제2 리세스(R2)의 커패시턴스이고, Cair,bulk는 제2 영역(air,bulk)에서 제1 리세스(R1) 및 제2 리세스(R2)를 제외한 영역의 커패시턴스이다. 또한, Abulk2는 제1 영역(또는, 에지 영역)(bulk2)의 면적이고, Aair,bulk는 제2 영역(또는, 중심 영역)(air,bulk)의 면적이다. Tbulk는 절연 플레이트(250)의 전체 두께이고, Tair은 제1 리세스(R1) 및 제2 리세스(R2)의 합 두께(즉, Tair1+Tair2)이고, Tair,bulk는 Tbulk에서 Tair를 뺀 두께를 의미하고, εr 는 절연 플레이트(250)의 소재의 유전율, ε0는 공기의 유전율이다.
[수학식 1]
수학식 1을 이용하면, 에어갭이 형성되어 있는 절연 플레이트(250)의 전체 커패시턴스(Ctotal)가, 에어갭이 없는 절연 플레이트의 전체 커패시턴스에 비해서 작음을 알 수 있다. 예를 들어, Tbulk가 34mm, Tair가 1mm, Aair,bulk가 57,427mm2, 전체 면적(Aair,bulk +Abulk2)이 93,992mm2 라고 할 때, 에어갭이 형성되어 있는 절연 플레이트(250)의 전체 커패시턴스(Ctotal)는 에어갭이 없는 절연 플레이트(250)의 전체 커패시턴스에 비해서 약 13.2% 정도 줄어듬을 확인할 수 있다. 전체 커패시턴스(Ctotal)가 줄어들면 리액턴스(X)가 증가하게 된다. 리액턴스(X)가 증가하면 플라즈마의 포락선 전압(Vrms)가 높아지고 식각율은 향상된다.
결과적으로, 절연 플레이트(250)에 제1 및 제2 리세스(R1, R2)가 형성되고, 이에 의해서 에어갭이 형성된다. 제1 및 제2 리세스(R1, R2)의 형상, 크기, 두께 등을 조절함으로써 전체 커패시턴스(Ctotal)를 제어할 수 있고 따라서 플라즈마에 의한 식각율을 제어할 수 있다.
한편, 도 3에서는 제1 리세스(R1)의 두께(Tair1)와 제2 리세스(R2)의 두께(Tair2)가 실질적으로 동일하도록 도시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 제1 리세스(R1)의 두께(Tair1)가 제2 리세스(R2)의 두께(Tair2)보다 두꺼울 수도 있다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 절연 플레이트를 설명하기 위한 사시도이다. 설명의 편의상 도 2 및 도 3을 이용하여 설명한 것과 다른 점을 위주로 설명한다.
도 4를 참고하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 절연 플레이트(250-1)는, 고주파 전력을 지지판(도 1의 230 참고)에 전달하기 위한 로드(rod)가 관통되는 관통홀(251)이 형성되어 있다.
절연 플레이트(250-1)의 제1 면(UF)에는 로드의 측면 일부를 둘러싸는 보호부(252)가 설치된다. 보호부(252)의 상면은 제1 리세스(R1)의 바닥면보다 높게 돌출될 수 있다. 즉, 보호부(252)의 상면은 제1 리세스(R1)의 바닥면보다 지지판(230)에 가깝다. 이와 같은 형상에 의해서, 보호부(252)의 상면은 지지판(230)과 접촉하여, 제1 영역(bulk2)의 상면(256)과 함께 지지판(230)을 안정적으로 지지할 수 있다.
유사하게, 절연 플레이트(250-1)의 제2 면(DF)에도 상기 로드의 측면 일부를 둘러싸는 보호부(253)가 설치된다. 보호부(253)의 하면은 제2 리세스(R2)의 바닥면보다 아래 방향으로 돌출될 수 있다. 즉, 보호부(253)의 하면은 제2 리세스(R2)의 바닥면보다 하부 커버(270)에 가깝다. 이와 같은 형상에 의해서, 보호부(253)의 하면은 하부 커버(270)와 접촉할 수 있다.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 절연 플레이트를 설명하기 위한 사시도이다. 도 6은 도 5의 VI-VI 을 따라 절단한 단면도이다. 설명의 편의상 도 2 내지 도 4를 이용하여 설명한 것과 다른 점을 위주로 설명한다.
도 5 및 도 6을 참고하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 절연 플레이트(250-2)의 제1 면(UF)에는 서로 구분되는 다수의 제1 부분 리세스(R11, R12, R13, R14)가 형성되고, 제2 면(DF)에는 서로 구분되는 다수의 제2 부분 리세스(R21, R22, R23, R24)가 형성될 수 있다.
또한, 도 5에서는 제1 면(UF)과 제2 면(DF) 모두에 부분 리세스(R11~R14, R21~R24)가 형성되는 것으로 도시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 즉, 제1 면(UF)에는 다수의 제1 부분 리세스(R11, R12, R13, R14)가 형성되고, 제2 면(DF)에는 제2 부분 리세스가 형성되지 않을 수도 있다.
또한, 도 5에서는 제1 면(UF)에 형성되는 제1 부분 리세스(R11, R12, R13, R14)의 개수와, 제2 면(DF)에 형성되는 제2 부분 리세스(R21, R22, R23, R24)의 개수가 동일한 것으로 도시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 즉, 제1 면(UF)에 형성되는 제1 부분 리세스(R11, R12, R13, R14)의 개수와, 제2 면(DF)에 형성되는 제2 부분 리세스(R21, R22, R23, R24)의 개수는 서로 다를 수 있다.
도 7은 본 발명의 제4 실시예에 따른 절연 플레이트를 설명하기 위한 사시도이다. 설명의 편의상 도 2 내지 도 6을 이용하여 설명한 것과 다른 점을 위주로 설명한다.
도 7을 참고하면, 지지판(도 1의 230 참고)의 상부에는 유전판(220)이 배치된다. 유전판(220) 내부에 기판(W)의 온도를 제어하기 위한 히터(도 1의 225 참고)가 설치되어 있다.
특히, 유전판(220)은 서로 다른 온도로 제어가능한 히팅 존(HZ1, HZ2, HZ3)으로 구분된다. 즉, 다수의 히팅 존(HZ1, HZ2, HZ3) 각각에는, 대응되는 히팅 유닛이 설치되어 있다. 각 히팅 유닛은 별도로 온도 조절이 가능하다.
더 구체적으로, 절연 플레이트(250-3)는, 고주파 전력을 지지판(230)에 전달하기 위한 로드(rod)가 관통되는 관통홀(251)이 설치되어 있고, 다수의 부분 리세스(R15, R16, R16)는 관통홀(251)을 중심으로 링형으로 배치될 수 있다. 즉, 부분 리세스(R15)는 관통홀(251)을 중심으로 링형으로 형성되고, 부분 리세스(R16)는 부분 리세스(R15)을 중심으로 링형으로 형성되고, 부분 리세스(R17)는 부분 리세스(R16)을 중심으로 링형으로 형성될 수 있다.
또한, 부분 리세스(R15)와 부분 리세스(R16)를 구분하는 돌출부(258)는, 대응되는 히팅 존(HZ1)과 히팅 존(HZ2) 사이의 경계영역에 대응된다. 부분 리세스(R16)와 부분 리세스(R17)를 구분하는 돌출부(259)는, 대응되는 히팅 존(HZ2)과 히팅 존(HZ3) 사이의 경계영역에 대응된다.
도 8은 본 발명의 제5 실시예에 따른 절연 플레이트를 설명하기 위한 사시도이다. 설명의 편의상 도 2 내지 도 7을 이용하여 설명한 것과 다른 점을 위주로 설명한다.
도 8을 참고하면, 본 발명의 제5 실시예에 따른 절연 플레이트(250-4)의 제1 면(UF)에는 서로 구분되는 다수의 제1 부분 리세스(R11a, R12, R13a, R14)가 형성되고, 제2 면(DF)에는 서로 구분되는 다수의 제2 부분 리세스(R21, R22a, R23, R24a)가 형성될 수 있다.
특히, 다수의 제1 부분 리세스(R11a, R12, R13a, R14) 중 몇몇의 제1 부분 리세스(R11a, R13a)와 다른 몇몇의 제1 부분 리세스(R12, R14)의 두께는 서로 다를 수 있다. 즉, 제1 부분 리세스(R11a, R13a)의 두께는, 제1 부분 리세스(R12, R14)의 두께보다 두껍다.
또한, 다수의 제2 부분 리세스(R21, R22a, R23, R24a) 중 몇몇의 제2 부분 리세스(R22a, R24a)와 다른 몇몇의 제2 부분 리세스(R21, R23)의 두께는 서로 다를 수 있다. 즉, 제2 부분 리세스(R22a, R24a)의 두께는, 제2 부분 리세스(R21, R23)의 두께보다 두껍다.
지지판(230)을 안정적으로 지지하면서, 절연 플레이트(250-4)의 전체 커패시터(Ctotal)를 낮추기 위해서(즉, 에어갭의 부피를 증가시키기 위해), 몇몇의 제1 부분 리세스(R11a, R13a) 및 몇몇의 제2 부분 리세스(R22a, R24a)의 두께를 두껍게 할 수 있다.
도 9는 본 발명의 제6 실시예에 따른 절연 플레이트를 설명하기 위한 단면도이다. 도 10은 본 발명의 제7 실시예에 따른 절연 플레이트를 설명하기 위한 단면도이다. 설명의 편의상 도 2 내지 도 8을 이용하여 설명한 것과 다른 점을 위주로 설명한다.
도 9를 참고하면, 본 발명의 제6 실시예에 따른 절연 플레이트(250-5)에서, 제1 면(UF)에는 제1 리세스(R1)가 형성되고, 제2 면(DF)에는 제2 리세스(R2)가 형성되지 않는다. 반면, 도 10을 참고하면, 본 발명의 제7 실시예에 따른 절연 플레이트(250-6)에서 제1 면(UF)에는 제1 리세스(R1)가 형성되지 않고, 제2 면(DF)에는 제2 리세스(R2)가 형성된다.
도 11은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치의 효과를 설명하기 위한 도면이다.
도 11을 참고하면, x축은 리액턴스이고, 좌측의 y축은 포락선 전압(Vrms)이고, 우측의 y축은 산화막의 식각율을 나타낸다. ■은 포락선 전압(V)을 표시하고, ●은 산화막의 식각율(%)을 표시한다. 리액턴스가 48.5Ω 에서 50Ω으로 증가할수록, 포락선 전압(V)이 증가하고 산화막의 식각율(%)도 증가함을 알 수 있다. 도 2 내지 도 10을 이용하여 설명한 절연 플레이트(250~250-6)의 리세스의 개수/두께 등을 조절하여, 에어갭의 양을 조절할 수 있다. 에어갭의 양을 조절하여 리액턴스를 조절함으로써, 산화막의 식각율(%)도 조절할 수 있다.
이상과 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
210: 정전 척 220: 유전판
225: 히터 230: 지지판
250: 절연 플레이트 270: 하부 커버
UF: 제1 면 DF: 제2 면
R1: 제1 리세스 R2: 제2 리세스

Claims (16)

  1. 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하기 위한 처리 공간을 포함하는 챔버; 및
    상기 처리 공간 내에 위치하고, 상기 기판을 지지하는 지지 모듈; 을 포함하고,
    상기 지지 모듈은
    고주파 전력을 제공받는 지지판과,
    상기 지지판의 하부에 배치되고, 상기 지지판을 마주보는 제1 면을 포함하고, 상기 제1 면에는 적어도 하나의 제1 리세스가 형성되고, 세라믹 재질의 절연 플레이트를 포함하고,
    상기 절연 플레이트는, 상기 고주파 전력을 상기 지지판에 전달하기 위한 로드(rod)가 관통되는 관통홀을 포함하고, 상기 절연 플레이트는 에지를 포함하는 제1 영역과, 상기 로드의 측면 일부를 둘러싸는 보호부가 설치되는 제3 영역과, 상기 제1 영역과 상기 제3 영역 사이에 위치하는 제2 영역을 포함하고,
    상기 제2 영역에는 상기 적어도 하나의 제1 리세스가 형성되고,
    상기 제1 영역의 상면과 상기 제3 영역의 상면은, 상기 제1 리세스보다 돌출되어 상기 지지판과 접촉하여 상기 지지판을 지지하는, 기판 처리 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 절연 플레이트의 하부에 배치되는 하부 커버를 더 포함하고,
    상기 절연 플레이트는 상기 하부 커버와 마주보는 제2 면을 포함하고, 상기 제2 면에는 적어도 하나의 제2 리세스가 형성되는, 기판 처리 장치.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하기 위한 처리 공간을 포함하는 챔버; 및
    상기 처리 공간 내에 위치하고, 상기 기판을 지지하는 지지 모듈; 을 포함하고,
    상기 지지 모듈은
    고주파 전력을 제공받는 지지판과,
    상기 지지판의 하부에 배치되고, 상기 지지판을 마주보는 제1 면을 포함하고, 상기 제1 면에는 적어도 하나의 제1 리세스가 형성되는 절연 플레이트를 포함하고,
    상기 지지판의 상부에는 유전판을 더 포함하고, 상기 유전판 내부에 상기 기판의 온도를 제어하기 위한 히터가 설치되고,
    상기 히터는 서로 다른 온도로 제어가능한 다수의 히팅 유닛을 포함하고,
    상기 유전판은 상기 다수의 히팅 존으로 구분되되, 다수의 히팅 존 각각은 상기 다수의 히팅 유닛 각각에 대응되고,
    상기 제1 리세스는 서로 구분되는 다수의 부분 리세스를 포함하고, 다수의 부분 리세스 각각은 상기 다수의 히팅 존 각각에 대응되고,
    상기 부분 리세스 각각의 두께는 서로 동일한, 기판 처리 장치.
  7. 삭제
  8. 제 6항에 있어서,
    상기 절연 플레이트는, 상기 고주파 전력을 상기 지지판에 전달하기 위한 로드(rod)가 관통되는 관통홀을 더 포함하고,
    상기 제1 리세스는, 상기 관통홀을 중심으로 링형으로 형성된 다수의 부분 리세스를 포함하는, 기판 처리 장치.
  9. 상면이 개방되고, 처리 공간을 포함하는 하우징;
    상기 하우징의 상면을 커버하여, 상기 처리 공간 내에 공정 가스를 제공하기 위한 가스 공급홀을 포함하는 유전체 윈도우;
    상기 유전체 윈도우 상에 배치되고, 코일 형태이며, 제1 고주파 전력을 제공받아 상기 공정 가스를 플라즈마로 여기시키기 위한 안테나; 및
    상기 처리 공간 내에 위치하고, 기판을 지지하는 지지 모듈을 포함하고,
    상기 지지 모듈은
    제2 고주파 전력을 제공받아, 상기 플라즈마가 상기 기판 방향으로 공급되도록 유도하는 지지판과,
    상기 지지판의 하부에 배치되고, 상기 지지판을 마주보는 제1면을 포함하고, 상기 제1 면에는 적어도 하나의 제1 리세스가 형성되고, 세라믹 재질의 절연 플레이트와,
    상기 절연 플레이트의 하부에 배치된 하부 커버를 포함하고,
    상기 절연 플레이트는, 상기 제2 고주파 전력을 상기 지지판에 전달하기 위한 로드(rod)가 관통되는 관통홀을 포함하고,
    상기 절연 플레이트는 에지를 포함하는 제1 영역과, 상기 로드의 측면 일부를 둘러싸는 보호부가 설치되는 제3 영역과, 상기 제1 영역과 상기 제3 영역 사이에 위치하는 제2 영역을 포함하고,
    상기 제2 영역에는 상기 적어도 하나의 제1 리세스가 형성되고,
    상기 제1 영역의 상면과 상기 제3 영역의 상면은, 상기 제1 리세스보다 돌출되어 상기 지지판과 접촉하여 상기 지지판을 지지하는, 기판 처리 장치.
  10. 삭제
  11. 상면이 개방되고, 처리 공간을 포함하는 하우징;
    상기 하우징의 상면을 커버하여, 상기 처리 공간 내에 공정 가스를 제공하기 위한 가스 공급홀을 포함하는 유전체 윈도우;
    상기 유전체 윈도우 상에 배치되고, 코일 형태이며, 제1 고주파 전력을 제공받아 상기 공정 가스를 플라즈마로 여기시키기 위한 안테나; 및
    상기 처리 공간 내에 위치하고, 기판을 지지하는 지지 모듈을 포함하고,
    상기 지지 모듈은
    제2 고주파 전력을 제공받아, 상기 플라즈마가 상기 기판 방향으로 공급되도록 유도하는 지지판과,
    상기 지지판의 하부에 배치되고, 상기 지지판을 마주보는 제1 면을 포함하고, 상기 제1 면에는 적어도 하나의 제1 리세스가 형성되는 절연 플레이트와,
    상기 절연 플레이트의 하부에 배치된 하부 커버를 포함하고,
    상기 지지판의 상부에는 유전판을 더 포함하고, 상기 유전판 내부에 상기 기판의 온도를 제어하기 위한 히터가 설치되고,
    상기 히터는 서로 다른 온도로 제어가능한 다수의 히팅 유닛을 포함하고,
    상기 유전판은 상기 다수의 히팅 존으로 구분되되, 다수의 히팅 존 각각은 상기 다수의 히팅 유닛 각각에 대응되고,
    상기 제1 리세스는 서로 구분되는 다수의 부분 리세스를 포함하고, 다수의 부분 리세스 각각은 상기 다수의 히팅 존 각각에 대응되고,
    상기 부분 리세스 각각의 두께는 서로 동일한, 기판 처리 장치.
  12. 삭제
  13. 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치에서 사용되는 절연 플레이트에 있어서,
    상면과 하면을 포함하는 원기둥 형상이며, 세라믹 재질의 바디;
    상기 바디의 중앙을 관통하는 관통홀; 및
    상기 상면에 형성되어, 에어갭을 구성하는 적어도 하나의 제1 리세스를 포함하고,
    상기 절연 플레이트는 에지를 포함하는 제1 영역과, 관통홀이 설치되는 제3 영역과, 상기 제1 영역과 상기 제3 영역 사이에 위치하는 제2 영역을 포함하고,
    상기 제2 영역에는 상기 적어도 하나의 제1 리세스가 형성되고,
    상기 제3 영역에는 상기 제1 리세스의 바닥면보다 돌출되어 상기 관통홀을 정의하는 보호부가 설치되고,
    상기 제1 영역의 상면과 상기 제3 영역의 상면은 서로 높이가 동일한, 절연 플레이트.
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 제 13항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 제1 리세스는, 상기 관통홀을 중심으로 링형으로 형성된 다수의 부분 리세스를 포함하는, 절연 플레이트.

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