KR101949850B1 - 유도결합 플라즈마 처리장치 - Google Patents

유도결합 플라즈마 처리장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 유도결합 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.
본 발명은 상측에 상부개구부가 형성된 챔버본체와; 상기 챔버본체와 함께 처리공간을 형성하도록 상기 상부개구부를 복개하는 하나 이상의 메인유전체와; 상기 챔버본체에 설치되어 기판을 지지하는 기판지지대와; 상기 처리공간으로 가스를 분사하는 가스분사부와; 상기 메인유전체의 상측에 설치되어 상기 처리공간에 메인유도전계를 형성하는 메인안테나부와; 상기 챔버본체의 측면에 형성된 하나 이상의 측면개구부 각각을 복개하는 하나 이상의 측면유전체와; 상기 측면유전체를 기준으로 상기 처리공간에 대향되어 설치되어 상기 처리공간에 측면유도전계를 형성하는 측면안테나부를 포함하는 것을 특징으로 하는 유도전계 플라즈마 처리장치를 개시한다.

Description

유도결합 플라즈마 처리장치{Inductively coupled plasma processing apparatus}
본 발명은 유도결합 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.
유도결합 플라즈마 처리장치는 증착공정, 식각공정 등 기판처리를 수행하는 장치로서, 밀폐된 처리공간을 형성하는 챔버본체와 챔버본체의 천정에 유전체를 설치하고 유전체의 상측에 고주파(RF) 안테나를 설치하여 안테나에 전원을 인가하여 처리공간에 유도전계를 형성하고 유도전계에 의하여 처리가스를 플라즈마화하여 기판처리를 수행한다.
여기서 상기 유도결합 플라즈마 처리장치의 기판처리의 대상에는 LCD 패널용 기판, 웨이퍼 등 증착, 식각 등 기판처리가 필요한 대상이면 어떠한 기판도 가능하다.
한편 종래의 유도결합 플라즈마 처리장치에 사용되는 안테나는 발열저항에 의하여 전력손실을 방지하기 위하여 수냉이 가능하도록 금속관으로 이루어지는 것이 일반적이었다.
그런데 대형기판에 대한 수요의 증가, 보다 많은 수의 기판처리에 의한 생산속도의 증가의 요구에 부응하여 기판처리를 수행하는 유도결합 플라즈마 처리장치 또한 대형화되고 있다.
그리고 상기 유도결합 플라즈마 처리장치가 대형화되면서, 유도결합 플라즈마 처리장치에 설치되는 부재들, 특히 유전체의 크기 또한 대형화될 필요가 있다.
이에 처리대상인 기판의 대면적화 및 플라즈마의 균일도 향상을 위하여 안테나 구조가 다중 복잡화되는 경향에 있는데, 금속관 형태의 안테나는 복잡한 구조에 적용하기에는 적합하지 않은 문제점이 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하고자, 판형구조(plate type)를 이루어 공냉방식을 취하는 안테나가 사용되고 있다.
그리고 판형구조를 가지는 안테나는 전원인가에 의하여 형성되는 플라즈마가 균일하게 형성하기 위하여 한국특허공개공보 제2012-0025430호 등 다양한 방식의 구조가 제안되고 있다.
그러나 한국특허공개공보 제2012-0025430호에 게시된 안테나구조는 안테나가 상부에만 설치되어 있어 기판처리에 적합한 균일한 플라즈마의 형성이 곤란한 문제점이 있다.
특히 종래의 안테나구조를 가지는 유도결합 플라즈마 처리장치는, 직사각형 기판의 모서리 또는 가장자리 부분에서 다른 부분에 비하여 플라즈마가 불균일하게 형성되는데 이에 대한 대처가 불가능한 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 챔버본체의 측면 중 플라즈마가 불균일하게 형성되는 부분에 유전체 및 안테나를 설치함으로써 기판처리 영역 전체에 걸쳐 플라즈마를 균일하게 형성할 수 있는 유도결합 플라즈마 처리장치를 제공하는 데 있다.
본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은, 상측에 상부개구부가 형성된 챔버본체와; 상기 챔버본체와 함께 처리공간을 형성하도록 상기 상부개구부를 복개하는 하나 이상의 메인유전체와; 상기 챔버본체에 설치되어 기판을 지지하는 기판지지대와; 상기 처리공간으로 가스를 분사하는 가스분사부와; 상기 메인유전체의 상측에 설치되어 상기 처리공간에 메인유도전계를 형성하는 메인안테나부와; 상기 챔버본체의 측면에 형성된 하나 이상의 측면개구부 각각을 복개하는 하나 이상의 측면유전체와; 상기 측면유전체를 기준으로 상기 처리공간에 대향되어 설치되어 상기 처리공간에 측면유도전계를 형성하는 측면안테나부를 포함하는 것을 특징으로 하는 유도전계 플라즈마 처리장치를 개시한다.
상기 메인안테나부와 상기 측면안테나부는, 하나의 RF전원에 직렬 또는 병렬로 연결될 수 있다.
상기 측면안테나부는, 복수개로 설치되며, 상기 메인안테나부는, 상기 복수의 측면안테나부들 각각에 직렬로 연결되도록 상기 복수의 측면안테나부들에 대응되는 수의 안테나코일을 포함할 수 있다.
상기 측면안테나부는, 복수개로 설치되며, 상기 복수의 측면안테나부들은 상기 메인안테나부에 병렬로 연결될 수 있다.
상기 메인안테나부 및 상기 측면안테나부는, 각각 별도의 RF전원이 인가될 수 있다.
상기 측면안테나부는, 그 상단이 상기 기판지지부의 기판지지면을 기준으로 상기 기판지지면보다 높게 설치되거나, 그 하단이 상기 기판지지면보다 낮게 설치될 수 있다.
상기 측면안테나부는, 상기 챔버본체 중 배기를 위한 배기구가 형성된 배기구부근에 설치될 수 있다.
상기 챔버본체는, 평면형상이 직사각형을 이루며, 상기 측면안테나부는, 상기 챔버본체의 직사각형 형상에서 네 개의 변들 및 네 개의 모서리들 중 적어도 하나에 설치될 수 있다.
상기 측면안테나부는, 상기 챔버본체의 측면에 형성된 게이트의 가장자리를 따라서 형성된 상기 하나 이상의 측면개구부를 따라서 설치될 수 있다.
본 발명에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치는 챔버본체의 측면 중 플라즈마가 불균일하게 형성되는 부분에 유전체 및 안테나를 설치함으로써 기판처리 영역 전체에 걸쳐 플라즈마를 균일하게 형성할 수 있는 이점이 있다.
보다 구체적으로, 플라즈마가 불균일하게 형성되는 기판지지부의 모서리부근, 가장자리부근 등에 유전체 및 안테나를 추가로 설치하여 유도전계를 보완함으로써 보다 균일한 플라즈마를 형성하여 양호한 기판처리가 가능한 이점이 있다.
또한 본 발명에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치는 폴리머가 가장 많이 적층되는 배기구 부근에 유전체 및 안테나를 설치하여 유도전계에 의하여 배기구 부근에서의 폴리머 적층을 방지하여 장치의 유지보수비용을 절감할 수 있는 이점이 있다.
한편 플라즈마가 불균일하게 형성되는 기판지지부의 모서리부근, 가장자리부근 등에 유전체 및 안테나를 추가로 설치함에 있어서, 챔버본체의 측면 전체를 하나의 유전체로 구성함이 바람직하나, 유전체의 재질 특성상 대형의 챔버본체를 형성하는 것은 기술적으로 곤란하며 고가의 제조비용이 소요되는 문제점이 있다.
이에, 본 발명에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치는, 제조비용이 상대적으로 저가이며 구조적 강도가 우수한 금속 재질의 챔버본체에 보완을 위한 측면유도전계의 형성을 위한 유전체가 설치될 개구부를 형성하고 해당 개구부에 유전체 및 안테나를 설치함으로써, 플라즈마 보완을 위한 유도전계의 형성에 있어서 작은 제조비용에 의하여 최적의 유도전계 형성효과를 가질 숭수 있는 효과가 있다.
도 1은, 본 발명의 제1실시예에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는, 도 1의 유도결합 플라즈마 처리장치를 보여주는 평면도이다.
도 3은, 본 발명의 제2실시예에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치를 보여주는 단면도이다.
도 4는, 본 발명의 제3실시예에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치를 보여주는 단면도이다.
도 5는, 본 발명의 제4실시예에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치를 보여주는 일부 측면도이다.
이하 본 발명에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 제1실시예에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 상측에 상부개구부가 형성된 챔버본체(110)와; 챔버본체(110)와 함께 처리공간(S)을 형성하도록 상부개구부를 복개하는 하나 이상의 메인유전체(150)와; 처리공간(S)에 가스를 분사하는 가스분사부(120)와; 챔버본체(110)에 설치되어 기판(10)을 지지하는 기판지지대(130)와; 메인유전체(150)의 상측에 설치되어 처리공간(S)에 메인유도전계(IE1)를 형성하는 메인안테나부(210)와; 챔버본체(110)의 측면에 형성된 하나 이상의 측면개구부(118, 119) 각각을 복개하는 하나 이상의 측면유전체(258, 259)와; 측면유전체(258, 259)를 기준으로 처리공간(S)에 대향되어 설치되어 처리공간(S)에 측면유도전계(IE2, IE3)를 형성하는 측면안테나부(228, 229)를 포함한다.
상기 챔버본체(110)는 처리공간(S)을 형성하기 위한 구성으로서 공정수행에 필요한 소정의 진공압을 견딜 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하다.
상기 챔버본체(110)는 처리되는 기판(10)의 형상에 대응되는 형상을 이룸이 바람직하며, 기판(10)의 입출을 위한 하나 이상의 게이트(111)가 형성되며 처리공간(S) 내의 압력제어 및 부산물을 제거하기 위하여 진공펌프(미도시)와 연결된 배기관(180)이 연결되는 하나 이상의 배기구(181)가 형성될 수 있다.
또한 상기 챔버본체(110)는 후술하는 메인유전체(150) 등의 설치를 보조하기 위한 보조부재(112)가 개구부에 설치될 수 있다.
상기 보조부재(112)는 오링(미도시) 등이 개재된 상태로 챔버본체(110) 상에 설치될 수 있으며, 메인유전체(150) 등의 설치를 위하여 단차 등이 형성될 수 있다.
또한 상기 챔버본체(110)는 메인안테나부(210)의 지지, 메인안테나부(210)에서 형성되는 메인유도전계의 차폐 등을 위하여 메인안테나부(210)를 복개하도록 설치되는 상부리드(140)가 탈착가능하게 결합될 수 있다.
한편 상기 챔버본체(110)는, 후술하는 메인유전체(150) 및 측면유전체들의 조합을 고려하여, 서로 결합되어 상부개구부 및 측면개구부를 형성하는 복수의 금속프레임들 및 복수의 금속플레이트들을 포함하여 구성될 수 있다.
상기 가스분사부(120)는 공정수행을 위하여 가스공급장치와 연결되어 처리공간(S)으로 가스를 분사하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.
상기 가스분사부(120)는 도 1에 도시된 바와 같이, 챔버본체(110)의 측벽에 설치되거나 메인유전체(150)의 하측에 설치되는 등 다양하게 설치될 수 있다.
특히 상기 가스분사부(120)는 도 1과는 달리 메인유전체(150)를 지지하는 지지프레임(미도시)이 설치된 경우에 지지프레임에 설치될 수도 있다.
상기 기판지지대(130)는 기판(10)이 안착되는 구성으로서 기판(10)을 지지할 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하며 공정에 따라서 전원이 인가되거나 접지될 수 있으며, 냉각 또는 가열을 위한 열전달부재가 설치될 수 있다.
상기 메인유전체(150)는 메인안테나부(210)에 의하여 처리공간(S)에 메인유도전계(IE1)를 형성할 수 있도록 처리공간(S)과 메인안테나부(210) 사이에 개재되는 구성으로서 다양한 구조를 가질 수 있으며 그 재질은 석영, 세라믹 등이 사용될 수 있다.
상기 메인유전체(150)는 대형기판의 처리를 위하여 단일의 유전체로 구성되지 않고 복수개의 유전체들로 구성될 수도 있다. 이때 상기 복수의 메인유전체(150)들은 프레임(미도시) 등에 의하여 지지되어 설치될 수 있다.
상기 메인안테나부(210)는 메인유전체(150)의 상측에 설치되어 처리공간(S)에 메인유도전계(IE1)를 형성하기 위한 구성으로서, 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 하나 이상의 안테나코일(211, 212)을 포함할 수 있다.
상기 안테나코일(211, 212)은 공정조건에 맞게 처리공간(S)에 메인유도전계(IE1)를 형성할 수 있도록 메인유전체(150)의 상측에 하나 이상으로 설치되며, 그 숫자 및 배치 패턴은 공정조건에 따라 결정된다.
여기서 상기 안테나코일(211, 212)은 다양한 패턴으로 배치될 수 있으나, 루프구조를 가짐이 바람직하다.
한편 상기 안테나코일(211, 212)들은 제1단부가 RF전원에 연결되고 제2단부(202)가 접지와 연결-도 1 및 도 2에 도시된 제1실시예의 경우 후술하는 측면안테나부(228, 229)와 직렬로 연결된 후 측면안테나부(228, 229)가 접치됨-되어 메인유도전계(IE1)를 형성하는 구성으로서, 알루미늄, 알루미늄 합금 등의 금속재질을 가지며, 판형구조를 가진다.
또한 상기 안테나코일(211, 212)들은 도시되지 않았지만 전체 임피던스의 조정을 위한 가변커패시터(VVC; Voltage-Variable Capacitor; 미도시)가 연결될 수 있다.
상기 측면유전체(258, 259)는, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 챔버본체(110)의 측면에 형성된 하나 이상의 측면개구부(118, 119) 각각을 복개하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.
상기 측면유전체(258, 259)는, 측면개구부(118, 119)에 설치되는 것 이외에 메인유전체(150)와 유사한 구성을 가질 수 있는바 자세한 설명은 생략한다.
다만, 상기 측면유전체(258, 259)는, 챔버본체(110)의 측면에 설치됨을 고려하여 유전율, 두께 등이 메인유전체(150)와는 다르게 선택됨이 바람직하다.
한편 상기 측면유전체(258, 259)는, 메인유전체(150) 및 메인안테나부(210)에 의하여 형성되는 메인유도전계(IE1)에 더하여 측면유도전계(IE2, IE3)를 형성하여 처리공간(S) 내에서 플라즈마가 균일하게 형성되는데 목적이 있다.
이에, 상기 측면유전체(258, 259)는, 측면안테나부(228, 259)가 설치될 위치, 예를 들면, 도 1, 도 2, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 챔버본체(110) 중 배기를 위한 배기구(181)가 형성된 배기구 부근, 챔버본체(110)의 직사각형 형상에서 네 개의 변들 및 네 개의 모서리들 중 적어도 어느 하나, 도 3에 도시된 바와 같이, 게이트(111)의 가장자리 부근 등에 설치됨이 바람직하다.
그리고 상기 측면유전체(258, 259)는, 챔버본체(100)와의 결합 및 밀폐를 고려하여 측면개구부(118, 119)에 접하는 부분에서 단차가 형성됨이 바람직하다.
상기 측면안테나부(228, 229)는, 측면유전체(258, 259)를 기준으로 처리공간(S)에 대향되어 설치되어 처리공간(S)에 측면유도전계(IE2, IE3)를 형성하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.
여기서 상기 측면안테나부(228, 229)에 의하여 형성되는 측면유도전계(IE2, IE3)는 메인유도전계(IE1)에 비교하여 방향이 상호 수직을 이루게 되어 처리공간(S) 내에서의 플라즈마 형성을 위한 다양한 전계효과를 줄 수 있다.
그리고 상기 측면안테나부(228, 229)는, 챔버본체(110)의 측면에 설치되는 것 이외에 메인안테나부(210)와 유사한 구성을 가질 수 있는바 자세한 설명은 생략한다.
다만, 상기 측면안테나부(228, 229)는, 챔버본체(110)의 측면에 설치됨을 고려하여 그 폭, 두께, 설치패턴 등이 메인안테나부(210)와는 다르게 선택됨이 바람직하다.
한편 상기 측면안테나부(228, 229)는, 메인안테나부(210)와 같이 처리공간(S)에 유도전계가 형성하는바 일단에는 RF전원이, 타단에는 접지될 필요가 있다.
그리고 상기 측면안테나부(228, 229)는, 도 1 내지 도 2에 도시된 바와 같이, 메인안테나부(210)와 직렬로 연결되거나, 도 4에 도시된 바와 같이, 메인안테나부(210)와는 별도의 RF전원이 연결될 수 있다.
그리고 상기 측면안테나부(228, 229)가 복수 개일 때, 하나의 RF전원이 직렬 또는 병렬로 연결되거나, 각 측면안테나부(228, 229)에 각각의 RF전원이 연결되는 등 다양한 형태로 전원이 인가될 수 있다.
또한 상기 측면안테나부(228, 229)가 복수 개일 때, 메인안테나부(210)는, 복수의 측면안테나부(228, 229)들 각각에 직렬로 연결되도록 복수의 측면안테나부(228, 229)들에 대응되는 수의 안테나코일(211, 212)들을 포함할 수 있다.
또한 상기 측면안테나부(228, 229)는, 처리공간(S) 내에 요구되는 적절한 측면유도전계의 형성을 위하여 측면유전체부(258, 229)와의 간격이 수평이동에 의하여 가변되거나, 챔버본체(110)의 상하방향을 기준으로 상하이동이 가능하도록 설치될 수 있다.
또한 상기 측면안테나부(228, 229)는, 각 위치에 따라서 측면유전체부(258, 229)와의 간격이 다르게 설치될 수도 있다.
한편 상기와 같은 구성을 가지는 측면유전체부 및 측면안테나부는, 메인유전체(150) 및 메인안테나부(210)에 의하여 형성되는 메인유도전계(IE1)에 더하여 측면유도전계(IE2, IE3)를 형성하여 처리공간(S) 내에서 플라즈마가 균일하게 형성되는데 목적이 있는다 다양한 위치에 설치될 수 있다.
구체적으로, 본 발명의 제1실시예에 따른 유도전계 플라즈마 처리장치는, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 측면유전체부(258, 259) 및 측면안테나부(228, 229)가 챔버본체(110)의 직사각형 형상에서 네 개의 변들 및 네 개의 모서리들 중 적어도 어느 하나에 설치될 수 있다 (도 4에 도시된 제3실시예도 유사함).
본 발명의 제2실시예에 따른 유도전계 플라즈마 처리장치는, 측면유전체부(257) 및 측면안테나부(227)가, 도 3에 도시된 바와 같이, 게이트(111)의 가장자리 부근 등에 설치될 수 있다.
이때 상기 챔버본체(110)에는, 측면유전체(227)들이 결합될 수 있도록 게이트(111)의 가장자리를 따라서 하나 이상의 측면개구부(117)가 형성되고, 측면안테나부(227)는, 측면개구부(117)를 따라서 직렬 또는 병렬로 설치될 수 있다.
상기와 같이 설명된 제1실시예 및 제2실시예는, 서로 조합될 수 있음은 물론이다.
그리고 앞서 설명한 측면유전체부 및 측면안테나부는, 기판처리를 위한 균일한 플라즈마의 형성을 목적으로 하는바, 기판지지면의 상부에 측면유도전계의 형성을 위하여 기판지지부(130)의 기판지지면을 기준으로 그 상단이 기판지지면보다 높게 설치됨이 바람직하다.
구체적으로, 상기 측면유전체부 및 측면안테나부는, 기판지지부(130)의 기판지지면을 기준으로 그 상단이 기판지지면보다 높게 설치되며, 기판지지면의 상부에만 측면유도전계의 형성을 요구하는 경우 그 하단은 300㎜~400㎜ 높게 설치될 수 있다.
본 발명의 제4실시예에 따른 유도전계 플라즈마 처리장치는, 측면유전체부(259) 및 측면안테나부(229)가, 도 5에 도시된 바와 같이, 챔버본체(110) 중 배기를 위한 배기구(181)가 형성된 배기구부근에 설치될 수 있다.
이때 상기 측면유전체부(259) 및 측면안테나부(229)는, 앞서 설명한 실시예들과는 달리 기판지지부(130)의 기판지지면을 기준으로 그 하단이 기판지지면보다 낮게 설치됨이 바람직하다.
예를 들면, 상기 측면유전체부(259) 및 측면안테나부(229)는, 기판지지부(130)의 기판지지면을 기준으로 그 하단이 기판지지면보다 낮게 설치되며, 배기구(181) 부근에서만 측면유도전계의 형성을 요구하는 경우 그 상단은 300㎜~400㎜ 낮게 설치될 수 있다.
한편 상기 측면유전체부(259) 및 측면안테나부(229)는, 기판지지부(130)의 기판지지면을 기준으로 기판지지면의 상부 및 하부 모두에 걸쳐 설치됨으로써 기판지지면 상에서의 플라즈마 형성 및 배기구(181) 부근에서의 플라즈마의 동시에 형성할 수도 있음은 물론이다.
상기와 같은 구성을 가지는 본 발명의 제4실시예에 따른 유도전계 플라즈마 처리장치는, 측면유전체부(259) 및 측면안테나부(229)가 챔버본체(110) 중 배기를 위한 배기구(181)가 형성된 배기구부근에 설치됨으로써 배기구(181) 부근에서의 폴리머의 적층을 방지하여 챔버본체(110)에 대한 유지보수의 주기를 늘여 장치의 유지보수 비용을 절감할 수 있는 이점이 있다.
한편 본 발명의 제4실시예는, 앞서 설명한 제1 내지 제3실시예들과 적절하게 조합되어 설치될 수 있음은 물론이다.
또한 본 발명의 제4실시예는, 폴리머 적층억제 효과를 고려하여 배기구(181) 부근 이외에 기판지지부(130)의 기판지지면보다 낮게 설치됨으로써 기판지지부(130)의 기판지지면 하측에서의 폴리머 적층을 억제하는데 활용될 수 있다.
이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께 하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.
100 : 진공챔버 150 : 유전체
200 : 안테나부

Claims (9)

  1. 상측에 상부개구부가 형성된 챔버본체와;
    상기 챔버본체와 함께 처리공간을 형성하도록 상기 상부개구부를 복개하는 하나 이상의 메인유전체와;
    상기 챔버본체에 설치되어 기판을 지지하는 기판지지대와;
    상기 처리공간으로 가스를 분사하는 가스분사부와;
    상기 메인유전체의 상측에 설치되어 상기 처리공간에 메인유도전계를 형성하는 메인안테나부와;
    상기 챔버본체의 측면에 형성된 하나 이상의 측면개구부 각각을 복개하는 하나 이상의 측면유전체와;
    상기 측면유전체를 기준으로 상기 처리공간에 대향되어 설치되어 상기 처리공간에 측면유도전계를 형성하는 측면안테나부를 포함하며,
    상기 챔버본체는, 평면형상이 직사각형을 이루며,
    상기 측면안테나부는, 상기 챔버본체의 직사각형 형상에서 네 개의 변들 및 네 개의 모서리들 중 적어도 하나에 설치되는 것을 특징으로 하는 유도전계 플라즈마 처리장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 메인안테나부와 상기 측면안테나부는, 하나의 RF전원에 직렬 또는 병렬로 연결된 것을 특징으로 하는 유도전계 플라즈마 처리장치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 측면안테나부는, 복수개로 설치되며,
    상기 메인안테나부는, 상기 복수의 측면안테나부들 각각에 직렬로 연결되도록 상기 복수의 측면안테나부들에 대응되는 수의 안테나코일을 포함하는 것을 특징으로 하는 유도전계 플라즈마 처리장치.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 측면안테나부는, 복수개로 설치되며,
    상기 복수의 측면안테나부들은 상기 메인안테나부에 병렬로 연결되는 것을 특징으로 하는 유도전계 플라즈마 처리장치.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 메인안테나부 및 상기 측면안테나부는, 각각 별도의 RF전원이 인가되는 것을 특징으로 하는 유도전계 플라즈마 처리장치.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 측면안테나부는, 그 상단이 상기 기판지지대의 기판지지면을 기준으로 상기 기판지지면보다 높게 설치되거나, 그 하단이 상기 기판지지면보다 낮게 설치된 것을 특징으로 하는 유도전계 플라즈마 처리장치.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 측면안테나부는, 상기 챔버본체 중 배기를 위한 배기구에 대응되는 위치에 설치된 것을 특징으로 하는 유도전계 플라즈마 처리장치.
  8. 삭제
  9. 상측에 상부개구부가 형성된 챔버본체와;
    상기 챔버본체와 함께 처리공간을 형성하도록 상기 상부개구부를 복개하는 하나 이상의 메인유전체와;
    상기 챔버본체에 설치되어 기판을 지지하는 기판지지대와;
    상기 처리공간으로 가스를 분사하는 가스분사부와;
    상기 메인유전체의 상측에 설치되어 상기 처리공간에 메인유도전계를 형성하는 메인안테나부와;
    상기 챔버본체의 측면에 형성된 하나 이상의 측면개구부 각각을 복개하는 하나 이상의 측면유전체와;
    상기 측면유전체를 기준으로 상기 처리공간에 대향되어 설치되어 상기 처리공간에 측면유도전계를 형성하는 측면안테나부를 포함하며,
    상기 측면안테나부는, 상기 챔버본체의 측면에 형성된 게이트의 가장자리를 따라서 형성된 하나 이상의 측면개구부를 따라서 설치된 것을 특징으로 하는 유도전계 플라즈마 처리장치.
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