JP2012178491A5 - 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびウェーハホルダ - Google Patents
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- 基板を処理する反応容器と、
前記反応容器内に設けられ、前記基板に反応ガスを供給するガスノズルと、
前記基板を内周側で保持するウェーハホルダと、
前記ウェーハホルダの外周側を保持するホルダ保持部を有する複数のホルダ保持柱とを備え、
前記ウェーハホルダの外径寸法を前記基板の外径寸法よりも大きくし、かつ前記ウェーハホルダを前記ホルダ保持部から取り外せるようにしたことを特徴とする基板処理装置。 - 前記ボート柱の幅寸法で、前記ウェーハホルダの中心まで延ばした第１仮想長方形における前記ウェーハホルダの表面積を、前記第１仮想長方形を前記ウェーハホルダの中心を中心として、前記複数のボート柱のうちの２つの前記ボート柱の中間位置まで回転させた第２仮想長方形における前記ウェーハホルダの表面積よりも小さくしたことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
- その外周側を複数のホルダ保持柱に設けられたホルダ保持部で保持され、前記基板を内周側で保持し、その外径寸法を前記基板の外径寸法よりも大きくし、かつ、前記ホルダ保持部から取り外せるよう構成されているウェーハホルダに基板を移載する工程と、
前記ウェーハホルダに保持された前記基板を反応容器内に搬入する工程と、
前記基板を前記反応容器内で処理する工程と、
前記基板を搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法。 - 基板を処理する基板処理装置で用いられるウェーハホルダであって、
前記ウェーハホルダはその外周側を複数のホルダ保持柱に設けられたホルダ保持部で保持され、前記基板を内周側で保持し、その外径寸法を前記基板の外径寸法よりも大きくし、かつ、前記ホルダ保持部から取り外せるよう構成されているウェーハホルダ。
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