JP2014127702A5 - 基板処理装置、半導体装置の製造方法、気化システム、気化器およびプログラム - Google Patents
基板処理装置、半導体装置の製造方法、気化システム、気化器およびプログラム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014127702A5 JP2014127702A5 JP2012286055A JP2012286055A JP2014127702A5 JP 2014127702 A5 JP2014127702 A5 JP 2014127702A5 JP 2012286055 A JP2012286055 A JP 2012286055A JP 2012286055 A JP2012286055 A JP 2012286055A JP 2014127702 A5 JP2014127702 A5 JP 2014127702A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- liquid
- carrier gas
- supply unit
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims 12
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 title claims 10
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 title claims 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims 17
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 16
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 13
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 claims 12
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims 8
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 3
- 239000003595 mist Substances 0.000 claims 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
Claims (9)
- 基板を収容する処理室と、
液体原料を気化する気化器と、気化器内に形成された気化室に接続され気化室内に前記液体原料を供給する液体原料供給ユニットと、前記液体原料供給ユニットとは独立して前記気化室に接続され前記気化室に前記キャリアガスを供給するキャリアガス供給ユニットと、を有し、前記処理室に気化ガスを供給する気化ガス供給系と、
前記気化ガス供給系を制御して、前記液体原料供給ユニットおよび前記キャリアガス供給ユニットからそれぞれ前記液体原料および前記キャリアガスを前記気化室に供給し、前記気化室内における全圧に対する前記液体原料の分圧が２０％以下となるよう前記キャリアガスの流量を調整するように構成される制御部と、
を有する基板処理装置。 - 前記制御部は、前記気化室内における全圧に対する液体原料の分圧が０．１％以上となるよう前記気化ガス供給系を制御するように構成される請求項１に記載の基板処理装置。
- 前記処理室に、前記気化ガスと反応する反応ガスを供給する反応ガス供給系をさらに有し、
前記制御部は、前記気化ガスと前記反応ガスを互いに混合しないよう交互に前記処理室に供給することにより、前記処理室内に収容された基板に膜を形成するよう前記気化ガス供給系、前記反応ガス供給系を制御するように構成される請求項１もしくは請求項２に記載の基板処理装置。 - 前記気化器と前記処理室との間に設けられたガスフィルタと、前記気化器とガスフィルタの間に設けられたミストフィルタを有する請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記ミストフィルタは、異なる位置に穴を有する少なくとも２種のプレートを複数枚組み合わせて構成される請求項４に記載の基板処理装置。
- 気化器の気化室内に液体原料とキャリアガスとをそれぞれ独立した液体原料ガス供給ユニットおよびキャリアガス供給ユニットから供給し、前記気化室内における全圧に対する前記液体原料の分圧が２０％以下となるよう前記キャリアガスの流量を調整し、前記液体原料を気化して気化ガスとする工程と、
前記気化ガスを基板が収容された処理室に供給して、前記基板を処理する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 内部に形成された気化室内に液体原料とキャリアガスとをそれぞれ独立した液体原料ガス供給ユニットおよびキャリアガス供給ユニットから供給し、前記気化室内における全圧に対する前記液体原料の分圧が２０％以下となるよう前記キャリアガスの流量を調整し、前記液体原料を気化する気化器と、ガスフィルタと、ミストフィルタを有する気化システム。
- 内部に形成された気化室内に液体原料とキャリアガスとをそれぞれ独立した液体原料ガス供給ユニットおよびキャリアガス供給ユニットから供給し、前記気化室内における全圧に対する前記液体原料の分圧が２０％以下となるよう前記キャリアガスの流量を調整し、前記液体原料を気化する気化器。
- 気化器を加熱する手順と、
気化器の気化室内に液体原料とキャリアガスとをそれぞれ独立した液体原料ガス供給ユニットおよびキャリアガス供給ユニットから供給し、前記気化室内における全圧に対する前記液体原料の分圧が２０％以下となるよう前記キャリアガスの流量を調整する手順と、
を行うことで、液体原料を気化する手順をコンピュータにより基板処理装置に実行させるプログラム。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012286055A JP6078335B2 (ja) | 2012-12-27 | 2012-12-27 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、気化システム、気化器およびプログラム |
| US14/140,837 US20140182515A1 (en) | 2012-12-27 | 2013-12-26 | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and vaporization system |
| KR1020130164384A KR101587702B1 (ko) | 2012-12-27 | 2013-12-26 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기화 시스템 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012286055A JP6078335B2 (ja) | 2012-12-27 | 2012-12-27 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、気化システム、気化器およびプログラム |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014127702A JP2014127702A (ja) | 2014-07-07 |
| JP2014127702A5 true JP2014127702A5 (ja) | 2016-06-02 |
| JP6078335B2 JP6078335B2 (ja) | 2017-02-08 |
Family
ID=51015703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012286055A Active JP6078335B2 (ja) | 2012-12-27 | 2012-12-27 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、気化システム、気化器およびプログラム |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20140182515A1 (ja) |
| JP (1) | JP6078335B2 (ja) |
| KR (1) | KR101587702B1 (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9631276B2 (en) * | 2014-11-26 | 2017-04-25 | Lam Research Corporation | Systems and methods enabling low defect processing via controlled separation and delivery of chemicals during atomic layer deposition |
| US9920844B2 (en) | 2014-11-26 | 2018-03-20 | Lam Research Corporation | Valve manifold deadleg elimination via reentrant flow path |
| WO2017009997A1 (ja) | 2015-07-16 | 2017-01-19 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び気化システム |
| US10982319B2 (en) | 2015-08-21 | 2021-04-20 | Flisom Ag | Homogeneous linear evaporation source |
| TWI624554B (zh) * | 2015-08-21 | 2018-05-21 | 弗里松股份有限公司 | 蒸發源 |
| JP6448502B2 (ja) | 2015-09-09 | 2019-01-09 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム |
| KR102122786B1 (ko) * | 2015-12-18 | 2020-06-26 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 저류 장치, 기화기, 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| WO2017163375A1 (ja) * | 2016-03-24 | 2017-09-28 | 株式会社日立国際電気 | 気化器、基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
| KR20180027780A (ko) * | 2016-09-07 | 2018-03-15 | 주성엔지니어링(주) | 기화기 |
| JP6891018B2 (ja) * | 2017-03-27 | 2021-06-18 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 基板処理装置、気化システム及びミストフィルタ並びに半導体装置の製造方法 |
| JP6742265B2 (ja) * | 2017-03-28 | 2020-08-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄副生成物の付着抑制方法及びこれを用いた反応室内のクリーニング方法、並びに室温成膜装置 |
| JP6602332B2 (ja) * | 2017-03-28 | 2019-11-06 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
| JP6923396B2 (ja) * | 2017-08-31 | 2021-08-18 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 密着強化処理装置および密着強化処理方法 |
| US11661654B2 (en) | 2018-04-18 | 2023-05-30 | Lam Research Corporation | Substrate processing systems including gas delivery system with reduced dead legs |
| JP7055075B2 (ja) * | 2018-07-20 | 2022-04-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置及び熱処理方法 |
| KR20220043028A (ko) * | 2020-09-28 | 2022-04-05 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기화 시스템, 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| TW202317810A (zh) * | 2021-06-04 | 2023-05-01 | 美商英福康公司 | 用於使用一個或多個石英晶體微天平感測器進行品質流量測量和控制載流中的製程氣體的系統和方法 |
Family Cites Families (39)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3391829B2 (ja) * | 1991-12-26 | 2003-03-31 | キヤノン株式会社 | 液体状の原料を用いる化学気相堆積法及び装置 |
| DE69218152T2 (de) * | 1991-12-26 | 1997-08-28 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Herstellungsverfahren einer niedergeschlagenen Schicht mittels CVD, unter Verwendung von flüssigem Rohstoff und dazu geeignete Vorrichtung |
| US5520969A (en) * | 1994-02-04 | 1996-05-28 | Applied Materials, Inc. | Method for in-situ liquid flow rate estimation and verification |
| JP3601153B2 (ja) * | 1995-12-27 | 2004-12-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理ガス供給装置のクリーニング方法 |
| JP3392299B2 (ja) * | 1996-09-18 | 2003-03-31 | 株式会社フジクラ | Ｃｖｄ用原料溶液気化装置 |
| WO1998055668A1 (en) * | 1997-06-02 | 1998-12-10 | Msp Corporation | Method and apparatus for vapor generation and film deposition |
| US6409839B1 (en) * | 1997-06-02 | 2002-06-25 | Msp Corporation | Method and apparatus for vapor generation and film deposition |
| JPH11111644A (ja) * | 1997-09-30 | 1999-04-23 | Japan Pionics Co Ltd | 気化供給装置 |
| US20030101938A1 (en) * | 1998-10-27 | 2003-06-05 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for the deposition of high dielectric constant films |
| KR100368319B1 (ko) * | 1998-12-30 | 2003-03-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 액체운송장치 |
| US20020015855A1 (en) * | 2000-06-16 | 2002-02-07 | Talex Sajoto | System and method for depositing high dielectric constant materials and compatible conductive materials |
| JP4421119B2 (ja) * | 2001-01-11 | 2010-02-24 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法 |
| US6790475B2 (en) * | 2002-04-09 | 2004-09-14 | Wafermasters Inc. | Source gas delivery |
| JP3809391B2 (ja) * | 2002-04-19 | 2006-08-16 | 株式会社アルバック | 薄膜形成装置 |
| US6772072B2 (en) * | 2002-07-22 | 2004-08-03 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for monitoring solid precursor delivery |
| US6921062B2 (en) * | 2002-07-23 | 2005-07-26 | Advanced Technology Materials, Inc. | Vaporizer delivery ampoule |
| JP4288049B2 (ja) * | 2002-08-07 | 2009-07-01 | 日本パイオニクス株式会社 | 気化供給方法 |
| US6779378B2 (en) | 2002-10-30 | 2004-08-24 | Asm International N.V. | Method of monitoring evaporation rate of source material in a container |
| JP2005039034A (ja) * | 2003-07-14 | 2005-02-10 | Japan Pionics Co Ltd | 気化供給装置及び気化供給方法 |
| JP4607474B2 (ja) * | 2004-02-12 | 2011-01-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
| US20060060139A1 (en) * | 2004-04-12 | 2006-03-23 | Mks Instruments, Inc. | Precursor gas delivery with carrier gas mixing |
| US8435351B2 (en) * | 2004-11-29 | 2013-05-07 | Tokyo Electron Limited | Method and system for measuring a flow rate in a solid precursor delivery system |
| US20070042119A1 (en) * | 2005-02-10 | 2007-02-22 | Larry Matthysse | Vaporizer for atomic layer deposition system |
| JP4601535B2 (ja) * | 2005-09-09 | 2010-12-22 | 株式会社リンテック | 低温度で液体原料を気化させることのできる気化器 |
| JP4973071B2 (ja) * | 2006-08-31 | 2012-07-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
| US20080145533A1 (en) * | 2006-11-29 | 2008-06-19 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| US20080141937A1 (en) * | 2006-12-19 | 2008-06-19 | Tokyo Electron Limited | Method and system for controlling a vapor delivery system |
| WO2009034938A1 (ja) * | 2007-09-10 | 2009-03-19 | Ulvac, Inc. | 有機材料蒸気発生装置、成膜源、成膜装置 |
| CN101802255A (zh) * | 2007-09-21 | 2010-08-11 | 东京毅力科创株式会社 | 成膜装置和成膜方法 |
| JP5200551B2 (ja) * | 2008-01-18 | 2013-06-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 気化原料供給装置、成膜装置及び気化原料供給方法 |
| JP5385002B2 (ja) * | 2008-06-16 | 2014-01-08 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法 |
| US8151814B2 (en) * | 2009-01-13 | 2012-04-10 | Asm Japan K.K. | Method for controlling flow and concentration of liquid precursor |
| JP2010219292A (ja) | 2009-03-17 | 2010-09-30 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法 |
| JP2011003599A (ja) * | 2009-06-16 | 2011-01-06 | Elpida Memory Inc | 半導体製造装置および半導体製造方法 |
| JP2011054938A (ja) * | 2009-08-07 | 2011-03-17 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法及び液体流量制御装置の動作確認方法 |
| JP5610438B2 (ja) * | 2010-01-29 | 2014-10-22 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP5573666B2 (ja) * | 2010-12-28 | 2014-08-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 原料供給装置及び成膜装置 |
| JP2012162754A (ja) * | 2011-02-03 | 2012-08-30 | Ulvac Japan Ltd | 液体原料の気化方法及び気化器 |
| US9243325B2 (en) * | 2012-07-18 | 2016-01-26 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Vapor delivery device, methods of manufacture and methods of use thereof |
-
2012
- 2012-12-27 JP JP2012286055A patent/JP6078335B2/ja active Active
-
2013
- 2013-12-26 KR KR1020130164384A patent/KR101587702B1/ko active IP Right Grant
- 2013-12-26 US US14/140,837 patent/US20140182515A1/en active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2014127702A5 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、気化システム、気化器およびプログラム | |
| WO2018109551A3 (en) | Sequential infiltration synthesis apparatus | |
| JP2011252221A5 (ja) | ||
| JP2013529381A5 (ja) | ||
| JP2015067869A5 (ja) | ||
| JP2015192148A5 (ja) | ||
| JP2015082525A5 (ja) | ||
| TW200739727A (en) | Semiconductor processing system and vaporizer | |
| JP2016522085A5 (ja) | ||
| JP2015053445A5 (ja) | ||
| JP2011006782A5 (ja) | ||
| WO2010045538A3 (en) | Methods and apparatus for rapidly responsive heat control in plasma processing devices | |
| JP2013232624A5 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、気化システムおよびミストフィルタ | |
| JP2011003885A5 (ja) | ||
| TW201612466A (en) | Configurable liquid precursor vaporizer | |
| WO2012150763A3 (ko) | 연속적인 열처리 화학 기상 증착 방법을 이용한 고품질 그래핀 제조 방법 | |
| JP2010161350A5 (ja) | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 | |
| TWI682043B (zh) | 輸送過氧化氫至半導體處理腔室的系統以及用於半導體處理的方法 | |
| JP2015109419A5 (ja) | ||
| JP2011029603A5 (ja) | ||
| KR102499328B1 (ko) | 기화기 | |
| JP2017036493A5 (ja) | ||
| JP2015044715A5 (ja) | ||
| JP2015030923A5 (ja) | ||
| JP2013151722A5 (ja) |