JP2013077843A5 - - Google Patents

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上記の課題を解決するために、本発明の第１態様によると、ガスの供給部および排気部を有する処理チャンバ；
前記処理チャンバ内に配置され、被処理基板を回転可能に保持する保持部材；
前記処理チャンバに供給するガスの温度調整を行うための第１温度調整器；
前記被処理基板の表面にエッチング液を供給してエッチング処理を行うための第１エッチング液供給部材；
前記被処理基板の裏面にエッチング液を供給してエッチング処理を行うための第２エッチング液供給部材；
本発明の第２態様によると、処理チャンバ内に被処理基板を回転可能に保持する工程と、前記被処理基板を回転させながら、前記被処理基板の表裏面にエッチング液を供給してエッチング処理を行う工程とを含み、
前記エッチング処理は、前記処理チャンバ内の温度が前記エッチング液の温度より高く、かつそれらの温度差を一定にした条件で行うことを特徴とする基板の処理方法が提供される。
本発明の第３の態様によると、ガスの供給部および排気部を有する処理チャンバ；
前記処理チャンバ内に配置され、被処理基板を回転可能に保持する保持部材；
前記処理チャンバ内に前記保持部材の前記被処理基板に対して離接可能に配置され、前記被処理基板と同じもしくはそれより大きい面積を持つヒータ内蔵遮蔽部材；
前記被処理基板の表面にエッチング液を供給してエッチング処理を行うための第１エッチング液供給部材；
前記被処理基板の裏面にエッチング液を供給してエッチング処理を行うための第２エッチング液供給部材；
前記第１、第２のエッチング液供給部材と前記処理チャンバの外部で接続されたエッチング液供給タンク；
前記タンク内のエッチング液の温度調整を行うための温度調整器；および
前記ヒータの加熱温度が前記温度調整器による前記タンク内の前記エッチング液の温度と同じもしくはそれより高い温度になるように制御するための制御機構；
を具備したことを特徴とする基板の処理装置が提供される。

Claims (14)

  1. ガスの供給部および排気部を有する処理チャンバ；
    前記処理チャンバ内に配置され、被処理基板を回転可能に保持する保持部材；
    前記処理チャンバに供給するガスの温度調整を行うための第１温度調整器；
    前記被処理基板の表面にエッチング液を供給してエッチング処理を行うための第１エッチング液供給部材；
    前記被処理基板の裏面にエッチング液を供給してエッチング処理を行うための第２エッチング液供給部材；
    前記第１、第２のエッチング液供給部材と前記処理チャンバの外部で接続されたエッチング液供給タンク；
    前記タンク内のエッチング液の温度調整を行うための第２温度調整器；および
    前記第１、第２の温度調整器によるガスの温度調整およびエッチング液の温度調整を前記処理チャンバ内の温度が前記タンク内の前記エッチング液の温度より高く、かつそれらの温度差を一定になるように制御するための制御機構；
    を具備したことを特徴とする基板の処理装置。
  2. 前記第１温度調整器は空調機であることを特徴とする請求項１記載の基板の処理装置。
  3. 前記処理チャンバ内を加湿するための加湿機構をさらに備えることを特徴とする請求項１または２記載の基板の処理装置。
  4. 前記第１温度調整器は加湿機能を兼ね備えることを特徴とする請求項３記載の基板の処理装置。
  5. 前記被処理基板の表面に純水を供給してリンス処理を行うための第１純水供給部材と、前記第１純水供給部材と前記処理チャンバの外部で接続された純水供給タンクと、前記タンク内の純水の温度を前記エッチング液温度と同じかまたはそれより高く調整するための第３温度調整器とをさらに備えることを特徴とする請求項１ないし４いずれか１項記載の基板の処理装置。
  6. 前記被処理基板の裏面に純水を供給してリンス処理を行うための第２純水供給部材をさらに備え、前記第２純水供給部材は前記純水供給タンクと前記処理チャンバの外部で接続されることを特徴とする請求項５記載の基板の処理装置。
  7. 前記被処理基板に乾燥気体を吹き付けるための乾燥気体吹き付け部材をさらに備えることを特徴とする請求項１ないし６いずれか１項記載の基板の処理装置。
  8. 処理チャンバ内に被処理基板を回転可能に保持する工程と、前記被処理基板を回転させながら、前記被処理基板の表裏面にエッチング液を供給してエッチング処理を行う工程とを含み、
    前記エッチング処理は、前記処理チャンバ内の温度が前記エッチング液の温度より高く、かつそれらの温度差を一定にした条件で行うことを特徴とする基板の処理方法。
  9. 前記エッチング処理は前記エッチング液を加温して行うことを特徴とする請求項８記載の基板の処理方法。
  10. 前記エッチング処理は前記処理チャンバ内を加湿して行うことを特徴とする請求項８または９記載の基板の処理方法。
  11. 前記エッチング処理後に前記被処理基板の表面に前記エッチングの液温度と同じかまたはそれより高い温度の純水を供給してリンス処理を行う工程をさらに含むことを特徴とする請求項８ないし１０いずれか１項記載の基板の処理方法。
  12. 前記エッチング処理後に前記被処理基板の裏面に前記エッチングの液温度と同じかまたはそれより高い温度の純水を供給してリンス処理を行う工程をさらに含むことを特徴とする請求項１１記載の基板の処理方法。
  13. 前記リンス処理後に前記被処理基板に乾燥気体を吹き付ける工程をさらに含むことを特徴とする請求項１１または１２記載の基板の処理方法。
  14. ガスの供給部および排気部を有する処理チャンバ；
    前記処理チャンバ内に配置され、被処理基板を回転可能に保持する保持部材；
    前記処理チャンバ内に前記保持部材の前記被処理基板に対して離接可能に配置され、前記被処理基板と同じもしくはそれより大きい面積を持つヒータ内蔵遮蔽部材；
    前記被処理基板の表面にエッチング液を供給してエッチング処理を行うための第１エッチング液供給部材；
    前記被処理基板の裏面にエッチング液を供給してエッチング処理を行うための第２エッチング液供給部材；
    前記第１、第２のエッチング液供給部材と前記処理チャンバの外部で接続されたエッチング液供給タンク；
    前記タンク内のエッチング液の温度調整を行うための温度調整器；および
    前記ヒータの加熱温度が前記温度調整器による前記タンク内の前記エッチング液の温度と同じもしくはそれより高い温度になるように制御するための制御機構；
    を具備したことを特徴とする基板の処理装置。
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