JP2014209581A5 - - Google Patents
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- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 144
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 72
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 70
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 22
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 18
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 16
- 230000000996 additive Effects 0.000 claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- TWXTWZIUMCFMSG-UHFFFAOYSA-N nitride(3-) Chemical compound [N-3] TWXTWZIUMCFMSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 9
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 229910004682 ON-OFF Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing Effects 0.000 description 1
Description
この発明は、
少なくとも窒化膜と酸化膜とが形成された基板を処理するウェットエッチング装置において、
リン酸水溶液を貯留するリン酸水溶液貯留部と、
シリカ添加剤を貯留する添加剤貯留部と、
前記リン酸水溶液貯留部に貯留されたリン酸水溶液のシリカ濃度を検出する濃度検出部と、
この濃度検出部により検出されたリン酸水溶液のシリカ濃度が所定値より低い場合に、前記添加剤貯留部から前記リン酸水溶液貯留部へシリカ添加剤を供給する添加剤供給部と、
前記リン酸水溶液貯留部に貯留されたリン酸水溶液により基板を処理する処理部とを備えることを特徴とする。
少なくとも窒化膜と酸化膜とが形成された基板を処理するウェットエッチング装置において、
リン酸水溶液を貯留するリン酸水溶液貯留部と、
シリカ添加剤を貯留する添加剤貯留部と、
前記リン酸水溶液貯留部に貯留されたリン酸水溶液のシリカ濃度を検出する濃度検出部と、
この濃度検出部により検出されたリン酸水溶液のシリカ濃度が所定値より低い場合に、前記添加剤貯留部から前記リン酸水溶液貯留部へシリカ添加剤を供給する添加剤供給部と、
前記リン酸水溶液貯留部に貯留されたリン酸水溶液により基板を処理する処理部とを備えることを特徴とする。
一方、処理部40から回収配管53を介してタンク21に回収されるリン酸溶液によって、タンク21内のリン酸水溶液のシリカ濃度が、制御部100に予め設定した所定濃度より低下することがある。この場合、制御部100は、濃度検出部22がこの濃度の低下を検出した場合に開閉弁52aを閉じる。なお、制御部100は、タンク21内のリン酸溶液のシリカ濃度が低下したことを、基板Wに対するエッチング処理中に検出した場合、その基板Wへのエッチング処理が終了した時点で、開閉弁52aを閉じるようにする。これにより、その基板Wに対しても、均一なエッチング処理が行える。
Claims (17)
- 少なくとも窒化膜と酸化膜とが形成された基板を処理するウェットエッチング装置において、
リン酸水溶液を貯留するリン酸水溶液貯留部と、
シリカ添加剤を貯留する添加剤貯留部と、
前記リン酸水溶液貯留部に貯留されたリン酸水溶液のシリカ濃度を検出する濃度検出部と、
この濃度検出部により検出されたリン酸水溶液のシリカ濃度が所定値より低い場合に、前記添加剤貯留部から前記リン酸水溶液貯留部へシリカ添加剤を供給する添加剤供給部と、
前記リン酸水溶液貯留部に貯留されたリン酸水溶液により基板を処理する処理部とを備えることを特徴とするウェットエッチング装置。 - 前記処理部から前記リン酸水溶液を回収して、前記リン酸水溶液貯留部へ戻す回収部をさらに備えることを特徴とする請求項1記載のウェットエッチング装置。
- 前記濃度検出部により検出された前記リン酸水溶液のシリカ濃度が予め設定した所定の濃度であることを条件に、前記リン酸水溶液貯留部から前記処理部に前記リン酸水溶液を供給することを特徴とする請求項1または2に記載のウエットエッチング装置。
- 前記シリカ添加剤は、コロイダルシリカであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載のウエットエッチング装置。
- 前記リン酸水溶液貯留部に貯留された前記リン酸水溶液の温度を検出する温度検出部を有し、
この温度検出部により検出された前記リン酸水溶液の温度が予め設定した所定の温度であることを条件に、前記リン酸水溶液貯留部から前記処理部に前記リン酸水溶液を供給することを特徴とする請求項3に記載のウェットエッチング装置。 - 前記リン酸水溶液貯留部には、前記リン酸水溶液貯留部内部のリン酸水溶液を循環しつつ、加熱するヒータを有する循環配管が設けられていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一つに記載のウェットエッチング装置。
- 前記処理部は、前記基板を保持して回転させる回転機構、回転する前記基板に前記リン酸水溶液貯留部から供給されるリン酸水溶液を供給するノズルを有し、
前記リン酸水溶液貯留部は、前記処理部とは別個の構成部であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一つに記載のウェットエッチング装置。 - 前記リン酸水溶液のシリカ濃度が所定値より低いことを前記濃度検出部が検出した場合、前記リン酸水溶液貯留部から前記処理部へのリン酸水溶液の供給を停止させる制御部をさらに備えることを特徴とする請求項7に記載のウェットエッチング装置。
- 前記制御部は、
前記処理部における前記基板の処理中に、前記リン酸水溶液のシリカ濃度が所定値より低いことを前記濃度検出部が検出した場合、その基板への処理が終了した時点で、前記リン酸水溶液貯留部から前記処理部へのリン酸水溶液の供給を停止させることを特徴とする請求項8に記載のウェットエッチング装置。 - 前記リン酸水溶液貯留部は、前記リン酸水溶液貯留部の内部のリン酸水溶液を循環させる循環配管と、
前記循環配管においてリン酸水溶液を循環させたままで前記処理部へのリン酸水溶液の供給を行う制御部と、
をさらに備えることを特徴とする請求項7に記載のウェットエッチング装置。 - 前記リン酸水溶液貯留部内にリン酸水溶液を供給するリン酸水溶液供給部と、
前記リン酸水溶液貯留部内のリン酸水溶液の液面高さを検出する液面計と、
前記リン酸水溶液貯留部内の液面高さが所定の高さより低いことを前記液面計が検出した場合、前記処理部へのリン酸水溶液の供給を停止するように制御する制御部と、
をさらに備えることを特徴とする請求項7に記載のウェットエッチング装置。 - 前記制御部は、
前記処理部における前記基板の処理中に、前記リン酸水溶液貯留部内の液面高さが所定の高さより低いことを前記液面計が検出した場合、その基板への処理が終了した時点で、前記リン酸水溶液貯留部から前記処理部へのリン酸水溶液の供給を停止させることを特徴とする請求項11に記載のウェットエッチング装置。 - 前記リン酸水溶液貯留部は、前記処理部に供給するリン酸水溶液を貯留するタンクと、前記タンクに接続されたサブタンクを有し、
前記サブタンクは、リン酸水溶液供給部からリン酸水溶液が供給されることを特徴とする請求項1に記載のウェットエッチング装置。 - 少なくとも窒化膜と酸化膜とが形成された基板を処理するウェットエッチング装置において、
リン酸水溶液を貯留するタンクと、前記タンクに接続されたサブタンクを有するリン酸水溶液貯留部と、
シリカ添加剤を貯留する添加剤貯留部と、
前記サブタンクに貯留されたリン酸水溶液のシリカ濃度を検出する濃度検出部と、
この濃度検出部により検出されたリン酸水溶液のシリカ濃度が所定値より低い場合に、前記添加剤貯留部から前記サブタンクへシリカ添加剤を供給する添加剤供給部と、
前記リン酸水溶液貯留部の前記タンクに貯留されたリン酸水溶液により基板を処理する処理部と、
を備えることを特徴とするウェットエッチング装置。 - 前記処理部から前記リン酸水溶液を回収して、前記サブタンクへ戻す回収部をさらに備えることを特徴とする請求項13または14に記載のウェットエッチング装置。
- 前記サブタンクには、前記サブタンクの内部のリン酸水溶液を循環させる循環配管が設けられていることを特徴とする請求項13〜15のいずれか一つに記載のウェットエッチング装置。
- 前記タンク内のリン酸水溶液の液面高さを検出する液面計と、
前記リン酸水溶液供給部からリン酸水溶液を供給する制御部と、をさらに備え、
前記制御部は、前記液面計が前記タンク内の液面高さが所定の高さより低いことを検出すると、液面高さが所定の高さになるまで、前記サブタンクからリン酸水溶液を前記タンクに供給することを特徴とする請求項13〜16のいずれか一つに記載のウェットエッチング装置。
Priority Applications (12)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014045275A JP6302708B2 (ja) | 2013-03-29 | 2014-03-07 | ウェットエッチング装置 |
TW106106835A TWI692024B (zh) | 2013-03-29 | 2014-03-21 | 濕式蝕刻裝置 |
TW110118487A TWI810572B (zh) | 2013-03-29 | 2014-03-21 | 濕式蝕刻裝置 |
TW103110681A TWI660419B (zh) | 2013-03-29 | 2014-03-21 | Wet etching device |
TW109109663A TWI739355B (zh) | 2013-03-29 | 2014-03-21 | 濕式蝕刻裝置 |
KR1020140035547A KR101596119B1 (ko) | 2013-03-29 | 2014-03-26 | 웨트 에칭 장치 |
CN201410218651.8A CN104078391B (zh) | 2013-03-29 | 2014-03-28 | 湿式蚀刻装置 |
CN201710207544.9A CN107452649B (zh) | 2013-03-29 | 2014-03-28 | 湿式蚀刻装置 |
US14/228,515 US20140290859A1 (en) | 2013-03-29 | 2014-03-28 | Wet etching apparatus |
KR1020150186442A KR101687924B1 (ko) | 2013-03-29 | 2015-12-24 | 웨트 에칭 장치 |
KR1020160167523A KR102062749B1 (ko) | 2013-03-29 | 2016-12-09 | 웨트 에칭 장치 |
KR1020190169753A KR102253286B1 (ko) | 2013-03-29 | 2019-12-18 | 웨트 에칭 장치 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013073721 | 2013-03-29 | ||
JP2013073721 | 2013-03-29 | ||
JP2014045275A JP6302708B2 (ja) | 2013-03-29 | 2014-03-07 | ウェットエッチング装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018038606A Division JP6529625B2 (ja) | 2013-03-29 | 2018-03-05 | ウェットエッチング装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014209581A JP2014209581A (ja) | 2014-11-06 |
JP2014209581A5 true JP2014209581A5 (ja) | 2017-05-25 |
JP6302708B2 JP6302708B2 (ja) | 2018-03-28 |
Family
ID=51599576
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014045275A Active JP6302708B2 (ja) | 2013-03-29 | 2014-03-07 | ウェットエッチング装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20140290859A1 (ja) |
JP (1) | JP6302708B2 (ja) |
KR (4) | KR101596119B1 (ja) |
CN (2) | CN104078391B (ja) |
TW (4) | TWI692024B (ja) |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10443127B2 (en) * | 2013-11-05 | 2019-10-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | System and method for supplying a precursor for an atomic layer deposition (ALD) process |
TWI630652B (zh) * | 2014-03-17 | 2018-07-21 | 斯克林集團公司 | 基板處理裝置及使用基板處理裝置之基板處理方法 |
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JP6776208B2 (ja) * | 2017-09-28 | 2020-10-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
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CN109192680B (zh) * | 2018-08-27 | 2020-12-11 | 长江存储科技有限责任公司 | 化学液槽装置 |
JP7096112B2 (ja) * | 2018-09-13 | 2022-07-05 | キオクシア株式会社 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
JP7158249B2 (ja) * | 2018-11-09 | 2022-10-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 |
KR20200086141A (ko) * | 2019-01-08 | 2020-07-16 | 삼성전자주식회사 | 실리콘 질화물용 식각제 조성물 및 반도체 소자의 제조 방법 |
CN110993614B (zh) * | 2019-11-27 | 2022-06-10 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板制备装置及方法 |
CN111106041A (zh) * | 2019-12-10 | 2020-05-05 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 湿法刻蚀机台及湿法刻蚀药液的回收方法 |
TW202134174A (zh) | 2020-02-12 | 2021-09-16 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 磷酸處理液的再生裝置、基板處理裝置、磷酸處理液的再生方法及基板處理方法 |
CN114195245A (zh) * | 2020-09-02 | 2022-03-18 | 中国科学院微电子研究所 | 腐蚀液回收再利用装置及方法 |
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KR102583556B1 (ko) * | 2021-01-07 | 2023-10-10 | 세메스 주식회사 | 처리액 공급 장치 및 처리액 공급 장치의 고형 제거 방법 |
JP2022117321A (ja) * | 2021-01-29 | 2022-08-10 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、および、基板処理方法 |
JP7438171B2 (ja) * | 2021-09-13 | 2024-02-26 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 供給タンク、供給装置、供給システム |
CN117716481A (zh) * | 2022-08-08 | 2024-03-15 | 株式会社荏原制作所 | 预湿模块 |
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-
2014
- 2014-03-07 JP JP2014045275A patent/JP6302708B2/ja active Active
- 2014-03-21 TW TW106106835A patent/TWI692024B/zh active
- 2014-03-21 TW TW109109663A patent/TWI739355B/zh active
- 2014-03-21 TW TW103110681A patent/TWI660419B/zh active
- 2014-03-21 TW TW110118487A patent/TWI810572B/zh active
- 2014-03-26 KR KR1020140035547A patent/KR101596119B1/ko active IP Right Review Request
- 2014-03-28 CN CN201410218651.8A patent/CN104078391B/zh active Active
- 2014-03-28 CN CN201710207544.9A patent/CN107452649B/zh active Active
- 2014-03-28 US US14/228,515 patent/US20140290859A1/en not_active Abandoned
-
2015
- 2015-12-24 KR KR1020150186442A patent/KR101687924B1/ko active IP Right Grant
-
2016
- 2016-12-09 KR KR1020160167523A patent/KR102062749B1/ko active IP Right Grant
-
2019
- 2019-12-18 KR KR1020190169753A patent/KR102253286B1/ko active IP Right Grant
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