CN107316825A - 湿式蚀刻装置 - Google Patents

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黄荣龙
吕峻杰
陈滢如
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    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching

Abstract

本发明涉及一种湿式蚀刻装置，该湿式蚀刻装置包括一腔体、若干个蚀刻液喷嘴、以及一承载平台。该腔体包括一进气口以及一出气口。这些蚀刻液喷嘴设置于该腔体中以对一基板进行蚀刻。该承载平台包括一本体以及若干个平台喷嘴。该本体设置于该基板下方。这些平台喷嘴贯穿该本体，一液体透过这些平台喷嘴提供一液体浮力以承载该基板。该湿式蚀刻装置能避免基板的背面脏污的问题。

Description

湿式蚀刻装置
技术领域
本发明涉及湿式制程领域，特别是涉及一种湿式蚀刻装置。
背景技术
在面板产业中，湿式制程的发展已经相当成熟。然而现有湿式制程机台中，使用上具有维修困难、耗液量大、均匀性不佳、漏夜、及背面脏污等等问题，上述问题在细线宽(fine pitch)的情况下特别严重。
上述背面脏污的问题大部分的原因是支撑一基板并移动该基板的滚轮所造成，对于超薄基板而言，常常需要用到数以千计的滚轮，使用数量庞大的滚轮除了价格高昂之外，也不利于维护保养，甚至会在基板的背面(即与滚轮接触的一面)形成滚痕(roller mark)。再者，现有立体(3D)封装需要进行双面制程，使用滚轮承载基板的湿式蚀刻装置无法对基板的背面进行蚀刻制程。
因此需要针对上述现有技术中蚀刻液喷洒在基板上时均匀性不佳的问题提出解决方法。
发明内容
本发明的目的在于提供一种湿式蚀刻装置，其能解决现有技术中使用滚轮承载基板的问题。
本发明之湿式蚀刻装置包括一腔体、若干个蚀刻液喷嘴、以及一承载平台。该腔体包括一进气口以及一出气口。该进气口用于导入一蚀刻所需气体。该出气口用于导出该蚀刻所需气体。这些蚀刻液喷嘴设置于该腔体中以对一基板进行蚀刻。该承载平台包括一本体以及若干个平台喷嘴。该本体设置于该基板下方。这些平台喷嘴贯穿该本体，一液体透过这些平台喷嘴提供一液体浮力以承载该基板。
在一较佳实施例中，该湿式蚀刻装置进一步包括一抽风模块。该抽风模块连接至该进气口及该出气口且用于将该腔体内部之蚀刻所需气体从该出气口抽出附加电路板。
在一较佳实施例中，该湿式蚀刻装置进一步包括一定位单元。该定位单元设置于该本体上并用于将该基板限定在一特定范围内。
在一较佳实施例中，该液体为水或制程所需药液。
在一较佳实施例中，该本体之表面每平方公分包括一至五个平台喷嘴。
在一较佳实施例中，各平台喷嘴之一口径为0.5公厘至1.5公厘。
在一较佳实施例中，这些平台喷嘴与该基板之间的距离为1公厘至6公厘。
本发明之湿式蚀刻装置能避免基板的背面脏污的问题、减少滚痕并能进行双面制程。再者，蚀刻所需气体经由抽风模块抽出后可进一步再生使用，对蚀刻液进行加压的功能，因此能节省气体使用量。
为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：
附图说明
图1显示根据本发明一第一实施例之湿式蚀刻装置之示意图。
图2显示根据本发明一第二实施例之湿式蚀刻装置之示意图。
具体实施方式
请参阅图1，图1显示根据本发明一第一实施例之湿式蚀刻装置1之示意图。
如图1所示，本发明之湿式蚀刻装置1包括若干个蚀刻液喷嘴10、一腔体20、一承载平台40、以及一抽风模块50。
这些喷嘴10设置于该腔体20中以对一基板30进行蚀刻，更明确地说，这些蚀刻液喷嘴10设置于该基板30的上方。该基板30可以为目前湿式制程中需要进行蚀刻的基板，例如但不限于为一玻璃基板。该承载平台40设置于该腔体20中并用于非接触地承载该基板30。
该腔体20主要包括一进气口200以及一出气口202。于本实施例中，该进气口200及该出气口202分别设置于该腔体20之两相对的侧壁上，然而本发明并不限于此，该进气口200及该出气口202可设置于该腔体20之相同或不同侧壁上。
该进气口200用于导入一蚀刻所需气体，该抽风模块50连接至该出气口202，该抽风模块50用于将该腔体20内部之蚀刻所需气体从该出气口202抽出，抽出之蚀刻所需气体可以再透过该进气口200导入，达到再生使用的目的，节省蚀刻所需气体之使用量。
要说明的是，蚀刻所需气体为本发明所属技术领域中具有通常知识者所熟知，此不多加赘述。
本发明之一特点在于该承载平台40用于非接触地承载该基板30，该承载平台40包括一本体400以及若干个平台喷嘴402，该本体40设置于该基板30下方并大致呈一平板状。这些平台喷嘴402贯穿该本体400，一液体由下往上透过这些平台喷嘴402提供一液体浮力以承载该基板30，由于该基板30是由该液体浮力所承载，因此可避免造成该基板30的背面(即该基板30朝向该承载平台40的一面)脏污的问题并大幅减少滚轮的数量，且该基板30不会与该承载平台40接触，不会发生使用滚轮承载时该基板30的背面(即该基板30朝向该承载平台40的一面)形成滚痕的问题。
该液体可以为水或制程所需药液，该液体为制程所需药液时，除了能提供液体浮力以承载该基板30之外，能进一步将制程所需药液(例如但不限于蚀刻液)均匀地喷洒在该基板30的背面(即该基板30朝向该承载平台40的一面)，因此能适用于立体封装所需的双面制程。
这些平台喷嘴402的设计需要考虑的因素包括该基板30的面积、重量、该本体400的材质、表面粗糙度等等。
于一较佳实施例中，该本体400之表面每平方公分包括一至五个平台喷嘴402，该液体的液体压力为每平方公分小于2.5公斤(kg/cm2)，各平台喷嘴402之一口径为0.5公厘(millimeter；mm)至1.5公厘，这些平台喷嘴402与该基板30之间的距离为1公厘至6公厘。
要说明的是，这些平台喷嘴402的数量、该液体的液体压力、各平台喷嘴402之口径、及这些平台喷嘴402与该基板30之间的距离的范围为特殊设计，并非仅是本发明所属技术领域中具有通常知识者可轻易得知的范围。
请参阅图2，图2显示根据本发明一第二实施例之湿式蚀刻装置1’之示意图。
要说明的是，本实施例之这些蚀刻液喷嘴10’的设计与第一实施例之蚀刻液喷嘴10的设计略有不同，然而两者之功能相同且皆可应用至本发明。本实施例与第一实施例具有相同标号的组件可参阅上述第一实施例的相关描述，此不多加赘述。
于本实施例中，该湿式蚀刻装置1’进一步包括一定位单元60，该定位单元60设置并固定于该本体400上，更明确地说，该定位单元60设置于该本体400上并位于该基板30的两侧，该定位单元60用于将该基板30限定在一特定范围内，藉此避免该基板30在该液体的承载下大幅晃动。
此外，要说明的是，第二实施例之定位单元60也可应用至第一实施例，此不多加赘述。
本发明之湿式蚀刻装置能避免基板的背面(即基板朝向承载平台的一面)脏污的问题、减少滚痕并能进行双面制程。再者，蚀刻所需气体经由抽风模块抽出后可进一步再生使用，对蚀刻液进行加压的功能，因此能节省气体使用量。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (7)

1.一种湿式蚀刻装置，其特征在于，包括：
一腔体，包括：
一进气口，用于导入一蚀刻所需气体；以及
一出气口，用于导出该蚀刻所需气体；
若干个蚀刻液喷嘴，设置于该腔体中以对一基板进行蚀刻；以及
一承载平台，包括：
一本体，设置于该基板下方；以及
若干个平台喷嘴，贯穿该本体，一液体透过这些平台喷嘴提供一液体浮力以承载该基板。
2.根据权利要求1所述的湿式蚀刻装置，其特征在于，进一步包括：
一抽风模块，连接至该进气口及该出气口且用于将该腔体内部之蚀刻所需气体从该出气口抽出。
3.根据权利要求1所述的湿式蚀刻装置，其特征在于，进一步包括一定位单元，该定位单元设置于该本体上并用于将该基板限定在一特定范围内。
4.根据权利要求1所述的湿式蚀刻装置，其特征在于，该液体为水或制程所需药液。
5.根据权利要求1所述的湿式蚀刻装置，其特征在于，该本体之表面每平方公分包括一至五个平台喷嘴。
6.根据权利要求1所述的湿式蚀刻装置，其特征在于，各平台喷嘴之一口径为0.5公厘至1.5公厘。
7.根据权利要求1所述的湿式蚀刻装置，其特征在于，这些平台喷嘴与该基板之间的距离为1公厘至6公厘。
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