CN108511374A - 一种湿式制程设备动态蚀刻药液喷洒装置 - Google Patents
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Abstract
一种湿式制程设备动态蚀刻药液喷洒装置，包括箱体和风机，所述箱体为矩形腔体，腔体内上部设有固定安装的喷淋管，所述喷淋管包括药液管道、气体管道和喷头，药液管道和气体管道水平相邻布置，喷头内设有喷道、液道和气道，喷道位于喷头的轴线下段，液道和气道位于喷头的上部两侧，液道分别与药液管道、喷道联通，气道分别与气体管道和喷道联通，箱体上部设有药液输入管，药液输入管与药液管道联通，箱体的一侧设有进气口，另一侧设有抽气口，进气口与气体管道联通，抽气口与箱体外部风机的进风口管路联通个，风机的排风口与进气口管路联通，喷淋管的正下方设有多组水平布置的滚动圆辊，滚动圆辊上放置基板，基板上盛放产品。
Description
技术领域
本发明涉及湿式制程设备领域，尤其涉及一种湿式制程设备动态蚀刻药液喷洒装置。
背景技术
半导体制程是在超洁净无尘室进行的，仍然有些污染源的存在，至于污染源的来源，不外乎设备本身材料产生、现场作业员或制程工程师人体自身与动作的影响、化学材料或制程药剂残留或不纯度的发生，以及制程反应产生物的结果，尤其是制程反应产生物一项，更成为制程污染的主要来源，大多会造成良率和可靠度的下降；在半导体制程中，无论是在去光阻、化学气相沉淀、氧化扩散、晶圆研磨以后等各阶段制程都需要反复清洗步骤。
湿式制程机台在半导体产业已是成熟发展，但有些机构设计，使用上有维修困难、耗液量大、均匀性不佳、漏液，背面脏污等等问题。其中，半导体在生产工艺上需要进行去毛边处理，常规的物力抛丸方式，不仅会带入异物，污染产品，还容易导致半导体产品的损伤，因此药液蚀刻成为较佳方式，而药液浸润式蚀刻半导体，容易造成蚀刻过渡，导致半导体良品率较低。
发明内容
本发明正是针对现有技术存在的不足，提供了一种湿式制程设备动态蚀刻药液喷洒装置。
为解决上述问题，本发明所采取的技术方案如下：
一种湿式制程设备动态蚀刻药液喷洒装置，包括箱体和风机，所述箱体为矩形腔体，腔体内上部设有固定安装的喷淋管，所述喷淋管包括药液管道、气体管道和喷头，药液管道和气体管道水平相邻布置，喷头内设有喷道、液道和气道，喷道位于喷头的轴线下段，液道和气道位于喷头的上部两侧，液道分别与药液管道、喷道联通，气道分别与气体管道和喷道联通，箱体上部设有药液输入管，药液输入管与药液管道联通，箱体的一侧设有进气口，另一侧设有抽气口，进气口与气体管道联通，抽气口与箱体外部风机的进风口管路联通个，风机的排风口与进气口管路联通，喷淋管的正下方设有多组水平布置的滚动圆辊，滚动圆辊上放置基板，基板上盛放产品。
进一步的，所述液道与喷道的联通点位于气道与喷道的联通点上方。
进一步的，所述滚动圆辊的两端安装有齿轮轴，齿轮轴与设备箱体上设有的传动装置齿轮传动。
进一步的，所述喷头与喷淋管的连接处设有密封圈。
进一步的，所述箱体底部一侧设有药液回收口，药液回收口接入箱体上部的药液输入管中。
本发明与现有技术相比较，本发明的有益效果如下：
本发明所述的一种湿式制程设备动态蚀刻药液喷洒装置，设计有蚀刻药液喷淋管，通过风机利用腔体内气体再生使用，在喷淋管的喷头处形成高压微粒化液体进行制程，节省气体使用量的同时，保持了制程温度，进而达到蚀刻均匀性制程，避免过渡蚀刻半导体产品，提高了产品的良品率。
附图说明
图1为本发明所述的一种湿式制程设备动态蚀刻药液喷洒装置结构示意图；
图2为图1中喷头的放大结构示意图。
具体实施方式
下面将结合具体的实施例来说明本发明的内容。
如图1和图2所示，所述的一种湿式制程设备动态蚀刻药液喷洒装置，包括箱体1和风机2，所述箱体1为矩形腔体，腔体内上部设有固定安装的喷淋管3，所述喷淋管3包括药液管道4、气体管道5和喷头6，药液管道4和气体管道5水平相邻布置，喷头6内设有喷道7、液道8和气道9，喷道7位于喷头6的轴线下段，液道8和气道9位于喷头6的上部两侧，液道8分别与药液管道4、喷道7联通，气道9分别与气体管道5和喷道7联通，箱体1上部设有药液输入管10，药液输入管10与药液管道4联通，箱体1的一侧设有进气口11，另一侧设有抽气口12，进气口11与气体管道5联通，抽气口12与箱体1外部风机2的进风口管路联通个，风机2的排风口与进气口11管路联通，喷淋管3的正下方设有多组水平布置的滚动圆辊13，滚动圆辊13上放置基板14，基板14上盛放产品。
所述的一种湿式制程设备动态蚀刻药液喷洒装置，设计有蚀刻药液喷淋管3，通过风机2利用箱体1内气体再生使用，在喷淋管3的喷头6处形成高压微粒化液体进行制程，节省气体使用量的同时，保持了制程温度，进而达到蚀刻均匀性制程，避免过渡蚀刻半导体产品，提高了产品的良品率。
所述液道8与喷道7的联通点位于气道9与喷道7的联通点上方，且液道8、气道9分别与喷道7倾斜联通，确保喷头6的喷液量和喷液效果，满足半导体蚀刻的要求。
所述滚动圆辊13的两端安装有齿轮轴15，齿轮轴15与设备箱体1上设有的传动装置齿轮传动，通过齿轮传动带动滚动圆辊13转动，从而使得基板14在滚动圆辊13上水平移动，实现半导体蚀刻工艺的连续性，提高生产效率。
所述喷头6与喷淋管3的连接处设有密封圈，保证气道9压力的充足，将液道8输入的药液高压微粒化，经喷头6喷出后实现半导体蚀刻的均匀性，蚀刻效果好。
所述箱体1底部一侧设有药液回收口16，药液回收口16接入箱体1上部的药液输入管10中，节约了药液的使用量，降低了蚀刻工艺的药液成本。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种湿式制程设备动态蚀刻药液喷洒装置，其特征是，包括箱体(1)和风机(2)，所述箱体(1)为矩形腔体，腔体内上部设有固定安装的喷淋管(3)，所述喷淋管(3)包括药液管道(4)、气体管道(5)和喷头(6)，药液管道(4)和气体管道(5)水平相邻布置，喷头(6)内设有喷道(7)、液道(8)和气道(9)，喷道(7)位于喷头(6)的轴线下段，液道(8)和气道(9)位于喷头(6)的上部两侧，液道(8)分别与药液管道(4)、喷道(7)联通，气道(9)分别与气体管道(5)和喷道(7)联通，箱体(1)上部设有药液输入管(10)，药液输入管(10)与药液管道(4)联通，箱体(1)的一侧设有进气口(11)，另一侧设有抽气口(12)，进气口(11)与气体管道(5)联通，抽气口(12)与箱体(1)外部风机(2)的进风口管路联通个，风机(2)的排风口与进气口(11)管路联通，喷淋管(3)的正下方设有多组水平布置的滚动圆辊(13)，滚动圆辊(13)上放置基板(14)，基板(14)上盛放产品。
2.根据权利要求1所述的一种湿式制程设备动态蚀刻药液喷洒装置，其特征是，所述液道(8)与喷道(7)的联通点位于气道(9)与喷道(7)的联通点上方。
3.根据权利要求1所述的一种湿式制程设备动态蚀刻药液喷洒装置，其特征是，所述滚动圆辊(13)的两端安装有齿轮轴(15)，齿轮轴(15)与设备箱体(1)上设有的传动装置齿轮传动。
4.根据权利要求1所述的一种湿式制程设备动态蚀刻药液喷洒装置，其特征是，所述喷头(6)与喷淋管(3)的连接处设有密封圈。
5.根据权利要求1所述的一种湿式制程设备动态蚀刻药液喷洒装置，其特征是，所述箱体(1)底部一侧设有药液回收口(16)，药液回收口(16)接入箱体(1)上部的药液输入管(10)中。
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