TWM526178U - 蝕刻噴灑模組及使用該蝕刻噴灑模組之濕式蝕刻裝置 - Google Patents

Description

蝕刻噴灑模組及使用該蝕刻噴灑模組之濕式蝕刻裝置

本創作關於濕式製程領域，特別是關於一種蝕刻噴灑模組及使用該蝕刻噴灑模組之濕式蝕刻裝置。

在面板產業中，溼式製程的發展已經相當成熟。然而習知溼式製程機台中，使用上具有維修困難、耗液量大、均勻性不佳、漏夜、及背面髒污等等問題，上述問題在細線寬(fine pitch)的情況下特別嚴重。

習知溼式製程機台中的蝕刻噴灑模組包括複數個噴嘴，蝕刻液直接通過噴嘴噴灑於一基板上以對該基板進行蝕刻，然而無論噴嘴的口徑大小，由於並未對蝕刻液進行任何處理，因此蝕刻液噴灑在基板上時，會發生均勻性不佳的問題，進而影響蝕刻效果。

因此需要針對上述習知技術中蝕刻液噴灑在基板上時均勻性不佳的問題提出解決方法。

本創作提供一種蝕刻噴灑模組及使用該蝕刻噴灑模組之濕式蝕刻裝置，其能解決習知技術中蝕刻液噴灑在基板上時均勻性不佳的問題。

本創作之濕式蝕刻裝置包括一腔體以及一蝕刻噴灑模組。該腔體包括一進氣口、一出氣口、以及一蝕刻液入口。該進氣口用於導入一 蝕刻所需氣體。該出氣口用於導出該蝕刻所需氣體。該蝕刻液入口用於導入一蝕刻液。該蝕刻噴灑模組設置於該腔體中以對一基板進行蝕刻。該蝕刻噴灑模組包括一本體以及複數個噴嘴。該本體連接至該進氣口及該蝕刻液入口。該些噴嘴設置於該本體朝向該基板之一表面上。各噴嘴呈一上寬下窄的形狀且包括一第一入口、一第二入口、以及一噴嘴出口。該第一入口用於導入經由該本體之該蝕刻液。該第二入口用於導入經由該本體之該蝕刻所需氣體。該噴嘴出口之一口徑小於該第一入口之一口徑且小於該第二入口之一口徑。

在一較佳實施例中，該濕式蝕刻裝置進一步包括一承載板。該承載板設置於該腔體中並用於承載該基板。

在一較佳實施例中，該濕式蝕刻裝置進一步包括一抽風模組。該抽風模組連接至該出氣口且用於將該腔體內部之蝕刻所需氣體從該出氣口抽出。

在一較佳實施例中，該第一入口之該口徑為10公厘至55公厘。

在一較佳實施例中，該第二入口之該口徑為10公厘至55公厘。

在一較佳實施例中，該噴嘴出口之該口徑為0.5公厘至2公厘。

在一較佳實施例中，該蝕刻噴灑模組與該基板之間的距離為10公分至25公分。

本創作之刻噴灑模組用於一濕式蝕刻裝置，該蝕刻噴灑模組包括一本體以及複數個噴嘴。該些噴嘴設置於該本體朝向該基板之一表面上。各噴嘴呈一上寬下窄的形狀且包括一第一入口、一第二入口、以及一噴嘴出口。該第一入口用於導入一蝕刻液。該第二入口用於導入一蝕刻所需氣體。該噴嘴出口之一口徑小於該第一入口之一口徑且小於該第二入口 之一口徑。

在一較佳實施例中，該第一入口之該口徑為10公厘至55公厘。

在一較佳實施例中，該第二入口之該口徑為10公厘至55公厘。

在一較佳實施例中，該噴嘴出口之該口徑為0.5公厘至2公厘。

本創作之濕式蝕刻裝置及蝕刻噴灑模組能將蝕刻液均勻地噴灑在基板上。再者，蝕刻所需氣體經由抽風模組抽出後可進一步再生使用，對蝕刻液進行加壓的功能，因此能節省氣體使用量。

1‧‧‧濕式蝕刻裝置

10‧‧‧蝕刻噴灑模組

20‧‧‧腔體

30‧‧‧基板

40‧‧‧承載板

50‧‧‧抽風模組

100‧‧‧本體

102‧‧‧噴嘴

200‧‧‧進氣口

202‧‧‧出氣口

204‧‧‧蝕刻液入口

1020‧‧‧第一入口

1022‧‧‧第二入口

1024‧‧‧噴嘴出口

第1圖顯示根據本創作一實施例之濕式蝕刻裝置之示意圖；以及第2圖顯示根據本創作一實施例之噴嘴之示意圖。

請參閱第1圖至第2圖，第1圖顯示根據本創作一實施例之濕式蝕刻裝置1之示意圖，第2圖顯示根據本創作一實施例之噴嘴102之示意圖。

如第1圖所示，本創作之濕式蝕刻裝置1包括一蝕刻噴灑模組10、一腔體20、一承載板40、以及一抽風模組50。

該蝕刻噴灑模組10用於該濕式蝕刻裝置1且設置於該腔體20中以對一基板30進行蝕刻，該基板30可以為目前濕式製程中需要進行蝕刻的基板，例如但不限於為一玻璃基板。該承載板40設置於該腔體20中並用於承載該基板30。

該腔體20主要包括一進氣口200、一出氣口202、以及一蝕刻液入口204。於本實施例中，該進氣口200及該出氣口202分別設置於該腔體 20之兩相對的側壁上，然而本創作並不限於此，該進氣口200及該出氣口202可設置於該腔體20之相同或不同側壁上。

該進氣口200用於導入一蝕刻所需氣體，該抽風模組50連接至該出氣口202，該抽風模組50用於將該腔體20內部之蝕刻所需氣體從該出氣口202抽出，抽出之蝕刻所需氣體可以再透過該進氣口200導入，達到再生使用的目的，節省蝕刻所需氣體之使用量。

要說明的是，蝕刻所需氣體為本創作所屬技術領域中具有通常知識者所熟知，此不多加贅述。

該蝕刻液入口204用於導入一蝕刻液，該蝕刻液入口204可設置於該腔體20之任一側壁上。

該蝕刻噴灑模組10設置於該腔體20中對應於該基板30之上方，該蝕刻噴灑模組10包括一本體100以及複數個噴嘴102，該些噴嘴102設置於該本體100朝向該基板30之一表面上。該本體100連接至該進氣口200及該蝕刻液入口204，蝕刻液經由該蝕刻液入口204導入該本體100，再經由該些噴嘴102噴灑於該基板30上以對該基板30進行蝕刻。

於一較佳實施例中，該蝕刻噴灑模組10與該基板30之間的距離為10公分至25公分。

第2圖所示為第1圖之其中一個噴嘴102的放大示意圖，該噴嘴102包括一第一入口1020、一第二入口1022、以及一噴嘴出口1024。該噴嘴102大致呈一上寬下窄的形狀，該第一入口1020及該第二入口1022設置於較寬的上半部，該噴嘴出口1024設置於較窄的下半部。該第一入口1020用於導入經由該本體100之蝕刻液。該第二入口1022用於導入經由該本體100之蝕刻所需氣體。該噴嘴出口1024之一口徑小於該第一入口1020之一口徑及該第二入口1022之一口徑。

於一較佳實施例中，該第一入口1020之口徑為10公厘(millimeter；mm)至55公厘，該第二入口1022之口徑為10公厘至55公厘， 該噴嘴出口之口徑為0.5公厘至2公厘。

要說明的是，該第一入口1020之口徑、該第二入口1022之口徑、及該噴嘴出口之口徑的範圍為特殊設計，並非僅是本創作所屬技術領域中具有通常知識者可輕易得知的範圍。

本創作之一特點在於噴嘴102的特殊設計，更明確地說，該第二入口1022所導入的蝕刻所需氣體經過加壓後與該第一入口1020所導入的蝕刻液混合後再經由口徑較小的噴嘴出口1024噴灑於該基板30上以對該基板30進行蝕刻，噴灑出的蝕刻液會形成高壓微粒化的液體，因此能均勻的噴灑於該基板30上，蝕刻液噴灑的範圍如虛線所示。

於一較佳實施例中，對該蝕刻所需氣體加壓的範圍為1至7公斤/平方公分。

此外，第1圖之本體100也包括對應於該第一入口1020及該第二入口1022的孔洞(未圖示)。

綜上所述，本創作之濕式蝕刻裝置及蝕刻噴灑模組能將蝕刻液均勻地噴灑在基板上。再者，蝕刻所需氣體經由抽風模組抽出後可進一步再生使用，對蝕刻液進行加壓的功能，因此能節省氣體使用量。

雖然本創作已用較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本創作，本創作所屬技術領域中具有通常知識者在不脫離本創作之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本創作之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

1‧‧‧濕式蝕刻裝置

10‧‧‧蝕刻噴灑模組

20‧‧‧腔體

30‧‧‧基板

40‧‧‧承載板

50‧‧‧抽風模組

100‧‧‧本體

102‧‧‧噴嘴

200‧‧‧進氣口

202‧‧‧出氣口

204‧‧‧蝕刻液入口

Claims (11)

1. 一種濕式蝕刻裝置，包括：一腔體，包括：一進氣口，用於導入一蝕刻所需氣體；一出氣口，用於導出該蝕刻所需氣體；以及一蝕刻液入口，用於導入一蝕刻液；以及一蝕刻噴灑模組，設置於該腔體中以對一基板進行蝕刻，該蝕刻噴灑模組包括：一本體，連接至該進氣口及該蝕刻液入口；以及複數個噴嘴，設置於該本體朝向該基板之一表面上，各噴嘴呈一上寬下窄的形狀且包括：一第一入口，用於導入經由該本體之該蝕刻液；一第二入口，用於導入經由該本體之該蝕刻所需氣體；以及一噴嘴出口，該噴嘴出口之一口徑小於該第一入口之一口徑且小於該第二入口之一口徑。
2. 根據申請專利範圍第1項所述之濕式蝕刻裝置，進一步包括：一承載板，設置於該腔體中並用於承載該基板。
3. 根據申請專利範圍第1項所述之濕式蝕刻裝置，進一步包括：一抽風模組，連接至該出氣口且用於將該腔體內部之蝕刻所需氣體從該出氣口抽出。
4. 根據申請專利範圍第1項所述之濕式蝕刻裝置，其中該第一入口之該口徑為10公厘至55公厘。
5. 根據申請專利範圍第1項所述之濕式蝕刻裝置，其中該第二入口之該口徑為10公厘至55公厘。
6. 根據申請專利範圍第1項所述之濕式蝕刻裝置，其中該噴嘴出口之該口徑為0.5公厘至2公厘。
7. 根據申請專利範圍第1項所述之濕式蝕刻裝置，其中該蝕刻噴灑模組與該基板之間的距離為10公分至25公分。
8. 一種蝕刻噴灑模組，用於一濕式蝕刻裝置，該蝕刻噴灑模組包括：一本體；以及複數個噴嘴，設置於該本體之一表面上，各噴嘴呈一上寬下窄的形狀且包括：一第一入口，用於導入一蝕刻液；一第二入口，用於導入一蝕刻所需氣體；以及一噴嘴出口，該噴嘴出口之一口徑小於該第一入口之一口徑且小於該第二入口之一口徑。
9. 根據申請專利範圍第8項所述之蝕刻噴灑模組，其中該第一入口之該口徑為10公厘至55公厘。
10. 根據申請專利範圍第8項所述之蝕刻噴灑模組，其中該第二入口之該口徑為10公厘至55公厘。
11. 根據申請專利範圍第8項所述之蝕刻噴灑模組，其中該噴嘴出口之該口徑為0.5公厘至2公厘。