TWM526753U - 濕式蝕刻裝置 - Google Patents

Description

濕式蝕刻裝置

本創作關於濕式製程領域，特別是關於一種濕式蝕刻裝置。

在面板產業中，溼式製程的發展已經相當成熟。然而習知溼式製程機台中，使用上具有維修困難、耗液量大、均勻性不佳、漏夜、及背面髒污等等問題，上述問題在細線寬(fine pitch)的情況下特別嚴重。

上述背面髒污的問題大部分的原因是支撐一基板並移動該基板的滾輪所造成，對於超薄基板而言，常常需要用到數以千計的滾輪，使用數量龐大的滾輪除了價格高昂之外，也不利於維護保養，甚至會在基板的背面(即與滾輪接觸的一面)形成滾痕(roller mark)。再者，現有立體(3D)封裝需要進行雙面製程，使用滾輪承載基板的濕式蝕刻裝置無法對基板的背面進行蝕刻製程。

因此需要針對上述習知技術中使用滾輪承載基板的問題提出解決方法。

本創作提供一種濕式蝕刻裝置，其能解決習知技術中使用滾輪承載基板的問題。

本創作之濕式蝕刻裝置包括一腔體、複數個蝕刻液噴嘴、以及一承載平台。該腔體包括一進氣口以及一出氣口。該進氣口用於導入一蝕刻所需氣體。該出氣口用於導出該蝕刻所需氣體。該些蝕刻液噴嘴設置於該腔體中以對一基板進行蝕刻。該承載平台包括一本體以及複數個平台 噴嘴。該本體設置於該基板下方。該些平台噴嘴貫穿該本體，一液體透過該些平台噴嘴提供一液體浮力以承載該基板。

在一較佳實施例中，該濕式蝕刻裝置進一步包括一抽風模組。該抽風模組連接至該進氣口及該出氣口且用於將該腔體內部之蝕刻所需氣體從該出氣口抽出承載板。

在一較佳實施例中，該濕式蝕刻裝置進一步包括一定位單元。該定位單元設置於該本體上並用於將該基板限定在一特定範圍內。

在一較佳實施例中，該液體為水或製程所需藥液。

在一較佳實施例中，該本體之表面每平方公分包括一至五個平台噴嘴。

在一較佳實施例中，各平台噴嘴之一口徑為0.5公厘至1.5公厘。

在一較佳實施例中，該些平台噴嘴與該基板之間的距離為1公厘至6公厘。

本創作之濕式蝕刻裝置能避免基板的背面髒污的問題、減少滾痕並能進行雙面製程。再者，蝕刻所需氣體經由抽風模組抽出後可進一步再生使用，對蝕刻液進行加壓的功能，因此能節省氣體使用量。

1、1’‧‧‧濕式蝕刻裝置

10、10’‧‧‧蝕刻液噴嘴

20‧‧‧腔體

30‧‧‧基板

40‧‧‧承載平台

50‧‧‧抽風模組

60‧‧‧定位單元

200‧‧‧進氣口

202‧‧‧出氣口

400‧‧‧本體

402‧‧‧平台噴嘴

第1圖顯示根據本創作一第一實施例之濕式蝕刻裝置之示意圖；以及第2圖顯示根據本創作一第二實施例之濕式蝕刻裝置之示意圖。

請參閱第1圖，第1圖顯示根據本創作一第一實施例之濕式蝕刻裝置1之示意圖。

如第1圖所示，本創作之濕式蝕刻裝置1包括複數個蝕刻液噴嘴10、一腔體20、一承載平台40、以及一抽風模組50。

該些噴嘴10設置於該腔體20中以對一基板30進行蝕刻，更明確地說，該些蝕刻液噴嘴10設置於該基板30的上方。該基板30可以為目前濕式製程中需要進行蝕刻的基板，例如但不限於為一玻璃基板。該承載平台40設置於該腔體20中並用於非接觸地承載該基板30。

該腔體20主要包括一進氣口200以及一出氣口202。於本實施例中，該進氣口200及該出氣口202分別設置於該腔體20之兩相對的側壁上，然而本創作並不限於此，該進氣口200及該出氣口202可設置於該腔體20之相同或不同側壁上。

該進氣口200用於導入一蝕刻所需氣體，該抽風模組50連接至該出氣口202，該抽風模組50用於將該腔體20內部之蝕刻所需氣體從該出氣口202抽出，抽出之蝕刻所需氣體可以再透過該進氣口200導入，達到再生使用的目的，節省蝕刻所需氣體之使用量。

要說明的是，蝕刻所需氣體為本創作所屬技術領域中具有通常知識者所熟知，此不多加贅述。

本創作之一特點在於該承載平台40用於非接觸地承載該基板30，該承載平台40包括一本體400以及複數個平台噴嘴402，該本體40設置於該基板30下方並大致呈一平板狀。該些平台噴嘴402貫穿該本體400，一液體由下往上透過該些平台噴嘴402提供一液體浮力以承載該基板30，由於該基板30是由該液體浮力所承載，因此可避免造成該基板30的背面(即該基板30朝向該承載平台40的一面)髒污的問題並大幅減少滾輪的數量，且該基板30不會與該承載平台40接觸，不會發生使用滾輪承載時該基板30的背面(即該基板30朝向該承載平台40的一面)形成滾痕的問題。

該液體可以為水或製程所需藥液，該液體為製程所需藥液時，除了能提供液體浮力以承載該基板30之外，能進一步將製程所需藥液(例如但不限於蝕刻液)均勻地噴灑在該基板30的背面(即該基板30朝向該承載平台40的一面)，因此能適用於立體封裝所需的雙面製程。

該些平台噴嘴402的設計需要考量的因素包括該基板30的面積、重量、該本體400的材質、表面粗糙度等等。

於一較佳實施例中，該本體400之表面每平方公分包括一至五個平台噴嘴402，該液體的液體壓力為每平方公分小於2.5公斤(kg/cm²)，各平台噴嘴402之一口徑為0.5公厘(millimeter；mm)至1.5公厘，該些平台噴嘴402與該基板30之間的距離為1公厘至6公厘。

要說明的是，該些平台噴嘴402的數量、該液體的液體壓力、各平台噴嘴402之口徑、及該些平台噴嘴402與該基板30之間的距離的範圍為特殊設計，並非僅是本創作所屬技術領域中具有通常知識者可輕易得知的範圍。

請參閱第2圖，第2圖顯示根據本創作一第二實施例之濕式蝕刻裝置1’之示意圖。

要說明的是，本實施例之該些蝕刻液噴嘴10’的設計與第一實施例之蝕刻液噴嘴10的設計略有不同，然而兩者之功能相同且皆可應用至本創作。本實施例與第一實施例具有相同標號的元件可參閱上述第一實施例的相關描述，此不多加贅述。

於本實施例中，該濕式蝕刻裝置1’進一步包括一定位單元60，該定位單元60設置並固定於該本體400上，更明確地說，該定位單元60設置於該本體400上並位於該基板30的兩側，該定位單元60用於將該基板30限定在一特定範圍內，藉此避免該基板30在該液體的承載下大幅晃動。

此外，要說明的是，第二實施例之定位單元60也可應用至第一實施例，此不多加贅述。

本創作之濕式蝕刻裝置能避免基板的背面(即基板朝向承載平台的一面)髒污的問題、減少滾痕並能進行雙面製程。再者，蝕刻所需氣體經由抽風模組抽出後可進一步再生使用，對蝕刻液進行加壓的功能，因此能節省氣體使用量。

雖然本創作已用較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本創作，本創作所屬技術領域中具有通常知識者在不脫離本創作之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本創作之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

1‧‧‧濕式蝕刻裝置

10‧‧‧蝕刻液噴嘴

20‧‧‧腔體

30‧‧‧基板

40‧‧‧承載平台

50‧‧‧抽風模組

200‧‧‧進氣口

202‧‧‧出氣口

400‧‧‧本體

402‧‧‧平台噴嘴

Claims (7)

1. 一種濕式蝕刻裝置，包括：一腔體，包括：一進氣口，用於導入一蝕刻所需氣體；以及一出氣口，用於導出該蝕刻所需氣體；複數個蝕刻液噴嘴，設置於該腔體中以對一基板進行蝕刻；以及一承載平台，包括：一本體，設置於該基板下方；以及複數個平台噴嘴，貫穿該本體，一液體透過該些平台噴嘴提供一液體浮力以承載該基板。
2. 根據申請專利範圍第1項所述之濕式蝕刻裝置，進一步包括：一抽風模組，連接至該進氣口及該出氣口且用於將該腔體內部之蝕刻所需氣體從該出氣口抽出。
3. 根據申請專利範圍第1項所述之濕式蝕刻裝置，進一步包括一定位單元，該定位單元設置於該本體上並用於將該基板限定在一特定範圍內。
4. 根據申請專利範圍第1項所述之濕式蝕刻裝置，其中該液體為水或製程所需藥液。
5. 根據申請專利範圍第1項所述之濕式蝕刻裝置，其中該本體之表面每平方公分包括一至五個平台噴嘴。
6. 根據申請專利範圍第1項所述之濕式蝕刻裝置，其中各平台噴嘴之一口徑為0.5公厘至1.5公厘。
7. 根據申請專利範圍第1項所述之濕式蝕刻裝置，其中該些平台噴嘴與該基板之間的距離為1公厘至6公厘。