TWM540386U - 濕式蝕刻裝置 - Google Patents

Description

濕式蝕刻裝置

本創作是關於一種關於濕式製程領域，特別是關於一種濕式蝕刻裝置。

在面板產業中，溼式製程的發展已經相當成熟。然而習知溼式製程機台中，使用上具有維修困難、耗液量大、均勻性不佳、漏夜、及背面髒污問題。

上述背面髒污的問題大部分的原因是支撐一基板並移動該基板的滾輪所造成，對於超薄基板而言，常常需要用到數以千計的滾輪，使用數量龐大的滾輪除了價格高昂之外，也不利於維護保養，甚至會在基板的背面(即與滾輪接觸的一面)形成滾痕(roller mark)。再者，現有立體(3D)封裝需要進行雙面製程，使用滾輪承載基板的濕式蝕刻裝置無法對基板的背面進行蝕刻製程。

習知的技術中，已有採用液體浮力來取代滾輪，但是，對於如何解決該基板的移動問題卻沒有有效的解決方案。

因此需要針對上述習知技術中移動基板的問題提出解決方法。

本創作提供一種濕式蝕刻裝置，其能解決習知技術中使用滾輪承載基板的問題。

本創作之濕式蝕刻裝置包括一腔體、複數個蝕刻液噴嘴、一 承載平台以及一導引裝置。該腔體包括一進氣口以及一出氣口。該進氣口用於導入一蝕刻氣體。該出氣口用於導出該蝕刻氣體。該些蝕刻液噴嘴設置於該腔體中以對一基板進行蝕刻。該承載平台設置於該腔體中。該承載平台包括一本體以及複數個平台噴嘴。該本體設置於該基板下方。該些平台噴嘴貫穿該本體，一液體透過該些平台噴嘴提供一向上的液體浮力用以抵銷該基板向下的重力以承載該基板。該導引裝置設置於該乘載平台的一側。該導引裝置包括複數個導引口，通過該些導引口導引該液體進而使該基板移動。

在一較佳實施例中，該濕式蝕刻裝置進一步包括一抽風模組。該抽風模組連接至該進氣口及該出氣口且用於將該腔體內部之蝕刻所需氣體從該出氣口抽出承載板。

在一較佳實施例中，該液體為水或製程所需藥液。

在一較佳實施例中，該導引裝置設置在該基板的上下兩側。

在一較佳實施例中，該些導引口吸取該液體進而使該基板移動。

在一較佳實施例中，該些導引口噴出該液體進而使該基板移動。

在一較佳實施例中，第一部份的該些導引口噴出該液體以及第二部份的該些導引口吸入該液體進而使該基板移動。

在一較佳實施例中，該液體進入/噴出該些導引口的方向在該基板移動的方向上有分量。

本創作之濕式蝕刻裝置能解決移動基板的問題並在減少滾痕的同時亦能進行雙面製程。再者，蝕刻所需氣體經由抽風模組抽出後可進一步再生使用，對蝕刻液進行加壓的功能，因此能節省氣體使用量。

1‧‧‧濕式蝕刻裝置

10‧‧‧蝕刻液噴嘴

20‧‧‧腔體

30‧‧‧基板

40‧‧‧承載平台

50‧‧‧抽風模組

60‧‧‧導引裝置

62‧‧‧導引口

200‧‧‧進氣口

202‧‧‧出氣口

400‧‧‧本體

402‧‧‧平台噴嘴

第1圖顯示根據本創作之第一實施例之濕式蝕刻裝置之示意圖；第2A圖顯示根據本創作第一實施例之濕式蝕刻裝置之導引裝置與基板的放大示意圖；第2B圖顯示第2A圖的導引裝置的正視圖；第2C圖顯示根據第2A圖的區域A的放大示意圖；第3A圖顯示根據本創作第二實施例之濕式蝕刻裝置之導引裝置與基板的放大示意圖；第3B圖顯示第3A圖的導引裝置的正視圖；第4A圖顯示根據本創作第三實施例之濕式蝕刻裝置之導引裝置與基板的放大示意圖；第4B圖顯示第4A圖的導引裝置的第一型正視圖；以及第4C圖顯示第4A圖的導引裝置的第二型正視圖。

請參閱第1圖，第1圖顯示根據本創作一第一實施例之濕式蝕刻裝置1之示意圖。

如第1圖所示，本創作之濕式蝕刻裝置1包括複數個蝕刻液噴嘴10、一腔體20、一承載平台40、一抽風模組50以及一導引裝置60。

該些噴嘴10設置於該腔體20中以對一基板30進行蝕刻，更明確地說，該些蝕刻液噴嘴10設置於該基板30的上方。該基板30可以為目前濕式製程中需要進行蝕刻的基板，例如但不限於為一玻璃基板。該承載平台40設置於該腔體20中並用於非接觸地承載該基板30。

該腔體20主要包括一進氣口200以及一出氣口202。於本實施例中，該進氣口200及該出氣口202分別設置於該腔體20之兩相對的側壁上，然而本創作並不限於此，該進氣口200及該出氣口202可設置於該腔體20之相同或不同側壁上。

該進氣口200用於導入一蝕刻氣體，該抽風模組50連接至該 出氣口202，該抽風模組50用於將該腔體20內部之蝕刻氣體從該出氣口202抽出，抽出之蝕刻氣體可以再透過該進氣口200導入，達到再生使用的目的，節省蝕刻氣體之使用量。

要說明的是，蝕刻所需氣體為本創作所屬技術領域中具有通常知識者所熟知，此不多加贅述。

該承載平台40設置於該腔體20中。該承載平台40用於非接觸地承載該基板30，該承載平台40包括一本體400以及複數個平台噴嘴402，該本體40設置於該基板30下方並大致呈一平板狀。該些平台噴嘴402貫穿該本體400，一液體由下往上透過該些平台噴嘴402提供一向上的液體浮力用以抵銷該基板30向下的重力以承載該基板30。由於該基板30是由該液體浮力所承載，因此可避免造成該基板30的背面(即該基板30朝向該承載平台40的一面)髒污的問題並大幅減少滾輪的數量，且該基板30不會與該承載平台40接觸，不會發生使用滾輪承載時該基板30的背面(即該基板30朝向該承載平台40的一面)形成滾痕的問題。

本創作之一特點在於該導引裝置60包括複數個導引口62，通過該些導引口62使該基板30移動。詳細地，該導引裝置60設置於該乘載平台40的一側。經過創作人反覆測試後，在所述承載平台40的作用下，該基板30基本上呈現浮體的狀態，只需要稍微輕觸就會沿著施力的方向移動，關於該些導引口62的詳細設計，將於其他實施例中說明。

該液體可以為水或製程所需藥液，該液體為製程所需藥液時，除了能提供液體浮力以承載該基板30之外，進一步將製程所需藥液(例如但不限於蝕刻液)均勻地噴灑在該基板30的背面(即該基板30朝向該承載平台40的一面)，因此能適用於立體封裝所需的雙面製程。

該些平台噴嘴402的設計需要考量的因素包括該基板30的面積、重量、該本體400的材質以及表面粗糙度。

於一較佳實施例中，該本體400之表面每平方公分包括一至 五個平台噴嘴402，該液體的液體壓力為每平方公分小於2.5公斤(kg/cm²)，各平台噴嘴402之一口徑為0.5公厘(millimeter；mm)至1.5公厘，該些平台噴嘴402與該基板30之間的距離為1公厘至6公厘。

要說明的是，該些平台噴嘴402的數量、該液體的液體壓力、各平台噴嘴402之口徑、及該些平台噴嘴402與該基板30之間的距離的範圍為特殊設計，並非僅是本創作所屬技術領域中具有通常知識者可輕易得知的範圍。

基本上，為了設計簡便，該些導引口62的數量、口徑以及與該基板30之間的距離均可以參考該些平台噴嘴402。該些導引口62以及該些差異平台噴嘴402在於：該些平台噴嘴402提供給該基板30的是一個用於抵抗重力的向上的外力，無法使該基板30水平的移動；該些導引口62提供給該基板30是一個水平的外力，因此可使該基板30在水平方向上移動。需要注意的是，因為該導引裝置60僅需要提供相當微小的力量就能夠使該基板30移動，但是為了不破壞基板在該承載平台40上的平衡，基本上該導引裝置60設置在該基板30的上下兩側。

參考第2A以及2B圖。第2A圖顯示根據本創作第一實施例之濕式蝕刻裝置1之導引裝置60與基板30的放大示意圖。第2B圖顯示第2A圖的導引裝置60的正視圖。圖中的箭頭表示液體的方向。在本較佳實施例中，該液體是由該些導引口62朝左邊噴出，因此可以帶動該基板30往左邊移動。需要注意的是，在第2B圖中，上排的該些導引口62並沒有噴出該液體，其原因在於，當該基板30需要往右邊移動時，用以關閉下排的該些導引口62，開啟上排的該些導引口62，當然，上排的該些導引口62是朝向右邊噴出該液體。在其他較佳實施例中，也可以改變該些導引口62的配置方式，並不以此為限。

參考第2C圖，顯示根據第2A圖的區域A的放大示意圖。該些導引口62是根據一特定的開口設計，使該液體能夠向左邊噴出。詳細地， 該液體進入/噴出該些導引口62的方向在該基板30移動的方向上有分量，如上所述，只需要有極微小的力量便能夠驅使該基板30移動。本實施例的該些導引口62的設計僅供示意，其餘不同形狀的導引口設計只要能達到類似或相同功能的也在本創作所欲保護的範圍內。

參考第3A以及3B圖。第3A圖顯示根據本創作第二實施例之濕式蝕刻裝置之導引裝置60與基板30的放大示意圖。第3B圖顯示第3A圖的導引裝置60的正視圖。本較佳實施例與第一較佳實施例的差異在於，該些導引口62自右而左吸入該液體，該液體進而對該基板30產生一向右的反作用力，使該基板30往右移動。在第3B圖中，上排的該些導引口62並沒有吸入該液體的原因如同第一較佳實施例，不再贅述。在其他較佳實施例中，也可以改變該些導引口62的配置方式，並不以此為限。

參考第4A、4B以及4C圖。第4A圖顯示根據本創作第三實施例之濕式蝕刻裝置之導引裝置60與基板30的放大示意圖。第4B圖顯示第4A圖的導引裝置60的第一型正視圖。第4C圖顯示第4A圖的導引裝置60的第二型正視圖。本較佳實施例與前兩個較佳實施例差異在於：本較佳實施例的該些導引口62會採用第一部份噴出該液體以及第二部份吸入該液體的方式設計，進而使該基板在水平方向移動。在第4B圖中，該液體從一排導引口62噴出到相鄰排導引口62吸入；在第4C圖中，該液體從同一排的導引口62噴出到同一排相鄰的導引口62吸入。在其他較佳實施例中，也可以改變該些導引口62的配置方式，並不以此為限。

雖然本創作已用較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本創作，本創作所屬技術領域中具有通常知識者在不脫離本創作之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本創作之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

1‧‧‧濕式蝕刻裝置

10‧‧‧蝕刻液噴嘴

20‧‧‧腔體

30‧‧‧基板

40‧‧‧承載平台

50‧‧‧抽風模組

60‧‧‧導引裝置

62‧‧‧導引口

200‧‧‧進氣口

202‧‧‧出氣口

400‧‧‧本體

402‧‧‧平台噴嘴

Claims (8)

1. 一種濕式蝕刻裝置，包括：一腔體，包括：一進氣口，用於導入一蝕刻氣體；以及一出氣口，用於導出該蝕刻氣體；複數個蝕刻液噴嘴，設置於該腔體中，以對一基板進行蝕刻；一承載平台設置於該腔體中，包括：一本體，設置於該基板下方；以及複數個平台噴嘴，貫穿該本體，一液體透過該些平台噴嘴提供一向上的液體浮力用以抵銷該基板向下的重力以承載該基板；以及一導引裝置設置於該乘載平台的一側，包括複數個導引口，藉由該些導引口導引該液體進而使該基板移動。
2. 根據申請專利範圍第1項所述之濕式蝕刻裝置，進一步包括：一抽風模組，連接至該進氣口及該出氣口且用於將該腔體內部之蝕刻所需氣體從該出氣口抽出。
3. 根據申請專利範圍第1項所述之濕式蝕刻裝置，其中該液體為水或製程所需藥液。
4. 根據申請專利範圍第1項所述之濕式蝕刻裝置，其中該導引裝置設置在該基板的上下兩側。
5. 根據申請專利範圍第1項所述之濕式蝕刻裝置，其中該些導引口吸取該液體進而使該基板移動。
6. 根據申請專利範圍第1項所述之濕式蝕刻裝置，其中該些導引口噴出該液體進而使該基板移動。
7. 根據申請專利範圍第1項所述之濕式蝕刻裝置，其中第一部份的該些導引口噴出該液體以及第二部份的該些導引口吸入該液體進而使該基板 移動。
8. 根據申請專利範圍第1項所述之濕式蝕刻裝置，其中該液體進入/噴出該些導引口的方向在該基板移動的方向上有分量。