JP6529625B2 - ウェットエッチング装置 - Google Patents
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Description
少なくとも窒化膜と酸化膜とが形成された基板を処理するウェットエッチング装置において、
リン酸水溶液を貯留するリン酸水溶液貯留部と、
前記リン酸溶液貯留部につながり、前記リン酸溶液貯留部内のリン酸溶液を循環させる循環配管と、
前記循環配管に接続される吐出配管と、
前記基板を保持して回転させる回転機構、前記吐出配管に設けられ回転する前記基板に前記リン酸水溶液を供給するノズル、を有する処理部と、
前記吐出配管に設けられる第1の開閉弁と、
前記処理部と前記リン酸水溶液貯留部とを接続する回収配管と、
前記リン酸水溶液貯留部内の前記リン酸水溶液を前記循環配管にて循環させつつ、前記リン酸水溶液貯留部内の前記リン酸水溶液のシリカ濃度が予め設定された所定の濃度であることを条件に、前記第1の開閉弁を開状態として前記吐出配管を介して前記ノズルから前記リン酸水溶液を前記基板に供給するように制御するとともに、前記リン酸水溶液貯留部の前記リン酸水溶液のシリカ濃度が予め設定された所定の濃度より低くなると、前記第1の開閉弁を閉状態とする制御部と、
を有することを特徴とする。
Claims (5)
- 少なくとも窒化膜と酸化膜とが形成された基板を処理するウェットエッチング装置において、
リン酸水溶液を貯留するリン酸水溶液貯留部と、
前記リン酸溶液貯留部につながり、前記リン酸溶液貯留部内のリン酸溶液を循環させる循環配管と、
前記循環配管に接続される吐出配管と、
前記基板を保持して回転させる回転機構、前記吐出配管に設けられ回転する前記基板に前記リン酸水溶液を供給するノズル、を有する処理部と、
前記吐出配管に設けられる第1の開閉弁と、
前記処理部と前記リン酸水溶液貯留部とを接続する回収配管と、
前記リン酸水溶液貯留部内の前記リン酸水溶液を前記循環配管にて循環させつつ、前記リン酸水溶液貯留部内の前記リン酸水溶液のシリカ濃度が予め設定された所定の濃度であることを条件に、前記第1の開閉弁を開状態として前記吐出配管を介して前記ノズルから前記リン酸水溶液を前記基板に供給するように制御するとともに、前記リン酸水溶液貯留部の前記リン酸水溶液のシリカ濃度が予め設定された所定の濃度より低くなると、前記第1の開閉弁を閉状態とする制御部と、
を有することを特徴とするウェットエッチング装置。 - 前記制御部は、前記リン酸水溶液貯留部内の前記リン酸水溶液の温度が予め設定された所定の温度であることを条件に前記第1の開閉弁を開状態とすることを特徴とする請求項1に記載のウェットエッチング装置。
- 前記回収配管にはヒータが設けられることを特徴とする請求項1または2に記載のウェットエッチング装置。
- 前記制御部は、前記回収配管内の前記リン酸水溶液のシリカ濃度が予め設定された所定の濃度を超えると前記回収配管に設けられる第2の開閉弁を閉状態とすることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のウェットエッチング装置。
- 前記制御部は、
前記処理部による前記基板の処理中に、前記リン酸水溶液のシリカ濃度が予め設定された所定の濃度より低くなると、その基板への処理が終了した時点で、前記第1の開閉弁を閉状態とすることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のウェットエッチング装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013073721 | 2013-03-29 | ||
JP2013073721 | 2013-03-29 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014045275A Division JP6302708B2 (ja) | 2013-03-29 | 2014-03-07 | ウェットエッチング装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019082656A Division JP6687784B2 (ja) | 2013-03-29 | 2019-04-24 | ウェットエッチング装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018110261A JP2018110261A (ja) | 2018-07-12 |
JP2018110261A5 JP2018110261A5 (ja) | 2019-02-14 |
JP6529625B2 true JP6529625B2 (ja) | 2019-06-12 |
Family
ID=62844492
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018038606A Active JP6529625B2 (ja) | 2013-03-29 | 2018-03-05 | ウェットエッチング装置 |
JP2019082656A Active JP6687784B2 (ja) | 2013-03-29 | 2019-04-24 | ウェットエッチング装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019082656A Active JP6687784B2 (ja) | 2013-03-29 | 2019-04-24 | ウェットエッチング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP6529625B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210007097A (ko) | 2019-07-10 | 2021-01-20 | 오씨아이 주식회사 | 실리콘 질화막 식각 용액 및 이를 사용한 반도체 소자의 제조 방법 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09275091A (ja) * | 1996-04-03 | 1997-10-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体窒化膜エッチング装置 |
JPH10335212A (ja) * | 1997-05-30 | 1998-12-18 | Sony Corp | 剥離用水溶液の水分濃度の維持方法及び剥離用水溶液供給装置 |
JP3817093B2 (ja) * | 1998-07-07 | 2006-08-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
JP2000096264A (ja) * | 1998-09-21 | 2000-04-04 | Hitachi Ltd | エッチング装置および方法 |
EP1306886B1 (en) * | 2001-10-18 | 2008-07-30 | Infineon Technologies AG | Apparatus for assessing the silicon dioxide content |
JP2003185537A (ja) * | 2001-12-20 | 2003-07-03 | Fujitsu Ltd | 薬液の特性測定装置、薬液供給装置及び薬液の濃度測定方法 |
JP4062419B2 (ja) * | 2002-05-21 | 2008-03-19 | セイコーエプソン株式会社 | 処理装置および半導体装置の製造方法 |
JP2004247509A (ja) * | 2003-02-13 | 2004-09-02 | Nec Kyushu Ltd | ウェット処理装置およびウェット処理方法 |
JP2005079212A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Trecenti Technologies Inc | 半導体製造装置、及び半導体装置の製造方法 |
JP4739142B2 (ja) * | 2006-07-28 | 2011-08-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 薬液処理装置及び薬液供給方法並びに薬液供給プログラム |
JP4471131B2 (ja) * | 2007-02-19 | 2010-06-02 | セイコーエプソン株式会社 | 処理装置および半導体装置の製造方法 |
JP4966223B2 (ja) * | 2008-02-29 | 2012-07-04 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2012074601A (ja) * | 2010-09-29 | 2012-04-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP5280473B2 (ja) * | 2011-03-03 | 2013-09-04 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法、エッチング装置および記憶媒体 |
US9257292B2 (en) * | 2011-03-30 | 2016-02-09 | Tokyo Electron Limited | Etch system and method for single substrate processing |
JP2012248633A (ja) * | 2011-05-26 | 2012-12-13 | Mitsubishi Electric Corp | エッチング装置、太陽電池セルの製造方法、および太陽電池セル |
-
2018
- 2018-03-05 JP JP2018038606A patent/JP6529625B2/ja active Active
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2019
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018110261A (ja) | 2018-07-12 |
JP6687784B2 (ja) | 2020-04-28 |
JP2019117960A (ja) | 2019-07-18 |
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Date | Code | Title | Description |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181225 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190312 |
|
A521 | Written amendment |
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|
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