JP2019125715A5 - - Google Patents
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Claims (9)
- 表面にシリコン含有膜が形成された基板に、七フッ化ヨウ素ガスと塩基性ガスとを供給して、当該シリコン含有膜をエッチングする工程を含むことを特徴とするエッチング方法。
- 前記基板に七フッ化ヨウ素ガスが供給される期間と、前記基板に前記塩基性ガスが供給される期間とは、互いに重なることを特徴とする請求項１記載のエッチング方法。
- 前記基板の温度を８０℃以上にした状態で、
当該基板を格納する処理容器内に、前記塩基性ガスの流量／前記七フッ化ヨウ素ガスの流量が１〜１．８となるように、当該塩基性ガス及び七フッ化ヨウ素ガスを供給する工程を含むことを特徴とする請求項２記載のエッチング方法。 - 前記基板の温度が８０℃より低い状態で
当該基板を格納する処理容器内に、前記塩基性ガスの流量／前記七フッ化ヨウ素ガスの流量が１以下となるように、当該塩基性ガス及び七フッ化ヨウ素ガスを供給する工程を含むことを特徴とする請求項２記載のエッチング方法。 - 前記基板への塩基性ガス、七フッ化ヨウ素ガスの供給が、この順番で行われることを特徴とする請求項１記載のエッチング方法。
- 前記シリコン含有膜をエッチングする工程は、
前記基板の温度を３０℃〜１２０℃にした状態で、当該基板に前記七フッ化ヨウ素ガスと前記塩基性ガスとを供給する工程を含むことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一つに記載のエッチング方法。 - 前記シリコン含有膜をエッチングする工程は、
前記基板を格納する処理容器内の圧力を１３．３Ｐａ〜１３３．３Ｐａにして前記七フッ化ヨウ素ガスと前記塩基性ガスとを供給する工程を含むことを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一つに記載のエッチング方法。 - 前記塩基性ガスは、アンモニアガスであることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか一つに記載のエッチング方法。
- 処理容器と、
前記処理容器内に設けられ、表面にシリコン含有膜が形成された基板を載置する載置部と、
前記処理容器内に七フッ化ヨウ素ガスと塩基性ガスとを供給して、前記シリコン含有膜をエッチングするガス供給部と、
を備えることを特徴とするエッチング装置。
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