JP6201496B2 - If7由来フッ化ヨウ素化合物の回収方法及び回収装置 - Google Patents
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Description
実施例1は、反応管1にはSiを充填し、IF7:IF5:N2の体積比が50:10:40のガスを100sccmで導入した。反応管1の温度を80℃で転化し、捕集装置5を−50℃としてIF5を捕集した。
実施例2として、導入するガスの総流量を300sccmとしたこと以外は、実施例1と同様の条件でIF5を捕集した。
実施例3として、導入するガスのIF7:IF5:N2の体積比を90:10:0としたこと以外は、実施例1と同様の条件でIF5を捕集した。
実施例4及び5においては、捕集装置5の冷却温度を変更したこと以外は、実施例1と同様の条件でIF5を捕集した。実施例4においては冷却温度を−20℃とし、実施例4においては冷却温度を−10℃とした。
実施例6として、反応管1の温度を30℃に変更したこと以外は、実施例1と同様の条件でIF5を捕集した。
実施例7は、反応管1にはAl2O3を充填し、IF7:IF5:N2の体積比が50:10:40のガスを100sccmで導入した。反応管1の温度を80℃で転化し、捕集装置5を−50℃としてIF5を捕集した。
実施例8として、導入するガスの総流量を300sccmとしたこと以外は、実施例7と同様の条件でIF5を捕集した。
実施例9として、導入するガスのIF7:IF5:N2の体積比を90:10:0としたこと以外は、実施例7と同様の条件でIF5を捕集した。
実施例10及び11においては、捕集装置5の冷却温度を変更したこと以外は、実施例7と同様の条件でIF5を捕集した。実施例10においては冷却温度を−20℃とし、実施例11においては冷却温度を−10℃とした。
実施例12として、反応管1の温度を30℃に変更したこと以外は、実施例7と同様の条件でIF5を捕集した。
実施例13は、反応管1にはI2を充填し、IF7:IF5:N2の体積比が50:10:40のガスを100sccmで導入した。反応管1の温度を300℃で転化し、捕集装置5を−50℃としてIF5を捕集した。
実施例14として、導入するガスの総流量を300sccmとしたこと以外は、実施例13と同様の条件でIF5を捕集した。
実施例15として、導入するガスのIF7:IF5:N2の体積比を90:10:0としたこと以外は、実施例13と同様の条件でIF5を捕集した。
実施例16においては、捕集装置5の冷却温度を−20℃に変更したこと以外は、実施例13と同様の条件でIF5を捕集した。
実施例17として、反応管1の温度を変更したこと以外は、実施例13と同様の条件でIF5を捕集した。実施例17においては反応管1の温度を200℃とした。
実施例18は、反応管1にはWを充填し、IF7:IF5:N2の体積比が50:10:40のガスを100sccmで導入した。反応管1の温度を100℃で転化し、捕集装置5を−50℃としてIF5を捕集した。
実施例19として、導入するガスの総流量を300sccmとしたこと以外は、実施例18と同様の条件でIF5を捕集した。
実施例20として、導入するガスのIF7:IF5:N2の体積比を90:10:0としたこと以外は、実施例18と同様の条件でIF5を捕集した。
実施例21及び22においては、捕集装置5の冷却温度を変更したこと以外は、実施例18と同様の条件でIF5を捕集した。実施例21においては冷却温度を−20℃とし、実施例22においては冷却温度を−10℃とした。
参考例1として、反応管1の温度を30℃に変更したこと以外は、実施例17と同様の条件でIF5を捕集した。
比較例1〜比較例4は、反応管1を用いず、IF7:IF5:N2の体積比が50:10:40のガスを100sccmで捕集装置5に導入した。捕集装置5の温度を比較例1では−50℃、比較例2では−100℃、比較例3では−196℃、比較例4では−10℃としてIF5を捕集した。
W + 3IF7 → WF6+ 3IF5
したがって、被フッ化物としてWを用いた場合、IF5とともにWF6も固体として捕集されるため、IF5の純度が低下する。
Claims (9)
- 排ガスであるIF7を含むガスと、Si、Al及びWから選ばれる少なくとも1種の元素を20重量%以上含む被フッ素化物とを接触させて、IF7をIF5に変換し、
前記IF5を含むガスを冷却して、IF7由来フッ化ヨウ素化合物として前記IF5を捕集することを特徴とするIF7由来フッ化ヨウ素化合物の回収方法。 - 回収された前記IF5とフッ素とを反応させてIF7を生成し、
生成した前記IF7を半導体製造工程に再利用することを特徴とする請求項1に記載のIF7由来フッ化ヨウ素化合物の回収方法。 - 前記被フッ素化物が、Siであることを特徴とする請求項1又は2に記載のIF7由来フッ化ヨウ素化合物の回収方法。
- 前記IF5を回収する温度が、−80℃以上50℃以下であることを特徴とする請求項1乃至3の何れか一に記載のIF7由来フッ化ヨウ素化合物の回収方法。
- Si、Al及びWから選ばれる少なくとも1種の元素を20重量%以上含む被フッ素化物が充填され、排ガスであるIF7 を含むガスを導入する反応管と、
前記反応管と接続され、IF5を捕集する捕集装置と、
を備えることを特徴とするIF7由来フッ化ヨウ素化合物の回収装置。 - 前記反応管は、IF7を使用する半導体製造装置に接続されたことを特徴とする請求項5に記載のIF7由来フッ化ヨウ素化合物の回収装置。
- 前記被フッ素化物が、Siであることを特徴とする請求項5又は6に記載のIF7由来フッ化ヨウ素化合物の回収装置。
- 前記捕集装置は、IF5を含むガスを−80℃以上50℃以下で冷却して、前記IF5を回収することを特徴とする請求項5乃至7の何れか一に記載のIF7由来フッ化ヨウ素化合物の回収装置。
- 回収された前記IF5とフッ素とを反応させてIF7を生成するフッ化装置をさらに備えることを特徴とする請求項5乃至8の何れか一に記載のIF7由来フッ化ヨウ素化合物の回収装置。
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