JP4638662B2 - 高純度四フッ化ゲルマニウムを製造するための方法 - Google Patents
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Description
発明の背景
本発明は、高純度四フッ化ゲルマニウムを製造するための方法に関する。より特定的には、限定するものではないが、本発明は、例えば、半導体用途での使用に適する超高純度四フッ化ゲルマニウムを製造するための方法に関する。
本発明は、高純度四フッ化ゲルマニウムを製造するための方法に関する。より特定的には、限定するものではないが、本発明は、例えば、半導体用途での使用に適する超高純度四フッ化ゲルマニウムを製造するための方法に関する。
工業規格の高純度四フッ化ゲルマニウムを製造するため方法は当技術分野において幾つか知られている。１つの方法は、ゲルマニウムを希釈していないフッ素又は四フッ化窒素ガスでフッ素化し、その際、ゲルマニウムをバッチ反応チェンバーに配置し、チェンバーを希釈していないガスで満たすことを包含する。次いで、バッチ反応器を、圧力約3気圧、温度約250〜500℃に設定しておく。別の製造法は、バリウムフルオロゲルマネートを石英チューブ中400〜600℃で分解することを包含する。別の方法は、ヘキサフルオロゲルマン酸を400〜600℃で分解することを包含する。別の方法は、GeCl4とSbF3の間でのハロゲン交換を利用して、四フッ化ゲルマニウム、GeF3Cl、GeF2Cl2及びGeFCl3を含んでなる混合物をもたらすことを包含する。更に別の方法は、硫酸と、酸化ゲルマニウム及び一又はそれより多い金属フッ化物の混合物との反応を包含する。更に別の方法は、ゲルマニウムと四フッ化ウランの反応を包含する。
あいにく、これらの従来技術の各々によっては、所望の反応生成物から分離するのが難しく費用がかかる、実質的な量の揮発性及び／又は非揮発性の不純物が製造されてしまう。このような不純物の例としては、四フッ化ケイ素、六フッ化硫黄、四フッ化炭素、NOX、フッ化塩化カリウム、フッ化水素、二フッ化ゲルマニウム、遷移金属のフッ化物、及び元素状態のフッ素である。
したがって、現在のところ、従来の方法より複雑でなく経済的な、四フッ化ゲルマニウムを製造するための方法に対する必要性が存在する。また、そのような方法は、高い生産収率をもたらすことが好ましい。特に、光電池、ナノ結晶におけるイオン注入ドーパントとしての使用、又は他の半導体用途への使用に適する、超高純度の四フッ化ゲルマニウムを製造するための、従来の方法より複雑でなく経済的なアプローチに対する必要性が存在する。
発明の要旨
本発明は、これまでに説明した必要性を満たし問題を解決する、高純度四フッ化ゲルマニウムを製造するための方法を提供する。本発明の方法は、フッ素ガス及び不活性ガスを含んでなるガス混合物を、その中にゲルマニウムを有する反応器に流す工程を含んでなる。ガス混合物中に含有されるフッ素ガスは、ゲルマニウムと反応して、反応器生成物ガス流れに含まれる四フッ化ゲルマニウムを生成する。本発明の方法は、好ましくは、ガス混合物を反応器に流す前に、フッ素ガスを-150℃未満の温度まで極低温冷蔵して、冷蔵したフッ素ガスをフッ化ナトリウムと接触させることにより、フッ素ガスを精製する工程も含む。
本発明は、これまでに説明した必要性を満たし問題を解決する、高純度四フッ化ゲルマニウムを製造するための方法を提供する。本発明の方法は、フッ素ガス及び不活性ガスを含んでなるガス混合物を、その中にゲルマニウムを有する反応器に流す工程を含んでなる。ガス混合物中に含有されるフッ素ガスは、ゲルマニウムと反応して、反応器生成物ガス流れに含まれる四フッ化ゲルマニウムを生成する。本発明の方法は、好ましくは、ガス混合物を反応器に流す前に、フッ素ガスを-150℃未満の温度まで極低温冷蔵して、冷蔵したフッ素ガスをフッ化ナトリウムと接触させることにより、フッ素ガスを精製する工程も含む。
また、本発明の方法は、好ましくは、反応器生成物流れを、少なくとも一部の四フッ化ゲルマニウムを反応器生成物流れから凝縮させるのに有効な温度に維持された少なくとも１つの生成物トラップに送る工程を含んでなる。凝縮した四フッ化ゲルマニウムは、好ましくは、生成物トラップに保持される。
更に、本発明の方法は、好ましくは、凝縮した四フッ化ゲルマニウムを精製して揮発性不純物を除去する工程を含む。揮発性不純物は、生成物容器中の四フッ化ゲルマニウムを一又はそれより多くの「凍結／解凍」サイクルにより昇華させてから、生成物容器から上部ガスを排出して気化させた不純物をそこから除去することにより、除去することが好ましい。昇華工程及び排出工程は、好ましくは、本質的にすべての揮発性不純物が除去されるまで繰り返される。
更に別の側面においては、本発明は、好ましくは、(a)四フッ化ゲルマニウムを容器中で蒸気の状態に昇華させ、そして、(b)昇華させた四フッ化ゲルマニウムを容器から抜き出して、非揮発性不純物を四フッ化ゲルマニウム蒸気から分離することにより、四フッ化ゲルマニウム生成物から非揮発性不純物を除去する工程を更に含む。
本発明の更なる目的、特徴、及び利点は、当業者であれば、添付する図面を考察し以下の好ましい態様の詳細な説明を読むことにより、明らかとなるであろう。
好ましい態様の詳細な説明
本発明に関連して使用するのに特によく適した反応器及び回収系の一態様2を図で説明する。反応器及び回収系2は、好ましくは、次のものを含んでなる；管状反応器4；細かく分割した元素状態のゲルマニウム8を多量に保持するための、反応器4中を移動して配置することができるトレイ6；反応器4を暖めるための電気加熱コイル、スチームジャケット、又は他の加熱系10；好ましくは、その入口フランジ14を通して反応器4中に伸びるガス供給導管12；反応器4からの反応生成物ガスを受け、少なくとも一部の四フッ化ゲルマニウム生成物を凝縮させ保持するための、少なくとも１つの初期生成物トラップ16；生成物トラップ16の外側の少なくとも一部をおおって移動して配置することができる、冷却液デュアー瓶18などの冷却装置；反応器4から生成物トラップ16に伸びる反応生成物導管20；及び生成物トラップ16から伸びる排出ガス導管22。
好ましい態様の詳細な説明
本発明に関連して使用するのに特によく適した反応器及び回収系の一態様2を図で説明する。反応器及び回収系2は、好ましくは、次のものを含んでなる；管状反応器4；細かく分割した元素状態のゲルマニウム8を多量に保持するための、反応器4中を移動して配置することができるトレイ6；反応器4を暖めるための電気加熱コイル、スチームジャケット、又は他の加熱系10；好ましくは、その入口フランジ14を通して反応器4中に伸びるガス供給導管12；反応器4からの反応生成物ガスを受け、少なくとも一部の四フッ化ゲルマニウム生成物を凝縮させ保持するための、少なくとも１つの初期生成物トラップ16；生成物トラップ16の外側の少なくとも一部をおおって移動して配置することができる、冷却液デュアー瓶18などの冷却装置；反応器4から生成物トラップ16に伸びる反応生成物導管20；及び生成物トラップ16から伸びる排出ガス導管22。
反応及び回収過程の間に、以下に説明するように、初めの生成物トラップ16を、反応生成物ガス流れ中に含有される少なくとも一部の四フッ化ゲルマニウムを凝縮させるのに有効な温度に維持して、固体の四フッ化ゲルマニウム生成物を生成物トラップ16中に形成させ保持することが好ましい。また、特に好ましい態様においては、反応器及び回収系2は、トラップ16からの排出ガスを導管22を介して受ける、最後の生成物トラップ24を含むことが好ましい。最後のトラップ24は、追加の四フッ化ゲルマニウム生成物を反応生成物流れから凝縮させるのに有効な温度に維持する。最後のトラップ24は、液体酸素又は液体アルゴンを用いて冷やすのが好ましい。特に好ましい態様においては、最後の生成物トラップ24を、外部冷却容器26において液体酸素を用いて冷やして、約-182.9℃の温度に維持する。最後のトラップ24から伸びている排出導管28により、本発明の方法において使用される不活性ガスと、他の凝縮していない物質とを、スクラバー、ならびに、真空ポンプ（示さず）又は反応器及び回収系2を排出させることができる他の装置に送る。
当業者であれば理解できるように、フッ素ガスは多くの金属材料に対し特に高温において反応性が高い。反応器と回収系2を保護し、反応生成物への汚染物質の導入を最小限にするため、反応器4及び生成物トラップ16、24は、ニッケル又はニッケル合金製であることが好ましい。反応器及び回収系2の特に好ましい態様においては、反応器4はニッケル200製であり、生成物トラップ16及び24はMONEL製である。
本発明の方法においては、フッ素ガス及び少なくとも一種の不活性ガスを含んでなるガス混合物をガス供給導管12を介して反応器4に送る。ガス混合物は反応器4を通って流れ、混合物中に含まれるフッ素ガスが、トレイ6上の細かく分割された元素状態のゲルマニウムと反応して、ガス状の四フッ化ゲルマニウム生成物が生成される。細かく分割されたゲルマニウム8は、好ましくは、粉末状の物質であり、最も好ましくは、約50〜約300メッシュの範囲の粒子サイズを有する。
ガス供給混合物中に使用されるフッ素ガス反応体は、本質的に汚染物質を含有しない超高純度フッ素ガスであることが好ましい。フッ素ガス反応体は少なくとも99.95%純粋であることが最も好ましい。フッ素ガス反応体を希釈するために使用される不活性ガスは、窒素、ヘリウム、アルゴン、又はそれらの組み合わせであることが好ましい。本発明の方法において使用される不活性ガスは、入手しやすく費用が低いことから、窒素が最も好ましい。
本発明の方法における使用には高度に純粋な元素状態のゲルマニウム粉末製品が適しているが、商業的なフッ素ガス製品は、典型的には、約6〜約8容量パーセントの不純物を含有している。一般的な不純物としては、フッ化水素、四フッ化ケイ素、NOx、六フッ化硫黄、及び四フッ化炭素がある。したがって、本発明の一部として、本発明の過程において使用するフッ素ガス反応体を反応器4に導入する前に精製することが好ましい。フッ素ガス反応体を精製するために特に好ましい方法は、次の工程：（ａ）液体窒素を用いた間接的な熱交換により-150℃又はそれ未満の温度までフッ素ガスを極低温冷蔵し、そして（ｂ）好ましくは、冷蔵したガスをフッ化ナトリウム粉末又は結晶のベッドを通して送ることにより、冷蔵したフッ素ガスをフッ化ナトリウムと接触させる工程を含んでなる。
反応過程を始める前に、反応器4をパージすることが好ましく、細かく分割した元素状態のゲルマニウム反応体8を、例えば、乾燥した不活性ガスを供給導管12を介して反応器4を通して送ることにより、乾燥させることが好ましい。また、パージ及び乾燥手順の間に、反応器を約125℃〜約200℃の範囲の温度まで加熱することが好ましい。
パージ及び乾燥工程の後、反応器及び回収系2全体（生成物トラップ16、24を含む）を、好ましくは、圧力洩れの試験を行う。圧力試験の手順においては、好ましくは、反応器及び回収系2に不活性ガスを圧力約1,200〜約1,500mmHgの範囲まで充填して、少なくとも１時間閉鎖する。圧力試験のあとで、好ましくは、反応器及び回収系2を約760mmHgまで徐々に減圧する。
次の工程においては、生成物トラップ16、24を所望のプロセス温度までゆっくり冷やす。これまでに示したように、初めの生成物トラップ16（１又は複数）は、最も好ましくは、ドライアイスで約-78℃の温度まで冷やし、最後の生成物トラップ24は、最も好ましくは、液体酸素で約-182.9℃まで冷やす。一方、反応器4は、反応器加熱系10を用いて約125℃〜約200℃の範囲の温度まで暖めるのが好ましい。また、不活性ガスを再び系を通して流しはじめる。このような冷却及び加温工程は、系が所望のプロセス温度条件にて実質的に安定するまで継続し必要であれば調節することが好ましい。
系の温度が実質的に安定した後、精製したフッ素ガス反応体を不活性ガス流れに導入する。四フッ化ゲルマニウムを生成するフッ素ガスと元素状態のゲルマニウム粉末との反応は本質的に発熱反応であり、反応器4内部の温度を高める原因となる。したがって、フッ素ガスの導入は、比較的低い濃度ではじめ、所望な最高反応温度に到達するまでゆっくり高めるのが好ましい。最高反応温度は、好ましくは、約300℃〜約400℃であり、最も好ましくは、約350℃である。また、必要であれば反応器4に外部冷却を適用して（例えば、反応器の断熱被覆を外して空冷若しくは冷却剤を適用するか、又は他の手段により）、反応温度を制御し、反応系が過熱されるのを防ぐことができる。二フッ化ゲルマニウム不純物の形成を防ぐのに役立てるため、供給ガス混合物中のフッ素ガスの初期濃度は、供給ガス混合物中のフッ素ガス及び不活性ガスの全容量基準で、少なくとも30容量%であることが好ましい。反応工程の進行の間に、供給ガス混合物中のフッ素濃度は、容量基準で約60%〜約80%の範囲の最大量まで高めることが好ましい。これまでに示したように、不活性ガスは、好ましくは、窒素、ヘリウム、アルゴン、又はそれらの組み合わせであり、最も好ましくは、窒素である。
反応器4に導入される全フッ素ガスは、反応器トレイ6上に供給される元素状態のゲルマニウム8のすべてと反応するのに必要とされる化学量論量より過剰量であることが好ましい。化学量論量のフッ素ガスを導入した後、反応温度は下がり始める。反応温度が降下するのにともない、フッ素ガスを、好ましくは、少なくとも3パーセント、より好ましくは、約7パーセントの化学量論過剰まで流し続ける。次いで、フッ素ガスの導入を徐々に停止し、反応系をパージするため不活性ガスを流し続ける。パージ工程の間に、ヨウ化カリウム紙又は他の手段を用いて、反応器排出流れに残存するあらゆるフッ素ガスの存在を検出することができる。
パージ工程は、反応器排出物中にフッ素が検出されなくなるまで継続するのが好ましい。その時点で、不活性ガスを系に流すのを停止する。加えて、好ましくは、あらゆる残りのフッ素を更に除去するため、少なくとも部分的に真空となるまで反応器及び回収系2を排出する。
次いで、反応器排出弁30を閉めて、トラップ16、24の排出を継続する。排出に続き、弁32、34、36を閉めて、個々のトラップ16、24の各々を系2の残りから分離する。
反応過程の間に、反応器生成物流れ中に含有される四フッ化ゲルマニウム生成物を、生成物トラップ16、24中に凝縮させて固体の形態で保持する。初めの生成物トラップ16（１又は複数）は、四フッ化ゲルマニウムを反応器排出物から凝縮させるのに有効な温度まで冷蔵して、超高純度の四フッ化ゲルマニウム生成物を生成させるために使用する。生成物中に過剰量の揮発性不純物が凝縮するのを防ぐため、初めの生成物トラップ16は、-85℃より低い温度まで冷蔵しないことが好ましい。これまでに示したように、初めのトラップ16（１又は複数）は、最も好ましくは、ドライアイスを用いて約-78℃の温度まで冷蔵する。本発明の過程においては、初めの生成物トラップ16により、典型的には、反応器4中に生成される四フッ化ゲルマニウム生成物のうち約85%〜約90%が凝縮され保持される。
反応過程の間に、反応器生成物流れ中に含有される四フッ化ゲルマニウム生成物を、生成物トラップ16、24中に凝縮させて固体の形態で保持する。初めの生成物トラップ16（１又は複数）は、四フッ化ゲルマニウムを反応器排出物から凝縮させるのに有効な温度まで冷蔵して、超高純度の四フッ化ゲルマニウム生成物を生成させるために使用する。生成物中に過剰量の揮発性不純物が凝縮するのを防ぐため、初めの生成物トラップ16は、-85℃より低い温度まで冷蔵しないことが好ましい。これまでに示したように、初めのトラップ16（１又は複数）は、最も好ましくは、ドライアイスを用いて約-78℃の温度まで冷蔵する。本発明の過程においては、初めの生成物トラップ16により、典型的には、反応器4中に生成される四フッ化ゲルマニウム生成物のうち約85%〜約90%が凝縮され保持される。
反応器生成物流れ中に含有される残りの四フッ化ゲルマニウム生成物は、最後の生成物トラップ24において、固体の工業用等級の生成物として凝縮され保持される。最後のトラップ24は、初めのトラップ16（１又は複数）からの排出物に残存する四フッ化ゲルマニウムの少なくとも一部を凝縮させるのに有効な温度に維持する。したがって、最後の生成物トラップ24は、典型的には、初めのトラップ16（１又は複数）より低い温度に維持する。これまでに示したように、最後の生成物トラップ24は、最も好ましくは、液体酸素を用いて約-182.9℃の温度まで冷蔵する。
次に、初めの生成物トラップ16（１又は複数）において回収される物質を必要であれば精製して、揮発性及び／又は非揮発性の汚染物質を除去し、所望な超高純度四フッ化ゲルマニウム生成物を得る。揮発性の不純物は、好ましくは、昇華法を用いて除去する。昇華法においては、当業者であれば理解できるであろうが、四フッ化ゲルマニウム生成物を（例えば、その温度を高めることにより）その蒸気の状態に昇華させてから、再び固体の形態に凝縮させる。昇華法は、典型的には、所望な純度が得られるまで１回又はそれより多い回数繰り返す。
一方、非揮発性不純物は、四フッ化ゲルマニウム生成物を蒸気の状態に昇華させてから、残存するあらゆる非蒸発固体及び／又は液体物質から蒸発させた生成物を分離することにより除去するのが好ましい。そのような分離は、単に四フッ化ゲルマニウム蒸気を別の容器に移すことにより行うことができる。
揮発性及び非揮発性不純物の除去はいかなる順序でも行うことができるが、これまでに説明した、揮発性不純物を除去する昇華手順を最初に行うのが好ましい。そうすることにより、都合のよいことに、生成物トラップ16自体を昇華法を行うために使用することが可能となる。
昇華法においては、生成物トラップ16中の固体の四フッ化ゲルマニウムを、四フッ化ゲルマニウムの少なくとも一部をその蒸気の状態に昇華させるのに有効な温度までゆっくり温める。加温工程は、例えば、単にドライアイス冷却剤をトラップ16の外部から除去することにより行うことができる。加温工程は、好ましくは、約-35℃〜約-20℃の範囲の温度が得られるか、又は閉鎖されたトラップ16内部の圧力が所望な値（典型的には、約100mmHG）に到達し若しくはそれを超えるまで継続する。次いで、生成物トラップ16を再び充分に冷蔵して、四フッ化ゲルマニウム生成物をその固体の形態に再凝縮させる。各々の再冷蔵工程においては、生成物トラップ16を、最も好ましくは、ドライアイスを用いて約-78℃まで冷やす。
再冷蔵工程に続いて、生成物トラップ16を（例えば、システム真空ポンプ又は他の真空装置を用いて）再び排出して、そこから凝縮されていない揮発性不純物を除去する。そのような不純物の例としては、O2、Ar、CO、CO2、N2、四フッ化炭素、NOx、及び／又はフッ化水素があげられる。
排出工程においては、生成物トラップ16を真空又は真空至近まで排出するのが最も好ましい。次いで、トラップ16を閉鎖して、トラップ16内部の蒸気圧平衡条件が達せられるまで、冷蔵温度に設定しておく。生成物中に揮発性不純物が継続して存在すると、生成物トラップ16内部の平衡蒸気圧は高くなる。したがって、測定した平衡蒸気圧が所望な目標蒸気圧を超える場合は、蒸気圧目標が達せられ揮発性不純物のレベルが許容限界内になるまで、昇華法を繰り返すことが好ましい。目標蒸気圧は、好ましくは、生成物トラップ16内部に存在する冷蔵温度条件での100%四フッ化ゲルマニウムの昇華圧にほぼ等しい。生成物トラップ16を約-78℃まで再冷蔵したと仮定すると、目標平衡蒸気圧は、好ましくは、約18mmHgである。
非揮発性不純物を除去するため、生成物トラップ16を、その中の本質的にすべての四フッ化ゲルマニウム生成物を蒸気の状態に昇華させるまで、（例えば、容器18からドライアイスをゆっくりと除去することにより）加温するのが好ましい。典型的には、生成物トラップ16の内容物を約-35℃〜約0℃の範囲の温度まで加温する。次に、蒸発させた四フッ化ゲルマニウム生成物を単に別の容器に移して、すべての非揮発性固体又は液体不純物をトラップ16中に保持し、それにより、四フッ化ゲルマニウム生成物から分離する。存在しうる固体不純物の例としては、二フッ化ニッケル、二フッ化銅、二フッ化クロム、四フッ化ウラン、三フッ化鉄、及び／又は二フッ化ゲルマニウムがあげられる。
精製手順のあとで、精製した四フッ化ゲルマニウムのサンプルを、好ましくは、ガスクロマトグラフにより分析して、許容できないレベルのいずれかの揮発性不純物が残存しているかどうかを測定することができる。許容できないレベルの揮発性不純物が検出された場合は、これまでに説明した昇華精製手順を繰り返すことができる。
精製した生成物中に許容できないレベルのいずれかの非揮発性金属不純物が残存しているかどうかを測定するため、生成物のサンプルを、超高純度の水酸化ナトリウムで中和してから超高純度の塩酸を充分な量添加してpHを7にすることにより、加水分解することができる。当業者であれば理解できるが、次いで、加水分解したサンプル中に含有される金属不純物を、誘導結合高周波プラズマ法により検出・測定することができる。
実施例
超高純度四フッ化ゲルマニウム生成物を、図に示したタイプの反応器及び回収系2を用いて生成した。四フッ化ゲルマニウム生成物を測定したところ、揮発性汚染物質に関して99.99%純粋であり、非揮発性金属不純物に関して99.999%純粋であった。液体窒素を用いて商業的なフッ素ガスを-150℃まで極低温冷蔵してから、冷蔵したガスをフッ化ナトリウムペレットのベッドを通過させることにより得られた、99.99%純粋なフッ素ガスを用いて生成物を生成した。
超高純度四フッ化ゲルマニウム生成物を、図に示したタイプの反応器及び回収系2を用いて生成した。四フッ化ゲルマニウム生成物を測定したところ、揮発性汚染物質に関して99.99%純粋であり、非揮発性金属不純物に関して99.999%純粋であった。液体窒素を用いて商業的なフッ素ガスを-150℃まで極低温冷蔵してから、冷蔵したガスをフッ化ナトリウムペレットのベッドを通過させることにより得られた、99.99%純粋なフッ素ガスを用いて生成物を生成した。
元素状態のゲルマニウム粉末4,253グラムを管状反応器4内のトレイ6上に置き、反応器入口フランジ14をインパクトレンチを用いてしっかりと閉めシールした。次いで、反応器4を約200℃まで加熱し、乾燥窒素ガスで約12時間パージした。パージの後、約1500mmHgで1時間、反応器系の圧力試験を行い、漏れをチェックした。
圧力試験の後、第一の生成物トラップ16にドライアイスを施用し、第二の生成物トラップ24に液体酸素を施用した。また、反応器4を再び加熱し、不活性ガス流れを再び系を通して流した。反応器4において156℃、第一の生成物トラップ16において-78℃、第二の生成物トラップ24において-182.9℃の平衡温度が達せられるまで、この工程を継続した。
所望の平衡温度条件に到達したら、超純粋なフッ素ガス反応体を不活性ガス供給流れに加えた。フッ素ガス0.3リットル／分と窒素0.25リットル／分の初期混合物を反応器4に1時間供給した。初めの1時間の最後に、反応器4の温度は225℃に上がった。次いで、フッ素供給速度を、1時間、0.5リットル／分に上げると、反応器温度は275℃まで上がった。次に、フッ素供給速度を、1時間、0.65リットル／分に上げると、反応器温度は300℃まであがった。最後に、フッ素流れの速度を0.75リットル／分に上げると、反応器温度は1時間後に325℃に上がった。到達した最高反応温度は350℃であった。全反応工程の間に、2,806リットルのフッ素ガスを使用した。
次いで、生成物トラップ16中に凝縮し保持された四フッ化ゲルマニウム生成物を、昇華工程を繰り返しトラップ16中で行って、揮発性汚染物質に関して精製した。昇華工程の各々において、ドライアイスを用いて生成物を-78℃まで再冷蔵した。18mmHgの平衡蒸気圧に達するまで、昇華手順を繰り返した。
最後に、トラップ16を約-20℃まで加温して、本質的にすべての四フッ化ゲルマニウム生成物を蒸気の状態に昇華させることにより、非揮発性不純物を生成物から除去する。次いで、蒸発させた生成物を別の生成物容器に移した。
このように、本発明を充分に適合させて、対象物を実施し、これまでに説明した目的及び利点、ならびに内在した目的及び利点を達成する。本発明の開示の目的のため現在において好ましい態様を説明してきたが、非常に多くの変更及び修飾をなしうることは当業者にとって明らかである。そのような変更及び修飾は、添付する特許請求の範囲により規定される本発明の精神の範囲内に包含される。
以下は、本発明の態様である。
１．フッ素ガス及び不活性ガスを含んでなるガス混合物を、その中にゲルマニウムを有する反応器に通して流し、前記フッ素ガスを前記ゲルマニウムと反応させて四フッ化ゲルマニウムを含んでなる生成物流れを製造する工程を含んでなる、高純度四フッ化ゲルマニウムを製造するための方法。
２．前記不活性ガスが、窒素、ヘリウム、アルゴン、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、前記１記載の方法。
３．前記ゲルマニウムが、約50〜約300メッシュの粒子サイズを有する、前記１記載の方法。
４．前記ガス混合物を反応器に流す工程の前に、前記フッ素ガスを−150℃又はそれより低い温度まで極低温冷蔵して、前記冷蔵フッ素ガスをフッ化ナトリウムと接触させることにより、前記フッ素ガスを精製する、前記１記載の方法。
５．前記ガス混合物を反応器に流す工程の前に、不活性ガスを前記反応器に通過させることにより、前記ゲルマニウムを乾燥させる、前記１記載の方法。
６．前記反応器が反応器温度を有し、前記ガス混合物を反応器に流す工程の間に、前記ガス混合物中の前記フッ素ガスの前記不活性ガスに対する比を高めて前記反応器温度を高める、前記１記載の方法。
７．前記ガス混合物を反応器に流す工程の間に、前記反応器温度を約300℃〜約400℃の温度に高める、前記６記載の方法。
８．前記ガス混合物を反応器に流す工程の前に、前記反応器を約125℃〜約200℃の反応器温度に熱する、前記７記載の方法。
９．前記ガス混合物を反応器に流す工程の間に、前記フッ素ガスの前記不活性ガスに対する比を、前記ガス混合物中の前記フッ素ガス及び前記不活性ガスの全量に基づいて容量基準で約60％〜約80％の前記フッ素ガスの最大濃度まで高める、前記６記載の方法。
１０．前記ガス混合物を反応器に流す工程中に、前記ガス混合物が、前記ガス混合物中の前記フッ素ガス及び前記不活性ガスの全量に基づいて容量基準で少なくとも約30％の前記フッ素ガス初期比を有する、前記９記載の方法。
１１．前記生成物流れを、少なくとも一部の前記四フッ化ゲルマニウムを前記生成物流れから凝縮させるのに有効な温度に維持された少なくとも１つの生成物トラップに送る工程を更に含んでなり、前記一部の前記四フッ化ゲルマニウムが前記生成物トラップ中に保持される、前記１記載の方法。
１２．前記生成物トラップをドライアイスを用いて冷蔵する、前記１１記載の方法。
１３．前記生成物トラップに送る工程の間の前記生成物トラップの温度が約−78℃である、前記１２記載の方法。
１４．前記生成物トラップが第一の生成物トラップであり、その際、前記生成物トラップに送る工程中に、前記第一の生成物トラップからの流出液を、前記四フッ化ゲルマニウムの追加の一部を前記生成物流れから凝縮させるのに有効な温度に維持された少なくとも１つの追加の生成物トラップに送る、前記１１記載の方法。
１５．前記追加の生成物トラップを液体酸素を用いて冷蔵する、前記１４記載の方法。
１６．前記追加の生成物トラップに送る工程の間の前記追加の生成物トラップの温度が約−182.9℃である、前記１５記載の方法。
１７．前記一部の四フッ化ゲルマニウムを精製して揮発性の不純物を除去する工程を更に含んでなり、前記一部の四フッ化ゲルマニウムが容器中にあって、前記精製工程が次の工程：
（a）少なくとも一部の前記四フッ化ゲルマニウムを前記容器中で昇華させ、次いで
（b）前記容器を排気してそこから蒸気を除去する
工程を含む、前記１１記載の方法。
１８．前記容器が前記生成物トラップである、前記１７記載の方法。
１９．工程（b）に続いて、次の工程：
（c）前記生成物容器中の蒸気圧を測定し；
（d）前記蒸気圧を目標蒸気圧と比較し；そして、
（e）前記蒸気圧が前記目標蒸気圧を上回る場合は工程（a）及び（b）を繰り返す
工程を更に含んでなる、前記１７記載の方法。
２０．前記目標蒸気圧が、およそ、前記容器中に存在するものと等しい温度での100％四フッ化ゲルマニウムの平衡昇華圧である、前記１９記載の方法。
２１．非揮発性の不純物を前記一部の四フッ化ゲルマニウムから除去する工程を更に含んでなり、前記一部の四フッ化ゲルマニウムが容器中にあって、前記除去工程が次の工程：
（a）前記容器中の前記四フッ化ゲルマニウムを蒸気の状態に昇華させ、そして
（b）前記昇華四フッ化ゲルマニウムを前記容器から移して、前記非揮発性不純物を前記昇華四フッ化ゲルマニウムから分離する
工程を含む、前記１１記載の方法。
２２．工程（b）において、前記非揮発性不純物が前記容器中に保持される、前記２１記載の方法。
２３．前記容器が前記生成物トラップである、前記２１記載の方法。
以下は、本発明の態様である。
１．フッ素ガス及び不活性ガスを含んでなるガス混合物を、その中にゲルマニウムを有する反応器に通して流し、前記フッ素ガスを前記ゲルマニウムと反応させて四フッ化ゲルマニウムを含んでなる生成物流れを製造する工程を含んでなる、高純度四フッ化ゲルマニウムを製造するための方法。
２．前記不活性ガスが、窒素、ヘリウム、アルゴン、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、前記１記載の方法。
３．前記ゲルマニウムが、約50〜約300メッシュの粒子サイズを有する、前記１記載の方法。
４．前記ガス混合物を反応器に流す工程の前に、前記フッ素ガスを−150℃又はそれより低い温度まで極低温冷蔵して、前記冷蔵フッ素ガスをフッ化ナトリウムと接触させることにより、前記フッ素ガスを精製する、前記１記載の方法。
５．前記ガス混合物を反応器に流す工程の前に、不活性ガスを前記反応器に通過させることにより、前記ゲルマニウムを乾燥させる、前記１記載の方法。
６．前記反応器が反応器温度を有し、前記ガス混合物を反応器に流す工程の間に、前記ガス混合物中の前記フッ素ガスの前記不活性ガスに対する比を高めて前記反応器温度を高める、前記１記載の方法。
７．前記ガス混合物を反応器に流す工程の間に、前記反応器温度を約300℃〜約400℃の温度に高める、前記６記載の方法。
８．前記ガス混合物を反応器に流す工程の前に、前記反応器を約125℃〜約200℃の反応器温度に熱する、前記７記載の方法。
９．前記ガス混合物を反応器に流す工程の間に、前記フッ素ガスの前記不活性ガスに対する比を、前記ガス混合物中の前記フッ素ガス及び前記不活性ガスの全量に基づいて容量基準で約60％〜約80％の前記フッ素ガスの最大濃度まで高める、前記６記載の方法。
１０．前記ガス混合物を反応器に流す工程中に、前記ガス混合物が、前記ガス混合物中の前記フッ素ガス及び前記不活性ガスの全量に基づいて容量基準で少なくとも約30％の前記フッ素ガス初期比を有する、前記９記載の方法。
１１．前記生成物流れを、少なくとも一部の前記四フッ化ゲルマニウムを前記生成物流れから凝縮させるのに有効な温度に維持された少なくとも１つの生成物トラップに送る工程を更に含んでなり、前記一部の前記四フッ化ゲルマニウムが前記生成物トラップ中に保持される、前記１記載の方法。
１２．前記生成物トラップをドライアイスを用いて冷蔵する、前記１１記載の方法。
１３．前記生成物トラップに送る工程の間の前記生成物トラップの温度が約−78℃である、前記１２記載の方法。
１４．前記生成物トラップが第一の生成物トラップであり、その際、前記生成物トラップに送る工程中に、前記第一の生成物トラップからの流出液を、前記四フッ化ゲルマニウムの追加の一部を前記生成物流れから凝縮させるのに有効な温度に維持された少なくとも１つの追加の生成物トラップに送る、前記１１記載の方法。
１５．前記追加の生成物トラップを液体酸素を用いて冷蔵する、前記１４記載の方法。
１６．前記追加の生成物トラップに送る工程の間の前記追加の生成物トラップの温度が約−182.9℃である、前記１５記載の方法。
１７．前記一部の四フッ化ゲルマニウムを精製して揮発性の不純物を除去する工程を更に含んでなり、前記一部の四フッ化ゲルマニウムが容器中にあって、前記精製工程が次の工程：
（a）少なくとも一部の前記四フッ化ゲルマニウムを前記容器中で昇華させ、次いで
（b）前記容器を排気してそこから蒸気を除去する
工程を含む、前記１１記載の方法。
１８．前記容器が前記生成物トラップである、前記１７記載の方法。
１９．工程（b）に続いて、次の工程：
（c）前記生成物容器中の蒸気圧を測定し；
（d）前記蒸気圧を目標蒸気圧と比較し；そして、
（e）前記蒸気圧が前記目標蒸気圧を上回る場合は工程（a）及び（b）を繰り返す
工程を更に含んでなる、前記１７記載の方法。
２０．前記目標蒸気圧が、およそ、前記容器中に存在するものと等しい温度での100％四フッ化ゲルマニウムの平衡昇華圧である、前記１９記載の方法。
２１．非揮発性の不純物を前記一部の四フッ化ゲルマニウムから除去する工程を更に含んでなり、前記一部の四フッ化ゲルマニウムが容器中にあって、前記除去工程が次の工程：
（a）前記容器中の前記四フッ化ゲルマニウムを蒸気の状態に昇華させ、そして
（b）前記昇華四フッ化ゲルマニウムを前記容器から移して、前記非揮発性不純物を前記昇華四フッ化ゲルマニウムから分離する
工程を含む、前記１１記載の方法。
２２．工程（b）において、前記非揮発性不純物が前記容器中に保持される、前記２１記載の方法。
２３．前記容器が前記生成物トラップである、前記２１記載の方法。
Claims (13)
- フッ素ガス及び不活性ガスを含んでなるガス混合物を、その中にゲルマニウムを有する反応器に通して流し、前記フッ素ガスを前記ゲルマニウムと反応させて四フッ化ゲルマニウムを含んでなる生成物流れを製造する工程を含んでなる、高純度四フッ化ゲルマニウムを製造するための方法であって、
前記反応器が反応器温度を有し、前記ガス混合物を反応器に流す工程の間に、前記ガス混合物中の前記フッ素ガスの前記不活性ガスに対する比を高めて前記反応器温度を高める、上記の方法。 - 前記ガス混合物を反応器に流す工程の前に、前記フッ素ガスを−150℃又はそれより低い温度まで極低温冷蔵して、前記冷蔵フッ素ガスをフッ化ナトリウムと接触させることにより、前記フッ素ガスを精製する、請求項１記載の方法。
- 前記ガス混合物を反応器に流す工程の前に、不活性ガスを前記反応器に通過させることにより、前記ゲルマニウムを乾燥させる、請求項１記載の方法。
- 前記ガス混合物を反応器に流す工程の間に、前記反応器温度を300℃〜400℃の温度に高める、請求項１記載の方法。
- 前記ガス混合物を反応器に流す工程の前に、前記反応器を125℃〜200℃の反応器温度に熱する、請求項４記載の方法。
- 前記ガス混合物を反応器に流す工程の間に、前記ガス混合物中のフッ素濃度を、前記ガス混合物中の前記フッ素ガス及び前記不活性ガスの全量に基づいて容量基準で60％〜80％の前記フッ素ガスの最大濃度まで高める、請求項１記載の方法。
- 前記ガス混合物を反応器に流す工程中に、前記ガス混合物が、前記ガス混合物中の前記フッ素ガス及び前記不活性ガスの全量に基づいて容量基準で少なくとも30％の前記フッ素ガス初期量を有する、請求項６記載の方法。
- 前記生成物流れを、少なくとも一部の前記四フッ化ゲルマニウムを前記生成物流れから凝縮させるのに有効な温度に維持された少なくとも１つの生成物トラップに送る工程を更に含んでなり、その際、前記一部の四フッ化ゲルマニウムが前記生成物トラップ中に保持される、請求項１記載の方法。
- 前記一部の四フッ化ゲルマニウムを精製して揮発性の不純物を除去する工程を更に含んでなり、前記精製工程が次の工程：
（a）少なくとも一部の前記四フッ化ゲルマニウムを前記生成物トラップ中で昇華させ、次いで
（b）前記一部の四フッ化ゲルマニウムを再び固体の形態に再冷蔵し、
（c）前記生成物トラップを排気してそこから凝縮されていない気体不純物を除去する
工程を含む、請求項８記載の方法。 - 工程（c）に続いて、次の工程：
（d）前記生成物トラップ中の蒸気圧を測定し；
（e）前記蒸気圧を純粋な四フッ化ゲルマニウムの目標蒸気圧と比較し；そして、
（f）前記蒸気圧が前記目標蒸気圧を上回る場合は工程（a）、（b）及び（c）を繰り返す
工程を更に含んでなる、請求項９記載の方法。 - 非揮発性の不純物を前記一部の四フッ化ゲルマニウムから除去する工程を更に含んでなり、前記除去工程が次の工程：
（a）前記生成物トラップ中の前記四フッ化ゲルマニウムを蒸気の状態に昇華させ、そして
（b）前記昇華四フッ化ゲルマニウムを前記生成物トラップから移して、前記非揮発性不純物を前記昇華四フッ化ゲルマニウムから分離する
工程を含む、請求項８記載の方法。 - 前記生成物流れを、−８５℃より低い温度まで冷却しない少なくとも１つの初めの生成物トラップに導入し、その際、前記初めの生成物トラップ内で前記四フッ化ゲルマニウムの一部が凝縮し、保持され、次いで
−８５℃より低い温度に冷却された最後の生成物トラップに前記生成物流れを導入し、その際、前記最後の生成物トラップ内で残部の前記四フッ化ゲルマニウムが凝縮し、保持される
工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。 - 前記初めの生成物トラップが−７８℃に冷却され、前記最後の生成物トラップが−１８２．９℃に冷却される、請求項１２に記載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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