JP2017141149A - フッ素ガスの精製方法 - Google Patents
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- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 158
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 158
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 title claims abstract description 158
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 55
- 238000000746 purification Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 193
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 93
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 claims abstract description 93
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 89
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 89
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 claims abstract description 65
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910001515 alkali metal fluoride Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 32
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 23
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 19
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 claims description 11
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 claims description 11
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 10
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 239000011698 potassium fluoride Substances 0.000 claims description 6
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 5
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 5
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 235000003270 potassium fluoride Nutrition 0.000 claims description 5
- 229910001618 alkaline earth metal fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 abstract 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 24
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 9
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 9
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 5
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 5
- 229910021569 Manganese fluoride Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- CTNMMTCXUUFYAP-UHFFFAOYSA-L difluoromanganese Chemical compound F[Mn]F CTNMMTCXUUFYAP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000792 Monel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000001784 detoxification Methods 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000012025 fluorinating agent Substances 0.000 description 1
- 229910000856 hastalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001026 inconel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021654 trace metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
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- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
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- B01D53/0407—Constructional details of adsorbing systems
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Abstract
Description
[発明1]
フッ化水素と金属成分を含むフッ素ガスから金属成分を除去する精製方法であって、
前記フッ素ガスを、固体の金属フッ化物に接触させ、フッ化水素及び金属成分を金属フッ化物に吸着させて除去する除去工程を含み、
前記除去工程前のフッ素ガス中のフッ化水素の含有量が、フッ素ガス、フッ化水素及び金属成分の合計体積に対して50体積ppm以上、1体積%以下である、フッ素ガスの精製方法。
[発明2]
前記除去工程の前に、フッ素ガス中のフッ化水素の含有量を、フッ素ガス、フッ化水素及び金属成分の合計体積に対して50体積ppm以上、1体積%以下に調整する濃度調整工程を行う、発明1に記載のフッ素ガスの精製方法。
[発明3]
前記濃度調整工程が、フッ素ガスにフッ化水素を添加する添加工程である、発明1のフッ素ガスの精製方法。
[発明4]
前記金属フッ化物が、アルカリ金属フッ化物及びアルカリ土類金属フッ化物からなる群より選ばれる少なくとも1種である、発明1〜3のフッ素ガスの精製方法。
[発明5]
前記金属フッ化物が、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム及びフッ化バリウムからなる群より選ばれる少なくとも1種である、発明4のフッ素ガスの精製方法。
[発明6]
前記除去工程において、フッ素ガスを固体の金属フッ化物に接触させる温度が、50℃以下である、発明1〜5のフッ素ガスの精製方法。
[発明7]
前記除去工程前のフッ素ガスに含まれる金属成分が、Fe、Cr、Mn、Co、Ti、Mo、Cu及びNiからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属を含む、発明1〜6のフッ素ガスの精製方法。
[発明8]
前記除去工程後のフッ素ガス中の、Fe、Cr、Mn、Co、Ti、Mo、Cu、Niのそれぞれの含有量が、いずれも10質量ppb以下である、発明1〜7のフッ素ガスの精製方法。
[発明9]
フッ化水素と、Fe、Cr、Mn、Co、Ti、Mo、Cu及びNiからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属成分を含むフッ素ガスから金属成分を除去するフッ素ガスの精製方法であって、
前記フッ素ガスを、固体のフッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム及びフッ化バリウムからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属フッ化物に接触させ、フッ化水素及び金属成分を金属フッ化物に吸着させて除去する除去工程を含み、
前記除去工程前のフッ素ガス中のフッ化水素の含有量が、フッ素ガス、フッ化水素及び金属成分の合計体積に対して50体積ppm以上、1体積%以下であり、
前記除去工程後のフッ素ガス中の、Fe、Cr、Mn、Co、Ti、Mo、Cu、Niのそれぞれの含有量が、いずれも10質量ppb以下である、フッ素ガスの精製方法。
[発明10]
フッ素ガスに含まれる金属成分を除去する精製フッ素ガスの製造方法であって、
フッ化水素と金属成分を含むフッ素ガスを、固体の金属フッ化物に接触させ、フッ化水素及び金属成分を前記金属フッ化物に吸着させて除去する除去工程を含み、
前記除去工程前のフッ素ガス中のフッ化水素の含有量が、フッ素ガス、フッ化水素及び金属成分の合計体積に対して50体積ppm以上、1体積%以下である、精製フッ素ガスの製造方法。
[発明11]
精製フッ素ガス中の、Fe、Cr、Mn、Co、Ti、Mo、Cu、Niのそれぞれの含有量が、いずれも10質量ppb以下である、発明10の精製フッ素ガスの製造方法。
[発明12]
精製フッ素ガス中のフッ化水素の含有量が、50体積ppm以下である、発明10または発明11の精製フッ素ガスの製造方法。
[発明13]
発明10に記載の精製フッ素ガスの製造方法を適用して、精製フッ素ガスを得る工程と、
前記精製フッ素ガスを用いて、半導体素子のエッチングを行う工程と、
を具備する、エッチング方法。
[発明14]
フッ素ガス供給部と、
前記フッ素ガス供給部から供給されたフッ素ガスを固体の金属フッ化物に接触させる金属フッ化物充填部と、
前記金属フッ化物充填部の出口ガスが供給されるエッチングチャンバーと、
を有する、エッチング装置。
[発明15]
さらに、前記フッ素ガス供給部と前記金属フッ化物充填部の間に、フッ素ガス中のフッ化水素の含有量を、フッ素ガス、フッ化水素及び金属成分の合計体積に対して50体積ppm以上、1体積%以下に調整するフッ化水素濃度調整部を有する、発明14のエッチング装置。
[発明16]
前記フッ化水素濃度調整部が、フッ素ガスにフッ化水素を添加するフッ化水素供給部を有する、発明15のエッチング装置。
本発明に係る精製装置10は、フッ素ガス供給部20からフッ素ガスが供給され、出口ガスを外部装置30に供給する。精製装置10は、少なくとも金属フッ化物充填部100を備え、必要によりフッ化水素濃度調整部110とフッ化水素供給部120を備える。
金属フッ化物充填部100は金属フッ化物を含む薬剤を充填した容器で、流通するガスの純度や流速によって適宜設計される。例えば、底網上に金属フッ化物のペレットを充填し、下部から処理対象ガスを導入し、上部から排出する除害設備などを使用できる。充填する薬剤は、金属フッ化物を含んでいれば、粉末状でも粒状でもペレット状でもよく、金属フッ化物の含有量も特に限定されないが、通常は純度90質量%以上であり、好ましくは、純度95質量%以上である。使用する金属フッ化物としては、アルカリ金属フッ化物、アルカリ土類金属フッ化物を挙げることができ、具体的には、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ化バリウムを例示することができる。これらの金属フッ化物は、フッ素化合物との反応性が低いが、フッ化水素ガスを吸着可能であるため、好ましい。
フッ素ガス供給部20は、フッ素ガスの製造設備で製造されたフッ素ガスの貯蔵部や、フッ素ガスを充填したボンベなどである。供給するガスの純度などに制約は無いが、低濃度のガスを使用した場合、下流側に設置する金属フッ化物充填部100の負荷が大きくなり、装置の大型化や、薬剤交換頻度が高くなるなどの支障をきたすため、予め、蒸留や深冷精製法で不純物を除去したガスを使用することが好ましい。具体的には純度が90体積%以上のものを使用するのが好ましく、さらに好ましくは99体積%以上のものを使用するのが好ましい。
精製装置10の下流には、外部装置30が接続される。外部装置30には、例えば、本発明の方法をフッ素ガスの製造工程で使用する場合は、フッ素ガスの充填設備が相当する。また、本発明の方法をエッチング工程のガス供給ラインに使用する場合は、エッチング装置が外部装置30に相当する。なお、一つの筐体に精製装置10と外部装置30の両方を備えていてもよい。例えば、エッチング装置のガス受入口や配管の途中に本発明の精製装置10を設け、精製装置10の出口ガスをエッチングチャンバーに供給することで、金属成分を除去したガスを用いて半導体素子をエッチングすることができる。
フッ化水素濃度調整部110は、精製装置10に供給されたフッ素ガスに含まれるフッ化水素の量を、金属フッ化物充填部100に供給するのに適した量に調整する。金属フッ化物充填部100に供給されるフッ素ガス中のフッ化水素の含有量が、フッ素ガス、フッ化水素、及び、金属成分の合計体積に対して、50体積ppm以上、1体積%以下であることが好ましく、100体積ppm以上、2000体積ppm以下であることがより好ましく、200体積ppm以上、1000ppm以下であってもよい。フッ化水素含有量が50ppm以下であると、フッ化水素の量が少なすぎて、金属成分の量を十分に低減するのが難しい場合が多い。フッ素ガス供給部20から供給されるフッ素ガスに、あらかじめ50体積ppm以上のフッ化水素が含まれる場合は、そのまま金属フッ化物充填部100に供給するが、フッ化水素含有量が50体積ppm未満の場合は、フッ化水素供給部120よりフッ化水素を供給することが好ましい。
フッ化水素供給部120は、金属フッ化物充填部100の上流部分で配管などによって接続され、フッ素ガスにフッ化水素を添加可能である。フッ化水素供給部120にはフッ化水素を充填した容器やボンベが接続される。接続するフッ化水素の純度は高純度のものを使用するのが好ましく、純度が99.5質量%以上、より好ましくは99.9質量%以上のものを使用するのが好ましい。さらに金属不純物については、混入したFe、Cr、Mn、Co、Ti、Mo、Cu、Niの各金属成分の濃度が、いずれも10質量ppb以下であることが好ましい。
本発明を利用した精製装置10では、薬剤を充填しただけの簡易な構造の装置で、金属成分の濃度を非常に低いレベルまで低減可能である。そのため、小規模な工場でも本発明を利用して金属不純物の少ないガスを得ることができる。また、フッ素ガスを使用する直前に精製装置10を設けることができるため、配管などに由来した金属成分の混入を防ぐことができ、外部装置30は金属不純物の少ないガスを利用することができる。
図2に示す系統図に従い、フッ素ガス供給部20としてF2を充填したボンベ(純度99体積%以上、99.99体積%以下)を用い、フッ化水素供給部120にはHFを充填したボンベ(HF純度:99.99体積%)を接続した。なお、図2には図示していないが、それぞれのボンベの下流側に流量制御装置として、マスフローコントローラー(株式会社堀場エステック製)を使用して、各ガスの供給量を制御した。また、金属フッ化物充填部100には、径1インチ(25.4mm)×200mmのNi管にNaFペレット(森田化学工業株式会社製)100gを充填したものを使用した。なお、金属フッ化物充填部100は、室温や、所定の温度に加熱して使用した。そして、金属フッ化物充填部100の入口と出口に相当する部分のガスを捕集し、誘導結合プラズマ質量分析計(ICP−MS)により、金属成分の含有量を測定した。
100 金属フッ化物充填部
110 フッ化水素濃度調整部
120 フッ化水素供給部ス供給部
30 外部装置
Claims (16)
- フッ化水素と金属成分を含むフッ素ガスから金属成分を除去するフッ素ガスの精製方法であって、
前記フッ素ガスを、固体の金属フッ化物に接触させ、フッ化水素及び金属成分を金属フッ化物に吸着させて除去する除去工程を含み、
前記除去工程前のフッ素ガス中のフッ化水素の含有量が、フッ素ガス、フッ化水素及び金属成分の合計体積に対して50体積ppm以上、1体積%以下である、フッ素ガスの精製方法。 - 前記除去工程の前に、フッ素ガス中のフッ化水素の含有量を、フッ素ガス、フッ化水素及び金属成分の合計体積に対して50体積ppm以上、1体積%以下に調整する濃度調整工程を行う、請求項1に記載のフッ素ガスの精製方法。
- 前記濃度調整工程が、フッ素ガスにフッ化水素を添加する添加工程である、請求項1に記載のフッ素ガスの精製方法。
- 前記金属フッ化物が、アルカリ金属フッ化物及びアルカリ土類金属フッ化物からなる群より選ばれる少なくとも1種である、請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のフッ素ガスの精製方法。
- 前記金属フッ化物が、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム及びフッ化バリウムからなる群より選ばれる少なくとも1種である、請求項4に記載のフッ素ガスの精製方法。
- 前記除去工程において、フッ素ガスを固体の金属フッ化物に接触させる温度が、50℃以下である、請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載のフッ素ガスの精製方法。
- 前記除去工程前のフッ素ガスに含まれる金属成分が、Fe、Cr、Mn、Co、Ti、Mo、Cu及びNiからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属を含む、請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載のフッ素ガスの精製方法。
- 前記除去工程後のフッ素ガス中の、Fe、Cr、Mn、Co、Ti、Mo、Cu、Niのそれぞれの含有量が、いずれも10質量ppb以下である、請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載のフッ素ガスの精製方法。
- フッ化水素と、Fe、Cr、Mn、Co、Ti、Mo、Cu及びNiからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属成分を含むフッ素ガスから金属成分を除去するフッ素ガスの精製方法であって、
前記フッ素ガスを、固体のフッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム及びフッ化バリウムからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属フッ化物に接触させ、フッ化水素及び金属成分を金属フッ化物に吸着させて除去する除去工程を含み、
前記除去工程前のフッ素ガス中のフッ化水素の含有量が、フッ素ガス、フッ化水素及び金属成分の合計体積に対して50体積ppm以上、1体積%以下であり、
前記除去工程後のフッ素ガス中の、Fe、Cr、Mn、Co、Ti、Mo、Cu、Niのそれぞれの含有量が、いずれも10質量ppb以下である、フッ素ガスの精製方法。 - フッ素ガスに含まれる金属成分を除去する精製フッ素ガスの製造方法であって、
フッ化水素と金属成分を含むフッ素ガスを、固体の金属フッ化物に接触させ、フッ化水素及び金属成分を前記金属フッ化物に吸着させて除去する除去工程を含み、
前記除去工程前のフッ素ガス中のフッ化水素の含有量が、フッ素ガス、フッ化水素及び金属成分の合計体積に対して50体積ppm以上、1体積%以下である、精製フッ素ガスの製造方法。 - 精製フッ素ガス中の、Fe、Cr、Mn、Co、Ti、Mo、Cu、Niのそれぞれの含有量が、いずれも10質量ppb以下である、請求項10に記載の精製フッ素ガスの製造方法。
- 精製フッ素ガス中のフッ化水素の含有量が、50体積ppm以下である、請求項10または請求項11に記載の精製フッ素ガスの製造方法。
- 請求項10に記載の精製フッ素ガスの製造方法を適用して、精製フッ素ガスを得る工程と、
前記精製フッ素ガスを用いて、半導体素子のエッチングを行う工程と、
を具備する、エッチング方法。 - フッ素ガス供給部と、
前記フッ素ガス供給部から供給されたフッ素ガスを固体の金属フッ化物に接触させる金属フッ化物充填部と、
前記金属フッ化物充填部の出口ガスが供給されるエッチングチャンバーと、
を有する、エッチング装置。 - さらに、前記フッ素ガス供給部と前記金属フッ化物充填部の間に、フッ素ガス中のフッ化水素の含有量を、フッ素ガス、フッ化水素及び金属成分の合計体積に対して50体積ppm以上、1体積%以下に調整するフッ化水素濃度調整部を有する、請求項14に記載のエッチング装置。
- 前記フッ化水素濃度調整部が、フッ素ガスにフッ化水素を添加するフッ化水素供給部を有する、請求項15に記載のエッチング装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US16/076,552 US20190047858A1 (en) | 2016-02-09 | 2017-01-27 | Method for Purifying Fluorine Gas |
PCT/JP2017/002854 WO2017138367A1 (ja) | 2016-02-09 | 2017-01-27 | フッ素ガスの精製方法 |
KR1020187025979A KR102165773B1 (ko) | 2016-02-09 | 2017-01-27 | 불소 가스의 정제 방법 |
TW106104058A TWI654139B (zh) | 2016-02-09 | 2017-02-08 | Fluorine gas purification method |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016022455 | 2016-02-09 | ||
JP2016022455 | 2016-02-09 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017141149A true JP2017141149A (ja) | 2017-08-17 |
JP6867581B2 JP6867581B2 (ja) | 2021-04-28 |
Family
ID=59628260
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017010593A Active JP6867581B2 (ja) | 2016-02-09 | 2017-01-24 | フッ素ガスの精製方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20190047858A1 (ja) |
JP (1) | JP6867581B2 (ja) |
KR (1) | KR102165773B1 (ja) |
TW (1) | TWI654139B (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114522660A (zh) * | 2022-02-11 | 2022-05-24 | 福建德尔科技有限公司 | 新型改性氟化钠专用吸附剂、制备及应用 |
WO2023157441A1 (ja) * | 2022-02-16 | 2023-08-24 | 株式会社レゾナック | エッチング方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN114852966A (zh) * | 2021-01-20 | 2022-08-05 | 欧中电子材料(重庆)有限公司 | 一种脱除氟气中hf的方法及装置 |
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Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH01261208A (ja) * | 1988-04-11 | 1989-10-18 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 三弗化窒素ガスの精製方法 |
JP3855081B2 (ja) | 2002-07-01 | 2006-12-06 | 株式会社日立国際電気 | フッ素ガスによるクリーニング機構を備えたcvd装置およびcvd装置のフッ素ガスによるクリーニング方法 |
JP4828185B2 (ja) | 2004-09-24 | 2011-11-30 | 昭和電工株式会社 | フッ素ガスの製造方法 |
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-
2017
- 2017-01-24 JP JP2017010593A patent/JP6867581B2/ja active Active
- 2017-01-27 US US16/076,552 patent/US20190047858A1/en not_active Abandoned
- 2017-01-27 KR KR1020187025979A patent/KR102165773B1/ko active IP Right Grant
- 2017-02-08 TW TW106104058A patent/TWI654139B/zh active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102165773B1 (ko) | 2020-10-14 |
US20190047858A1 (en) | 2019-02-14 |
JP6867581B2 (ja) | 2021-04-28 |
TW201731762A (zh) | 2017-09-16 |
KR20180113208A (ko) | 2018-10-15 |
TWI654139B (zh) | 2019-03-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20190709 |
|
A621 | Written request for application examination |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |