JPH01261208A - 三弗化窒素ガスの精製方法 - Google Patents
三弗化窒素ガスの精製方法Info
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- JPH01261208A JPH01261208A JP63087210A JP8721088A JPH01261208A JP H01261208 A JPH01261208 A JP H01261208A JP 63087210 A JP63087210 A JP 63087210A JP 8721088 A JP8721088 A JP 8721088A JP H01261208 A JPH01261208 A JP H01261208A
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- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B9/00—General methods of preparing halides
- C01B9/08—Fluorides
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は三弗化窒素ガスの精製方法に関する。
更に詳しくは、三弗化窒素ガス中の特に二弗化二窒素の
除去方法に関する。
除去方法に関する。
(従来技術及びその問題点)
三弗化窒素(NF 3)ガスは、半導体のドライエツチ
ング剤やCVD装置のクリーニングガスとして近年注目
されているが、これらの用途に使用される三弗化窒素ガ
スは、可及的高純度のものが要求されている。
ング剤やCVD装置のクリーニングガスとして近年注目
されているが、これらの用途に使用される三弗化窒素ガ
スは、可及的高純度のものが要求されている。
三弗化窒素(Nh)ガスは、種々の方法で製造されるが
何れの方法で得られたガスも殆どの場合、亜酸化窒素(
NZO) 、二酸化炭素(CO□)、二弗化二窒素(N
Jz)などの不純物を比較的多量に含んでいるので、上
記用途としての高純度のNF3ガスを得るためには精製
が必要である。
何れの方法で得られたガスも殆どの場合、亜酸化窒素(
NZO) 、二酸化炭素(CO□)、二弗化二窒素(N
Jz)などの不純物を比較的多量に含んでいるので、上
記用途としての高純度のNF3ガスを得るためには精製
が必要である。
NFIガス中のこれらの不純物を除去する精製方法とし
ては、ゼオライトなどの吸着剤を用いて不純物を吸着除
去する方法が、最も効率がよく簡便な方法の一つとして
よく知られている〔ケミカル・エンジニアング(Che
w、 Eng、) 84.116. (1977)等〕
。しかしながら、この吸着による精製方法では、NF3
ガス中にN、F、が存在すると次のような弊害が生じる
。すなわち、 1)NJzが存在すると、他の不純物であるCO,やN
、Oなどの吸着能力が極端に小さくなる。
ては、ゼオライトなどの吸着剤を用いて不純物を吸着除
去する方法が、最も効率がよく簡便な方法の一つとして
よく知られている〔ケミカル・エンジニアング(Che
w、 Eng、) 84.116. (1977)等〕
。しかしながら、この吸着による精製方法では、NF3
ガス中にN、F、が存在すると次のような弊害が生じる
。すなわち、 1)NJzが存在すると、他の不純物であるCO,やN
、Oなどの吸着能力が極端に小さくなる。
2)NzFzが存在すると、NFi も吸着剤に吸着さ
れ易くなり、従ってNFffガスの損失を招(。
れ易くなり、従ってNFffガスの損失を招(。
3)吸着剤に吸着し濃縮されたN2hは、分解して熱を
発し易く、著しい場合には爆発を引き起こす。
発し易く、著しい場合には爆発を引き起こす。
従って、ゼオライト等の吸着剤を使用してNF。
ガス中の不純物を吸着除去する方法を採用する場合には
、それに先立って予めNzFzを除去しておく必要があ
る。
、それに先立って予めNzFzを除去しておく必要があ
る。
NF、ガス中のNtFtの除去方法としては、Kl、
)II、%azS、 NazSzOa、Na25O)
等の水溶液とNzFzとを反応槽において反応させて除
去する方法が従来知られている(J、Massonne
+ ケミ−・インジエニュール・テヒニーク(Chem
、 Ing、 Techn、) 41. (12)、
695. (1969) ) Lかしながら、この方法
では、N、F、を完全に除去するためには比較的長時間
を要するので、従って反応槽がかなり太き(なるだけで
はなく大量の薬剤も必要とする。
)II、%azS、 NazSzOa、Na25O)
等の水溶液とNzFzとを反応槽において反応させて除
去する方法が従来知られている(J、Massonne
+ ケミ−・インジエニュール・テヒニーク(Chem
、 Ing、 Techn、) 41. (12)、
695. (1969) ) Lかしながら、この方法
では、N、F、を完全に除去するためには比較的長時間
を要するので、従って反応槽がかなり太き(なるだけで
はなく大量の薬剤も必要とする。
また、N2F2を除去する別の方法として、NJzを含
有するNF3ガスを、加熱したステンレススチール、カ
ーボンスチール、銅、アルミニュム、亜鉛、鉛、ニッケ
ル、鉄等の金属片やネットを反応容器内に充填して触媒
充填層を形成し、NF、ガスを該充填層を通気せしめて
接触させ、該金属片やネットを触媒として、その金属片
やネット表面で反応分解せしめる方法も知られている(
特公昭59−15081号公報)、シかしながら、この
方法は、我々の検討によると、金属片とNJzが反応し
て金属片のやネットの表面に金属弗化物を形成し易い。
有するNF3ガスを、加熱したステンレススチール、カ
ーボンスチール、銅、アルミニュム、亜鉛、鉛、ニッケ
ル、鉄等の金属片やネットを反応容器内に充填して触媒
充填層を形成し、NF、ガスを該充填層を通気せしめて
接触させ、該金属片やネットを触媒として、その金属片
やネット表面で反応分解せしめる方法も知られている(
特公昭59−15081号公報)、シかしながら、この
方法は、我々の検討によると、金属片とNJzが反応し
て金属片のやネットの表面に金属弗化物を形成し易い。
そして、この生成した金属弗化物は多くの場合、金属片
の表面からff1l+離して粉化し、充填層内部や精製
装置の配管等を閉塞するという問題がある。
の表面からff1l+離して粉化し、充填層内部や精製
装置の配管等を閉塞するという問題がある。
しかして、我々の検討によると、金属片にニッケルを使
用した場合は、ニッケル片はその表面に弗化物の皮膜を
形成するのみであり、該皮膜は比較的剥離し難いので、
配管の閉塞と云う上記問題は一応防止できるが、表面を
弗化物で覆われたニッケル片はもはNthと反応せず、
当然のことながら触媒としての活性は失われるので、定
期的に操作をストップして新しいニッケル片と取り替え
、触媒層を充填しなおす必要があり、極めて煩雑である
のみならず、ニッケルが高値であることと相まって相当
のコストアンプを招くという問題があ更には、N2F2
の除去効率を上げるために、該金属片の充填層の加熱温
度を上昇させると、200℃以上の温度においては主成
分であるNFffも該金属片とかなり反応して分解が起
こり、その分NF3の収率が低下するという問題もある
のである。
用した場合は、ニッケル片はその表面に弗化物の皮膜を
形成するのみであり、該皮膜は比較的剥離し難いので、
配管の閉塞と云う上記問題は一応防止できるが、表面を
弗化物で覆われたニッケル片はもはNthと反応せず、
当然のことながら触媒としての活性は失われるので、定
期的に操作をストップして新しいニッケル片と取り替え
、触媒層を充填しなおす必要があり、極めて煩雑である
のみならず、ニッケルが高値であることと相まって相当
のコストアンプを招くという問題があ更には、N2F2
の除去効率を上げるために、該金属片の充填層の加熱温
度を上昇させると、200℃以上の温度においては主成
分であるNFffも該金属片とかなり反応して分解が起
こり、その分NF3の収率が低下するという問題もある
のである。
(問題を解決する為の手段)
本発明者等はNFsガス中に含まれるN2F2の除去方
法について鋭意検討を重ねた結果、意外なことに、N2
F2を含むNF3ガスを特定の温度に加熱するのみで、
Nzhが窒素(N2)ガスと弗素(F2)ガスに効率よ
く分解するという知見を得た。また上記加熱を特定の容
器内で行なえば、200℃以上の温度に加熱しても主成
分であるNF3が分解することがないので好都合であっ
て、また、上記容器内に固体弗化物を充填しておくとさ
らに効率よ< NF3が分解し、これにより安全にし
かも経済的にNF3ガス中のNzFzを除去することが
できる知見をも併せて得た。本発明は、かかる我々が見
出した新規な知見に基づいてなされるに到ったものであ
る。
法について鋭意検討を重ねた結果、意外なことに、N2
F2を含むNF3ガスを特定の温度に加熱するのみで、
Nzhが窒素(N2)ガスと弗素(F2)ガスに効率よ
く分解するという知見を得た。また上記加熱を特定の容
器内で行なえば、200℃以上の温度に加熱しても主成
分であるNF3が分解することがないので好都合であっ
て、また、上記容器内に固体弗化物を充填しておくとさ
らに効率よ< NF3が分解し、これにより安全にし
かも経済的にNF3ガス中のNzFzを除去することが
できる知見をも併せて得た。本発明は、かかる我々が見
出した新規な知見に基づいてなされるに到ったものであ
る。
すなわち、本発明は、内壁を弗化ニッケルでコーティン
グされた容器に固体弗化物を充填し、該固体弗化物の充
填層中において、少なくとも不純物として二弗化二窒素
を含有する三弗化窒素ガスを150〜600℃の温度に
加熱することを特徴とする三弗化窒素ガスの精製方法、
である。
グされた容器に固体弗化物を充填し、該固体弗化物の充
填層中において、少なくとも不純物として二弗化二窒素
を含有する三弗化窒素ガスを150〜600℃の温度に
加熱することを特徴とする三弗化窒素ガスの精製方法、
である。
「発明の詳細な開示」
以下本発明の詳細な説明する。
本発明を実施するための容器としては、少なくとも内壁
を弗化ニッケルでコーテングされた容器が必要であり、
好ましくは、NF、ガスの入口管と出口管を備えた、内
壁を弗化ニッケルでコーティングされた容器が望ましい
。このような容器は、我々の検討によると、ニッケル類
の容器あるいは例えば鉄製などの容器の内面をニッケル
鍍金したものを、30〜200℃程度に加熱した状態で
、10分〜10時間好ましくは30分〜5時間程度F2
ガスを通気することによりあるいは、N2ガス、ヘリウ
ムガス(He)等の不活性ガスで希釈されたF2ガスを
通気することにより、ニッケルとF2ガスが反応し弗化
ニッケルの皮膜を形成するので簡単に得ることができる
。この際のニッケルとF2ガスの反応は、最初に不活性
ガスで希釈された低濃度のF2ガスで行い、ガスの濃度
を次第に高くして最終的には100%のF2ガスとする
のが好ましい。尚、上記容器の形状は特に限定はなく、
箱形、円筒形等何れの形状でもよい。
を弗化ニッケルでコーテングされた容器が必要であり、
好ましくは、NF、ガスの入口管と出口管を備えた、内
壁を弗化ニッケルでコーティングされた容器が望ましい
。このような容器は、我々の検討によると、ニッケル類
の容器あるいは例えば鉄製などの容器の内面をニッケル
鍍金したものを、30〜200℃程度に加熱した状態で
、10分〜10時間好ましくは30分〜5時間程度F2
ガスを通気することによりあるいは、N2ガス、ヘリウ
ムガス(He)等の不活性ガスで希釈されたF2ガスを
通気することにより、ニッケルとF2ガスが反応し弗化
ニッケルの皮膜を形成するので簡単に得ることができる
。この際のニッケルとF2ガスの反応は、最初に不活性
ガスで希釈された低濃度のF2ガスで行い、ガスの濃度
を次第に高くして最終的には100%のF2ガスとする
のが好ましい。尚、上記容器の形状は特に限定はなく、
箱形、円筒形等何れの形状でもよい。
次に、上記容器に充填する固体弗化物について説明する
。
。
本発明に使用する固体弗化物は600”C以上の融点で
あるものが望ましいが、融点が600’C未満のもので
あっても、NF3を加熱する温度において固体であれば
本発明の実施には何ら差支えない。また、この固体弗化
物はNhと反応しない弗化物でもある。
あるものが望ましいが、融点が600’C未満のもので
あっても、NF3を加熱する温度において固体であれば
本発明の実施には何ら差支えない。また、この固体弗化
物はNhと反応しない弗化物でもある。
この様な固体弗化物を例示すると、弗化リチウム(L、
tF) 、 弗化ナトリウム(NaF) 、弗化カリウ
ム(KF)、弗化ルビジウム(RbF) 、弗化セシウ
ム(CsF)などの周期律表IA属の金属弗化物;弗化
ベリリウム(BeFz) 、弗化マグネシウム(Mgh
)、弗化カルシウム(CaFz)、弗化ストロンチウム
(SrFz)、弗化バリウム(BaFz)などのilA
属の金属弗化物;弗化アルミニウム(Aj2Fff)、
弗化ガリウム(GaF3)、弗化インジウム(InF3
)などのlAl2の金属弗化物;弗化アルミニウムナト
リウム(NasA I Fb)の如き複塩が挙げられる
。また、これらの混合物でも差支えない。
tF) 、 弗化ナトリウム(NaF) 、弗化カリウ
ム(KF)、弗化ルビジウム(RbF) 、弗化セシウ
ム(CsF)などの周期律表IA属の金属弗化物;弗化
ベリリウム(BeFz) 、弗化マグネシウム(Mgh
)、弗化カルシウム(CaFz)、弗化ストロンチウム
(SrFz)、弗化バリウム(BaFz)などのilA
属の金属弗化物;弗化アルミニウム(Aj2Fff)、
弗化ガリウム(GaF3)、弗化インジウム(InF3
)などのlAl2の金属弗化物;弗化アルミニウムナト
リウム(NasA I Fb)の如き複塩が挙げられる
。また、これらの混合物でも差支えない。
固体弗化物の形状は粒状のものが好ましく、その大きさ
には特に限定はなく、反応器の大きさや取扱いやすさな
どによって決められる。また、固体弗化物が粉状であっ
ても、打錠機などで錠剤化することにより好適に使用可
能である。
には特に限定はなく、反応器の大きさや取扱いやすさな
どによって決められる。また、固体弗化物が粉状であっ
ても、打錠機などで錠剤化することにより好適に使用可
能である。
尚、上記固体弗化物は水分を含有していると、NF3ガ
スと接触した際にNF、と該水分が反応して一酸化窒素
(NO)を生成するので、従って固体弗化物は前もって
乾燥し水分を十分除去しておくことが望ましい。
スと接触した際にNF、と該水分が反応して一酸化窒素
(NO)を生成するので、従って固体弗化物は前もって
乾燥し水分を十分除去しておくことが望ましい。
本発明においては、前記したごとき弗化ニッケルでコー
テングされた内壁を有する容器中に上記の如き固体弗化
物を充填し、該充填物中で1#製すべきNF3ガスを加
熱し熱分解する。該加熱分解は、上記の如くして内面を
予め弗化ニッケルでコーティングした容器を準備し、固
体弗化物を充填し、これを加熱した状態としておき、8
2F2を含有するNF、ガスを該容器に通気する方法が
好ましい。
テングされた内壁を有する容器中に上記の如き固体弗化
物を充填し、該充填物中で1#製すべきNF3ガスを加
熱し熱分解する。該加熱分解は、上記の如くして内面を
予め弗化ニッケルでコーティングした容器を準備し、固
体弗化物を充填し、これを加熱した状態としておき、8
2F2を含有するNF、ガスを該容器に通気する方法が
好ましい。
該容器の加熱は、該容器の外部をヒーター等で加熱する
方法で簡単に実施することができるのである。
方法で簡単に実施することができるのである。
本発明においては、此のNzFzを含むNF3ガスの加
熱温度は、150〜600℃1好ましくは、250〜3
50℃で実施される。通気温度が150”C未満ではN
2F、を殆ど分解除去できない。逆に600″Cを越え
る温度ではN、F、はほぼ完全に除去できるものの、コ
ーティング眉が熱膨張率の差によって剥離する惧れがあ
るので不都合であり、また熱エネルギーの損失にもつな
がる。なお、上記加熱温度において、N2FZの分解速
度は非常に速いので、通気させるNF3ガスの容器内で
の滞留時間(反応器容積とガス体積速度の比)はご(短
くてかまわないが、通常5〜1000秒程度の範囲で実
施される。
熱温度は、150〜600℃1好ましくは、250〜3
50℃で実施される。通気温度が150”C未満ではN
2F、を殆ど分解除去できない。逆に600″Cを越え
る温度ではN、F、はほぼ完全に除去できるものの、コ
ーティング眉が熱膨張率の差によって剥離する惧れがあ
るので不都合であり、また熱エネルギーの損失にもつな
がる。なお、上記加熱温度において、N2FZの分解速
度は非常に速いので、通気させるNF3ガスの容器内で
の滞留時間(反応器容積とガス体積速度の比)はご(短
くてかまわないが、通常5〜1000秒程度の範囲で実
施される。
本発明においては、上記容器に通気するNhガスは、単
独で供給してもかまわないが、N2、He等の不活性ガ
ス等で希釈したものでもかまわない。
独で供給してもかまわないが、N2、He等の不活性ガ
ス等で希釈したものでもかまわない。
また、通気ガスの圧力については特に制限はないが、通
常、0〜5 kg/cmz−Gの圧力が操作し易いので
好ましい。
常、0〜5 kg/cmz−Gの圧力が操作し易いので
好ましい。
本発明においては、上記容器の内壁のコーティングは弗
化ニッケルで行うことが好ましい。ニッケル以外の金属
を弗素と反応せしめて金属弗化物皮膜コーテングを行っ
て場合は、屡々容器の内壁に形成される金属弗化物のコ
ーテング皮膜が加熱により剥離して金属面が露出し、こ
の露出した金属面内壁部がNF3と反応して別の弗化物
の皮膜を形成し、該弗化物の皮膜はまた?、ll離する
というようにNhの損失を繰返すと共に、上記剥離した
弗化物が精製装置の配管等を閉塞するという不都合も生
ずるからである。
化ニッケルで行うことが好ましい。ニッケル以外の金属
を弗素と反応せしめて金属弗化物皮膜コーテングを行っ
て場合は、屡々容器の内壁に形成される金属弗化物のコ
ーテング皮膜が加熱により剥離して金属面が露出し、こ
の露出した金属面内壁部がNF3と反応して別の弗化物
の皮膜を形成し、該弗化物の皮膜はまた?、ll離する
というようにNhの損失を繰返すと共に、上記剥離した
弗化物が精製装置の配管等を閉塞するという不都合も生
ずるからである。
(発明の効果)
本発明は以上詳細に説明した如<、NF、ガス中のN2
FZを除去する方法として、内壁をフッ化ニッケルでコ
ーチイブされた容器中に固体弗化物を充填し、該充填層
中でNF3ガスを特定の温度に加熱するという非常に簡
単な方法であるので、極めて経済的な方法である。尚、
本発明においては、上記容器中に固体弗化物が充填しで
あるので、単に空の容器中で加熱するよりも、N2F2
の除去率が更に向上するのである。
FZを除去する方法として、内壁をフッ化ニッケルでコ
ーチイブされた容器中に固体弗化物を充填し、該充填層
中でNF3ガスを特定の温度に加熱するという非常に簡
単な方法であるので、極めて経済的な方法である。尚、
本発明においては、上記容器中に固体弗化物が充填しで
あるので、単に空の容器中で加熱するよりも、N2F2
の除去率が更に向上するのである。
また後記する実施例が示す如<、NzFzの除去率が得
れているので、本発明の方法で精製したNF3ガスを従
来公知の精製方法、例えば前記ゼオライトなどの吸着剤
を使用して再度精製すれば、参考例1が示す如(、半導
体ドライエツチング剤の原料等として好適な高純度のN
F3ガスを容易に得ることができると云う、顕著な作用
効果を奏するのである。更に、本発明の方法はNFsの
損失も殆どなく高収率にてNhガスが得られ、かつ安全
な方法でもある。
れているので、本発明の方法で精製したNF3ガスを従
来公知の精製方法、例えば前記ゼオライトなどの吸着剤
を使用して再度精製すれば、参考例1が示す如(、半導
体ドライエツチング剤の原料等として好適な高純度のN
F3ガスを容易に得ることができると云う、顕著な作用
効果を奏するのである。更に、本発明の方法はNFsの
損失も殆どなく高収率にてNhガスが得られ、かつ安全
な方法でもある。
(実施例)
以下、実施例及び比較例により本発明を更に具体的に説
明する。尚、実施例、比較例及び参考例中の%及びpp
mは容量基卓を表す。
明する。尚、実施例、比較例及び参考例中の%及びpp
mは容量基卓を表す。
実施例1〜3
内径6mm、長さ300■のニッケル製容器(カラム)
を予め100℃に加熱しながら、これにN2ガスで希釈
された濃度25%のF2ガスを1時間通気し、次いでF
2ガスの濃度を50%に上昇して1時間通気し、更に1
00%のF2ガスを1時間通気して、カラムの内壁を弗
素化処理し弗化ニッケルの皮膜を形成せしめた。
を予め100℃に加熱しながら、これにN2ガスで希釈
された濃度25%のF2ガスを1時間通気し、次いでF
2ガスの濃度を50%に上昇して1時間通気し、更に1
00%のF2ガスを1時間通気して、カラムの内壁を弗
素化処理し弗化ニッケルの皮膜を形成せしめた。
しかる後このカラムに粒径が24〜32メツシユの粒状
のCaF2を充填(充填高さ250mm) L、200
℃の温度に加熱した状態でN2ガスを100cc/mi
n、の流量で1時間通気して、CaFz中の水分を除去
した。
のCaF2を充填(充填高さ250mm) L、200
℃の温度に加熱した状態でN2ガスを100cc/mi
n、の流量で1時間通気して、CaFz中の水分を除去
した。
次にこのCaF2を充填したカラムに、第1表に示す条
件でNJtを含有するNF3ガスをほぼ同容積のHeガ
スで希釈して通気した0通気後のガスは濃度1重量%の
ヨウ化カリウム(Kl)水溶液中にバブリングさせた後
、液体窒素で冷却された捕集ボンベに導きNF3を液化
させ捕集した。 NF3ガスの通気停止後は上記のN
Flの捕集ボンベ内を真空排気し第 1 表 Heガスを除去した。
件でNJtを含有するNF3ガスをほぼ同容積のHeガ
スで希釈して通気した0通気後のガスは濃度1重量%の
ヨウ化カリウム(Kl)水溶液中にバブリングさせた後
、液体窒素で冷却された捕集ボンベに導きNF3を液化
させ捕集した。 NF3ガスの通気停止後は上記のN
Flの捕集ボンベ内を真空排気し第 1 表 Heガスを除去した。
通気前のNF3ガスの組成及び通気後の捕集ボンベ内の
NF3の組成を、ガスクロマトグラフィーにより分析゛
した。その結果は第1表に示す通りN2hは高い除去率
であった。またNFffの消失も殆どなかった。
NF3の組成を、ガスクロマトグラフィーにより分析゛
した。その結果は第1表に示す通りN2hは高い除去率
であった。またNFffの消失も殆どなかった。
尚、第1表においてN2ガスの含有量が通気後の方が多
いことは、加熱によりNzhがN2とF2に分解したも
のと考えられる。
いことは、加熱によりNzhがN2とF2に分解したも
のと考えられる。
実施例4〜6
実施例1〜3で使用したものと同一の弗化ニッケルで内
壁をライニングしたカラムを用い、これに弗化カルシウ
ムの代わりに第2表に示す粒径が24〜32メツシユの
固体弗化物を実施例1〜3と同容量充填し、実施例1〜
3と同一条件で固体弗化物を乾燥して水分を除去した。
壁をライニングしたカラムを用い、これに弗化カルシウ
ムの代わりに第2表に示す粒径が24〜32メツシユの
固体弗化物を実施例1〜3と同容量充填し、実施例1〜
3と同一条件で固体弗化物を乾燥して水分を除去した。
次いでこのカラムに第2表に示す条件でNJzを含有す
るNIJガスをほぼ同容積のHeガスで希釈して通気し
た。通気後のガスは濃度1重量%のヨウ化カリウム(K
l)水溶液中にバブリングさせた後、第 2 表 液体窒素で冷却された捕集ポンへに導きNF3を液化さ
せ捕集した。Nhガスの通気停止後は上記のNFsの捕
集ポンへ内を真空排気しIleHeガス去した。
るNIJガスをほぼ同容積のHeガスで希釈して通気し
た。通気後のガスは濃度1重量%のヨウ化カリウム(K
l)水溶液中にバブリングさせた後、第 2 表 液体窒素で冷却された捕集ポンへに導きNF3を液化さ
せ捕集した。Nhガスの通気停止後は上記のNFsの捕
集ポンへ内を真空排気しIleHeガス去した。
通気前のNF3ガスの組成及び通気後の捕集ボンベ内の
NFsの組成を、ガスクロマトグラフィーにより分析し
た。その結果は第2表に示す通りNzF2は高い除去率
であった。またtlFzの消失も殆どなかった。
NFsの組成を、ガスクロマトグラフィーにより分析し
た。その結果は第2表に示す通りNzF2は高い除去率
であった。またtlFzの消失も殆どなかった。
尚、第2表においてもN2ガスの含有量が通気後の方が
多いことは、加熱によりNzFzがN2とF2に分解し
たものと考えられる。
多いことは、加熱によりNzFzがN2とF2に分解し
たものと考えられる。
比較例1〜3
第3表に示す材質の容器(カラム)(寸法は内径6II
IIl、長さ300mm )の内壁を弗素化処理するこ
となくそのまま使用し、二〇カラムに粒径が24〜32
メツシユの第3表に示す種類の金属粒子を充填(充填高
さ250111111) L、第3表に示す条件でN2
F2を含有するNFsガスを実施例1〜3と同様に、は
ぼ同容積のHeガスで希釈して通気した0通気後のガ第
3 表 スは実施例1〜3と同様に濃度1重量%のXI水溶液中
にバブリングさせた後、実施例1〜3と同様にして液体
窒素で冷却した捕集ポンベに導きNFxを液化させ捕集
した。NF、ガスの通気停止後は上記NF3の捕集ポン
へ内を真空排気しHeガスを除去した。
IIl、長さ300mm )の内壁を弗素化処理するこ
となくそのまま使用し、二〇カラムに粒径が24〜32
メツシユの第3表に示す種類の金属粒子を充填(充填高
さ250111111) L、第3表に示す条件でN2
F2を含有するNFsガスを実施例1〜3と同様に、は
ぼ同容積のHeガスで希釈して通気した0通気後のガ第
3 表 スは実施例1〜3と同様に濃度1重量%のXI水溶液中
にバブリングさせた後、実施例1〜3と同様にして液体
窒素で冷却した捕集ポンベに導きNFxを液化させ捕集
した。NF、ガスの通気停止後は上記NF3の捕集ポン
へ内を真空排気しHeガスを除去した。
通気前のNF1ガスの組成及び通気後の捕集ボンベ内の
NF、の組成を、ガスクロマトグラフィーにより分析し
た。その結果は第3表に示す通りであり、N2FZは除
去されるものの肝心のNF、の収率が悪くなって仕舞う
ことがわかる。
NF、の組成を、ガスクロマトグラフィーにより分析し
た。その結果は第3表に示す通りであり、N2FZは除
去されるものの肝心のNF、の収率が悪くなって仕舞う
ことがわかる。
参考例1
内径10mm、長さ300mmのステンレス製のカラム
に、市販のゼオライト(細孔径5人)(24〜48メツ
シユの粒状品)を充填(充填層250mm) シた後、
このゼオライト層に実施例3で得たN2F2を除去した
NF、ガスを二1気した。通気条件としては温度は常温
(約20’c ) 、NF3ガスのin ■20 N
ml / m i n 、 、通気圧カフ60Torr
であった。
に、市販のゼオライト(細孔径5人)(24〜48メツ
シユの粒状品)を充填(充填層250mm) シた後、
このゼオライト層に実施例3で得たN2F2を除去した
NF、ガスを二1気した。通気条件としては温度は常温
(約20’c ) 、NF3ガスのin ■20 N
ml / m i n 、 、通気圧カフ60Torr
であった。
通気後のNF、ガスの組成をガスクロクロマトグラフイ
ーにより分析した。その結果は不純物の含有量はNzF
、zlOpP”以下、N2010ppm以下、COz
10ppm以下とUhNであり、本発明の方法により予
めN、F2を除去したNF3ガスを従来公知の吸着側で
精製すれば、N20やCO□等N2Fz以外の不純物が
極めて高い除去率で除去された高純度のNF3が得られ
ることが理解されるのである。
ーにより分析した。その結果は不純物の含有量はNzF
、zlOpP”以下、N2010ppm以下、COz
10ppm以下とUhNであり、本発明の方法により予
めN、F2を除去したNF3ガスを従来公知の吸着側で
精製すれば、N20やCO□等N2Fz以外の不純物が
極めて高い除去率で除去された高純度のNF3が得られ
ることが理解されるのである。
特許出願人 三井東圧化学株式会社
Claims (1)
- (1)内壁を弗化ニッケルでコーティングされた容器に
固体弗化物を充填し、該固体弗化物の充填層中において
、少なくとも不純物として二弗化二窒素を含有する三弗
化窒素ガスを150〜600℃の温度に加熱することを
特徴とする三弗化窒素ガスの精製方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63087210A JPH01261208A (ja) | 1988-04-11 | 1988-04-11 | 三弗化窒素ガスの精製方法 |
DE68916041T DE68916041T2 (de) | 1988-04-11 | 1989-10-09 | Verfahren zur reinigung von gasförmigem stickstofftrifluorid. |
EP89911093A EP0543009B1 (en) | 1988-04-11 | 1989-10-09 | Process for purifying nitrogen trifluoride gas |
PCT/JP1989/001038 WO1991004942A1 (en) | 1988-04-11 | 1989-10-09 | Process for purifying nitrogen trifluoride gas |
US07/689,941 US5183647A (en) | 1988-04-11 | 1989-10-09 | Method for purifying nitrogen trifluoride gas |
KR1019910700574A KR940007091B1 (ko) | 1988-04-11 | 1989-10-09 | 삼불화 질소가스의 정제방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63087210A JPH01261208A (ja) | 1988-04-11 | 1988-04-11 | 三弗化窒素ガスの精製方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01261208A true JPH01261208A (ja) | 1989-10-18 |
JPH0471843B2 JPH0471843B2 (ja) | 1992-11-16 |
Family
ID=13908580
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63087210A Granted JPH01261208A (ja) | 1988-04-11 | 1988-04-11 | 三弗化窒素ガスの精製方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5183647A (ja) |
EP (1) | EP0543009B1 (ja) |
JP (1) | JPH01261208A (ja) |
KR (1) | KR940007091B1 (ja) |
DE (1) | DE68916041T2 (ja) |
WO (1) | WO1991004942A1 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1991004942A1 (en) * | 1988-04-11 | 1991-04-18 | Mitsui Toatsu Chemicals, Incorporated | Process for purifying nitrogen trifluoride gas |
JP2006521279A (ja) * | 2003-03-25 | 2006-09-21 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 三フッ化窒素中の二フッ化二窒素および四フッ化二窒素濃度を低減する熱的方法 |
CN110639233A (zh) * | 2019-08-20 | 2020-01-03 | 中船重工(邯郸)派瑞特种气体有限公司 | 一种去除三氟化氮中二氟二氮、四氟二氮的方法 |
CN110639470A (zh) * | 2019-08-20 | 2020-01-03 | 中船重工(邯郸)派瑞特种气体有限公司 | 一种去除三氟化氮中二氟二氮、四氟二氮的吸附剂 |
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---|---|---|---|---|
TW369434B (en) * | 1994-02-03 | 1999-09-11 | Mitsui Chemicals Inc | Exhaust gas treating agent and a method of treating exhaust gas using the agent |
RU95106478A (ru) * | 1994-04-29 | 1997-01-20 | Моторола | Устройство и способ для разложения химических соединений |
JP3986597B2 (ja) * | 1996-10-15 | 2007-10-03 | 関東電化工業株式会社 | 三フッ化窒素含有ガスの処理方法及びそのための処理剤 |
US5910294A (en) * | 1997-11-17 | 1999-06-08 | Air Products And Chemicals, Inc. | Abatement of NF3 with metal oxalates |
US6067999A (en) * | 1998-04-23 | 2000-05-30 | International Business Machines Corporation | Method for deposition tool cleaning |
AU5732800A (en) * | 1999-06-11 | 2001-01-02 | Uhp Materials, Inc. | Purification of gaseous inorganic halide |
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KR100481795B1 (ko) * | 2002-07-31 | 2005-04-11 | 주식회사 소디프신소재 | 고 순도의 삼불화 질소 가스 제조 방법 |
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