JPH02281786A - フッ素系エキシマーレーザーガスの精製法ならびにその装置 - Google Patents
フッ素系エキシマーレーザーガスの精製法ならびにその装置Info
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- JPH02281786A JPH02281786A JP10408289A JP10408289A JPH02281786A JP H02281786 A JPH02281786 A JP H02281786A JP 10408289 A JP10408289 A JP 10408289A JP 10408289 A JP10408289 A JP 10408289A JP H02281786 A JPH02281786 A JP H02281786A
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Landscapes
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はフッ素系エキシマ−レーザー装置において、レ
ーザー出力の低下を抑制すべくレーザーガスを精製し循
環するための方法ならびにその装置に関し、詳しくはエ
キシマ−レーザー装置の稼動時に発生し、レーザー出力
の低下に著しい影響を及ぼす不純旺ガスを除去し、一方
主成分ガスであるF2ガス、希ガスを環流せしめる極め
て効率的な精製法ならびにそのための装置に関する。
ーザー出力の低下を抑制すべくレーザーガスを精製し循
環するための方法ならびにその装置に関し、詳しくはエ
キシマ−レーザー装置の稼動時に発生し、レーザー出力
の低下に著しい影響を及ぼす不純旺ガスを除去し、一方
主成分ガスであるF2ガス、希ガスを環流せしめる極め
て効率的な精製法ならびにそのための装置に関する。
従来特開昭62−74430号、特開昭62−2798
24号においてエキシマ−レーザーガスを固体アルカリ
化合物、ゼオライトと順次接触させ、あるいは前記固体
アルカリ化合物に先立ち反応性金属と接触させることに
よりガス中の不純物を除去精製し循環使用することを開
示している。これら開示例では主成分ガスであるF2ガ
スも除去されるため新たにF2ガスを導入しなければな
らないという問題がある。
24号においてエキシマ−レーザーガスを固体アルカリ
化合物、ゼオライトと順次接触させ、あるいは前記固体
アルカリ化合物に先立ち反応性金属と接触させることに
よりガス中の不純物を除去精製し循環使用することを開
示している。これら開示例では主成分ガスであるF2ガ
スも除去されるため新たにF2ガスを導入しなければな
らないという問題がある。
前記先行技術発明には、レーザーガスを固体アルカリま
たは反応性金属に接触させる前に液化窒素、液化酸素等
の冷媒により冷却して高沸点の希ガスや不純旺ガス等を
凝縮分離後、前記した処理精製をし、他方低沸点のF2
や希釈N e %Heガスをそのまま環流させることも
開示している。
たは反応性金属に接触させる前に液化窒素、液化酸素等
の冷媒により冷却して高沸点の希ガスや不純旺ガス等を
凝縮分離後、前記した処理精製をし、他方低沸点のF2
や希釈N e %Heガスをそのまま環流させることも
開示している。
しかし精製工程がきわめて複雑となり高度の技術力を必
要とし、またレーザーガスの冷却には極めて低い温度に
制御しなければならない等、経済面、技術面からみて容
易ではない。
要とし、またレーザーガスの冷却には極めて低い温度に
制御しなければならない等、経済面、技術面からみて容
易ではない。
本発明は前述した諸問題に鑑みて鋭意検討の結果完成に
達したもので、経済性に優れ、技術的にも容易で産業利
用上極めて有効なフッ素系エキシマ−レーザーガスの精
製法ならびにその装置を提供するものである。
達したもので、経済性に優れ、技術的にも容易で産業利
用上極めて有効なフッ素系エキシマ−レーザーガスの精
製法ならびにその装置を提供するものである。
本発明はフッ素エキシマ−レーザーガスの精製法に関し
、不純成分を含んだフッ素系エキシマ−レーザーガスを
、常温以下に維持した多孔質の金属フッ化物に接触させ
るようにしたこと、好適には前記金属フッ化物がアルカ
リ金属類のフッ化物であること、さらに金属フッ化物を
、−70℃以下の温度に維持せしめること、および該精
製法を実施する装置に関し、エキシマ−レーザー装置に
レーザーガス排管、金属フッ化物の充填カラム、さらに
精製レーザーガス導管を順次配設し、該精製レーザーガ
ス導管をエキシマ−レーザー装置に接続してなること、
好ましくはエキシマ−レーザー装置が、その内壁におけ
る電気絶縁部表面にアルカリ土類金属フッ化物を被覆し
たものであることからなる。
、不純成分を含んだフッ素系エキシマ−レーザーガスを
、常温以下に維持した多孔質の金属フッ化物に接触させ
るようにしたこと、好適には前記金属フッ化物がアルカ
リ金属類のフッ化物であること、さらに金属フッ化物を
、−70℃以下の温度に維持せしめること、および該精
製法を実施する装置に関し、エキシマ−レーザー装置に
レーザーガス排管、金属フッ化物の充填カラム、さらに
精製レーザーガス導管を順次配設し、該精製レーザーガ
ス導管をエキシマ−レーザー装置に接続してなること、
好ましくはエキシマ−レーザー装置が、その内壁におけ
る電気絶縁部表面にアルカリ土類金属フッ化物を被覆し
たものであることからなる。
本発明においてフッ素系エキシマ−レーザー装置とはF
2ガスとKr、 Xe等を反応ガスとし、He −。
2ガスとKr、 Xe等を反応ガスとし、He −。
Ne等を希釈ガスとして用いるものであり、その駆動に
際しての大きな問題点は時間経過とともに不純物、特に
HFが発生、蓄積し、それによりレーザー出力が低下す
ることである。■は主に水分とF2ガスとの反応、水素
とF2ガスとの反応により生ずるもので、水分源として
は装置材料内表面に付着残留している水分、水素源とし
ては絶縁材としての有機フッ化物材料中に含まれる水素
がある。
際しての大きな問題点は時間経過とともに不純物、特に
HFが発生、蓄積し、それによりレーザー出力が低下す
ることである。■は主に水分とF2ガスとの反応、水素
とF2ガスとの反応により生ずるもので、水分源として
は装置材料内表面に付着残留している水分、水素源とし
ては絶縁材としての有機フッ化物材料中に含まれる水素
がある。
例えばKrF系レーザーで100Hz、 24KVの条
件下で1時間稼働すると約11000ppのIIFの発
生(増加)が認められ、以降稼働時間の増加とともに比
例的に増加することを確認している。
件下で1時間稼働すると約11000ppのIIFの発
生(増加)が認められ、以降稼働時間の増加とともに比
例的に増加することを確認している。
多孔質の金属フッ化物とは吸着剤として公知のNaF、
、LiF、 KF、 CaFt、MgF2等の多孔質塊
状体、粉粒体をいい、特にNaF % LiF 1にF
等のアルカリ金属フッ化物においてHFの吸着に効果的
であり、例えばNaF−xHFの反応固相を形成する。
、LiF、 KF、 CaFt、MgF2等の多孔質塊
状体、粉粒体をいい、特にNaF % LiF 1にF
等のアルカリ金属フッ化物においてHFの吸着に効果的
であり、例えばNaF−xHFの反応固相を形成する。
これらは室温またはそれ以下に維持することにより)I
Fの捕捉吸着を容易にし、−万F2は吸着されない。
Fの捕捉吸着を容易にし、−万F2は吸着されない。
lなお、飽和吸着後は金属フッ化物を数百℃で熱処理す
れば、脱着再生できる。
れば、脱着再生できる。
本発明を実施するための装置について添付の図面に基づ
き説明すれば、第1図中lはF2ガスとKr、、Xe等
の反応ガス、lle、 Ne等の希釈ガスよりなるレー
ザーガスを充填し、放電励起等の手段により紫外レーザ
ーを発生するエキシマ−レーザー装置である。2は装置
l内の放電用電極3に電気を導く導線であり、第2図の
部分拡大部に示すように絶縁材1aとして有機フッ化物
を使用するが、後述するようにその内表面1bには金属
フッ化物を被覆しておくのが好ましい。
き説明すれば、第1図中lはF2ガスとKr、、Xe等
の反応ガス、lle、 Ne等の希釈ガスよりなるレー
ザーガスを充填し、放電励起等の手段により紫外レーザ
ーを発生するエキシマ−レーザー装置である。2は装置
l内の放電用電極3に電気を導く導線であり、第2図の
部分拡大部に示すように絶縁材1aとして有機フッ化物
を使用するが、後述するようにその内表面1bには金属
フッ化物を被覆しておくのが好ましい。
前記レーザーガスは導管4を通じ金属フッ化物を充填し
たカラム5に導く。カラム5は例えばNapXLtF等
を充填した本体5aと、該本体5aの周囲を覆い、ドラ
イアイス等の安価かつ入手容易な冷却剤を収容する外套
部5bとからなり、冷却剤は金属フッ化物を室温以下の
i!iA例えば70℃以下に維持することにより前記1
1P等の不純物を効率的に除去することができる。
たカラム5に導く。カラム5は例えばNapXLtF等
を充填した本体5aと、該本体5aの周囲を覆い、ドラ
イアイス等の安価かつ入手容易な冷却剤を収容する外套
部5bとからなり、冷却剤は金属フッ化物を室温以下の
i!iA例えば70℃以下に維持することにより前記1
1P等の不純物を効率的に除去することができる。
さらにレーザーガスを導管6を経てフィルター7に導(
。該フィルター7によりAI、 Niなどあるいはこれ
らのフッ化物等の滴状または固形不純物を除去し、導管
8を接続してエキシマ−レーザー装置1に環流せしめる
。このような循環システムを採用することにより従来単
にエキシマ−レーザー装置lを稼働させた場合、時間と
ともに著しくレーザー出力が低下するのに対し、これを
大巾に改善することができる。
。該フィルター7によりAI、 Niなどあるいはこれ
らのフッ化物等の滴状または固形不純物を除去し、導管
8を接続してエキシマ−レーザー装置1に環流せしめる
。このような循環システムを採用することにより従来単
にエキシマ−レーザー装置lを稼働させた場合、時間と
ともに著しくレーザー出力が低下するのに対し、これを
大巾に改善することができる。
全ガス圧2600 torrで、Fz O,2χ、Kr
4.8χ、He95χを充填したエキシマ−レーザー装
置を、印加圧力24KV、発振周波数100Hzでレー
ザー発振し、循環システムを採用することなくそのまま
稼働しレーザー出力の経時変化を測定した。結果は第3
図Aのグラフ(横軸は時間、縦軸は初期出力を1とした
レーザー出力をあられす)に示すとおり4時間経過後は
初期出力の50χと著しく低下した。
4.8χ、He95χを充填したエキシマ−レーザー装
置を、印加圧力24KV、発振周波数100Hzでレー
ザー発振し、循環システムを採用することなくそのまま
稼働しレーザー出力の経時変化を測定した。結果は第3
図Aのグラフ(横軸は時間、縦軸は初期出力を1とした
レーザー出力をあられす)に示すとおり4時間経過後は
初期出力の50χと著しく低下した。
なお、レーザーガスを分析した結果不純成分は主にHF
およびCF4 であった。
およびCF4 であった。
(実施例1)
レーザー発振条件は比較例1と同様とし、第1図に示す
ようなレーザーガス循環システムを採用した。すなわち
カラム本体5aにはNaF+LiF(モル比l対1 ’
) 、800gを充填し、ただし冷却剤を使用すること
なくカラム5を常温とし、さらに0.2μm径以上の粉
塵を除去するフィルター7を用いたガス精製系を配置し
てレーザーガスを循環させつつエキシマ−レーザー装置
を稼動させたところ、4時間経過後のレーザー出力は第
3図Bに示すように初期の85χ程度となり、比較例に
比べ出力低下を大巾に抑制できた。
ようなレーザーガス循環システムを採用した。すなわち
カラム本体5aにはNaF+LiF(モル比l対1 ’
) 、800gを充填し、ただし冷却剤を使用すること
なくカラム5を常温とし、さらに0.2μm径以上の粉
塵を除去するフィルター7を用いたガス精製系を配置し
てレーザーガスを循環させつつエキシマ−レーザー装置
を稼動させたところ、4時間経過後のレーザー出力は第
3図Bに示すように初期の85χ程度となり、比較例に
比べ出力低下を大巾に抑制できた。
なお主な不純ガスはCF、および小量のIFである。
〔実施例2〕
実施例1と同様の条件でエキシマ−レーザー装置を稼働
し、かつ同様の循環システムを採用し、ただしカラム5
の外套部5aにはドライアイスおよびエタノールを充填
してNaF+LiF混合フッ化物を一80℃の温度にな
るようにコントロールした。
し、かつ同様の循環システムを採用し、ただしカラム5
の外套部5aにはドライアイスおよびエタノールを充填
してNaF+LiF混合フッ化物を一80℃の温度にな
るようにコントロールした。
エキシマ−レーザー装置4時間稼働後のレーザー出力は
第3図Cに示すように初期の90χを超え、きわめて有
効であることが明らかとなった。
第3図Cに示すように初期の90χを超え、きわめて有
効であることが明らかとなった。
なお、レーザーガス中の不純物は主にCF4であった。
〔実施例3〕
本出願人は特願平1−9169号において、エキシマ−
レーザー装置の電気絶縁部内表面に金属フッ化物、好適
にはCaF、またはMgF、を被覆することにより、不
純CF、ガスの発生を抑制できることを提唱している。
レーザー装置の電気絶縁部内表面に金属フッ化物、好適
にはCaF、またはMgF、を被覆することにより、不
純CF、ガスの発生を抑制できることを提唱している。
当該エキシマ−レーザー装置を用い、実施例2と全く同
様に操作したところ、エキシマ−レーザーガス装置4時
間稼働後のレーザー出力は第3図りに示すように初期の
98%以上であり、長期に亘りレーザー発振が可能であ
ることが明らかとなった。
様に操作したところ、エキシマ−レーザーガス装置4時
間稼働後のレーザー出力は第3図りに示すように初期の
98%以上であり、長期に亘りレーザー発振が可能であ
ることが明らかとなった。
本発明によれば、フッ素系エキシマ−レーザーガス中の
不純物を簡単な装置で容易かつ経済的に除去精製でき、
レーザー出力の低下を抑制できるという効果を奏する。
不純物を簡単な装置で容易かつ経済的に除去精製でき、
レーザー出力の低下を抑制できるという効果を奏する。
第1図は本発明にかかる精製システムの図、第2図は放
電用電極部分の拡大図、第3図AないしDはレーザー出
力の経時変化を示した比較例ならびに実施例のグラフで
ある。 1−m−エキシマーレーザー装置 5−一一金属フソ化物充填力ラム
電用電極部分の拡大図、第3図AないしDはレーザー出
力の経時変化を示した比較例ならびに実施例のグラフで
ある。 1−m−エキシマーレーザー装置 5−一一金属フソ化物充填力ラム
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)不純成分を含んだフッ素系エキシマーレーザーガス
を、常温以下に維持した多孔質の金属フッ化物に接触さ
せるようにしたことを特徴とするフッ素系エキシマーレ
ーザーガスの精製法。 2)金属フッ化物がアルカリ金属類のフッ化物であるこ
とを特徴とする請求項1記載のフッ素系エキシマーレー
ザーガスの精製法。 3)金属フッ化物を、−70℃以下の温度に維持せしめ
ることを特徴とする請求項1または2記載のフッ素系エ
キシマーレーザーガスの精製法。 4)エキシマーレーザー装置にレーザーガス排管、金属
フッ化物の充填カラム、さらに精製レーザーガス導管を
順次配設し、該精製レーザーガス導管をエキシマーレー
ザー装置に接続してなることを特徴とするフッ素系エキ
シマーレーザーガスの精製装置。 5)エキシマーレーザー装置が、その内壁における電気
絶縁部表面にアルカリ土類金属フッ化物を被覆したもの
であることを特徴とする請求項4記載のエキシマーレー
ザーガスの精製装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10408289A JPH02281786A (ja) | 1989-04-24 | 1989-04-24 | フッ素系エキシマーレーザーガスの精製法ならびにその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10408289A JPH02281786A (ja) | 1989-04-24 | 1989-04-24 | フッ素系エキシマーレーザーガスの精製法ならびにその装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02281786A true JPH02281786A (ja) | 1990-11-19 |
Family
ID=14371220
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10408289A Pending JPH02281786A (ja) | 1989-04-24 | 1989-04-24 | フッ素系エキシマーレーザーガスの精製法ならびにその装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02281786A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04287986A (ja) * | 1991-01-08 | 1992-10-13 | Nec Corp | エキシマレーザ |
CN106374326A (zh) * | 2015-07-24 | 2017-02-01 | 光械股份有限公司 | 准分子气体净化 |
-
1989
- 1989-04-24 JP JP10408289A patent/JPH02281786A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04287986A (ja) * | 1991-01-08 | 1992-10-13 | Nec Corp | エキシマレーザ |
CN106374326A (zh) * | 2015-07-24 | 2017-02-01 | 光械股份有限公司 | 准分子气体净化 |
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