JP5258739B2 - ハロゲン含有ガスの処理装置 - Google Patents
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Description
実施の形態1.
図1は、実施の形態1を示すブロック図であり、半導体プロセス(エッチング工程)における構成を示している。図において、1はハロゲン含有ガスの排出源である半導体プロセス装置、2はハロゲン含有ガス供給手段(システムポンプ)であり、システムポンプ2はターボ分子ポンプ21とドライポンプ22で構成される。5はパージガス供給手段(パージガス供給設備)、3はハロゲン含有ガス処理装置、31は洗浄手段(ウェットスクラバ)、32はガス濃縮手段(ガス濃縮器)であり、ガス濃縮器32はガス分離膜321、除酸部324、除湿部325を備えている。322はハロゲン成分が濃縮された濃縮ハロゲン成分リッチガス、323はパージガス成分がリッチな非ハロゲン成分リッチガスである。33は放電部、34は放電部33に高電圧を印加する高周波電源、35は付加ガス供給手段(付加ガス供給器)、4は酸排気設備である。図中、実線がガスの流れを示し、二点鎖線が高圧線を示す。
CF4+e→C+4F+e −−−−−(1)
上記(1)式においてeは電子を表す。
半導体・液晶製造プロセスに使用されるハロゲン含有ガスには、ふっ素化合物ガスとして、CF4、C2F6、C3F8、C4F8、CHF3、NF3、SF6などがある。以下これらを総称してPFCガスとする。
図1において、放電部33にPFC含有ガスとともに付加ガス供給器35から添加するガスは、水蒸気の他に、水素、酸素、オゾン、メタン、エタン、プロパン、アンモニアまたはこれらの混合物とする。
半導体・液晶プロセスでは、図1に示したシステムポンプ2のパージガスは窒素ガスであることが多いため、本発明の装置において処理するPFCガスは窒素で希釈されているのが好ましい。しかし、窒素の他に空気や酸素で希釈されていても同様にパージガスごと直接処理することができる。
図7は、実施の形態5を示すブロック図であり、非ハロゲン成分リッチガス323をシステムポンプ2のパージガスとして再利用するパージガス供給システムを示している。図において、図1と同一符号は同一部分または相当部分を示す。326はマスフローメータなどの流量計、327は水分ドレイン、36は演算ユニット、37はマスフローコントローラなどの流量調節手段であり、実線はガスの流れ、一点鎖線は信号線、二点鎖線は高圧線を示す。
図8は、実施の形態6を示すブロック図であり、図において、図1と同一符号は同一部分または相当部分を示す。本実施の形態は、非ハロゲン成分リッチガス323をシステムポンプ2のパージガスおよび放電部33で生成した排出ガスのパージガスとして再利用するパージガス供給システムである。
排気ガスパージ成分329への水分量は問われないため、図9では水ドレインから排出すべき水分をすべて排気ガスパージ成分329とともに排出することができる。
図2において、接地側電極331または高電圧側電極332、接地側電極331と高電圧側電極332両方の素材にステンレス鋼の他、アルミニウム合金、チタン合金、インコネル、あるいはハステロイを用いてもよい。
図2において、放電部33に設置する誘電体332Aには、Al2O3、TiO2、ZrO2、MgO、La2O3、CaO、SiO2、ふっ素系樹脂、アクリル系樹脂を含有するものを用いることができる。電気絶縁性、耐食性に優れ、tanδが小さく発熱が少ないものを選択するのが良い。
図2において、放電部33に設置するスペーサ334には、ステンレス鋼、アルミニウム合金、チタン合金、インコネル、ハステロイ、セラミクス、ふっ素系樹脂、耐熱性プラスチックから形成された素材を使用する。
図2において、放電部33内の電極が、プラズマ処理したガスと接する接ガス部は、Al2O3、TiO2、ZrO2、MgO、La2O3、CaO、ふっ素系樹脂、耐熱性プラスチックのいずれかの被覆材により被覆する。
図2において、電極331,332およびスペーサ334をアルミニウム合金またはチタン合金で形成した場合、その表層をふっ化処理する。ふっ化処理により、表層に形成される膜厚数十μm程度の緻密なふっ化物層により腐食環境下における耐食性を有することになる。さらに、ふっ化処理した後に、その上から実施の形態10で示した被覆材で被覆することによって、より一層よい耐食性が得られる。
図10は、実施の形態12を示す断面図であり、図2と同一符号は同一部分または相当部分を示す。本実施の形態は、放電空間333の数が2個の場合を示している。放電空間333の数が2個(接地側電極331のみ冷却)の場合、接地側電極331の数は2個となる。接地側電極331が放電部33のケース338の一部を兼ねるようにすることにより放電部33の構造が簡単となり、かつ構成部材を少なくできるので、コンパクトな処理装置を形成することができるとともに、メンテナンスの容易さ、イニシャルコストの低減を実現することができる。
図2、図10に示した放電部33内では、Al2O3等のセラミクスなど、割れる可能性のある部材を用いる場合がある。セラミクスは急激な温度昇降や熱応力、機械的なストレスを受けると破損する。そのため、放電空間での温度上昇や外的な衝撃が与えられた場合にそれを吸収する働きをする部材が必要となる。
図2、図10のような放電空間333の温度上昇およびハロゲン含有ガスの露点の上昇を抑制するために、放電部33のケース338が冷却できる構造としておくことによって、放電空隙長が大きくなり、放電空間の温度が上昇するよう場合でも、安定動作を実現することができる。
図12は、実施の形態15を示すブロック図であり、図1と同一符号は同一部分または相当部分を示す。本実施の形態は、放電部を複数段設けた場合を示している。図12(a)は、複数の放電部33A,33B,・・・33Nを処理ガスの流れに対して直列に設置し接続した場合であり、より高濃度かつ難分解性ガスを処理する場合に効果がある。特に、このように直列に放電部を接続する場合は、1段目の放電部33Aで処理できなかったガスや1段目の放電により新たに生成したガス状放電生成物をN段(N=2、3、・・・)目の放電部で処理することが可能となる。
図13は、実施の形態16を示すブロック図であり、図1と同一符号は同一部分または相当部分を示す。同図に示したように、放電部33の前段にハロゲンのガス種検知手段9を備え、その検知信号を電流または電圧信号に変換し、電流または電圧信号を演算ユニット12を介して電動バルブ10および高周波電源34に送信する。あらかじめ演算ユニット12に処理すべきガス種を記憶させておき、記憶させたガス種を含むガスが通過したときのみ、放電部33に電力を印加できるようにする。図中、実線はガスの流れ、一点破線は信号線、二点鎖線は高圧線を示す。
図14は、実施の形態17を示すブロック図であり、図1と同一符号は同一部分または相当部分を示す。同図に示したように、放電部33前段にガス流量検知器13を備え、検知した検知信号を電流または電圧信号に変換し、その変換された信号を演算ユニット12を介して高周波電源34に送信する。図中、実線はガスの流れ、一点破線は信号線、二点破線は高圧線を示す。
図15は、実施の形態18を示すブロック図であり、図1と同一符号は同一部分または相当部分を示す。同図に示したように、放電部33の前段にガス濃度検知器14を備え、検知した濃度信号を電流または電圧に変換し、その変換された信号を演算ユニット12を介して付加ガス供給器35に送信する。図中、実線はガスの流れ、一点鎖線は信号線、二点鎖線は高圧線を示す。
図1に示したウェットスクラバ(水スクラバ)31により、ハロゲン含有ガスを洗浄した場合、洗浄後のガスに含まれる水分量は極めて多く、また、完全に飽和している場合がある。水分が飽和したまま放電部へハロゲン含有ガスを導入すると、過多な水分量により、安定な放電状態が得られず、定常な処理効率を維持できなくなることがあり、また、放電部の故障を発生する可能性があるが、放電部に流入する前にハロゲン含有ガス中の水分を適正に除去する水分除去手段を設けることによって、安定な放電状態が得られ、定常な処理効率を維持できるようになる。
実施の形態19で示したように、プラズマ処理の前処理としてハロゲン含有ガスをウェットスクラバ31で洗浄すると、過多な水分が放電部へ導入される可能性がある。
図17は、実施の形態21を示す断面図であり、実施の形態20と同様に、ガスの洗浄手段と適切な水分の供給手段を、ウェットスクラバ31が兼ねるようにしたものである。本実施の形態は、実施の形態19とは異なり、ハロゲン含有ガスをスクラバタワー313下部より導入するのではなく、ガス道入口311からスクラバタンク312のスクラバ水中にバブリングし、バブリング後のハロゲン含有ガスをスプレー314で洗浄する。
図8で示したように、放電空隙長を1.0mm以下とした大気圧またはその近傍圧力下で高効率動作する放電部33、スクラバなどのガス洗浄手段31、ガス分離膜などのガス濃縮器32、ガス濃縮器32で生成された非ハロゲン成分ガスをシステムポンプ2のパージガスおよび放電後(除害後)ガスのパージガスとして再利用するリサイクル設備および付加ガス制御設備を備えたハロゲン含有ガス処理システムを構築する。
図18は、実施の形態23を示すブロック図であり、酸排気設備を持たない工場で使用する場合に有効な処理システムである。図において31は酸や不純物を除去するためのウエットスクラバ等の洗浄手段、350はフィルタ、351はコンプレッサ、325は除湿装置、321はポリイミドメンブランなどのガス分離膜を用いたガス分離設備、36は放電によるハロゲン系ガスのガス分解器を示し、各矢印はガスの流れを示す。
3 ハロゲン含有ガス処理装置、4 酸排気設備、4A 後処理設備、
5 パージガス供給設備、6 給電体、7 弾性体、8 給電板、9 ガス種検知手段、10 電導バルブ、11 バイパス配管、12,36 演算ユニット、
13 ガス流量検知器、20 ポンプ、21 ターボ分子ポンプ、22 ドライポンプ、
31 洗浄手段(ウエットスクラバ)、32 ガス濃縮器、32A 妨害物質除去器、
33,33A,33B,33N 放電部、34 高周波電源、35 付加ガス供給器、
37 流量調節バルブ、38 ガス分解器、310 循環ポンプ、311 ガス導入口、
312 スクラバタンク、313 スクラバタワー、314 スプレー、
315 ガス排出口、316 給水(または排水)ポート、
317 排水(または給水)ポート、318 投げ込みクーラ、319 熱電対、
320 水分濃縮部、321 ガス分離膜、322 濃縮ハロゲン成分リッチガス、
323 非ハロゲン成分リッチガス、324 除酸部、325 除湿部、
326 流量計、327 水分ドレイン、328 ポンプパージ成分、
329 排気パージ成分、330 給電部材、331 接地側電極、
332 高電圧側電極、333 放電空間、334 スペーサ、335 冷却水路、
336 ガス導入口、337 ガス排出口、338 放電部ケース、339 高圧端子、
350 フィルタ、351 コンプレッサ、352 排気ガス循環手段。
Claims (9)
- ハロゲン系ガスを含有するハロゲン含有ガスを供給するハロゲン含有ガス供給手段から供給されるガス流に対して順次直列に接続された、ハロゲン含有ガスを分解したときに生成される副生成物を除去するための洗浄手段、上記ハロゲン含有ガスからハロゲン系ガス以外のガスを分離し、上記ハロゲン系ガスを濃縮するためのガス分離設備、上記ハロゲン系ガスが濃縮されたガスを分解するガス分解器、および上記ガス分解器で処理され、排出された処理ガスを上記洗浄手段に戻す排気ガス循環手段を備えたことを特徴とするハロゲン含有ガスの処理装置。
- 上記ハロゲン含有ガスが、空気、窒素、酸素、二酸化炭素、ヘリウム、アルゴン、ネオンまたはキセノンからなる希釈用ガス、若しくはこの希釈用ガスの混合物のいずれかによって希釈されていることを特徴とする請求項1に記載のハロゲン含有ガスの処理装置。
- 上記ハロゲン含有ガス中のハロゲン系ガス濃度を1vol%以上に濃縮するガス分離設備を備えたことを特徴とする請求項1に記載のハロゲン含有ガスの処理装置。
- 上記ガス分解器は、上記ハロゲン含有ガスに、ハロゲン系ガス濃度に応じた濃度の水蒸気、水素、酸素、オゾン、メタン、エタン、プロパンまたはアンモニアのいずれかの付加ガスを添加する付加ガス供給手段を備えたことを特徴とする請求項1に記載のハロゲン含有ガスの処理装置。
- 少なくともいずれか一方の表面に誘電体が設けられ、この誘電体を介して対向配置された接地側電極と高電圧側電極とを有する1個以上の放電部および上記電極を冷却する冷却手段を備え、この放電部に高電圧を印加し、放電を発生させて、上記ハロゲン含有ガス供給手段により上記2個の電極間に供給されたハロゲン系ガスを含有するハロゲン含有ガスを分解する上記ガス分解器において、上記2個の電極間の放電空間におけるガス圧力が大気圧であり、上記電極のいずれか一方だけが冷却されており、上記放電空間の放電空隙長を1.0mm以下としたことを特徴とする請求項1に記載のハロゲン含有ガスの処理装置。
- 少なくともいずれか一方の表面に誘電体が設けられ、この誘電体を介して対向配置された接地側電極と高電圧側電極とを有する1個以上の放電部および上記電極を冷却する冷却手段を備え、この放電部に高電圧を印加し、放電を発生させて、上記ハロゲン含有ガス供給手段により上記2個の電極間に供給されたハロゲン系ガスを含有するハロゲン含有ガスを分解する上記ガス分解器において、上記2個の電極間の放電空間におけるガス圧力が大気圧であり、上記電極の両方が冷却されており、上記放電空間の放電空隙長を4.0mm未満としたことを特徴とする請求項1に記載のハロゲン含有ガスの処理装置。
- 複数個の上記放電部を、上記ハロゲン含有ガスの流れに対して直列に接続し、上記複数の放電部の中の必要とする任意の個数を駆動するようにしたことを特徴とする請求項5または請求項6に記載のハロゲン含有ガスの処理装置。
- 直列に接続した上記放電部間に、放電の妨害ガスを除去する妨害物質除去手段を設けた上記ガス分解器を設けたことを特徴とする請求項5または請求項6に記載のハロゲン含有ガスの処理装置。
- 複数個の上記放電部を、上記ハロゲン含有ガスの流れに対して並列に接続し、上記複数個の放電部の中の必要とする任意の個数を駆動するようにした上記ガス分解器を備えたことを特徴とする請求項5または請求項6に記載のハロゲン含有ガスの処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009277414A JP5258739B2 (ja) | 2009-12-07 | 2009-12-07 | ハロゲン含有ガスの処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009277414A JP5258739B2 (ja) | 2009-12-07 | 2009-12-07 | ハロゲン含有ガスの処理装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001081777A Division JP4549563B2 (ja) | 2001-03-22 | 2001-03-22 | ハロゲン含有ガスの処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010058118A JP2010058118A (ja) | 2010-03-18 |
JP5258739B2 true JP5258739B2 (ja) | 2013-08-07 |
Family
ID=42185524
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009277414A Expired - Fee Related JP5258739B2 (ja) | 2009-12-07 | 2009-12-07 | ハロゲン含有ガスの処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5258739B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20230025290A (ko) * | 2021-08-13 | 2023-02-21 | 한국광기술원 | 불화물계 원료 정제과정에서 생성되는 부산물을 회수하는 장치 및 그를 포함하는 불화물계 원료 정제 시스템 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5403150B2 (ja) * | 2010-10-26 | 2014-01-29 | 東洋紡株式会社 | エアバッグ用コーティング基布 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6186403A (ja) * | 1984-10-04 | 1986-05-01 | Senichi Masuda | セラミツクを用いたオゾナイザ−装置 |
JP3480747B2 (ja) * | 1994-04-25 | 2003-12-22 | 株式会社タクマ | オゾン・プラズマ処理装置 |
JPH11156156A (ja) * | 1997-11-27 | 1999-06-15 | Seiko Epson Corp | ハロゲン系ガスの処理方法、処理装置および反応処理装置並びに半導体装置 |
JPH11179140A (ja) * | 1997-12-22 | 1999-07-06 | Takuma Co Ltd | 有害物質除去方法及び装置 |
JP2001246221A (ja) * | 2000-03-08 | 2001-09-11 | Takuma Co Ltd | 排ガス処理装置 |
-
2009
- 2009-12-07 JP JP2009277414A patent/JP5258739B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20230025290A (ko) * | 2021-08-13 | 2023-02-21 | 한국광기술원 | 불화물계 원료 정제과정에서 생성되는 부산물을 회수하는 장치 및 그를 포함하는 불화물계 원료 정제 시스템 |
KR102597453B1 (ko) * | 2021-08-13 | 2023-11-02 | 한국광기술원 | 불화물계 원료 정제과정에서 생성되는 부산물을 회수하는 장치 및 그를 포함하는 불화물계 원료 정제 시스템 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010058118A (ja) | 2010-03-18 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091207 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120705 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120717 |
|
A521 | Written amendment |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130423 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160502 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |