JP2005064199A - 薬液再生処理装置、半導体製造装置、薬液再生処理方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 薬液再生に用いられる再生剤の添加量の適性化を図る。
【解決手段】 酸水溶液5が再生処理槽S3に送出されると、再生処理槽S3に送出された燐酸水溶液5を検出器3に送り、検出器3にて燐酸水溶液5に含まれるシリコンの濃度を計測し、再生処理槽S3に添加するフッ化水素の添加量を制御部6にて算出して、フッ化水素を再生処理槽S3に添加し、燐酸水溶液5に含まれるシリコンとフッ化水素とを反応させ、燐酸水溶液5に含まれるシリコンを除去する
【選択図】 図1
【解決手段】 酸水溶液5が再生処理槽S3に送出されると、再生処理槽S3に送出された燐酸水溶液5を検出器3に送り、検出器3にて燐酸水溶液5に含まれるシリコンの濃度を計測し、再生処理槽S3に添加するフッ化水素の添加量を制御部6にて算出して、フッ化水素を再生処理槽S3に添加し、燐酸水溶液5に含まれるシリコンとフッ化水素とを反応させ、燐酸水溶液5に含まれるシリコンを除去する
【選択図】 図1
Description
本発明は薬液再生処理装置、半導体製造装置、薬液再生処理方法および半導体装置の製造方法に関し、特に、窒化珪素膜などのウェットエッチングに用いられる燐酸水溶液の再生処理方法に適用して好適なものである。
従来の薬液再生処理装置では、窒化珪素膜などのウェットエッチングに用いられる燐酸水溶液を再生させるため、所定枚数のウェハを処理した後、規定量のフッ化水素を添加することが行われている。
また、特許文献1には、熱燐酸中の残留珪素分およびフッ素を測定することなく、燐酸再生処理の終点管理を容易に行えるようにするために、再生処理槽からの留出ガスを凝縮器にて凝縮させ、凝縮液中のフッ素を分析し、分析値がゼロまたは規定値以下になったら、再生処理を終了させる方法が開示されている。
特開平11−293479号公報
また、特許文献1には、熱燐酸中の残留珪素分およびフッ素を測定することなく、燐酸再生処理の終点管理を容易に行えるようにするために、再生処理槽からの留出ガスを凝縮器にて凝縮させ、凝縮液中のフッ素を分析し、分析値がゼロまたは規定値以下になったら、再生処理を終了させる方法が開示されている。
しかしながら、従来の薬液再生処理装置では、所定枚数のウェハを処理した後、規定量のフッ化水素を添加される。このため、窒化珪素膜のエッチング量が少ない場合には、フッ化水素の添加量が過多になることがあり、処理槽に設置された石英ヒータなどに損傷を与えることがあった。
そこで、本発明の目的は、薬液再生に用いられる再生剤の添加量の適性化を図ることが可能な薬液再生処理装置、半導体製造装置、薬液再生処理方法および半導体装置の製造方法を提供することである。
そこで、本発明の目的は、薬液再生に用いられる再生剤の添加量の適性化を図ることが可能な薬液再生処理装置、半導体製造装置、薬液再生処理方法および半導体装置の製造方法を提供することである。
上述した課題を解決するために、本発明の一態様に係る薬液再生処理装置によれば、薬液内に溶解した物質の濃度を検出する濃度検出手段と、前記濃度検出手段により検出された物質の濃度に基づいて、前記薬液内に再生剤を添加する再生剤添加手段とを備えることを特徴とする。
これにより、使用済みの薬液内に再生剤を適性量だけ添加することが可能となる。このため、薬液内に溶解した物質の濃度に応じた再生時間を設定することが可能となり、再生時間を短縮することが可能となる。
これにより、使用済みの薬液内に再生剤を適性量だけ添加することが可能となる。このため、薬液内に溶解した物質の濃度に応じた再生時間を設定することが可能となり、再生時間を短縮することが可能となる。
また、本発明の一態様に係る薬液再生処理装置によれば、前記薬液は燐酸水溶液であり、前記薬液内に溶解した物質はシリコンであり、前記再生剤はフッ化水素であることを特徴とする。
これにより、使用済みの燐酸水溶液内にフッ化水素を適性量だけ添加することで、使用済みの燐酸水溶液を容易に再生することが可能となる。このため、燐酸水溶液の再生時に、フッ化水素が燐酸水溶液内に過多に添加されることを防止することが可能となり、フッ化水素による薬液再生処理装置の損傷を低減することができる。
これにより、使用済みの燐酸水溶液内にフッ化水素を適性量だけ添加することで、使用済みの燐酸水溶液を容易に再生することが可能となる。このため、燐酸水溶液の再生時に、フッ化水素が燐酸水溶液内に過多に添加されることを防止することが可能となり、フッ化水素による薬液再生処理装置の損傷を低減することができる。
また、本発明の一態様に係る薬液再生処理装置によれば、前記濃度検出手段は、原子吸光センサまたは誘電率計であることを特徴とする。
これにより、使用済みの燐酸水溶液内に溶解したシリコンの濃度を精度よく計測することが可能となる。このため、窒化珪素膜などのウェットエッチングに用いられた燐酸水溶液内に添加されるフッ化水素の添加量を精度よく算出することが可能となり、フッ化水素による薬液再生処理装置の損傷を低減することができる。
これにより、使用済みの燐酸水溶液内に溶解したシリコンの濃度を精度よく計測することが可能となる。このため、窒化珪素膜などのウェットエッチングに用いられた燐酸水溶液内に添加されるフッ化水素の添加量を精度よく算出することが可能となり、フッ化水素による薬液再生処理装置の損傷を低減することができる。
また、本発明の一態様に係る半導体製造装置によれば、処理対象を薬液に接触させることにより、前記処理対象のエッチング処理を行うエッチング手段と、前記エッチング処理により前記薬液内に溶解した物質の濃度を検出する濃度検出手段と、前記濃度検出手段により検出された物質の濃度に基づいて、前記薬液内に再生剤を添加する再生剤添加手段とを備えることを特徴とする。
これにより、エッチング処理に用いられた薬液内に再生剤を適性量だけ添加することが可能となる。このため、エッチング処理に用いられた薬液の再生時間を短縮することが可能となり、薬液を効率よく再利用することを可能としつつ、エッチング処理を行うことが可能となる。
また、本発明の一態様に係る薬液再生処理方法によれば、処理対象を薬液に接触させることにより、前記処理対象のエッチング処理を行う工程と、前記エッチング処理により前記薬液内に溶解した物質の濃度を検出する工程と、前記薬液内の物質の濃度に基づいて、前記薬液内に添加する再生剤の量を決定する工程と、前記決定された量だけ前記再生剤を前記薬液内に添加することにより、前記薬液を再生させる工程とを備えることを特徴とする。
また、本発明の一態様に係る薬液再生処理方法によれば、処理対象を薬液に接触させることにより、前記処理対象のエッチング処理を行う工程と、前記エッチング処理により前記薬液内に溶解した物質の濃度を検出する工程と、前記薬液内の物質の濃度に基づいて、前記薬液内に添加する再生剤の量を決定する工程と、前記決定された量だけ前記再生剤を前記薬液内に添加することにより、前記薬液を再生させる工程とを備えることを特徴とする。
これにより、エッチング処理に用いられた薬液内に再生剤を適性量だけ添加することが可能となり、エッチング処理に用いられた薬液の再生時間を短縮することが可能となる。
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、燐酸水溶液内に溶解したシリコンの濃度を検出する工程と、前記燐酸水溶液内のシリコン濃度に基づいて、前記燐酸水溶液にフッ化水素を添加する工程と、前記フッ化水素の添加により再生された燐酸水溶液に窒化珪素膜が形成された半導体ウェハを接触させることにより、前記窒化珪素膜のエッチング処理を行う工程とを備えることを特徴とする。
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、燐酸水溶液内に溶解したシリコンの濃度を検出する工程と、前記燐酸水溶液内のシリコン濃度に基づいて、前記燐酸水溶液にフッ化水素を添加する工程と、前記フッ化水素の添加により再生された燐酸水溶液に窒化珪素膜が形成された半導体ウェハを接触させることにより、前記窒化珪素膜のエッチング処理を行う工程とを備えることを特徴とする。
これにより、窒化珪素膜のエッチング処理に用いられた燐酸水溶液内にフッ化水素を適性量だけ添加することが可能となる。このため、窒化珪素膜のエッチング処理に用いられた燐酸水溶液の再生時間を短縮することが可能となり、燐酸水溶液を効率よく再利用することを可能としつつ、窒化珪素膜のエッチング処理を行うことが可能となる。
以下、本発明の実施形態に係る薬液再生処理装置およびその方法について図面を参照しながら説明する。
図1は、本発明の一実施形態に係る薬液再生処理装置の概略構成を示す模式図である。
図1において、エッチング装置には、燐酸水溶液5を貯留するエッチング槽S1が設けられ、エッチング槽S1には、エッチング槽S1から溢れた燐酸水溶液5を受ける溢液受け1が設けられている。
図1は、本発明の一実施形態に係る薬液再生処理装置の概略構成を示す模式図である。
図1において、エッチング装置には、燐酸水溶液5を貯留するエッチング槽S1が設けられ、エッチング槽S1には、エッチング槽S1から溢れた燐酸水溶液5を受ける溢液受け1が設けられている。
また、薬液再生処理装置には、溢液受け1に溜まった燐酸水溶液5を受け入れる受液槽S2、受液槽S2に受け入れられた燐酸水溶液5を再生する再生処理槽S3、および再生処理槽S3で再生された燐酸水溶液5を貯留する貯留槽S4が設けられている。
そして、エッチング槽S1と受液槽S2との間には、溢液受け1に溜まった燐酸水溶液5を受液槽S2に送出するポンプP1が設けられている。また、受液槽S2と再生処理槽S3との間には、受液槽S2に受け入れられた燐酸水溶液5を再生処理槽S3に送出するポンプP2が設けられている。また、再生処理槽S3と貯留槽S4がとの間には、再生処理槽S3で再生された燐酸水溶液5を貯留槽S4に送出するポンプP3が設けられている。また、貯留槽S4とエッチング槽S1との間には、貯留槽S4に貯留された燐酸水溶液5をエッチング槽S1に送出するポンプP4が設けられるとともに、エッチング槽S1に送出される燐酸水溶液5を濾過するフィルタ4が設けられている。
そして、エッチング槽S1と受液槽S2との間には、溢液受け1に溜まった燐酸水溶液5を受液槽S2に送出するポンプP1が設けられている。また、受液槽S2と再生処理槽S3との間には、受液槽S2に受け入れられた燐酸水溶液5を再生処理槽S3に送出するポンプP2が設けられている。また、再生処理槽S3と貯留槽S4がとの間には、再生処理槽S3で再生された燐酸水溶液5を貯留槽S4に送出するポンプP3が設けられている。また、貯留槽S4とエッチング槽S1との間には、貯留槽S4に貯留された燐酸水溶液5をエッチング槽S1に送出するポンプP4が設けられるとともに、エッチング槽S1に送出される燐酸水溶液5を濾過するフィルタ4が設けられている。
また、再生処理槽S3には、燐酸水溶液5を加熱する石英ヒータ2が設けられるとともに、燐酸水溶液5に含まれるシリコンの濃度を計測する検出器3が設けられている。なお、検出器3としては、例えば、原子吸光センサまたは誘電率計を用いることができる。また、再生処理槽S3には、フッ化水素を再生処理槽S3に導入するためのバルブV1が設けられるとともに、窒素ガスを再生処理槽S3に導入するためのバルブV2が設けられている。また、検出器3によるシリコン濃度の計測結果に基づいてバルブV1、V2の開閉制御を行う制御部6が設けられるとともに、バルブV1を介して再生処理槽S3に導入されるフッ化水素の流量を計測する流量計7が設けられている。
そして、エッチング槽S1にてエッチング処理を行う場合、窒化珪素膜が形成されたウェハWをエッチング槽S1内に設置し、窒化珪素膜が形成されたウェハWを燐酸水溶液5内に浸漬させる。そして、エッチング処理後に溢液受け1に溜まった燐酸水溶液5を、ポンプP1を介して受液槽S2に送出する。そして、燐酸水溶液5が受液槽S2に溜まると、ポンプP2を介し、受液槽S2の燐酸水溶液5を再生処理槽S3に規定量だけ送出する。そして、燐酸水溶液5が再生処理槽S3に送出されると、再生処理槽S3に送出された燐酸水溶液5を検出器3に送り、検出器3にて燐酸水溶液5に含まれるシリコンの濃度を計測する。
そして、燐酸水溶液5に含まれるシリコンの濃度が計測されると、再生処理槽S3に添加するフッ化水素の添加量を制御部6にて算出する。そして、制御部6は、再生処理槽S3に添加するフッ化水素の添加量を算出すると、バルブV1、V2を開き、フッ化水素および窒素ガスを再生処理槽S3に導入させる。そして、石英ヒータ2により燐酸水溶液5を加熱するとともに、窒素ガスによるバブリングを行いながら、燐酸水溶液5に含まれるシリコンとフッ化水素とを反応させ、燐酸水溶液5に含まれるシリコンを除去する。
ここで、燐酸水溶液5に含まれるシリコンとフッ化水素とを反応させると、以下の反応式により、四フッ化珪素およびフルオロ珪酸を生成することができる。
Si+4HF → SiF4
SiF4+2HF → H2SiF6
そして、四フッ化珪素およびフルオロ珪酸は、燐酸水溶液5の加熱により気化させられた水蒸気とともに蒸発し、燐酸水溶液5に含まれるシリコンを再生処理槽S3から除去することができる。
Si+4HF → SiF4
SiF4+2HF → H2SiF6
そして、四フッ化珪素およびフルオロ珪酸は、燐酸水溶液5の加熱により気化させられた水蒸気とともに蒸発し、燐酸水溶液5に含まれるシリコンを再生処理槽S3から除去することができる。
そして、制御部6は、流量計7で計測された計測結果に基づいて再生処理槽S3に添加されるフッ化水素の添加量を監視する。そしし、再生処理槽S3に添加されたフッ化水素の添加量が算出値に達すると、バルブV1、V2を閉じ、フッ化水素および窒素ガスの再生処理槽S3への導入を停止させる。
これにより、使用済みの燐酸水溶液5内にフッ化水素を適性量だけ添加することで、使用済みの燐酸水溶液5を容易に再生することが可能となる。このため、燐酸水溶液5の再生時に、フッ化水素が燐酸水溶液5内に過多に添加されることを防止することが可能となり、フッ化水素による石英ヒータ2などの損傷を低減することができる。
これにより、使用済みの燐酸水溶液5内にフッ化水素を適性量だけ添加することで、使用済みの燐酸水溶液5を容易に再生することが可能となる。このため、燐酸水溶液5の再生時に、フッ化水素が燐酸水溶液5内に過多に添加されることを防止することが可能となり、フッ化水素による石英ヒータ2などの損傷を低減することができる。
また、使用済みの燐酸水溶液5内にフッ化水素を適性量だけ添加することで、窒化珪素膜のエッチング処理に用いられた燐酸水溶液5の再生時間を短縮することが可能となり、燐酸水溶液5を効率よく再利用することを可能としつつ、窒化珪素膜のエッチング処理を行うことが可能となる。
そして、再生処理槽S3での燐酸水溶液5の再生処理が完了すると、ポンプP3を介し、再生処理槽S3の燐酸水溶液5を貯留槽S4に送出する。
そして、再生処理槽S3での燐酸水溶液5の再生処理が完了すると、ポンプP3を介し、再生処理槽S3の燐酸水溶液5を貯留槽S4に送出する。
そして、燐酸水溶液5が貯留槽S4に貯留されると、ポンプP3およびフィルタ4を介し、貯留槽S4の燐酸水溶液5をエッチング槽S1に送出することにより、使用済みの燐酸水溶液5を再利用することができる。
S1 エッチング槽、S2 受液槽、S3 再生処理槽、S4 貯留槽、P1〜P4 ポンプ、V1、V2 バルブ、W ウェハ、1 溢液受け、2 石英ヒータ、3 検出器、4 フィルタ、5 燐酸、6 制御部、7 流量計
Claims (6)
- 薬液内に溶解した物質の濃度を検出する濃度検出手段と、
前記濃度検出手段により検出された物質の濃度に基づいて、前記薬液内に再生剤を添加する再生剤添加手段とを備えることを特徴とする薬液再生処理装置。 - 前記薬液は燐酸水溶液であり、前記薬液内に溶解した物質はシリコンであり、前記再生剤はフッ化水素であることを特徴とする請求項1記載の薬液再生処理装置。
- 前記濃度検出手段は、原子吸光センサまたは誘電率計であることを特徴とする請求項2記載の薬液再生処理装置。
- 処理対象を薬液に接触させることにより、前記処理対象のエッチング処理を行うエッチング手段と、
前記エッチング処理により前記薬液内に溶解した物質の濃度を検出する濃度検出手段と、
前記濃度検出手段により検出された物質の濃度に基づいて、前記薬液内に再生剤を添加する再生剤添加手段とを備えることを特徴とする半導体製造装置。 - 処理対象を薬液に接触させることにより、前記処理対象のエッチング処理を行う工程と、
前記エッチング処理により前記薬液内に溶解した物質の濃度を検出する工程と、
前記薬液内の物質の濃度に基づいて、前記薬液内に添加する再生剤の量を決定する工程と、
前記決定された量だけ前記再生剤を前記薬液内に添加することにより、前記薬液を再生させる工程とを備えることを特徴とする薬液再生処理方法。 - 燐酸水溶液内に溶解したシリコンの濃度を検出する工程と、
前記燐酸水溶液内のシリコン濃度に基づいて、前記燐酸水溶液にフッ化水素を添加する工程と、
前記フッ化水素の添加により再生された燐酸水溶液に窒化珪素膜が形成された半導体ウェハを接触させることにより、前記窒化珪素膜のエッチング処理を行う工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100655429B1 (ko) | 2005-11-10 | 2006-12-08 | 삼성전자주식회사 | 인산 용액을 재생하는 방법 및 장치, 그리고 인산 용액을사용하여 기판을 처리하는 장치 |
JP2006352097A (ja) * | 2005-05-17 | 2006-12-28 | M Fsi Kk | 燐酸溶液中の珪素濃度測定装置及び測定方法 |
EP1724824A3 (en) * | 2005-05-17 | 2010-08-25 | Apprecia Technology Inc. | Equipment and method for measuring silicon concentration in phosphoric acid solution |
JP2012018981A (ja) * | 2010-07-06 | 2012-01-26 | Tosoh Corp | 窒化ケイ素のエッチング方法 |
KR20140118868A (ko) * | 2013-03-29 | 2014-10-08 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | 웨트 에칭 장치 |
JP2015135943A (ja) * | 2013-09-30 | 2015-07-27 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
JP2017076820A (ja) * | 2017-01-23 | 2017-04-20 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理方法及び基板処理システム |
KR20170078219A (ko) * | 2015-12-29 | 2017-07-07 | 솔브레인 주식회사 | 식각액의 정제 방법 |
KR101757812B1 (ko) * | 2015-05-29 | 2017-07-14 | 세메스 주식회사 | 인산 재생 유닛 및 방법, 그리고 기판 처리 장치 및 방법 |
CN107946213A (zh) * | 2017-11-21 | 2018-04-20 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种磷酸清洗控制装置及方法 |
-
2003
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Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006352097A (ja) * | 2005-05-17 | 2006-12-28 | M Fsi Kk | 燐酸溶液中の珪素濃度測定装置及び測定方法 |
EP1724824A3 (en) * | 2005-05-17 | 2010-08-25 | Apprecia Technology Inc. | Equipment and method for measuring silicon concentration in phosphoric acid solution |
KR100655429B1 (ko) | 2005-11-10 | 2006-12-08 | 삼성전자주식회사 | 인산 용액을 재생하는 방법 및 장치, 그리고 인산 용액을사용하여 기판을 처리하는 장치 |
JP2012018981A (ja) * | 2010-07-06 | 2012-01-26 | Tosoh Corp | 窒化ケイ素のエッチング方法 |
KR101687924B1 (ko) * | 2013-03-29 | 2016-12-19 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | 웨트 에칭 장치 |
CN107452649A (zh) * | 2013-03-29 | 2017-12-08 | 芝浦机械电子株式会社 | 湿式蚀刻装置 |
KR20160006142A (ko) * | 2013-03-29 | 2016-01-18 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | 웨트 에칭 장치 |
KR101596119B1 (ko) * | 2013-03-29 | 2016-02-19 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | 웨트 에칭 장치 |
KR20140118868A (ko) * | 2013-03-29 | 2014-10-08 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | 웨트 에칭 장치 |
CN107452649B (zh) * | 2013-03-29 | 2020-10-20 | 芝浦机械电子株式会社 | 湿式蚀刻装置 |
KR102062749B1 (ko) | 2013-03-29 | 2020-01-06 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | 웨트 에칭 장치 |
JP2015135943A (ja) * | 2013-09-30 | 2015-07-27 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
KR101757812B1 (ko) * | 2015-05-29 | 2017-07-14 | 세메스 주식회사 | 인산 재생 유닛 및 방법, 그리고 기판 처리 장치 및 방법 |
US10083840B2 (en) | 2015-05-29 | 2018-09-25 | Semes Co., Ltd. | System and method for regenerating phosphoric acid solution, and apparatus and method for treating substrate |
KR20170078219A (ko) * | 2015-12-29 | 2017-07-07 | 솔브레인 주식회사 | 식각액의 정제 방법 |
KR102498830B1 (ko) | 2015-12-29 | 2023-02-10 | 솔브레인 주식회사 | 식각액의 정제 방법 |
JP2017076820A (ja) * | 2017-01-23 | 2017-04-20 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理方法及び基板処理システム |
CN107946213A (zh) * | 2017-11-21 | 2018-04-20 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种磷酸清洗控制装置及方法 |
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