JP2007042912A - 基板洗浄装置および基板洗浄方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 レジスト剥離性を維持し、洗浄液に含まれる薬液の使用量を適正化することが可能な基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る基板洗浄装置は、基板を洗浄するための比重の異なる第1の薬液と第2の薬液との混合液を貯留し、この混合液の第1の液面高さおよび温度が一定に保たれ、混合液に基板を浸漬することにより洗浄処理するための内槽1と、内槽1に設けられ、混合液中の第1の圧力を検出するための第1の圧力センサ13と、内槽1からオーバフローした混合液を受けるとともに第2の薬液が必要に応じて注入され、貯留された混合液の温度が内槽1内の温度と同じに保たれた外槽2と、外槽2に設けられ、外槽2に貯留された混合液中の第2の圧力を検出する第2の圧力センサ14と、内槽1と外槽2との間を配管し、混合液を外槽2から内槽1に循環するポンプ6が設けられた循環配管7と、を備える。
【選択図】 図2
【解決手段】 本発明に係る基板洗浄装置は、基板を洗浄するための比重の異なる第1の薬液と第2の薬液との混合液を貯留し、この混合液の第1の液面高さおよび温度が一定に保たれ、混合液に基板を浸漬することにより洗浄処理するための内槽1と、内槽1に設けられ、混合液中の第1の圧力を検出するための第1の圧力センサ13と、内槽1からオーバフローした混合液を受けるとともに第2の薬液が必要に応じて注入され、貯留された混合液の温度が内槽1内の温度と同じに保たれた外槽2と、外槽2に設けられ、外槽2に貯留された混合液中の第2の圧力を検出する第2の圧力センサ14と、内槽1と外槽2との間を配管し、混合液を外槽2から内槽1に循環するポンプ6が設けられた循環配管7と、を備える。
【選択図】 図2
Description
本発明は、基板、特に半導体ウェーハを洗浄する基板洗浄装置および基板洗浄方法に関する。
半導体ウェーハ基板上のレジストの剥離(洗浄処理)は、通常、半導体ウェーハを半導体洗浄装置の剥離槽内の薬液(剥離液)に浸漬して行われる。この従来の半導体洗浄装置には、薬液中に浸漬した状態で半導体ウェーハを洗浄処理する内槽と、この内槽に半導体ウェーハを浸漬した時にこの内槽からオーバフローする薬液を受ける外槽と、この外槽内の薬液量として液面を検出する液面センサと、この液面センサにより薬液の液面が制御された状態下で薬液をフィルタで濾過しながら上記内槽へ循環させる循環ポンプと、を備えるものがある(例えば、特許文献1参照。)。
ここで、2つの比重の異なる薬液を用いた従来の洗浄技術、例えば、SPMレジスト剥離プロセスでは、まず一定比率の硫酸、過酸化水素の混合液(SPM洗浄液)を作成する。通常、この剥離液であるSPM洗浄液は、レジストの剥離性向上のため100℃以上の高温で保たれるが、過酸化水素水は高温で分解し易く、時間とともに酸化力を維持できなくなる。この対策として、半導体ウェーハを投入する前に、または、一定間隔で、所定量の過酸化水素水が外槽に注入され、SPM洗浄液の酸化力が保たれる。
一方、過酸化水素水の外槽への注入を続けると、注入量の方がウェーハ搬出による処理槽外への流出量よりも多い場合、ロットを処理する毎に外槽の液面高さが高くなる。外槽の上部には、通常、上昇した薬液を排液するためにオーバフロー管が設けられており、このオーバフロー管を通って混合液が外部へ排液されることとなる。ここで、過酸化水素水は、硫酸よりも比重が軽いため液面上部へ移動し易い。したがって、外槽の液面高さがオーバフロー管から排液される高さまで上昇した場合、過酸化水素水が外槽に注入されると、比較的過酸化水素水の割合が高い混合液が、循環ラインに回らずオーバフロー管から排液されることとなる。
この場合、注入された過酸化水素水が硫酸と効率よく混合していないため、ペルオキソ硫酸(H2SO5 +)の発生量が少なくなってレジスト剥離性が悪化し、または、過酸化水素水の使用量が増加するというデメリットがある。このデメリットを回避するためには、過酸化水素水に偏らないように混合液を排液して、外槽における液面高さを制御する必要がある。
ここで、液面高さを測定する従来の液面センサとして、耐薬品性も考慮し、例えば、N2等の気体を使用した圧力センサが使用されている。しかし、既述のSPMレジスト剥離プロセスでは、過酸化水素水を外槽に一定間隔で注入するため、処理槽内のSPM洗浄液の比重が変化する。この場合、圧力センサが検出した圧力は、液面高さが変動するとともに混合割合によりSPM洗浄液の比重も変化するため、液面高さとSPM洗浄液の比重の両方のパラメータにより左右される。
したがって、当該圧力センサ単体では、変化するSPM洗浄液の比重を把握できないため、正確に液面高さを測定することができない。例えば、圧力センサで設定された比重と実際に注入された薬液の比重との違いによる液面高さの誤検出(設定された比重よりも、薬液の比重が小さい場合は、液面高さが所定位置より低く検出される)が発生する。
これにより、半導体洗浄装置の外槽の液面高さを制御することが困難になり、薬液の必要なレジスト剥離性を維持、および過酸化水素水の使用量の適正化を図れないという問題があった。
特開平6−132270号公報(第3−5頁、第1図)
本発明は、上記課題を解決するものであり、外槽内の洗浄液の液面高さをより正確に制御し、洗浄液の必要なレジスト剥離性を維持するとともに、洗浄液に含まれる薬液の使用量を適正化することが可能な基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供することを目的とする。
本発明の一態様に係る基板洗浄装置は、基板を洗浄するための比重の異なる第1の薬液と第2の薬液との混合液を貯留し、この混合液の液面高さ一定に保たれるとともに温度が所定温度に保たれ、前記混合液に前記基板を浸漬することにより洗浄処理するための内槽と、
前記内槽に設けられ、前記混合液中の第1の圧力を検出するための第1の圧力センサと、
前記内槽からオーバフローした前記混合液を受けるとともに前記第2の薬液が必要に応じて注入され、貯留された前記混合液の温度が前記内槽内の前記温度と同じに保たれた外槽と、
前記外槽に設けられ、前記外槽に貯留された前記混合液中の第2の圧力を検出する第2の圧力センサと、
前記内槽と前記外槽との間を配管し、前記混合液を前記外槽から前記内槽に循環するポンプが設けられた循環配管と、を備え、
前記内槽内の前記混合液の第1の液面高さと、前記第1の圧力センサにより検出された第1の圧力と、に基づいて前記混合液の比重を算出し、
算出された前記比重と前記第2の圧力とに基づいて、前記外槽内の前記混合液の前記第2の液面高さを算出し、
算出された前記第2の液面高さと、前記外槽内の基準位置とを比較し、
算出された前記第2の液面高さが前記外槽内の基準位置よりも高い場合には、前記外槽内の前記混合液を排出し、
前記混合液を排出した後、前記第2の薬液を前記外槽に注入し、
前記第2の薬液を前記外槽に注入した後、前記内槽に前記基板を投入して洗浄処理することを特徴とする。
前記内槽に設けられ、前記混合液中の第1の圧力を検出するための第1の圧力センサと、
前記内槽からオーバフローした前記混合液を受けるとともに前記第2の薬液が必要に応じて注入され、貯留された前記混合液の温度が前記内槽内の前記温度と同じに保たれた外槽と、
前記外槽に設けられ、前記外槽に貯留された前記混合液中の第2の圧力を検出する第2の圧力センサと、
前記内槽と前記外槽との間を配管し、前記混合液を前記外槽から前記内槽に循環するポンプが設けられた循環配管と、を備え、
前記内槽内の前記混合液の第1の液面高さと、前記第1の圧力センサにより検出された第1の圧力と、に基づいて前記混合液の比重を算出し、
算出された前記比重と前記第2の圧力とに基づいて、前記外槽内の前記混合液の前記第2の液面高さを算出し、
算出された前記第2の液面高さと、前記外槽内の基準位置とを比較し、
算出された前記第2の液面高さが前記外槽内の基準位置よりも高い場合には、前記外槽内の前記混合液を排出し、
前記混合液を排出した後、前記第2の薬液を前記外槽に注入し、
前記第2の薬液を前記外槽に注入した後、前記内槽に前記基板を投入して洗浄処理することを特徴とする。
本発明の一態様に係る基板洗浄方法は、基板を洗浄するための比重の異なる第1の薬液と第2の薬液との混合液の温度を所定温度に保つとともに、
液面高さが一定に貯留された前記混合液に前記基板を浸漬することにより洗浄処理するための内槽に、この内槽からオーバフローした前記混合液を受けるとともに必要に応じて前記第2の薬液が注入される外槽から、前記混合液を循環させ、
前記内槽内の前記混合液の第1の液面高さと、前記内槽に設けられた前記第1の圧力センサにより検出した第1の圧力と、に基づいて前記混合液の比重を算出し、
算出された前記比重と前記第2の圧力センサにより検出された第2の圧力とに基づいて、前記外槽内の前記混合液の第2の液面高さを算出し、
算出された前記第2の液面高さと、前記外槽内の基準位置とを比較し、
算出された前記第2の液面高さが前記基準位置よりも高い場合には、前記外槽内の前記混合液を排出し、
前記混合液を排出した後、前記第2の薬液を前記外槽に注入し、
前記第2の薬液を前記外槽に注入した後、前記内槽に前記基板を投入して洗浄処理することを特徴とする。
液面高さが一定に貯留された前記混合液に前記基板を浸漬することにより洗浄処理するための内槽に、この内槽からオーバフローした前記混合液を受けるとともに必要に応じて前記第2の薬液が注入される外槽から、前記混合液を循環させ、
前記内槽内の前記混合液の第1の液面高さと、前記内槽に設けられた前記第1の圧力センサにより検出した第1の圧力と、に基づいて前記混合液の比重を算出し、
算出された前記比重と前記第2の圧力センサにより検出された第2の圧力とに基づいて、前記外槽内の前記混合液の第2の液面高さを算出し、
算出された前記第2の液面高さと、前記外槽内の基準位置とを比較し、
算出された前記第2の液面高さが前記基準位置よりも高い場合には、前記外槽内の前記混合液を排出し、
前記混合液を排出した後、前記第2の薬液を前記外槽に注入し、
前記第2の薬液を前記外槽に注入した後、前記内槽に前記基板を投入して洗浄処理することを特徴とする。
本発明の一態様に係る基板洗浄装置および基板洗浄方法によれば、外槽内の洗浄液の液面高さをより正確に制御し、この洗浄液を構成する2つの比重の異なる薬液を効率よく混合し、洗浄液のレジスト剥離性を効率的に引き出すとともに、添加した薬液が外槽からオーバフローするのを抑制して薬液の使用量を適正化することができる。
本発明の一態様に係る基板洗浄装置は、2つの比重の異なる薬液を混合して使用し、一方の薬液を適宜添加することにより比重が変化する場合に、洗浄槽の内槽及び外槽を圧力センサで検知し、2つのセンサ値の関係より薬液比重及び外槽の液面高さを算出し、補充する薬液が効率よく混合できるように適宜排液して、外槽の液面を最適な液面高さに制御する。これにより、外槽に追加で注入される薬液のオーバフローを抑制し、当該薬液の使用量を適正化するものである。
なお、以下の各実施例においては、洗浄液として硫酸と過酸化水素水の混合液であるSPM洗浄液を選択した場合について説明するが、他の2つの比重の異なる薬液の混合液からなる洗浄液についても同様に適用することができるのは勿論である。
以下、本発明を適用した各実施例について図面を参照しながら説明する。
図1は、本発明の実施例1に係る半導体洗浄装置(基板洗浄装置)の要部の構成を示す図である。また、図2は、図1の洗浄槽の要部構成を示す図である。
図1に示すように、半導体洗浄装置100は、半導体ウェーハ(基板)を洗浄処理(例えば、レジスト剥離)するための洗浄液を貯留する内槽1および外槽2を有する洗浄槽3と、外槽2に配管され薬液を注入するための薬液注入配管4と、この薬液注入配管4に設けられ、薬液の注入量を制御するための第1のバルブ5と、内槽1と外槽2との間を配管し、洗浄液を外槽2から内槽1に循環するポンプ6が設けられた循環配管7と、この循環配管7に設けられ、洗浄液を所定の温度に加熱するためのヒータ8と、循環配管7に設けられ、洗浄液に含まれたパーティクル等を除去するためのフィルタ9と、循環配管7に接続され、洗浄液を外部に排液するための排液配管10と、この排液配管10との接続部分よりも循環配管7の下流側に設けられた第2のバルブ11と、排液配管10に設けられ、第2のバルブ11とともに開閉して洗浄液を排液配管10から排液する量を制御するための第3のバルブ12と、を備えている。
内槽1は、半導体ウェーハを洗浄処理するための比重の異なる第1の薬液である硫酸(比重1.8)と第2の薬液である過酸化水素水(比重1.1)との混合液(SPM洗浄液)を貯留する。また内槽1は、半導体ウェーハを浸漬できるように、所定の容量を有し、循環配管7を循環したSPM洗浄液が吐出口1aから注入される。
そして、貯留されたSPM洗浄液は、内槽1からオーバフローし、外槽2の液面高さが一定になったところで、循環ポンプが動作し、薬液循環を開始するようになっている。これにより、SPM洗浄液の内槽1内における第1の液面高さは、一定に保たれている。さらに、SPM洗浄液の温度は、所定温度に保たれるようにヒータ8を制御することにより管理されている。半導体ウェーハの洗浄処理は、SPM洗浄液に半導体ウェーハを浸漬することにより実施される。
外槽2は、所定の容量を有し、既述のように内槽1からオーバフローしたSPM洗浄液を受けるとともに、上述のSPM洗浄液の反応により消費された過酸化水素水を補うため、過酸化水素水が必要に応じて注入される。また、薬液は、外槽2から循環して内槽1へ入るようになっているため、内槽1と外槽2の温度は同じに保たれるように管理されている。
図2に示すように、洗浄槽3は、内槽1と、この内槽1に設けられ、SPM洗浄液中の第1の圧力を検出するための第1の圧力センサ13と、外槽2と、この外槽2に設けられ、外槽2に貯留されたSPM洗浄液中の第2の圧力を検出する第2の圧力センサ14と、外槽2の側壁に設けられ、外槽2からオーバフローするSPM洗浄液を排出するためのオーバフロー管15と、を有する。
第1の圧力センサ13および第2の圧力センサ14は、例えば、先端が開口した例えばN2等の気体を注入可能なチューブを有する。このチューブの先端をSPM洗浄液中に挿入するとともにチューブの他端側からN2を注入し、チューブ内におけるN2の圧力を測定することにより、間接的にN2とSPM洗浄液との界面が位置するSPM洗浄液中の圧力を測定することができる。
なお第1の圧力センサ13および第2の圧力センサの測定値(圧力)は、例えば、半導体洗浄装置100に設けられたコンピュータ(図示せず)に入力され、当該コンピュータは、この測定値に基づいてSPM洗浄液の比重、液面位置等を算出するとともに、この算出結果と所定の値とを比較し外槽2内のSPM洗浄液を排液するか否かを判断する。
ここで、以上のような構成を有する半導体洗浄装置による基板洗浄方法(半導体洗浄方法)について説明する。図3に、本実施例に係る半導体洗浄方法のフローチャートを示す。
図3に示すように、先ず、半導体ウェーハを洗浄するためのSPM洗浄液の温度を所定の温度に管理して一定に保つとともに、外槽から内槽にSPM洗浄液を循環させる(ステップS1)。すなわち、半導体洗浄装置内のSPM洗浄液の温度を均一にし、混合液を攪拌して効率よくペルオキソ硫酸を生成するものである。これにより、SPM洗浄液は十分攪拌され、温度が均一に保たれているので、内槽および外槽におけるSPM洗浄液の比重は同じであると考えられる。
次に、半導体洗浄装置に設けられたコンピュータにより、内槽内のSPM洗浄液の第1の液面高さと、液面高さが一定である内槽の第1の圧力センサにより検出した第1の圧力と、に基づいてSPM洗浄液の比重を算出する(ステップS2)。
ここで、測定位置における圧力は、薬液の比重と当該薬液の測定位置から液面までの高さの積と比例の関係が成立する。既述のように内槽は液面高さが一定であるため、圧力センサの値と比重値とは比例の関係が成立する。あらかじめ相関関係を求めておくことで、第1の圧力センサの測定位置における第1の圧力を測定することにより、相関直線により比重値が求められる。
次に、上記コンピュータは、算出された比重と第2の圧力センサにより検出された第2の圧力とに基づいて、外槽内のSPM洗浄液の第2の液面高さを算出する(ステップS3)。 既述のように、内槽における比重と外槽における比重とは同一であるとの推察に基づいて、ステップS2で算出された比重と第2の圧力センサによりSPM洗浄液中の所定位置の第2の圧力を測定することにより、当該所定位置から液面までの距離、すなわち、液面の高さを算出することができる。
次に、上記コンピュータは、算出された第2の液面高さと、外槽内の基準位置とを比較する。算出された第2の液面高さが外槽の基準位置よりも低い場合には、当該コンピュータにより過酸化水素水を注入しても外槽においてオーバフローは発生しないと判断され、半導体洗浄装置は、外槽に所定量の過酸化水素水を注入する(ステップS4)。ここで、この基準位置は、所定量を注入してもオーバフローが発生しないSPM洗浄液が貯留された状態の液面位置が選択される。
一方、算出された第2の液面高さが外槽内の基準位置よりも高い場合には、半導体洗浄装置は、外槽内のSPM洗浄液を排出し(ステップS5)、SPM洗浄液を排出した後、ステップS4に移って第2の薬液を外槽に注入する。
ステップS4で過酸化水素水を外槽に注入した後、半導体洗浄装置は、内槽に処理すべき半導体ウェーハを投入して洗浄処理する(ステップS6)。すなわち、この洗浄処理により、レジストが当該半導体ウェーハから剥離される。
以上のように、本実施例に係る半導体洗浄装置および半導体洗浄方法によれば、外槽内のSPM洗浄液の液面高さをより正確に制御し、比重の異なる硫酸と過酸化水素水とを効率よく混合し、これらの混合液であるSPM洗浄液の酸化力を効率的に引き出すことができるため、SPM洗浄液の必要なレジスト剥離性を維持するとともに、過酸化水素水の含有率が高いSPM洗浄液が外槽からオーバフローするのを抑制して過酸化水素水の使用量を適正化することができる。
実施例1では、混合液を循環させて温度、比重を均一にしてから第1の圧力センサで比重を測定する構成について述べたが、本実施例では、特に、内槽に半導体ウェーハを投入して洗浄液を循環して洗浄処理し、混合液の温度、比重が均一になった状態で、第1の圧力センサで当該混合液の比重を測定する構成について述べる。
図4は、本実施例に係る半導体洗浄方法のフローチャートを示す。なお、図中、実施例1と同じ符号は、実施例1と同様のステップを示す。また、本実施例2に係る半導体洗浄方法は、実施例1と同様の半導体洗浄装置で実施される。
図4に示すように、先ず、第1の半導体ウェーハ(第1のロット)をSPM洗浄液が貯留された内槽に投入し、SPM洗浄液の温度を一定に保つとともに外槽から内槽にSPM洗浄液を循環させて洗浄処理し、第1の半導体ウェーハを内槽から搬出する(ステップS1a)。ここで、第1の半導体ウェーハの洗浄処理後の半導体洗浄装置内のSPM洗浄液は、温度が均一に管理され、十分攪拌された状態である。したがって、内槽および外槽におけるSPM洗浄液の比重は同じであると考えられる。
このステップS1aの後、実施例1と同様に、内槽内のSPM洗浄液の第1の液面高さと、液面高さが一定である内槽の第1の圧力センサにより検出した第1の圧力と、に基づいてSPM洗浄液の比重を算出する(ステップS2)。
次に、算出された比重と第2の圧力センサにより検出された第2の圧力とに基づいて、外槽内のSPM洗浄液の第2の液面高さを算出する(ステップS3)。
次に、算出された第2の液面高さと、外槽内の基準位置とを比較する。算出された第2の液面高さが外槽の基準位置よりも低い場合には、過酸化水素水を注入しても外槽においてオーバフローは発生しないと判断され、外槽に所定量の過酸化水素水を注入する(ステップS4)。
一方、算出された第2の液面高さが外槽内の基準位置よりも高い場合には、外槽内のSPM洗浄液を排出し(ステップS5)、SPM洗浄液を排出した後、ステップS4に移って第2の薬液を外槽に注入する。
ステップS4で過酸化水素水を外槽に注入した後、内槽に次に処理すべき第2の半導体ウェーハ(第2のロット)を投入して洗浄処理する(ステップS6a)。
以上のように、本実施例に係る半導体洗浄方法によれば、内槽に半導体ウェーハを投入して洗浄液を循環して洗浄処理し、混合液の温度、比重が均一になった状態で、第1の圧力センサで当該混合液の比重を測定し、外槽内のSPM洗浄液の第2の液面高さをより正確に制御することができるため、連続して半導体ウェーハ(ロット)を処理することができる。
なお、上記各実施例においては、外槽には、所定量の過酸化水素水を注入するとして説明したが、第1の圧力センサにより得られた比重から硫酸と過酸化水素水との混合割合を算出し、この算出結果に基づいて、注入すべき過酸化水素水の量を決定するようにしてもよいのは勿論である。
また、上記各実施例においては、過酸化水素水を追加注入することにより硫酸と過酸化水素水の混合割合が変化し、この混合液(SPM洗浄液)の比重が変化する場合について説明したが、同様に、例えば、薬液の水分の蒸発等により比重が変化する場合であっても、第1の圧力センサにより洗浄槽に貯留されている当該薬液の比重を測定することができるので、この測定された比重に基づいて、第2の圧力センサにより外槽の液面高さをより正確に測定することができるのは勿論である。
また、上述のように上記各実施例においては、比重が既知ではない単一の薬液についても外槽の液面高さをより正確に測定、すなわち内槽、外槽、および循環配管に貯留されている薬液の総量をより正確に測定することができる。これにより、例えば、所定量薬液が注入された場合に、従来技術で生じ得る、圧力センサで設定された比重と実際に注入された薬液の比重との違いによる液面高さの誤検出(設定された比重よりも、薬液の比重が小さい場合は、液面高さが所定位置より低く検出される)は抑制され、内槽、外槽、および循環配管に貯留されている当該薬液の総量をより正確に測定することができる。従って、当該誤検出で所定量薬液が注入されていないと判断され、半導体洗浄装置が装置エラーとして停止するのを防止することができるのは勿論である。
また、上記各実施例においては、洗浄される基板として、半導体ウェーハを選択した場合について説明したが、他の導電性、絶縁性の基板等について適用してもよいのは勿論である。
1 内槽
2 外槽
3 洗浄槽
4 薬液注入配管
5 第1のバルブ
6 ポンプ
7 循環配管
8 ヒータ
9 フィルタ
10 排液配管
11 第2のバルブ
12 第3のバルブ
13 第1の圧力センサ
14 第2の圧力センサ
15 オーバフロー管
100 半導体洗浄装置
2 外槽
3 洗浄槽
4 薬液注入配管
5 第1のバルブ
6 ポンプ
7 循環配管
8 ヒータ
9 フィルタ
10 排液配管
11 第2のバルブ
12 第3のバルブ
13 第1の圧力センサ
14 第2の圧力センサ
15 オーバフロー管
100 半導体洗浄装置
Claims (5)
- 基板を洗浄するための比重の異なる第1の薬液と第2の薬液との混合液を貯留し、この混合液の液面高さ一定に保たれるとともに温度が所定温度に保たれ、前記混合液に前記基板を浸漬することにより洗浄処理するための内槽と、
前記内槽に設けられ、前記混合液中の第1の圧力を検出するための第1の圧力センサと、
前記内槽からオーバフローした前記混合液を受けるとともに前記第2の薬液が必要に応じて注入され、貯留された前記混合液の温度が前記内槽内の前記温度と同じに保たれた外槽と、
前記外槽に設けられ、前記外槽に貯留された前記混合液中の第2の圧力を検出する第2の圧力センサと、
前記内槽と前記外槽との間を配管し、前記混合液を前記外槽から前記内槽に循環するポンプが設けられた循環配管と、
を備え、
前記内槽内の前記混合液の第1の液面高さと、前記第1の圧力センサにより検出された第1の圧力と、に基づいて前記混合液の比重を算出し、
算出された前記比重と前記第2の圧力とに基づいて、前記外槽内の前記混合液の前記第2の液面高さを算出し、
算出された前記第2の液面高さと、前記外槽内の基準位置とを比較し、
算出された前記第2の液面高さが前記外槽内の基準位置よりも高い場合には、前記外槽内の前記混合液を排出し、
前記混合液を排出した後、前記第2の薬液を前記外槽に注入し、
前記第2の薬液を前記外槽に注入した後、前記内槽に前記基板を投入して洗浄処理することを特徴とする基板洗浄装置。 - 前記第1の薬液は、硫酸であり、
前記第2の薬液は、過酸化水素水であることを特徴とする請求項1に記載の基板洗浄装置。 - 基板を洗浄するための比重の異なる第1の薬液と第2の薬液との混合液の温度を所定温度に保つとともに、
液面高さが一定に貯留された前記混合液に前記基板を浸漬することにより洗浄処理するための内槽に、この内槽からオーバフローした前記混合液を受けるとともに必要に応じて前記第2の薬液が注入される外槽から、前記混合液を循環させ、
前記内槽内の前記混合液の第1の液面高さと、前記内槽に設けられた前記第1の圧力センサにより検出した第1の圧力と、に基づいて前記混合液の比重を算出し、
算出された前記比重と前記第2の圧力センサにより検出された第2の圧力とに基づいて、前記外槽内の前記混合液の第2の液面高さを算出し、
算出された前記第2の液面高さと、前記外槽内の基準位置とを比較し、
算出された前記第2の液面高さが前記基準位置よりも高い場合には、前記外槽内の前記混合液を排出し、
前記混合液を排出した後、前記第2の薬液を前記外槽に注入し、
前記第2の薬液を前記外槽に注入した後、前記内槽に前記基板を投入して洗浄処理することを特徴とする基板洗浄法。 - 第1の基板を前記内槽に投入し、前記混合液の温度を一定に保つとともに前記外槽から前記内槽に前記混合液を循環させて洗浄処理し、前記第1の基板を前記内槽から搬出した後、
前記内槽内の前記混合液の前記第1の液面高さと、前記内槽に設けられた前記第1の圧力センサにより検出した第1の圧力と、に基づいて前記混合液の比重を算出し、
前記比重と前記第2の圧力センサにより検出された第2の圧力とに基づいて、前記外槽内の前記混合液の第2の液面高さを算出し、
算出された前記第2の液面高さと、前記外槽内の基準位置とを比較し、
算出された前記第2の液面高さが前記外槽内の基準位置よりも高い場合には、前記外槽内の前記混合液を排出し、
前記混合液を排出した後、前記第2の薬液を前記外槽に注入し、
前記第2の薬液を前記外槽に注入した後、前記内槽に第2の基板を投入して洗浄処理することを特徴とする請求項3に記載の基板洗浄方法。 - 前記第1の薬液は、硫酸であり、
前記第2の薬液は、過酸化水素水であることを特徴とする請求項3または4に記載の基板洗浄方法。
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