KR20170027919A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 인산 수용액 및 실리콘 화합물을 포함하는 약액을 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 유닛 및 상기 기판 처리 유닛으로 상기 약액을 공급하는 약액 공급 유닛을 포함하되, 상기 약액 공급 유닛은, 상기 약액을 샘플링하여 상기 약액의 농도를 측정하는 농도 측정부를 포함하되, 상기 농도 측정부는 약액의 수분의 농도를 측정하는 제 1 농도 측정부 및 상기 약액의 실리콘의 농도를 측정하는 제 2 농도 측정부를 포함한다.
Description
본 발명은 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 인산 수용액 및 실리콘 화합물을 포함하는 약액을 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체 기억 소자의 집적도가 증가할수록, 반도체 기억 소자를 구성하는 구성 요소들의 손상 및 변형이 반도체 기억 소자의 신뢰성 및 전기적 특성에 더 많은 영향을 미치게 된다.
특히, 식각 공정의 경우 식각하고자 하는 대상 막질과 다른 막질간의 높은 식각 선택비를 유지하면서 식각 공정에 의해 형성되는 반응 부산물들에 의한 불량을 최소화하는 것이 요구된다. 따라서, 최근 서로 다른 막질들 사이에 높은 식각 선택비를 갖고, 불필요한 반응 부산물들의 발생을 줄일 수 있는 식각용 조성물에 대한 다양한 연구가 진행되고 있다. 일 예로, 인산 수용액 및 고농도의 실리콘 화합물을 포함하는 약액을 이용하여 공정을 진행하는 경우, 공정이 진행됨에 따라 기판 상의 막질이 식각되어, 약액 내 실리콘 성분이 증가하게 된다. 이러한 경우, 기판 상의 이상 성장 또는 설비 내 실리콘 석출로 인한 고장 및 오작동이 야기될 수 있다.
본 발명은 실리콘 농도 및 수분 농도를 동시에 측정할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 고온 및 고농도의 실리콘 화합물을 포함하는 약액을 이용할 때, 실리콘 석출로 인한 시스템 고장 또는 오동작을 방지할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공한다.
상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 인산 수용액 및 실리콘 화합물을 포함하는 약액을 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 유닛 및 상기 기판 처리 유닛으로 상기 약액을 공급하는 약액 공급 유닛을 포함하되, 상기 약액 공급 유닛은, 상기 약액을 샘플링하여 상기 약액의 농도를 측정하는 농도 측정부를 포함하되, 상기 농도 측정부는 약액의 수분의 농도를 측정하는 제 1 농도 측정부 및 상기 약액의 실리콘의 농도를 측정하는 제 2 농도 측정부를 포함한다.
일 실시예에 따르면, 상기 기판 처리 유닛 및 상기 약액 공급 유닛을 제어하는 제어부를 더 포함하고, 상기 약액 공급 유닛은, 상기 약액을 순환시키는 약액 순환부 및 상기 약액 순환부와 상기 농도 측정부를 연결하고, 개폐 밸브를 포함하는 샘플링 라인을 더 포함하되, 상기 제어부는, 상기 제 1 농도 측정부 및 상기 제 2 농도 측정부로 상기 약액을 동시에 공급하도록 상기 개폐 밸브를 제어할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제 2 농도 측정부는, 이온 선택성 전극(ion selective electrode) 측정부를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제 2 농도 측정부는 상기 약액을 수용하는 반응조, 상기 반응조로 상기 약액과 반응하는 시약을 공급하는 시약 공급부 및 상기 반응조 내에서 상기 실리콘의 농도를 측정하는 측정 전극을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제 2 농도 측정부는, 상기 반응조로 상기 실리콘의 농도의 농도 오차를 보정하기 위한 보정 약액을 공급하는 보정 약액 공급부를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제어부는, 상기 반응조를 정기적 또는 비정기적으로 세정하도록 상기 제 2 농도 측정부를 제어할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제어부는, 상기 반응조를 세정할 때, 상기 반응조로 상기 시약을 공급하여 상기 반응조 내 잔류하는 실리콘 성분을 제거하도록 상기 제 2 농도 측정부를 제어할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제어부는, 상기 반응조를 비정기적으로 세정할 때, 상기 반응조로 상기 보정 약액을 공급하고 상기 실리콘의 농도를 측정하여, 기준 농도 범위의 이탈 여부에 따라 상기 반응조 세정 여부를 결정할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 농도 측정부에서 농도 측정이 완료된 폐액을 배출하는 폐액 처리부를 더 포함하되, 상기 폐액 처리부는 상기 제 1 농도 측정부에서 농도 측정된 상기 약액을 수거하는 제 1 수거 탱크 및 상기 제 2 농도 측정부에서 농도 측정된 상기 약액 및 상기 시약을 수거하는 제 2 수거 탱크를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제 2 수거 탱크는 히터를 더 포함하고, 상기 제어부는, 상기 제 2 수거 탱크 내 수거된 상기 약액 및 상기 시약을 설정 온도로 가열하도록 상기 히터를 제어하고, 상기 약액 및 상기 시약이 상기 설정 온도에 도달하면 상기 제 2 수거 탱크 내의 상기 약액 및 상기 시약을 상기 제 1 수거 탱크로 공급할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제어부는, 상기 농도 측정부가 측정한 상기 수분의 농도의 변화량 및 상기 실리콘 농도의 변화량을 기초로 하여, 상기 약액에 포함된 수분의 간섭을 배제한 실리콘의 보정 농도를 산출할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제어부는, 상기 실리콘의 보정 농도가 기설정된 설정 범위를 초과하면 인터락을 발생시킬 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제 1 농도 측정부는, 근적외선을 이용하는 광학 측정부를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제어부는, 상기 실리콘의 보정 농도의 제 1 설정 범위 및 상기 제 2 농도 측정부가 측정한 실리콘의 측정 농도의 제 2 설정 범위를 설정하여, 상기 제 1 설정 범위 또는 상기 제 2 설정 범위 중 어느 하나를 초과하는 경우 인터락을 발생시킬 수 있다.
상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 실시예에 따른 실리콘 화합물 및 인산 수용액을 포함하는 약액을 공급하여 기판에 대해 공정을 처리하는 기판 처리 방법에 있어서, 상기 기판으로 상기 약액을 공급하는 것, 상기 약액을 순환시키는 것, 순환되는 상기 약액의 적어도 일부를 샘플링하는 것,
약액의 수분의 농도 및 실리콘의 농도를 동시에 측정하는 것, 그리고 상기 수분의 농도 및 상기 실리콘의 농도를 기초로 하여 상기 약액의 농도 정보를 처리하는 것을 포함한다.
일 실시예에 따르면, 상기 약액의 농도 정보를 처리하는 것은, 측정된 수분의 농도의 변화량 및 측정된 실리콘 농도의 변화량을 기초로 하여, 수분의 변동에 따른 간섭을 배제한 실리콘의 보정 농도를 산출하는 것을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 실리콘의 보정 농도가 기설정된 설정 범위를 초과하면 인터락을 발생시킬 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 측정된 실리콘의 농도의 제 1 설정 범위를 설정하고, 상기 실리콘의 보정 농도의 제 2 설정 범위를 설정하여, 상기 측정된 실리콘의 농도가 상기 제 1 설정 범위를 초과하면 제 1 인터락을 발생하고, 상기 실리콘의 보정 농도가 상기 제 2 설정 범위를 초과하면 제 2 인터락을 발생시킬 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 공정은 약 130° 내지 약 200°의 온도에서 진행될 수 있다.
상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 실시예에 따른 실리콘 화합물 및 인산 수용액을 포함하는 약액을 공급하여 기판에 대해 공정을 처리하는 기판 처리 방법에 있어서, 상기 기판으로 상기 약액을 공급하는 것, 상기 약액을 순환시키는 것, 순환되는 상기 약액의 적어도 일부를 샘플링하는 것,
약액의 수분의 농도 및 실리콘의 농도를 동시에 측정하는 것, 그리고 상기 실리콘의 농도를 측정하는 것은, 상기 공정 진행 중 증가하는 실리콘의 농도에 따라 발생하는 상기 실리콘의 농도의 계측 오차 발생을 방지하는 것을 포함한다.
일 실시예에 따르면, 상기 실리콘의 농도를 측정하는 것은, 실리콘을 용해하는 시약을 공급하는 것을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 실리콘의 농도의 상기 계측 오차 발생을 방지하는 것은, 상기 실리콘의 농도를 측정하는 실리콘 농도 측정부를 정기적 또는 비정기적으로 세정하는 것을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 실리콘 농도 측정부를 세정하는 것은, 상기 시약을 상기 실리콘 농도 측정부로 공급하여 상기 실리콘 농도 측정부를 세정하는 것을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 수분의 농도 및 실리콘의 농도 측정이 완료된 상기 약액을 배출하는 것을 더 포함하되, 상기 수분의 농도 측정이 완료된 상기 약액 및 상기 실리콘의 농도 측정이 완료된 상기 약액과 상기 시약의 혼합액을 각각 배출할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 혼합액을 설정 온도로 가열하여 상기 실리콘의 용해가 추가적으로 일어나도록 한 후에, 상기 혼합액을 상기 약액과 혼합하여 배출할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 약액은 상기 실리콘 화합물을 약 80ppm 내지 약 1000ppm 포함할 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시 예에 의하면, 본 발명은 약액에 포함된 실리콘의 농도 및 수분의 농도를 동시에 측정하여, 실리콘의 농도를 함께 제어할 수 있다. 특히, 측정된 수분의 농도의 변화량 및 실리콘의 농도의 변화량을 이용하여, 수분의 간섭이 배제된 보정된 실리콘의 농도를 파악할 수 있다. 이로 인해, 보다 정교한 실리콘 성분의 농도 제어가 가능하고, 고농도에 따른 기판 상의 이상 성장을 방지할 수 있다. 또한, 고농도의 실리콘 성분을 포함하고 고온으로 제어되는 약액으로 인해, 공정 진행 중에 실리콘의 농도가 증가될 수 있으므로, 실리콘 농도 측정부를 세정 또는 배출시 시약 반응을 통해 실리콘의 농도 함유량을 제어함으로써, 기판 처리 장치 내에서 실리콘의 석출로 인한 고장 및 오작동을 방지할 수 있다. 또한, 실리콘의 농도의 계측 오차 발생을 방지할 수 있다.
본 발명의 효과는 상술한 효과들로 제한되지 않는다. 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 제 2 농도 측정부의 확대도이다.
도 3은 도 1의 폐액 처리부를 보여주는 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 플로우 차트이다.
도 5a는 도 4의 수분 농도 및 실리콘 농도 측정 과정을 보여주는 플로우 차트이다.
도 5b는 도 4의 폐액 배출 과정을 보여주는 플로우 차트이다.
도 5c는 도 4의 데이터 처리 과정을 보여주는 플로우 차트이다.
도 6a 내지 도 6e는 도 4에 따른 기판 처리 과정을 보여주는 도면들이다.
도 7a 및 도 7b는 데이터 처리 과정에 따른 도면들이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 플로우 차트이다.
도 9a는 도 8의 실리콘 농도 측정부를 세정하는 과정을 보여주는 플로우 차트이다.
도 9b는 실리콘 측정 농도의 트렌드를 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 제 2 농도 측정부의 확대도이다.
도 3은 도 1의 폐액 처리부를 보여주는 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 플로우 차트이다.
도 5a는 도 4의 수분 농도 및 실리콘 농도 측정 과정을 보여주는 플로우 차트이다.
도 5b는 도 4의 폐액 배출 과정을 보여주는 플로우 차트이다.
도 5c는 도 4의 데이터 처리 과정을 보여주는 플로우 차트이다.
도 6a 내지 도 6e는 도 4에 따른 기판 처리 과정을 보여주는 도면들이다.
도 7a 및 도 7b는 데이터 처리 과정에 따른 도면들이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 플로우 차트이다.
도 9a는 도 8의 실리콘 농도 측정부를 세정하는 과정을 보여주는 플로우 차트이다.
도 9b는 실리콘 측정 농도의 트렌드를 보여주는 도면이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprises)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
또한, 본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 예시도인 단면도 및/또는 평면도들을 참고하여 설명될 것이다. 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치(1)를 보여주는 도면이다. 도 2는 도 1의 제 2 농도 측정부(264)의 확대도이고, 도 3은 도 1의 폐액 처리부(280)를 보여주는 도면이다. 이하, 도 1 내지 도 3을 참조하여, 기판 처리 장치(1)를 설명한다. 기판 처리 장치(1)는 기판 처리 유닛(10), 약액 공급 유닛(20), 그리고 제어부(30)를 포함한다.
기판 처리 유닛(10)은 배쓰(12)를 포함할 수 있다. 배쓰(12)는 메인 배쓰(12a) 및 보조 배쓰(12b)를 포함할 수 있다. 메인 배쓰(12a) 내에서, 약액을 이용하여 기판을 처리하는 공정을 진행할 수 있다. 일 예로, 기판에 대해 식각 공정을 진행할 수 있다. 그러나, 이에 국한되지 않고 약액을 이용하여 기판을 처리하는 다른 다양한 공정에 적용 가능하다. 메인 배쓰(12a) 내에 약액이 공급되고, 기판을 약액에 침지시켜 처리할 수 있다. 약액은 인산 수용액 및 실리콘 화합물을 포함할 수 있다. 약액은 고농도의 실리콘 화합물을 포함할 수 있다. 일 예로, 약액은 약 80ppm 내지 약 1000ppm의 실리콘 화합물을 포함할 수 있다. 기판에 대한 공정 처리를 위해, 약액은 고온으로 제어될 수 있다. 일 예로, 약액은 약 150° 내지 약 200°의 온도를 유지하도록 제어될 수 있다.
메인 배쓰(12a) 내에서는, 복수 개의 기판에 대해 공정이 동시에 진행될 수 있다. 보조 배쓰(12b)는 메인 배쓰(12a)에서 오버플로우(overflow)되는 약액을 수용한다. 배쓰(12)는 열 변화에 안정적인 재질로 제공될 수 있다. 추가적으로, 배쓰(12)의 내부에 코팅막(미도시)이 제공될 수 있다.
약액 공급 유닛(20)은 약액 순환부(220), 샘플링 라인(240), 농도 측정부(260), 그리고 폐액 처리부(280)를 포함한다. 약액 순환부(220)는 기판 처리 유닛(10)에 제공되는 약액을 순환시킬 수 있다. 예를 들어, 약액 순환부(220)는 메인 배쓰(12a)에서 배출된 약액을 순환시킨 후에, 순환된 약액을 보조 배쓰(12b)로 재공급할 수 있다. 약액 순환부(220)에서 순환되는 동안, 약액은 적합한 공정 조건을 갖도록 제어될 수 있다. 일 예로, 약액 순환부(220)에서 순환될 때, 약액의 온도 또는 농도 등을 제어할 수 있다. 약액 순환부(220)는 순환 라인(222), 순환 히터(224), 그리고 펌프(226)를 포함할 수 있다. 순환 라인(222)의 일단은 배쓰(12)로부터 연장되고, 타단은 다시 배쓰(12)로 연결될 수 있다. 순환 히터(224) 및 펌프(226)는 순환 라인(222) 상에 제공될 수 있다. 순환 히터(224)는 순환 라인(222) 상의 약액을 가열할 수 있다. 펌프(226)는 기판 처리 유닛(10)으로 재공급되는 약액의 유량을 제어할 수 있다. 추가적으로, 순환 라인(222) 상에는 필터(미도시)가 제공될 수 있다.
샘플링 라인(240)은 약액 순환부(220)와 농도 측정부(260)를 연결한다. 샘플링 라인(240)을 통해, 약액 순환부(220)에서 순환되는 약액의 적어도 일부가 샘플링되어 농도 측정부(260)로 공급될 수 있다. 샘플링 라인(240) 상에는 개폐 밸브(242)가 제공될 수 있다. 샘플링 라인(240)은 제 1 샘플링 라인(240a) 및 제 2 샘플링 라인(240b)으로 분기될 수 있다. 제 1 샘플링 라인(240a) 및 제 2 샘플링 라인(240b)은 후술할 제 1 농도 측정부(262) 및 제 2 농도 측정부(264)로 각각 연결될 수 있다. 제 1 및 제 2 샘플링 라인들(240a,240b) 상에는 각각 제 1 및 제 2 샘플링 밸브들(242a,242b)이 제공될 수 있다. 개폐 밸브(242)의 후단에, 보조 배쓰(12b)로 연결되는 추가 라인(244)이 제공될 수 있다. 추가 라인(244) 상에 제공된 추가 밸브(244a)의 개폐를 통해, 약액의 유량 조절 또는 약액의 보조 배쓰(12b)로의 약액 공급 등이 가능할 수 있다.
농도 측정부(260)는 제 1 농도 측정부(262) 및 제 2 농도 측정부(264)를 포함한다. 제 1 농도 측정부(262) 및 제 2 농도 측정부(264)는 서로 병렬로 제공될 수 있다. 농도 측정부(260)는 약액을 샘플링하여, 약액의 농도를 측정할 수 있다. 제 1 농도 측정부(262)는 약액의 수분의 농도를 측정할 수 있다. 제 1 농도 측정부(262)는 광학 측정부를 포함할 수 있다. 일 예로, 제 1 농도 측정부(262)는 근적외선(Near Infrared Ray)을 이용한 광학 측정부를 포함할 수 있다. 제 1 농도 측정부(262)는 근적외선을 조사하여, 제 1 농도 측정부(262)에서 반사되는 적외선 영역 중 수분에 의해 흡수되는 파장 영역의 흡수 정도, 즉 흡광도를 측정한 후 이를 수분 함량으로 바꾸어 수분 농도를 측정할 수 있다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 제 2 농도 측정부(264)는 약액의 실리콘의 농도를 측정할 수 있다. 제 2 농도 측정부(264)는 반응조(265), 시약 공급부(266), 보정 약액 공급부(267), 그리고 측정 전극(268)을 포함할 수 있다. 반응조(265)는 약액, 시약, 그리고 보정 약액을 수용하는 공간을 제공한다. 시약 공급부(266)는 시약 공급원(266a), 시약 공급 라인(266b), 그리고 시약 공급 밸브(266c)를 포함한다. 시약 공급 라인(266b)은 시약 공급원(266a)과 반응조(265)를 연결하고, 시약을 반응조(265)로 공급할 수 있다. 시약 공급 밸브(266c)는 시약 공급 라인(266b) 상에 배치되어 시약 공급을 조절할 수 있다. 시약은 약액과 반응할 수 있다. 시약은 약액에 포함된 실리콘 성분을 용해시킬 수 있다. 예를 들어, 시약은 플루오린(F) 이온을 함유할 수 있다. 시약은 산 용액을 포함할 수 있다. 시약은 약액과 약 0.5:1 내지 1.5:1의 비율로 제공될 수 있다. 시약은 설정 온도가 유지되도록 제공될 수 있다. 이 때, 설정 온도는 약액의 실리콘 성분을 용해할 수 있는 온도일 수 있다. 예를 들어, 설정 온도는 약 35° 내지 43°일 수 있다. 측정 전극(268)은 시약과 반응된 약액의 실리콘의 농도를 측정한다. 측정 전극(268)은 이온 선택성 전극(ion selective electrode)일 수 있다. 이온 선택성 전극은, 특정 이온의 농도에 따라 전위가 변화하도록 만들어진 전극일 수 있다. 예를 들어, 측정 전극(268)은 약액에 포함된 실리콘이 용해되어 시약의 플루오린(F) 이온과 반응하면, 반응조(265) 내 남아있는 플루오린(F) 이온의 양에 따른 전위를 측정할 수 있다. 약액과 반응한 플루오린(F)의 양을 통해, 실리콘의 농도를 역추적할 수 있다. 예를 들면, 측정 전극(268)은 란탄(La)을 포함할 수 있다. 측정 전극(268)은, 기준 전극(미도시)과 측정 완료된 후의 측정 전극(268)의 전위차를 비교할 수 있다. 추가적으로, 제 2 농도 측정부(264)는 히터(미도시)를 더 포함할 수 있다. 이와 달리, 시약은 약액에 포함된 실리콘 성분을 석출시킬 수 있다.
보정 약액 공급부(267)는 보정 약액 공급원(267a), 보정 약액 공급 라인(267b), 그리고 보정 약액 공급 밸브(267c)를 포함한다. 보정 약액 공급 라인(267b)은 보정 약액 공급원(267a)과 반응조(265)를 연결하고, 보정 약액을 반응조(265)로 공급할 수 있다. 보정 약액 공급 밸브(267c)는 보정 약액 공급 라인(267b) 상에 배치되어 보정 약액 공급을 조절할 수 있다. 보정 약액은 약액과 동일할 수 있다. 보정 약액은 약액과 동일 또는 상이한 농도를 가질 수 있다. 보정 약액은 실리콘 농도 함유량이 기설정된 농도로 제공될 수 있다.
도 1 및 도 3을 참조하면, 농도 측정부(260)에서 농도 측정이 완료된 폐액은 폐액 처리부(280)로 배출된다. 이 때, 폐액은 약액, 시약, 그리고 보정 약액 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 폐액 처리부(280)는 수거 라인(270), 제 1 수거 탱크(282), 제 2 수거 탱크(285), 제 3 수거 라인(289), 그리고 배출 라인(290)을 포함한다. 폐액 처리부(280)는 고농도의 실리콘 성분을 포함하는 약액으로 인해, 실리콘의 석출을 방지하도록 폐액을 배출할 수 있다.
수거 라인(270)은 농도 측정부(260)와 폐액 처리부(280)를 연결한다. 수거 라인(270)은 농도 측정부(260)와 제 1 및 제 2 수거 탱크들(282,285)을 연결하여, 농도 측정부(260)에서 농도 측정이 완료된 폐액을 제 1 및 제 2 수거 탱크들(282,285)로 공급할 수 있다. 수거 라인(270)은 제 1 수거 라인(270a) 및 제 2 수거 라인(270b)을 포함할 수 있다. 제 1 수거 라인(270a)은 제 1 농도 측정부(262)와 제 1 수거 탱크(282)를 연결할 수 있다. 제 2 수거 라인(270b)은 제 2 농도 측정부(264)와 제 2 수거 탱크(285)를 연결할 수 있다. 도 3에서는 제 1 및 제 2 수거 라인들(270a,270b)의 적어도 일부가 공유되는 것으로 도시하였으나, 제 1 및 제 2 수거 라인들(270a,270b)은 서로 독립적으로 제공될 수 있다.
제 1 수거 탱크(282)는 제 1 농도 측정부(262)에서 측정이 완료된 폐액을 수거할 수 있다. 이 때, 폐액은 약액을 포함할 수 있다. 제 2 수거 탱크(285)는 제 2 농도 측정부(264)에서 측정이 완료된 폐액을 수거할 수 있다. 이 때, 폐액은 약액, 시약, 그리고 보정 약액 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제 2 농도 측정부(264)에서 배출된 폐액은 약액과 시약의 혼합액일 수 있다. 제 2 수거 탱크(285)는 온도 센서(287) 및 히터(288)를 포함할 수 있다. 온도 센서(287) 및 히터(288)는 제 2 수거 탱크(285)가 설정 온도를 만족하도록, 제 2 수거 탱크(285)의 온도를 제어할 수 있다. 설정 온도는, 폐액에 포함된 시약이 약액 또는 보정 약액의 실리콘 성분을 용해할 수 있는 온도이다. 예를 들어, 설정 온도는 약 35° 내지 43°일 수 있다. 제 3 수거 라인(289)은 제 1 수거 탱크(282) 및 제 2 수거 탱크(285)를 연결할 수 있다. 제 2 수거 탱크(285)에서 추가 용해 작업이 완료되면, 제 3 수거 밸브(289a)를 열고 제 2 수거 탱크(285) 내의 폐액을 제 1 수거 탱크(282)로 공급할 수 있다. 추가 용해 작업은, 제 2 수거 탱크(285)에 수용된 폐액에 포함된 실리콘 성분을 추가적으로 용해하는 것일 수 있다. 배출 라인(290)은 제 1 수거 탱크(282)에서 연장될 수 있다. 배출 라인(290)은 제 1 수거 탱크(282)에서 혼합된 폐액들을 외부로 배출할 수 있다. 배출 라인(290)은 기판 처리 장치(1)의 메인 배출 라인(미도시)과 연결될 수 있다. 이 때, 배출 라인(290)은 메인 배출 라인(미도시)에 직하 구조로 결합될 수 있다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 플로우 차트이다. 도 5a는 도 4의 수분 농도 및 실리콘 농도 측정 과정을 보여주는 플로우 차트이고, 도 5b는 도 4의 폐액 배출 과정을 보여주는 플로우 차트이며, 도 5c는 도 4의 데이터 처리 과정을 보여주는 플로우 차트이다. 도 6a 내지 도 6e는 도 4에 따른 기판 처리 과정을 보여주는 도면들이다. 도 7a 및 도 7b는 데이터 처리 과정에 따른 도면들이다. 이하, 도 4 내지 도 7b를 참조하여, 기판 처리 방법을 설명한다. 화살표는 유체의 흐름을 나타낸다. 밸브의 내부가 채워진 것은 밸브가 닫혀있는 것이고, 밸브의 내부가 비워있는 것은 밸브가 개방되어 있는 것을 의미한다.
도 4, 도 5a, 그리고 도 6a를 참조하면, 샘플링 라인(240)을 통해 농도 측정부(260)로 약액을 공급한다(S10). 제 1 샘플링 라인(240a)의 제 1 샘플링 밸브(242a) 및 제 2 샘플링 라인(240b)의 제 2 샘플링 밸브(242b)를 열고, 약액을 제 1 농도 측정부(262) 및 제 2 농도 측정부(264)로 각각 공급할 수 있다(S210,220).
도 4, 도 5A, 그리고 도 6b를 참조하면, 약액의 수분의 농도 및 실리콘의 농도를 측정한다(S20). 제 1 농도 측정부(262)는 약액의 수분의 농도를 측정할 수 있다(S212). 제 1 농도 측정부(262)는 광학 측정부를 포함할 수 있다. 일 예로, 제 1 농도 측정부(262)는 근적외선(Near Infrared Ray)을 이용한 광학 측정부를 포함할 수 있다. 제 1 농도 측정부(262)는 근적외선을 조사하여, 제 1 농도 측정부(262)에서 반사되는 적외선 영역 중 수분에 의해 흡수되는 파장 영역의 흡수 정도, 즉 흡광도를 측정한 후 이를 수분 함량으로 바꾸어 수분 농도를 측정할 수 있다. 제 1 농도 측정부(262)가 측정한 수분 농도를 이용해, 약액이 포함하는 인산 농도로 환산할 수 있다. 제 2 농도 측정부(264)는, 반응조(265) 내 수용된 약액으로 시약을 공급하여 실리콘의 농도를 측정할 수 있다(S222,224). 시약은 약액과 반응할 수 있다. 시약은 약액에 포함된 실리콘 성분을 용해시킬 수 있다. 예를 들어, 시약은 플루오린(F) 이온을 함유할 수 있다. 시약은 산 용액을 포함할 수 있다. 시약은 약액과 약 0.5:1 내지 1.5:1의 비율로 제공될 수 있다. 시약은 설정 온도가 유지되도록 제공될 수 있다. 설정 온도는 약액의 실리콘 성분을 용해할 수 있는 온도일 수 있다. 예를 들어, 설정 온도는 약 35° 내지 43°일 수 있다. 측정 전극(268)은 시약과 반응하는 약액의 실리콘의 농도를 측정한다. 일 예로, 측정 전극(268)은 실리콘 이온의 농도에 따라 전위가 변화하는 전극일 수 있다.
도 4, 도 5b, 도 6c 내지 도 6e를 참조하면, 농도 측정부(260)에서 농도 측정이 완료된 폐액을 배출한다(S40,S410). 폐액은 약액, 시약, 그리고 보정 약액 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 제 1 수거 라인(270a)은 제 1 농도 측정부(262)에서 측정이 완료된 폐액을 제 1 수거 탱크(282)로 공급할 수 있다(S420). 이 때, 폐액은 약액을 포함할 수 있다. 제 2 수거 라인(270b)은 제 2 농도 측정부(264)에서 측정이 완료된 폐액을 제 2 수거 탱크(285)로 공급할 수 있다(S430). 이 때, 폐액은 약액, 시약, 그리고 보정 약액 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제 2 농도 측정부(264)에서 배출된 폐액은 약액과 시약의 혼합액일 수 있다. 제 2 수거 탱크(285)는 수용된 폐액이 설정 온도를 만족하도록, 온도를 제어할 수 있다(S432). 설정 온도는, 폐액에 포함된 시약이 약액의 실리콘 성분을 용해할 수 있는 온도이다. 예를 들어, 설정 온도는 약 35° 내지 43°일 수 있다. 제 2 수거 탱크(285)의 설정 온도가 만족되면, 제 2 수거 탱크(285)의 폐액을 제 1 수거 탱크(282)로 공급한다(S434,S436). 이후, 제 1 수거 탱크(282)에서 혼합된 폐액은 배출 라인(290)을 통해 외부로 배출될 수 있다(S440). 이러한 2차의 폐액 배출로 인해, 배출 라인(290) 내의 실리콘 석출 및 이로 인한 배관 막힘을 방지할 수 있다.
도 4, 도 5c, 도 7a, 그리고 도 7b를 참조하면, 제어부(30)는 측정된 수분의 농도 및 실리콘의 농도를 이용하여 데이터 처리를 할 수 있다(S510). 약액에 포함되어 있는 인산의 질량은 일정하나, 기판 처리 공정이 진행됨에 따라 약액에 포함된 실리콘 성분이 증가할 수 있다. 또한, 고온 하에서 공정이 이루어짐에 따라, 약액에 포함된 수분의 증발 및 유입에 따른 수분의 변동이 클 수 있다. 따라서, 제어부(30)는 측정된 약액의 수분의 농도 및 실리콘의 농도를 이용하여, 수분의 농도의 변화량 및 실리콘의 농도의 변화량을 추출하고, 약액에 포함된 실리콘의 용해량을 산출할 수 있다(S520,S530). 측정된 데이터들을 통해, [수학식 1]과 같이, 수분의 농도의 변화량(d(CDIW)/dt) 및 실리콘의 농도의 변화량(d(CSi)/dt)이 비례하는 관계임을 알 수 있다. 또한, 이들의 기울기(a) 및 약액에 포함된 인산의 질량(mHP)을 통해, 약액에 포함된 실리콘의 용해량(mSi)을 역추적할 수 있다([수학식 2] 참조). 이 때, 인산의 질량(mHP)은 작업자가 기설정한 질량일 수 있다.
[수학식 1]
[수학식 2]
따라서, [수학식 1] 및 [수학식 2]를 이용하여, [수학식 3]과 같이, 실리콘의 보정된 농도(Csi(rev))를 정의할 수 있다(S540). 실리콘의 보정 농도(Csi(rev))란, 수분 변동에 따른 수분 간섭을 배제한 농도일 수 있다. 실리콘의 보정 농도(Csi(rev))는 측정된 실리콘의 농도(Csi)와 측정된 수분의 농도(CDIW) 및 기준 수분의 농도(CDIW(ref))의 차이를 이용하여 정의할 수 있다. 기준 수분의 농도(CDIW(ref))는 작업자가 임의 시점으로 설정 가능하다. 즉, 제어부(30)는 보정된 실리콘 농도에 대한 소프트센서를 설정할 수 있다.
[수학식 3]
이로 인해, 도 7b와 같이, 제어부(30)는 측정된 실리콘의 농도(①), 측정된 수분의 농도(②), 보정된 실리콘의 농도(③)를 디스플레이할 수 있다. 제어부(30)는 측정된 실리콘의 농도(①), 측정된 수분의 농도(②), 보정된 실리콘의 농도(③) 각각에 기초한 인터락을 설정할 수 있다. 일 예로, 제어부(30)는 측정된 실리콘의 농도(①)의 제 1 설정 범위를 설정한 후에, 측정된 실리콘의 농도(①)가 제 1 설정 범위를 초과하는 경우 제 1 인터락을 발생시킬 수 있다. 또한, 제어부(30)는 보정된 실리콘의 농도(③)의 제 2 설정 범위를 설정한 후에, 보정된 실리콘의 농도(③)가 제 2 설정 범위를 초과하는 경우 제 2 인터락을 발생시킬 수 있다. 제어부(30)는 제 1 인터락 및 제 2 인터락을 중첩적으로 설정할 수 있다. 이와 달리, 제어부(30)는 측정된 수분의 농도(②) 또는 기판 처리 장치(1) 내 온도 등에 근거하여 인터락을 발생시킬 수 있다. 이로 인해, 약액을 이용한 기판 처리 장치(1)의 모니터링 및 시스템 제어가 용이해질 수 있고, 기판 처리 장치(1)의 신뢰도가 보다 향상될 수 있다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 플로우 차트이다. 도 9a는 도 8의 실리콘 농도 측정부를 세정하는 과정을 보여주는 플로우 차트이고, 도 9b는 실리콘 측정 농도의 트렌드를 보여주는 도면이다. 이하, 도 8 내지 도 9b를 참조하여, 기판 처리 방법을 설명한다. 도 8의 기판 처리 방법의 실리콘 농도 측정부 세정(S30) 외 다른 기판 처리 과정들(S10,S20,S40,S50)은 상술한 도 4 내지 도 7b의 기판 처리 과정들(S10,S20,S40,S50)과 동일 또는 유사할 수 있다. 따라서, 상술한 내용과 중복되는 설명은 생략한다.
도 8 및 도 9A를 참조하면, 실리콘 농도 측정 진행 중 또는 전후에, 제어부(30)는 제 2 농도 측정부(264), 즉, 실리콘 농도 측정부(264)를 세정할 수 있다(S30). 제어부(30)는 제 2 농도 측정부(264)를 계측 모드 및 세정 모드간에 스위치되도록 제어할 수 있다. 계측 모드는 실리콘의 농도를 측정하는 것이고, 세정 모드는 제 2 농도 측정부(264)의 내부를 세정하는 것일 수 있다. 일 예로, 제어부(30)는 제 2 농도 측정부(264)를 정기적 또는 비정기적으로 세정할 수 있다. 제어부(30)는 실리콘 농도 측정부(264)의 세정 모드를, 정기 진행 모드 및 비정기 진행 모드 중 적어도 어느 하나로 설정할 수 있다(S310).
정기 진행 모드로 설정할 경우, 제어부(30)는 설정 주기를 설정하고, 설정 주기 경과 여부에 따라 실리콘 농도 측정부(264)의 세정 여부를 판단한다 (S320,S322). 설정 주기를 경과하면, 제어부(30)는 반응조(265) 내로 설정 레벨까지 시약을 투입한다(S324). 시약은 반응조(265)에 잔류하는 실리콘 성분을 용해시킬 수 있다. 또한, 시약은 측정 전극(268)에 석출된 실리콘 입자들을 용해시킬 수 있다. 예를 들어, 시약은 플루오린(F) 이온을 함유할 수 있다. 시약은 산 용액을 포함할 수 있다. 시약은 설정 온도에 도달하도록 가열될 수 있다(S326). 예를 들어, 설정 온도는 약 35° 내지 43°일 수 있다. 이 때, 원활한 반응을 위해 교반 작업이 진행될 수 있다(S328). 제어부(30)는 설정 시간이 경과하면, 시약을 제 2 수거 탱크(285)로 배출시킬 수 있다(S330,S332). 이 때, 설정 시간은 약 15분 내지 약 30분일 수 있다.
비정기 진행 모드로 설정할 경우, 제어부(30)는 반응조(265) 내로 보정 약액을 공급한다(S340). 보정 약액은 약액과 동일할 수 있다. 보정 약액은 약액과 동일 또는 상이한 농도를 가질 수 있다. 보정 약액은 실리콘 농도 함유량이 기설정된 농도, 즉 기준 농도를 갖도록 제공될 수 있다. 제어부(30)는 반응조(265)에 공급된 보정 약액의 실리콘의 농도를 측정한다(S342,S344). 보정 약액에 포함된 실리콘 농도 함유량은 작업자가 설정한 값이므로, 보정 약액의 측정된 실리콘의 농도가 기설정된 농도의 기준 농도 범위를 이탈하는 경우는 제 2 농도 측정부(264)의 세정이 필요한 것을 의미한다. 따라서, 보정 약액의 측정된 실리콘의 농도가 기설정된 농도의 설정 범위를 이탈하는 경우, 제어부(30)는 반응조(265)의 보정 약액으로 시약을 공급한다(S346,S324). 이후, 시약을 이용한 세정 공정은 상술한 것과 동일하게 제공된다(S328,S330,S332). 보정 약액의 측정된 실리콘의 농도가 기설정된 농도의 설정 범위를 이탈하였으나, 자동 보정 설정 조건을 만족하는 경우 자동 보정이 진행될 수 있다(S346,S348,S350). 자동 보정은 0점 보정 등을 포함할 수 있다. 자동 보정이 완료된 후, 보정 약액의 실리콘의 농도를 재측정한다(S352). 이 때에도 설정 범위를 이탈하는 경우, 제어부(30)는 세정 공정을 계속 진행할 수 있다. 반면에, 설정 범위를 만족하는 경우, 제어부(30)는 세정 공정을 완료하고, 제 2 농도 측정부(264)를 계측 모드로 스위치할 수 있다(S360).
도 9b를 참조하면, 제 2 농도 측정부(264)가 측정한 농도의 트렌드를 파악할 수 있다. A선 및 B선은 제 2 농도 측정부(264)의 세정이 이루어진 시점을 의미한다. 이 때, 제 2 농도 측정부(264)의 측정 시간, 즉 약액의 순환 시간이 길어질수록 측정된 실리콘의 농도값에 차이가 발생하는 것을 알 수 있다. 특히, 측정된 실리콘의 농도값은 임의의 시점을 기준으로 피크(P)가 발생할 수 있다. 또한, 제 2 농도 측정부(264)를 세정하면, 측정된 실리콘의 농도값을 바로잡을 수 있다. 이를 통해, 제 2 농도 측정부(264)의 세정이 필요함을 알 수 있다. 또한, 이러한 트렌드를 통해, 제어부(30)는 제 2 농도 측정부(264)의 세정 주기를 설정할 수 있다.
실리콘 농도 측정부(264)의 세정 공정을 진행함으로써, 반응조(265) 내 누적된 실리콘 성분을 제거할 수 있다. 또한, 측정 전극(268)의 표면에 석출된 실리콘 입자들을 제거할 수 있다. 이로 인해, 측정 실리콘의 농도의 계측 오차를 방지하고, 기판 처리 장치(1)의 신뢰도를 향상시킬 수 있다.
이상의 본 실시예에서는 기판에 대해 식각 공정을 처리하는 약액을 공급하는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이와 달리 혼합 약액을 공급하여 기판을 처리하는 다양한 공정에 적용 가능하다. 또한, 본 실시예에서는 약액이 인산 수용액 및 실리콘 화합물을 포함하는 것을 예로 들어 설명하였으나, 약액은 인산 수용액 및 실리콘 화합물 외의 다른 성분을 포함할 수 있다. 또한, 본 실시예에서는 고온 하에서, 실리콘 화합물의 함유량이 많은 약액을 공급하여 기판을 처리하는 것을 예로 들어 설명하였으나, 동일 조건 하의 약액을 공급하는 다양한 약액 공급 유닛에도 적용 가능하다.
이상의 실시 예들은 본 발명의 이해를 돕기 위하여 제시된 것으로, 본 발명의 범위를 제한하지 않으며, 이로부터 다양한 변형 가능한 실시 예들도 본 발명의 범위에 속하는 것임을 이해하여야 한다. 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이며, 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 문언적 기재 그 자체로 한정되는 것이 아니라 실질적으로는 기술적 가치가 균등한 범주의 발명에 대하여까지 미치는 것임을 이해하여야 한다.
Claims (20)
- 인산 수용액 및 실리콘 화합물을 포함하는 약액을 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 유닛; 및
상기 기판 처리 유닛으로 상기 약액을 공급하는 약액 공급 유닛을 포함하되,
상기 약액 공급 유닛은, 상기 약액의 농도를 측정하는 농도 측정부를 포함하되,
상기 농도 측정부는:
상기 약액의 수분의 농도를 측정하는 제 1 농도 측정부; 및
상기 약액의 실리콘의 농도를 측정하는 제 2 농도 측정부를 포함하는 기판 처리 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 기판 처리 유닛 및 상기 약액 공급 유닛을 제어하는 제어부를 더 포함하고,
상기 약액 공급 유닛은:
상기 약액을 순환시키는 약액 순환부; 및
상기 약액 순환부와 상기 농도 측정부를 연결하고, 개폐 밸브를 포함하는 샘플링 라인을 더 포함하되,
상기 제어부는, 상기 제 1 농도 측정부 및 상기 제 2 농도 측정부로 상기 약액을 동시에 공급하도록 상기 개폐 밸브를 제어하는, 기판 처리 장치. - 제 2 항에 있어서,
상기 제 2 농도 측정부는, 이온 선택성 전극(ion selective electrode) 측정부를 포함하는, 기판 처리 장치. - 제 3 항에 있어서,
상기 제 2 농도 측정부는:
상기 약액을 수용하는 반응조;
상기 반응조로 상기 약액과 반응하는 시약을 공급하는 시약 공급부; 및
상기 반응조 내에서 상기 실리콘의 농도를 측정하는 측정 전극을 포함하는, 기판 처리 장치. - 제 4 항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 반응조를 정기적 또는 비정기적으로 세정하도록 상기 제 2 농도 측정부를 제어하는, 기판 처리 장치. - 제 5 항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 반응조를 세정할 때, 상기 반응조로 상기 시약을 공급하여 상기 반응조 내 잔류하는 실리콘 성분을 제거하도록 상기 제 2 농도 측정부를 제어하는, 기판 처리 장치. - 제 5 항에 있어서,
상기 제 2 농도 측정부는, 상기 반응조로 상기 실리콘의 농도의 계측 오차를 보정하기 위한 보정 약액을 공급하는 보정 약액 공급부를 더 포함하는, 기판 처리 장치. - 제 7 항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 반응조를 비정기적으로 세정할 때, 상기 반응조로 기준 농도를 갖는 상기 보정 약액을 공급하고 상기 실리콘의 농도를 측정하여, 상기 기준 농도의 이탈 여부에 따라 상기 반응조 세정 여부를 결정하는, 기판 처리 장치. - 제 4 항에 있어서,
상기 농도 측정부에서 농도 측정이 완료된 폐액을 배출하는 폐액 처리부를 더 포함하되,
상기 폐액 처리부는:
상기 제 1 농도 측정부에서 농도 측정된 상기 약액을 수거하는 제 1 수거 탱크; 및
상기 제 2 농도 측정부에서 농도 측정된 상기 약액 및 상기 시약을 수거하는 제 2 수거 탱크를 포함하는, 기판 처리 장치. - 제 9 항에 있어서,
상기 제 2 수거 탱크는 히터를 더 포함하고,
상기 제어부는, 상기 제 2 수거 탱크 내 수거된 상기 약액 및 상기 시약을 설정 온도로 가열하도록 상기 히터를 제어하고, 상기 약액 및 상기 시약이 상기 설정 온도에 도달하면 상기 제 2 수거 탱크 내의 상기 약액 및 상기 시약을 상기 제 1 수거 탱크로 공급하는, 기판 처리 장치. - 제 2 항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 농도 측정부가 측정한 상기 수분의 농도의 변화량 및 상기 실리콘 농도의 변화량을 기초로 하여, 상기 약액에 포함된 수분의 간섭을 배제한 실리콘의 보정 농도를 산출하는, 기판 처리 장치. - 제 11 항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 실리콘의 보정 농도가 기설정된 설정 범위를 초과하면 인터락을 발생시키는, 기판 처리 장치. - 제 11 항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 실리콘의 보정 농도의 제 1 설정 범위 및 상기 제 2 농도 측정부가 측정한 실리콘의 측정 농도의 제 2 설정 범위를 설정하여, 상기 제 1 설정 범위 또는 상기 제 2 설정 범위 중 어느 하나를 초과하는 경우 인터락을 발생시키는, 기판 처리 장치. - 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 농도 측정부는, 근적외선을 이용하는 광학 측정부를 포함하는, 기판 처리 장치. - 실리콘 화합물 및 인산 수용액을 포함하는 약액을 공급하여 기판에 대해 공정을 처리하는 기판 처리 방법에 있어서,
상기 기판으로 상기 약액을 공급하는 것;
상기 약액을 순환시키는 것;
순환되는 상기 약액의 적어도 일부를 샘플링하는 것;
상기 약액의 수분의 농도 및 실리콘의 농도를 측정하는 것; 그리고
상기 수분의 농도 및 상기 실리콘의 농도를 기초로 하여 상기 약액의 농도 정보를 처리하는 것을 포함하는, 기판 처리 방법. - 제 15 항에 있어서,
상기 약액의 농도 정보를 처리하는 것은, 측정된 수분의 농도의 변화량 및 측정된 실리콘 농도의 변화량을 기초로 하여, 수분의 변동에 따른 간섭을 배제한 실리콘의 보정 농도를 산출하는 것을 포함하는, 기판 처리 방법. - 제 16 항에 있어서,
상기 실리콘의 보정 농도가 기설정된 설정 범위를 초과하면 인터락을 발생시키는, 기판 처리 방법. - 제 16 항에 있어서,
상기 측정된 실리콘의 농도의 제 1 설정 범위를 설정하고, 상기 실리콘의 보정 농도의 제 2 설정 범위를 설정하여, 상기 측정된 실리콘의 농도가 상기 제 1 설정 범위를 초과하면 제 1 인터락을 발생하고, 상기 실리콘의 보정 농도가 상기 제 2 설정 범위를 초과하면 제 2 인터락을 발생시키는, 기판 처리 방법. - 제 15 항에 있어서,
상기 공정은 약 150° 내지 약 200°의 온도에서 진행되는, 기판 처리 방법. - 실리콘 화합물 및 인산 수용액을 포함하는 약액을 공급하여 기판에 대해 공정을 처리하는 기판 처리 방법에 있어서,
상기 기판으로 상기 약액을 공급하는 것;
상기 약액을 순환시키는 것;
순환되는 상기 약액의 적어도 일부를 샘플링하는 것;
약액의 수분의 농도 및 실리콘의 농도를 측정하는 것을 포함하되,
상기 실리콘의 농도를 측정하는 것은, 상기 공정 진행 중 증가하는 실리콘의 농도에 따라 발생하는 상기 실리콘의 농도의 계측 오차 발생 또는 상기 실리콘의 석출을 방지하는 것을 포함하는, 기판 처리 방법.
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