KR101099737B1 - 고온의 약액을 공급하는 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 고온의 약액을 공급하는 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 소정의 온도로 가열된 고온의 약액을 연속적으로 공급하는 장치에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 고온의 약액을 공급하는 장치는, 소정의 약액을 기 설정된 제1 설정 온도로 가열하고, 상기 제1 설정 온도로 가열된 약액을 제공하는 제1 약액 가열 탱크와, 상기 제1 설정 온도로 가열된 약액이 제공되면 상기 제공받은 약액을 기 설정된 제2 설정 온도로 가열하고, 상기 제2 설정 온도로 가열된 약액을 제공하는 제2 약액 가열 탱크와, 상기 제2 설정 온도로 가열된 약액이 제공되면, 상기 제공받은 약액을 기판 처리 장치로 공급하는 약액 공급 탱크를 포함하는데, 상기 제1 약액 가열 탱크 및 제2 약액 가열 탱크는 상기 약액을 제1 설정 온도 및 제2 설정 온도로 가열하기 위한 제1 가열부 및 제2 가열부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 고온의 약액을 공급하는 장치는, 소정의 약액을 기 설정된 제1 설정 온도로 가열하고, 상기 제1 설정 온도로 가열된 약액을 제공하는 제1 약액 가열 탱크와, 상기 제1 설정 온도로 가열된 약액이 제공되면 상기 제공받은 약액을 기 설정된 제2 설정 온도로 가열하고, 상기 제2 설정 온도로 가열된 약액을 제공하는 제2 약액 가열 탱크와, 상기 제2 설정 온도로 가열된 약액이 제공되면, 상기 제공받은 약액을 기판 처리 장치로 공급하는 약액 공급 탱크를 포함하는데, 상기 제1 약액 가열 탱크 및 제2 약액 가열 탱크는 상기 약액을 제1 설정 온도 및 제2 설정 온도로 가열하기 위한 제1 가열부 및 제2 가열부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 고온의 약액을 공급하는 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 소정의 온도로 가열된 고온의 약액을 연속적으로 공급하는 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 제조 공정 중 웨이퍼 가공 공정에는 감광액 도포 공정(Photoresist Coating), 현상 공정(Develop), 식각 공정(Etching), 화학기상증착 공정(Chemical Vapor Deposition), 애싱 공정(Ashing) 등이 있으며, 각각의 여러 단계의 공정을 수행하는 과정에서 기판에 부착된 각종 오염물을 제거하기 위한 공정으로 약액(Chemical) 또는 순수(Deionized Water)를 이용한 세정 공정(Wet Cleaning)이 있다.
이러한 감광액의 도포, 현상, 세정 공정 등에서는 액체 상태의 약액을 기판 위로 분사시켜 공정이 이루어진다. 예를 들어, 일반적인 매엽식 세정 장치의 경우, 한 장의 기판을 처리할 수 있는 기판척(Wafer chuck)에 기판을 고정시킨 후 모터에 의해 기판을 회전시키면서, 기판의 상부에서 분사 노즐을 통해 약액을 분사하고, 기판의 회전력에 의해 약액이 기판의 전면으로 퍼지게 된다.
일반적으로 기판을 처리하는 공정에서는 기판에 분사되는 약액의 온도가 공정에 매우 큰 영향을 주게 된다. 약액의 변화는 화학적으로 반응 시간을 변화시키는 등 공정에 편차를 주게 되어 약액의 온도를 조절하는 것은 매우 중요하다.
도 1은 종래 기술에 따른 약액 공급 장치를 도시한 도면이다.
도 1을 참조하면, 약액 공급 장치(1)는 제1 약액 공급 탱크(11), 제2 약액 공급 탱크(12), 순환 라인(20), 펌프(30) 및 히터(40)를 포함한다.
제1 약액 공급 탱크(11) 및 제2 약액 공급 탱크(12)는 약액 준비가 완료된 탱크(예를 들어, 제1 약액 공급 탱크)와 액액을 준비 중인 탱크(예를 들어, 제2 약액 공급 탱크)로 구성될 수 있다. 즉, 약액 준비가 완료된 제1 약액 공급 탱크(11)는 기판처리 장치(미도시)로 약액을 공급하는 동안 액액을 준비 중인 제2 약액 공급 탱크(12)가 약액 준비를 완료하는 구조이다. 여기서, 약액 준비가 완료되었다는 것은 약액이 소정 온도로 가열시켰다는 것을 말한다.
순환 라인(20)은 제1 약액 공급 탱크(11) 및 제2 약액 공급 탱크(12)에 저장된 약액이 순환시키는 역할을 하는 것으로, 순환 라인(20)을 통해 순환되는 약액은 히터(40)를 통해 가열된다. 펌프(30)는 제1 약액 공급 탱크(11) 및 제2 약액 공급 탱크(12)에 저장된 약액을 순환 라인(20)을 통해 순환시키는 역할을 하며, 히터(40)는 순환되는 약액을 가열하는 역할을 한다.
그러나, 약액 공급 탱크(11, 12)에 저장된 약액을 기 설정된 소정 온도로 가열해야 하는 경우, 가열 시간이 오래 걸리는 고온의 약액의 경우, 제1 약액 공급 탱크(11)에서 기판 처리 장치로 약액을 공급하는 동안 제2 약액 공급 탱크(12)에서 약액을 기 설정된 온도로 가열시키기 못한 경우 약액 공급이 중단되고, 이로 인해 생산에 막대한 영향을 미치게 되는 문제가 발생된다.
따라서, 고온의 약액을 공급하는 장치에서 고온의 약액이 중단되지 않고 연속적으로 공급할 수 있는 개선안이 필요하다.
본 발명은 상기한 문제점을 개선하기 위해 고안된 것으로, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 약액을 소정의 온도로 가열시키는 약액 가열 탱크와 가열된 약액을 공급하는 약액 공급 탱크를 각각 구비하고, 각 약액 가열 탱크 별로 다르게 설정된 온도로 약액을 가열한 후 가열된 약액을 순차적으로 제공함으로써, 고온의 약액을 연속적으로 제공할 수 있도록 하는 것이다.
본 발명의 해결하고자 하는 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 고온의 약액을 공급하는 장치는, 소정의 약액을 기 설정된 제1 설정 온도로 가열하고, 상기 제1 설정 온도로 가열된 약액을 제공하는 제1 약액 가열 탱크와, 상기 제1 설정 온도로 가열된 약액이 제공되면 상기 제공받은 약액을 기 설정된 제2 설정 온도로 가열하고, 상기 제2 설정 온도로 가열된 약액을 제공하는 제2 약액 가열 탱크와, 상기 제2 설정 온도로 가열된 약액이 제공되면, 상기 제공받은 약액을 기판 처리 장치로 공급하는 약액 공급 탱크를 포함하는데, 상기 제1 약액 가열 탱크 및 제2 약액 가열 탱크는 상기 약액을 제1 설정 온도 및 제2 설정 온도로 가열하기 위한 제1 가열부 및 제2 가열부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
상기한 바와 같은 본 발명의 고온의 약액을 공급하는 장치에 따르면 다음과 같은 효과가 하나 혹은 그 이상 있다.
첫째, 약액을 소정의 온도로 가열시키는 약액 가열 탱크와 가열된 약액을 공급하는 약액 공급 탱크를 각각 구비함으로써, 보다 빠르게 약액을 가열시킬 수 있어 고온의 약액을 연속적으로 제공할 수 있는 장점이 있다.
둘째, 각각의 약액 가열 탱크 별로 약액의 가열 온도가 다르게 설정되어 있어, 차가운 약액을 소정의 온도(즉, 기 설정된 온도)로 가열하는 시간보다 빠르게 기 설정된 온도로 가열시킬 수 있어, 고온의 약액이 중단되지 않고 연속적으로 공급할 수 있는 장점이 있다.
셋째, 약액 가열 탱크 내에 가열부를 더 구비하고 있어, 약액 탱크에 저장된 약액 중 기 설정된 온도에 먼저 도달한 일부의 약액을 빠르게 공급할 수 있어, 고온의 약액이 중단되지 않고 연속적으로 공급할 수 있는 장점이 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 약액 공급 장치를 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 고온의 약액을 공급하는 장치를 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 고온의 약액을 공급하는 장치를 도시한 도면이다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
하나의 소자(elements)가 다른 소자와 "접속된(connected to)" 또는 "커플링된(coupled to)" 이라고 지칭되는 것은, 다른 소자와 직접 연결 또는 커플링된 경우 또는 중간에 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 하나의 소자가 다른 소자와 "직접 접속된(directly connected to)" 또는 "직접 커플링된(directly coupled to)"으로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자를 개재하지 않은 것을 나타낸다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 고온의 약액을 공급하는 장치를 도시한 도면이다.
도 2를 참조하면, 고온의 약액을 공급하는 장치(100)는 제1 약액 가열 탱크(110), 제2 약액 가열 탱크(120) 및 약액 공급 탱크(130)를 포함하며 구성될 수 있다. 여기서, 제1 약액 가열 탱크(110), 제2 약액 가열 탱크(120) 및 약액 공급 탱크(130)는 각각 펌프(111, 121, 131), 제1 가열부(112, 122, 132) 및 제2 가열부(113, 123, 133)를 구비한다.
제1 약액 가열 탱크(110)는 공정에 사용되는 약액을 기 설정된 소정의 온도(이하, 제1 설정 온도(즉, 80℃)라 한다)로 가열하는 역할을 한다. 여기서, 제1 약액 가열 탱크(110)는 저장된 약액을 제1 설정 온도(즉, 80℃)로 가열시키기 위해 제1 가열부(112) 및 제2 가열부(113)를 구비한다. 본 발명에서 제1 설정 온도를 80℃로 설정하였으나, 이는 일실시예에 불과하며, 다른 온도로 변경 설정될 수도 있다.
제1 가열부(112)는 제1 약액 가열 탱크(110)에 저장된 약액을 순환시키는 순환 라인(150) 상에 위치되며, 제2 가열부(113)는 제1 약액 가열 탱크(110)의 내부 바닥면(즉, 하부)에 위치된다.
즉, 제1 가열부(112)는 순환 라인(150)을 통과하는 약액을 1차적으로 가열시키는 역할을 수행하며, 제2 가열부(113)는 제1 약액 가열 탱크(110) 내에 저장된 약액을 2차적으로 가열하는 역할을 수행한다. 이에, 약액이 순환 라인(150)을 이동하면서 제1 가열부(112)에서 발생된 열에 의하여 1차 가열된 후, 제1 약액 가열 탱크(110)의 내부로 유입되어 탱크 내에 위치된 제2 가열부(113)를 통해 2차 가열된다. 여기서, 제1 약액 가열 탱크(110)의 A부분에 제2 가열부(113)가 위치되어 있어, 제1 약액 가열 탱크(110) 내에 저장된 약액은 제2 가열부(113)의 위치에 따른 거리에 따라 서로 다른 온도를 가지게 된다. 이에, 제1 약액 가열 탱크(110) 내에 약액 중 A부분(예를 들어, 20리터)의 약액이 제1 설정 온도(즉, 80℃)에 먼저 도달하게 된다. 이러한 경우, 제1 약액 가열 탱크(110)의 A부분의 약액만을 제2 약액 가열 탱크(120)로 먼저 공급할 수 있다. 여기서, 제1 약액 가열 탱크(110) 하부에 약액을 제공하는 배출구(미도시)가 구비되어 있어, A부분의 약액이 먼저 공급될 수 있는 것이다. 따라서, 제1 약액 가열 탱크(110) 전체 약액을 제1 설정 온도(즉, 80℃)로 가열하는 시간보다 A부분의 약액만을 제1 설정 온도(즉, 80℃)로 가열하는 것이 보다 짧은 시간이 소요되므로, 고온의 약액이 중단되지 않고 연속적으로 공급될 수 있다. 여기서, A부분을 20리터로 설명하였으나, 이는 일실시예에 불과하며, 다른 용량으로 변경할 수도 있다.
한편, 다른 실시예로 제1 약액 가열 탱크(110)는 저장된 전체 약액이 제1 설정 온도로 가열되면, 제2 약액 가열 탱크(120)로 가열된 약액을 제공할 수도 있다. 이러한 경우에도, 제1 약액 가열 탱크(110)에 제1 가열부(112) 및 제2 가열부(113)가 구비됨으로써, 하나의 가열부를 이용하여 약액을 가열하는 종래 기술에 비해 보다 짧은 시간안에 탱크 내의 약액을 기 설정된 온도(즉, 기 설정된 온도)로 가열시킬 수 있다.
제2 약액 가열 탱크(120)는 제1 약액 가열 탱크(110)로부터 제공받은 약액을 기 설정된 소정의 온도(이하, 제2 설정 온도 (즉, 150℃)라 한다)로 가열하는 역할을 한다. 즉, 제1 약액 가열 탱크(110)로부터 제1 설정 온도(즉, 80℃)로 가열된 약액이 공급되면, 상기 공급된 약액의 온도가 제2 설정 온도(즉, 150℃)에 도달되도록 약액을 가열한다. 여기서, 제2 약액 가열 탱크(120)는 약액을 제2 설정 온도(즉, 150℃)로 가열시키기 위해 제1 가열부(122) 및 제2 가열부(123)를 구비한다. 본 발명에서 제2 설정 온도를 150℃로 설정하였으나, 이는 일실시예에 불과하며, 다른 온도로 변경 설정될 수도 있다.
제1 가열부(122)는 제2 약액 가열 탱크(120)에 저장된 약액을 순환시키는 순환 라인(160) 상에 위치되며, 제2 가열부(123)는 제2 약액 가열 탱크(120)의 내부 바닥면(즉, 하부)에 위치된다.
즉, 제1 가열부(122)는 순환 라인(160)을 통과하는 약액을 1차적으로 가열시키는 역할을 수행하며, 제2 가열부(123)는 제2 약액 가열 탱크(120) 내에 저장된 약액을 2차적으로 가열하는 역할을 수행한다. 이에, 약액이 순환 라인(160)을 이동하면서 제1 가열부(122)에서 발생된 열에 의하여 1차 가열된 후, 제2 약액 가열 탱크(120)의 내부로 유입되어 탱크 내에 위치된 제2 가열부(123)를 통해 2차 가열된다. 여기서, 제2 약액 가열 탱크(120)의 A부분에 제2 가열부(123)가 위치되어 있어, 제2 약액 가열 탱크(120) 내에 저장된 약액은 제2 가열부(123)의 위치에 따른 거리에 따라 서로 다른 온도를 가지게 된다. 이에, 제2 약액 가열 탱크(120) 내에 약액 중 A부분(예를 들어, 20리터)의 약액이 제2 설정 온도(즉, 150℃)에 먼저 도달하게 된다. 이러한 경우, 제2 약액 가열 탱크(120)의 A부분의 약액만을 약액 공급 탱크(130)로 먼저 공급할 수 있다. 따라서, 제2 약액 가열 탱크(120) 전체 약액을 제2 설정 온도(즉, 150℃)로 가열하는 시간보다 A부분의 약액만을 제2 설정 온도(즉, 80℃)로 가열하는 것이 보다 짧은 시간이 소요되므로, 고온의 약액이 중단되지 않고 연속적으로 공급될 수 있다. 여기서, A부분을 20리터로 설명하였으나, 이는 일실시예에 불과하며, 다른 용량으로 변경할 수도 있다.
한편, 다른 실시예로 제2 약액 가열 탱크(120)는 저장된 전체 약액이 제2 설정 온도로 가열되면 약액 공급 탱크(130)로 가열된 약액을 제공할 수도 있다.
약액 공급 탱크(130)는 제2 약액 가열 탱크(120)로부터 제공받은 약액을 저장하고, 약액 필요 시 펌프(131)를 이용하여 공급 라인(170)을 통해 기판 처리 장치(미도시)로 소정 온도로 가열된 약액을 공급하는 역할을 한다.
또한, 약액 공급 탱크(130)는 제2 약액 가열 탱크(120)로부터 제공받은 약액을 소정 온도(즉, 150℃)로 일정하게 유지시키기 위해 제1 가열부(132) 및 제2 가열부(133)를 구비한다.
제1 가열부(132)는 약액 공급 탱크(130)에 저장된 약액을 공급하는 공급 라인(170) 상에 위치되며, 제2 가열부(133)는 약액 공급 탱크(130)의 내부 바닥면(즉, 하부)에 위치된다.
즉, 제1 가열부(132) 및 제2 가열부(133)는 제2 약액 가열 탱크(120)로부터 제공받은 약액을 소정 온도(즉, 150℃)로 일정하게 유지시키는 역할을 수행한다.
만약, 약액 공급 탱크(130)의 A부분에 제2 가열부(133)가 위치되어 있어, 약액 공급 탱크(130) 내에 약액이 소정 온도(즉, 150℃)보다 낮을 경우에도 A부분(예를 들어, 20리터)의 약액은 해당 온도(즉, 150℃)로 빠르게 가열되므로, 약액이 중단되지 않고 연속적으로 공급될 수 있다.
한편, 본원 발명에서는 제1 약액 가열 탱크(110), 제2 약액 가열 탱크(120) 및 약액 공급 탱크(130) 내의 약액 온도를 감지하는 온도 감지센서(미도시)를 더 구비할 수 있다. 여기서, 온도 감지센서는 제1 약액 가열 탱크(110), 제2 약액 가열 탱크(120) 및 약액 공급 탱크(130) 주변에 각각 구비된다.
예를 들어, 제1 약액 가열 탱크(110) 및 제2 약액 가열 탱크(120)에 구비된 온도 감지센서는 A부분의 약액의 온도가 제1 설정 온도 및 제2 설정 온도에 도달하였는지 감지할 수 있다. 이에, 온도 감지센서가 감지한 약액의 온도가 기 설정된 온도(즉, 제1 설정 온도 및 제2 설정 온도) 보다 낮을 경우, 제어장치(미도시)에 의해 제1 가열부(112, 122, 132) 및 제2 가열부(113, 123, 133)가 동작될 것이고, 온도 감지센서가 감지한 약액의 온도가 기 설정된 온도(즉, 제1 설정 온도 및 제2 설정 온도)에 도달한 경우, 제어장치에 의해 제1 가열부(112, 122, 132) 및 제2 가열부(113, 123, 133)의 동작이 중지될 것이다.
이상과 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
110 : 제1 약액 가열 탱크
120 : 제2 약액 가열 탱크
130 : 약액 공급 탱크
111, 121, 131 : 펌프
112, 122, 132 : 제1 가열부
113, 123, 133 : 제2 가열부
120 : 제2 약액 가열 탱크
130 : 약액 공급 탱크
111, 121, 131 : 펌프
112, 122, 132 : 제1 가열부
113, 123, 133 : 제2 가열부
Claims (6)
- 소정의 약액을 기 설정된 제1 설정 온도로 가열하고, 상기 제1 설정 온도로 가열된 약액을 제공하는 제1 약액 가열 탱크;
상기 제1 설정 온도로 가열된 약액이 제공되면 상기 제공받은 약액을 기 설정된 제2 설정 온도로 가열하고, 상기 제2 설정 온도로 가열된 약액을 제공하는 제2 약액 가열 탱크; 및
상기 제2 설정 온도로 가열된 약액이 제공되면, 상기 제공받은 약액을 기판 처리 장치로 공급하는 약액 공급 탱크를 포함하고,
상기 제1 약액 가열 탱크 및 제2 약액 가열 탱크는 각각 상기 약액을 제1 설정 온도 및 제2 설정 온도로 가열하기 위한 제1 가열부 및 제2 가열부를 구비하고,
상기 제1 약액 가열 탱크에 구비된 제2 가열부는 상기 제1 약액 가열 탱크의 내부 바닥면에 위치하고,
상기 제1 약액 가열 탱크 내의 약액의 온도는 상기 제2 가열부를 기준으로 서로 다른 온도를 가지며, 상기 서로 다른 온도를 가지는 상기 제1 약액 가열 탱크 내의 약액 중 제1 설정 온도에 도달한 일부 약액이 상기 제2 약액 가열 탱크로 제공되는, 고온의 약액을 공급하는 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제1 설정 온도 및 제2 설정 온도는 서로 다르게 설정되는, 고온의 약액을 공급하는 장치. - 삭제
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 제2 약액 가열 탱크에 구비된 제2 가열부는 상기 제2 약액 가열 탱크의 내부 바닥면에 위치하고,
상기 제2 약액 가열 탱크 내의 약액의 온도는 상기 제2 가열부를 기준으로 서로 다른 온도를 가지며, 상기 서로 다른 온도를 가지는 약액 중 제2 설정 온도에 도달한 일부 약액이 상기 약액 공급 탱크로 제공되는, 고온의 약액을 공급하는 장치. - 제 1항에 있어서,
상기 약액 공급 탱크는 상기 제2 약액 가열 탱크로부터 제공받은 제2 설정 온도로 가열된 약액의 온도를 유지하기 위한 제1 가열부 및 제2 가열부를 구비하는, 고온의 약액을 공급하는 장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100000516A KR101099737B1 (ko) | 2010-01-05 | 2010-01-05 | 고온의 약액을 공급하는 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100000516A KR101099737B1 (ko) | 2010-01-05 | 2010-01-05 | 고온의 약액을 공급하는 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20110080340A KR20110080340A (ko) | 2011-07-13 |
| KR101099737B1 true KR101099737B1 (ko) | 2011-12-28 |
Family
ID=44919269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020100000516A KR101099737B1 (ko) | 2010-01-05 | 2010-01-05 | 고온의 약액을 공급하는 장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101099737B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101553361B1 (ko) * | 2013-11-29 | 2015-09-17 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6688135B2 (ja) * | 2016-04-01 | 2020-04-28 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 処理液供給装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61133633A (ja) | 1984-12-03 | 1986-06-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエ−ハの洗浄装置 |
| JP2004273838A (ja) | 2003-03-10 | 2004-09-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
-
2010
- 2010-01-05 KR KR1020100000516A patent/KR101099737B1/ko active IP Right Grant
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS61133633A (ja) | 1984-12-03 | 1986-06-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエ−ハの洗浄装置 |
| JP2004273838A (ja) | 2003-03-10 | 2004-09-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
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| KR101553361B1 (ko) * | 2013-11-29 | 2015-09-17 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20110080340A (ko) | 2011-07-13 |
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