JP3728165B2

JP3728165B2 - イオン注入されたホトレジストの残渣の処理方法及び半導体装置の製造方法

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Publication number: JP3728165B2
Application number: JP2000018796A
Authority: JP
Inventors: 重信横島
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1999-01-28
Filing date: 2000-01-27
Publication date: 2005-12-21
Anticipated expiration: 2020-01-27
Also published as: JP2000286248A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置等の製造方法及びそれに用いられる基板上のホトレジストやその残渣物等を除去する為の処理方法に関し、特にドーパントのイオン注入等に起因した難灰化性と残渣を除去する為の処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の作製プロセスにおいて、デバイス構造を形成するための選択的エッチングや局所的なイオン注入のためのマスク材として広く感光性樹脂であるホトレジストが用いられる。該ホトレジストはこれを利用した各種処理の後に除去される必要があり、近年、一般には主に酸素プラズマや酸素ラジカル、オゾン等を使用し、酸化作用によるドライ処理により酸化、灰化されて除去される。
【０００３】
即ち、主に炭素と水素から構成される有機物であるホトレジストの除去方法としては、該ホトレジストを放電や紫外線照射により活性化した酸素に曝露し、その酸化作用により水蒸気、二酸化炭素や一酸化炭素等の気体にして灰化除去する手法が広く用いられる。
【０００４】
一方、ホトレジストがドーパント等のイオン注入のマスクとして使用された場合、注入されたイオンのエネルギーによりレジストの表面が変質し、酸化による除去が困難になり、著しく処理効率が低下する。また、イオン注入を行ったホトレジストを通常の灰化温度である１５０〜２５０℃に昇温すると、ホトレジスト下部の未変質層から発生する有機溶媒の蒸気により表面の変質層が破裂し、フレーク状のパーティクルとなって飛散する現象（ポッピング）が見られ、結果的にウェハーを汚染する事が知られている。更に注入されたＡｓ、Ｐ、Ｂ等のドーパントイオンは酸化により蒸気圧の高い物質を生成しないため、レジストが酸素系の活性種により灰化除去された後に該イオンの酸化物がウェハー上に残留し、その後の湿式処理により除去する必要が生じる。
【０００５】
以上のようなイオン注入後に生じる灰化が困難なレジストを除去する事を目的として、従来はレジスト表面の変質層を水素プラズマや水蒸気プラズマでレジストの除去と共にドーパントを水素化して除去した後に、下地の未変質層を酸素プラズマにより灰化除去する方法や、灰化速度の上昇と注入されたイオン種の除去作用のあるフッ素を含むガスを酸素ガスに添加した混合ガスのプラズマにより灰化除去する方法等が提案されている。
【０００６】
又、特開平５−２７５３２６号公報には、酸素とＣＦ₄ とを用いて処理した後、酸素と窒素を用いて処理を行う方法が開示されており、特開平６−１０４２２３号公報には酸素と窒素とを用いて処理を行った後、酸素とＳＦ₄ とを用いて処理を行う方法が開示されている。更に特開平５−１６００２２号公報には、酸素プラズマでホトレジストを灰化し、次いで水素プラズマで残渣をアッシングする方法が開示されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、イオン注入により生じた変質層を水素プラズマや水蒸気プラズマにて除去する場合、一般に反応速度が遅いために処理効率が低下する。更に反応速度を補うために被処理物の温度を十分に高くする必要があり、より一層ポッピングが発生し易くなる。
【０００８】
ハロゲンを含むガスの例として、ハロゲンの一種であるフッ素を含むガスを酸素に添加したプラズマによる処理に於いては、発生するフッ素イオンやフッ素ラジカルの働きにより酸素プラズマのみ比べて処理効率は向上するが、低温処理ではホトレジストの残渣が発生しやすく、これを避けるためにポッピングの生じ易い高温で処理する必要がある。
【０００９】
この為、実際の半導体デバイスの製造工程では、酸素による灰化を行った後、被処理体であるウエハ上に残留したドーパントの酸化物を、ウエット洗浄により洗浄除去していた。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の目的は、イオン注入されたドーパントの酸化物のような残渣を残すことなく、高効率で被処理体の表面の異物を除去できる処理方法を提供することにある。
【００１１】
本発明は、ドーパントが注入されたホトレジストを灰化除去して被処理体の表面を露出させた後、該被処理体の表面上に残る該ドーパントを含む残渣を除去する為の残渣除去方法において、
前記ホトレジストの灰化除去時の温度より高い温度にて、フッ素を含むガスを用いて、前記ドーパントを含む残渣を除去することを特徴とする。
【００１２】
また、本発明は、被処理体の処理方法において、
第１の温度にて、前記被処理体の表面上にあるドーパントが注入されたホトレジストを灰化除去する工程、
前記第１の温度より高い第２の温度にて、フッ素を含むガスを用いて、前記ドーパントを含む残渣を除去する工程
を含むことを特徴とする。
【００１３】
更に、本発明は、半導体装置の製造方法において、
基板の表面上にホトレジストのパターンを形成する工程、
前記ホトレジストのパターンをマスクとして前記基板にドーパントを注入する工程、
第１の温度にて、前記基板の表面上にあるドーパントが注入されたホトレジストを灰化除去する工程、
前記第１の温度より高い第２の温度にて、フッ素を含むガスを用いて、前記ドーパントを含む残渣を除去する工程
を含むことを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】
図１は本発明による処理方法のフローチャートを示しており、図２は処理方法を説明するための被処理体の模式的断面図である。
【００１５】
符号１はシリコンウエハのような被処理体、２はリン、砒素、硼素などのドーパントがイオン注入されたホトレジスト、３はリン酸化物や砒素酸化物或いは硼素酸化物などのドーパントを含む残渣である。
【００１６】
工程Ｓ１では、ドーパントが注入されたホトレジスト２を灰化除去して被処理体１の表面を露出させる。
【００１７】
その後、工程Ｓ２において、被処理体１の表面上に残るドーパントを含む残渣３を除去する。
【００１８】
この時、工程Ｓ１の温度、即ちホトレジストの灰化除去時の温度Ｔ１より高い温度Ｔ２にて、ドーパントを含む残渣３を除去する。
【００１９】
こうして、高清浄な被処理体表面が得られる。
【００２０】
工程Ｓ１における温度を低くすることにより、ポッピングを抑制し、工程Ｓ２における温度を高くすることにより、ドーパント酸化物の除去効率を高めている。
【００２１】
工程Ｓ１における被処理体の温度としては１５０℃より低い温度、具体的には１３０℃以下、より好ましくは１２０℃以下である。
【００２２】
工程Ｓ２における被処理体の温度としては、工程Ｓ１における被処理体の温度より高ければよいが、より好ましくは１５０℃以上、より好ましくは２００℃以上である。
【００２３】
工程Ｓ１においては、ホトレジストを灰化するために酸化性のガス（第１のガス）を用いられる。被処理体の表面を傷めないように、フッ素を含まないガスのプラズマを用いて灰化処理を行うことが好ましい。フッ素を含まないガスとは、意図的にフッ素系ガスが添加されていないガスという意味であり、いわゆるバックグラウンドレベルやコンタミネーションレベルとしてフッ素が検出されるガスであってもかまわない。工程Ｓ１に用いられる第１のガスとしては、酸素濃度１００％の酸素ガス、酸素ガスと不活性ガスとの混合ガス（酸素濃度は任意）が挙げられる。不活性ガスとしては、ヘリウム、アルゴン、ネオン、キセノン、クリプトン等の希ガスや窒素ガスが用いられる。また、必要に応じて、水や酸化窒素等が添加されてもよい。
【００２４】
工程Ｓ２に用いられるガスとしては、フッ素及び／又は水素を含むガスである。より詳しくは、フッ化炭素、フッ化窒素、アンモニア、フッ化硫黄、フッ素、水素、水であり、必要に応じて酸素ガスや不活性ガスと混合されて用いられてもよい。とりわけフッ化炭素、フッ化窒素、フッ化イオウ、アンモニアが好ましいものである。酸素は、単なる希釈ガスとして作用するだけではなく、フッ化炭素、フッ化窒素、アンモニアから生じる炭素や窒素と反応して、炭酸ガスや酸化窒素ガスを生成して、残留炭素や残留窒素を処理空間から速やかに取り除く作用もある。
【００２５】
工程Ｓ１や工程Ｓ２では、上記第１又は第２のガスのマイクロ波プラズマを用いてプラズマ処理することが好ましい。
【００２６】
第２のガスとしては、とりわけＣＦ₄ 、Ｃ₂ Ｆ₆ 、Ｃ₃ Ｆ₈ 、Ｃ₃ Ｆ₆ 、ＮＦ₃ 、ＳＦ₆ 、ＮＨ₃ 等が好ましく用いられる。これらは酸素と混合されて用いられてもよい。第２の工程では、リン、砒素、硼素等が注入されたホトレジストのうち第１の工程により有機物が除去された後に被処理体表面に残留する酸化物を主として除去する。リン、砒素、硼素などのドーパントはフッ素イオン、フッ素ラジカル、水素イオン、水素ラジカルなどの活性種の作用により、こうした残渣は揮発性のフッ化物や水素化物となって被処理体表面から除去される。炭化フッ素系のガスやフッ化窒素系のガスは望ましくないコンタミネーションを引き起こす元素を持たないこと、フッ素活性種の発生効率がよいので、少ない添加量で所望の効果を発揮しうることから、被処理体表面への損傷が少なくて済む。又、アンモニアは水素に比べて取り扱いが容易であり、Ｎ−Ｈ結合エネルギーが低く水素活性種を効率よく生成できること、あわせて生成されるＮＨラジカルは寿命が長くドーパントの酸化物を効率よく還元できることから非常に有効である。
【００２７】
（実施形態１）
図３はマイクロ波を用いてプラズマを発生し、被処理体であるウェハーにプラズマ処理を施すプラズマ処理装置の構成を示す図である。１０１は真空容器であって、マイクロ波導入用の誘電体窓１０７と共にプラズマを発生する処理室を形成し、図には示されない真空ポンプにより排気口１０２を通じて排気される。１０８はマイクロ波導波管であって、図中には示されないマイクロ波発生器で発生したマイクロ波を前述の真空容器へ導く。１０６はガス導入管であり、図中には示されないガス供給系より供給される所定流量のプラズマ処理用ガスを処理室に供給する。図中Ｗはリン（Ｐ）がイオン注入されたホトレジストを有するウェハーであって、ヒーター１０５の上に載置される。
【００２８】
図３に示したアッシング装置に被処理物であるウェハーを処理温度に設定されたヒーター上方に不図示のウエハ昇降ピン等によりヒーターから浮かして載置する。チャンバーを気密にして接続された真空ポンプによりチャンバー内を略真空まで排気した後、昇降ピンを操作してウエハをヒーター上に載置する。これにより真空断熱の効果でウエハ温度をヒーター温度より十分に低く保つことができる。実測ではこの時のウエハ温度は８０℃前後であった。
【００２９】
レジストを構成する有機分の除去を目的として、下記に示す所定量の酸素をチャンバーに導入、所定の条件で処理を開始し、不図示のプラズマモニターを有する終点検知装置で判別されるアッシングの終点までの時間を測定し、その時間の１．５〜２倍程度の時間が開始時刻より経過した後処理を終了する。
【００３０】
灰化の為の活性種は図３に示す装置だけではなく、スロット付導体平板を有するマイクロ波プラズマ処理装置により高効率に生成できる。無終端環状導波管のＨ面を平面状にして、そこに複数のスロットを形成した平板状アンテナや、ラジアルラインスロットアンテナを用いたマイクロ波プラズマ処理装置を用いるとより高効率に生成できる。
【００３１】
このような装置は、特許第２９２５５３５号公報やＵＳＰ５、０３４、０８６の明細書に開示されている。
【００３２】
第１の工程は処理条件をまとめると以下のとおりである。
ガス／流量：Ｏ_２／１００ｓｃｃｍ
処理圧力：０．１Ｔｏｏｒ（約１３．３Ｐａ）
ヒーター温度：２５０℃
ウエハ温度：８０℃
【００３３】
こうすれば、ウエハ上のホトレジストの９５％以上は完全に除去され、目視で観察できない程度になっている。
【００３４】
次に、真空断熱をやぶり、ウエハをヒーター温度まで加熱するために酸素を略大気圧になるまでチャンバー内に導入する。導入するガスは酸素以外のガスでもよい。
【００３５】
次に、再びチャンバ内を真空に排気した後、第２の工程Ｓ２を行う。ここでは、酸素のみでは除去できずにウェハー上に残留した残渣の除去を目的として、所定の濃度に混合された酸素／ＣＦ₄ 混合ガスを所定量チャンバーへ導入、所定の条件で処理を開始し、１５秒程度の処理を行う。この処理を行う事で一段目の処理で残ったドーパントの酸化物からなる残渣が除去される。
【００３６】
この第２の工程の処理条件は例えば下記のとおりである。
ガス／流量：Ｏ₂ ＋ＣＦ₄ ／５００ｓｃｃｍ＋２ｓｃｃｍ
処理圧力：０．６Ｔｏｒｒ（約８０Ｐａ）
ウエハ温度：２５０℃
マイクロ波出力：１５００Ｗ
処理時間：１５秒程度
【００３７】
（実施形態２）
図３に示したアッシング装置に被処理物であるウェハーを処理温度（低温）に設定されたヒーター上に載置し、ウェハーが処理温度に達した後、チャンバーを気密にして接続された真空ポンプによりチャンバー内を略真空まで排気する。
【００３８】
レジストを構成する有機分の除去を目的として、所定量の酸素をチャンバーに導入、所定の条件で処理を開始し、プラズマモニターの終点検知装置で判別されるアッシングの終点までの時間の倍程度の時間の処理を行う。
【００３９】
第１の工程の処理条件は下記のとおりである。
ガス／流量：Ｏ₂ ／１００ｓｃｃｍ
処理圧力：０．１Ｔｏｒｒ（約１３．３Ｐａ）
処理温度：８０℃
マイクロ波出力：１５００Ｗ
処理時間：発光スペクトル又は発光強度が変化する迄の時間の１．５〜２倍程度の時間
【００４０】
その後、チャンバーを大気開放してウェハを取り出す。目視ではウエハ上のホトレジストは観察できないくらい除去される。
【００４１】
図３に示したアッシング装置に被処理物であるウェハーを処理温度（高温）に設定されたヒーター上に載置し、ウェハーが処理温度に達した後、チャンバーを気密にして接続された真空ポンプによりチャンバー内を略真空まで排気する。この時、別のチャンバーで処理を行っても、同じチャンバーの設定温度を変更して処理を行ってもよい。
【００４２】
一段目の処理でレジスト中の有機分を除去した際の残渣を除去する事を目的として、所定の濃度に混合された酸素／ＣＦ₄ 混合ガスを所定量チャンバーへ導入、所定の条件で処理を開始し、１５秒程度の処理を行う。この処理を行う事でドーパントの酸化物からなる残渣を除去でき、残渣の無い清浄な表面が得られる。
【００４３】
第２の工程の処理条件は下記のとおりである。
ガス／流量：Ｏ₂ ＋ＣＦ₄ ／５００ｓｃｃｍ＋２ｓｃｃｍ
処理圧力：０．６Ｔｏｒｒ（約８０Ｐａ）
ウエハ温度：２５０℃
μ波出力：１５００Ｗ
【００４４】
この方法では、非フッ素系酸化性ガスで行う第１の工程の処理温度を第２の工程のそれより低い温度、即ち１５０℃より十分低い温度としたことにより、ポッピングが抑制された。
【００４５】
（実施形態３）
図４のプラズマ処理装置は、図３の装置にウェハー昇降装置としてのリフトピン１０９を付加した装置である。
【００４６】
図４に示したアッシング装置に被処理体であるウェハーを昇降装置によりヒーター上方に浮かした状態で載置し、チャンバーを気密にして接続された真空ポンプによりチャンバー内を略真空まで排気する。
【００４７】
レジストを構成する有機分の除去を目的として、所定量の酸素をチャンバーに導入、所定の条件で処理を開始し、プラズマモニターの終点検知装置などで判別されるアッシングの終点までの時間の倍程度の時間の処理を行う。
【００４８】
この第１の工程の処理条件は下記のとおりである。
ガス／流量：Ｏ₂ ／１００ｓｃｃｍ
処理圧力：０．１Ｔｏｒｒ（約１３．３Ｐａ）
ヒーター温度：２５０℃
マイクロ波出力：１５００Ｗ
処理時間：発光スペクトル又は発光強度が変化する迄の時間の１．５〜２倍程度の時間
【００４９】
この時のヒーター温度は２５０℃であるが、ウェハ自体はリフトピンによりヒーターから浮いているため、ウェハの温度は１５０℃より充分低い温度になる。
【００５０】
これによりホトレジストの９５％以上は確実に除去できる。
【００５１】
第１の工程の後、ウェハーの昇降装置によりウェハーを下降させてヒーター上に載置し、酸素等のガスをチャンバーに略大気圧に導入することにより、ある一定時間加熱し、ウエハーを約２５０°に昇温させる。
【００５２】
先の処理でレジスト中の有機分を除去した後の残渣を除去する事を目的として、所定の濃度に混合された酸素／ＣＦ₄ 混合ガスを所定量チャンバーへ導入、所定の条件で処理を開始し、１５秒程度の処理を行う。この処理を行う事で実施形態２の処理と同様の処理を、より短時間で効率よく行える。
【００５３】
第２の工程における処理条件は下記のとおりである。
ガス／流量：Ｏ₂ ＋ＣＦ₄ ／５００ｓｃｃｍ＋２ｓｃｃｍ
処理圧力：０．６Ｔｏｒｒ（約８０Ｐａ）
ヒーター温度（被処理体温度）：２５０℃
マイクロ波出力：１５００Ｗ
処理時間：１５秒程度
【００５４】
フッ素を含むガスをプラズマ化した場合に発生するフッ素の活性種は、処理時間が長いと被処理物を構成する珪素と珪素酸化物を腐食する。更にフッ素を含むガスを添加して灰化を行うと、レジストが弗化してアッシングし難くなることもある。
【００５５】
以上説明した実施形態ではこうした問題もない。
【００５６】
反応系に関係のない硫黄（Ｓ）が混入したり、プラズマを維持することが難しくなり、フッ素活性種の発生効率が悪くなることもない。
【００５７】
（実施形態４）
次に、本発明による半導体装置の製造方法について図５を参照して説明する。
【００５８】
被処理体１として、Ｓｉウエハのような半導体基板を用意する。
【００５９】
図５の（ａ）のように被処理体１の表面にホトレジスト材料４をコートする。
【００６０】
図５の（ｂ）のように、ホトレジスト材料を露光し、現像することにより、ホトレジストパターン２を得る。
【００６１】
図５の（ｃ）のようにホトレジストパターン２をマスクにしてリン、砒素、硼素等のドーパントを打ち込む。ホトレジストパターンから露出した部分にはドープ層５が形成される。又、ホトレジストパターンにはドーパントが導入される。
【００６２】
実施形態１〜３で述べたような第１の工程処理を行いホトレジストパターン２を灰化除去する。こうすると図５の（ｄ）のようにドーパントの酸化物からなる残渣３が被処理体１の表面に残る。
【００６３】
次に、前述したような第２の工程を行えば、図５の（ｅ）に示すように残渣３は除去される。こうして、半導体装置のドープ層５を形成することができる。
【００６４】
【実施例】
上記実施形態３に述べた手順でＰイオンが注入されたホトレジストを灰化させた後、残渣を除去したところ、ドーパント酸化物からなる残渣は殆んど残っていなかった。
【００６５】
【発明の効果】
本発明によれば、変質した有機物の残渣を残すことなく、高効率で灰化除去でき、灰化すべき有機物の下地である被処理体表面の腐蝕を抑制し、パーティクル汚染の原因を抑制できる。又、従来のような残渣の除去のためのウエット洗浄を省くこともできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の処理方法を示す図。
【図２】本発明による処理の様子を示す図。
【図３】本発明に用いられるプラズマ処理装置の一例を示す図。
【図４】本発明に用いられるプラズマ処理装置の別の例を示す図。
【図５】本発明による半導体装置の製造方法を示す図。

Claims

ドーパントが注入されたホトレジストを灰化除去して被処理体の表面を露出させた後、該被処理体の表面上に残る該ドーパントを含む残渣を除去する為の残渣除去方法において、
前記ホトレジストの灰化除去後に、前記ホトレジストの灰化除去時の温度より高い温度にて、フッ素を含むガスを用いて、前記ドーパントの酸化物である残渣を除去することを特徴とする残渣の除去方法。
前記ドーパントが注入されたホトレジストの灰化除去は、フッ素を含まないガスのプラズマを用いた灰化処理である請求項１記載の残渣の除去方法。
前記ドーパントが注入されたホトレジストの灰化除去は、酸素のプラズマを用いた灰化処理であり、
前記ドーパントを含む残渣の除去は、フッ化炭素、フッ化窒素、フッ化イオウのうちの少なくとも一種と、酸素とを含むガスを用いた処理である請求項１記載の残渣の除去方法。
前記ドーパントは、リン、砒素、硼素のうち少なくともいずれか一種である請求項１記載の残渣の除去方法。
前記灰化処理はマイクロ波プラズマを用いたプラズマ処理方法である請求項１記載の残渣の除去方法。
前記残渣の除去処理はマイクロ波プラズマを用いたプラズマ処理方法である請求項１記載の残渣の除去方法。
前記マイクロ波プラズマは導体平板に複数のスロットを有するマイクロ波アンテナよりマイクロ波を放射してプラズマを起こす請求５又は６記載の残渣の除去方法。
前記灰化処理時には、前記被処理体をヒーターから浮かせた状態で処理を行い、前記残渣の除去処理は被処理体を該ヒーターに接触させて処理を行う請求項１記載の残渣の除去方法。
被処理体の処理方法において、
第１の温度にて、前記被処理体の表面上にあるドーパントが注入されたホトレジストを灰化除去する工程、
前記ホトレジストを灰化除去する工程後に、前記第１の温度より高い第２の温度にて、フッ素を含むガスを用いて、前記ドーパントを含む残渣を除去する工程を含むことを特徴とする被処理体の処理方法。
前記灰化除去工程は、フッ素を含まないガスのプラズマを用いた灰化処理である請求項９記載の被処理体の処理方法。
前記灰化除去工程は、酸素のプラズマを用いた灰化処理であり、前記残渣の除去工程は、フッ化水素、フッ化窒素、フッ化イオウのうちの少なくとも一種と、酸素と、を含むガスを用いた処理であり請求項９記載の被処理体の処理方法。
前記ドーパントは、リン、砒素、硼素のうち少なくともいずれか一種である請求項９記載の被処理体の処理方法。
前記灰化処理はマイクロ波プラズマを用いたプラズマ処理方法である請求項９記載の被処理体の処理方法。
前記残渣の除去処理はマイクロ波プラズマを用いたプラズマ処理方法である請求項９記載の被処理体の処理方法。
前記マイクロ波プラズマは導体平板に複数のスロットを有するマイクロ波アンテナよりマイクロ波を放射してプラズマを起こす請求項１３又は１４記載の被処理体の処理方法。
前記灰化処理工程では、前記被処理体をヒーターから浮かせ、前記残渣の除去工程では、被処理体を該ヒーターに接触させる請求項９記載の被処理体の処理方法。
半導体の製造方法において、
基板の表面上にホトレジストのパターンを形成する工程、
前記ホトレジストのパターンをマスクとして前記基板にドーパントを注入する工程、
第１の温度にて、酸化性のガスを用いて、前記基板の表面上にあるドーパントが注入されたホトレジストを灰化除去する工程、
前記ホトレジストを灰化除去する工程後に、前記第１の温度より高い第２の温度にて、フッ素を含むガスを用いて、前記ドーパントを含む残渣を除去する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記灰化除去工程は、フッ素を含まないガスのプラズマを用いた灰化処理である請求項１７記載の半導体装置の製造方法。
前記灰化除去工程は、酸素のプラズマを用いた灰化処理であり、前記残渣の除去工程は、フッ化炭素、フッ化窒素、フッ化イオウのうち少なくとも一種と、酸素とを含むガスを用いた処理である請求項１７記載の半導体装置の製造方法。
前記ドーパントは、リン、砒素、硼素のうち少なくともいずれか一種である請求項１７記載の半導体装置の製造方法。
前記灰化処理はマイクロ波プラズマを用いたプラズマ処理方法である請求項１７記載の半導体装置の製造方法。
前記残渣の除去処理はマイクロ波プラズマを用いたプラズマ処理方法である請求項１７記載の半導体装置の製造方法。
前記マイクロ波プラズマは導体平板に複数のスリットを有するマイクロ波アンテナよりマイクロ波を放射してプラズマを起こす請求項２１又は２２記載の半導体装置の製造方法。
前記灰化処理工程では、前記被処理体をヒーターから浮かせ、前記残渣の除去工程では、該被処理体を該ヒーターに接触させる請求項１７記載の半導体装置の製造方法。