KR102649241B1 - 고압 어닐링을 사용한 심 힐링 - Google Patents

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Abstract

본 개시내용의 양상들은 기판을 프로세싱하는 방법들을 포함한다. 방법은 심들을 포함하는 컨포멀 층을 기판 상에 증착하는 단계를 포함한다. 기판은 산화제의 존재 시에 고압 어닐링을 사용하여 처리된다.

Description

고압 어닐링을 사용한 심 힐링
[0001] 본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 집적 회로 제작 방법들에 관한 것으로, 특히, 반도체 디바이스들 내의 심(seam) 결함들을 수정하는 것에 관한 것이다.
[0002] 반도체 디바이스들의 소형화는 디바이스를 형성하는 재료 층들의 어레인지먼트(arrangement) 및 기하형상의 복잡성 증가를 계속 필요로 한다. 이들 중에서, 반도체 디바이스 상에 형성되는 피처(feature)들, 이를테면 트렌치(trench)들 및 비아(via)들을 재료로 적절하게 충전(fill)하는 것이, 피처들의 사이즈의 축소로 인해, 점점 더 어려워 지고 있다.
[0003] 피처들은 전형적으로, 증착 프로세스, 이를테면, CVD(chemical vapor deposition), PVD(physical vapor deposition), 또는 도금 프로세스들에 의해 충전되며, 이로 인해 피처들이 최적으로 충전되지 않을 수 있다. 피처의 상부 표면에 재료가 축적되는 것으로 인해 문제들이 발생된다. 피처의 에지들에서의 그러한 재료의 축적은, 피처를 완전히 그리고 고르게 충전하기 전에, 피처를 차단하거나 또는 그렇지 않으면 가로막아서, 피처 내에 공극들, 심들, 및 고르지 않은 구조들이 형성되게 할 수 있다. 수십 나노미터 범위의 트렌치들과 같은 더 작은 기하형상 디바이스들에 사용되는 더 작은 피처들은 더 큰 기하형상 디바이스들보다 더 큰 종횡비(즉, 피처 높이 대 폭의 관계)를 가질 필요가 있고, 그에 의해, 위에서 설명된 트렌치 및 비아 충전 어려움들을 악화시킨다.
[0004] 종래의 접근법들은 피처들 내의 심들 및 공동들을 보수하려는 시도로 다수의 사이클들의 증착 및 어닐링을 활용한다. 그러나, 이들 종래의 접근법들은 극도로 느린 프로세스 시간을 초래한다. 추가로, 이들 접근법들은 반도체 디바이스의 재료를 손상시킬 수 있고, 반도체 디바이스의 동작에서 신뢰성 문제들을 야기할 수 있다.
[0005] 따라서, 심 결함들을 수정하는 개선된 방법이 필요하다.
[0006] 일 실시예에서, 기판을 프로세싱하는 방법이 제공되며, 그 방법은, 프로세스 챔버에 복수의 기판 피처들을 갖는 기판을 포지셔닝하는 단계; 기판 피처들 상에 컨포멀(conformal) 층을 증착하는 단계; 및 고압 어닐링으로 기판을 처리하는 단계를 포함한다. 컨포멀 층이 증착될 때, 이웃하는 기판 피처들 사이에 심이 형성된다. 고압 어닐링은 산화제의 존재 시에 수행된다. 컨포멀 층 내의 심들의 부피는 고압 어닐링에 의해 감소된다.
[0007] 다른 실시예에서, 기판을 프로세싱하는 방법이 제공되며, 그 방법은, 프로세스 챔버에 복수의 기판 피처들을 갖는 기판을 포지셔닝하는 단계; 기판 피처들 상에 컨포멀 층을 증착하는 단계; 및 고압 어닐링으로 기판을 처리하는 단계를 포함한다. 컨포멀 층은 구조가 결정질이다. 컨포멀 층이 증착될 때, 이웃하는 기판 피처들 사이에 심이 형성된다. 고압 어닐링은 산화제의 존재 시에 수행된다. 컨포멀 층 내의 심들의 부피는 고압 어닐링에 의해 감소된다.
[0008] 다른 실시예에서, 기판을 프로세싱하는 방법이 제공되며, 그 방법은, 프로세스 챔버에 복수의 기판 피처들을 갖는 기판을 포지셔닝하는 단계; 기판 피처들 상에 컨포멀 층을 증착하는 단계; 및 고압 어닐링으로 기판을 처리하는 단계를 포함한다. 컨포멀 층은 구조가 결정질이다. 컨포멀 층이 증착될 때, 이웃하는 기판 피처들 사이에 심이 형성된다. 고압 어닐링은 산화제의 존재 시에 수행된다. 컨포멀 층 내의 심들의 부피는 고압 어닐링에 의해 감소된다. 컨포멀 층의 부피는 고압 어닐링 동안 팽창된다.
[0009] 고압 어닐링은 컨포멀 막들 사이에 위치된 심들의 사이즈를 감소시키는 것을 돕고, 여기서, 컨포멀 막들은 반도체의 인접한 피처들 상에 배치된다. 심 사이즈의 감소는 컨포멀 막의 전기 절연 특성들을 증가시킨다.
[0010] 본 개시내용의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된 본 개시내용의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있는데, 이러한 실시예들의 일부는 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 단지 예시적인 실시예들을 예시하는 것이므로 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 개시내용이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0011] 도 1은 본 개시내용의 일 실시예에 따른, 기판을 프로세싱하는 방법의 흐름도이다.
[0012] 도 2a는 도 1의 방법의 하나의 동작에서의 기판의 단면도이다.
[0013] 도 2b는 도 1의 방법의 하나의 동작에서의 기판의 단면도이다.
[0014] 도 2c는 도 1의 방법의 하나의 동작에서의 기판의 단면도이다.
[0015] 도 2d는 도 1의 방법의 하나의 동작에서의 기판의 단면도이다.
[0016] 도 3은 예시적인 어닐링 챔버의 단면도이다.
[0017] 이해를 용이하게 하기 위해, 도면들에 대해 공통인 동일한 엘리먼트들을 지정하기 위해 가능한 경우 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 일 실시예의 엘리먼트들 및 특징들이 추가적인 설명 없이 다른 실시예들에 유익하게 포함될 수 있는 것으로 고려된다.
[0018] 본원에서 제공되는 개시내용의 실시예들은 기판 상에 형성된 상호연결부(interconnect)들에서 결함들, 이를테면 심들을 제거하기 위해 기판을 처리하는 방법들을 포함한다. 일부 실시예들에서, 방법은 산화제의 존재 시에 가압 환경에서 기판을 가열하는 단계를 포함한다. 기판 상에 증착된 컨포멀 층들의 부피가 팽창되고, 그에 따라, 심의 대향 측들 상의 컨포멀 층들이 서로 화학적으로 가교 결합(cross-link)하여, 심들이 감소 또는 제거된다. 본 개시내용의 실시예들은 기판 피처들 상의 심들의 사이즈를 감소시키는 데(그러나 이에 제한되지는 않음) 유용한 것으로 입증될 수 있다.
[0019] 도 1은 본 개시내용의 일 실시예에 따른, 기판(210)을 프로세싱하기 위한 방법(100)의 흐름도이다. 도 2a 내지 도 2d는 방법(100)의 스테이지들에서의 기판의 개략적인 단면도들이다. 본 개시내용의 양상들의 설명을 용이하게 하기 위해, 도 2a 내지 도 2d는 도 1과 함께 설명될 것이다.
[0020] 방법(100)은 동작(102)에서 시작된다. 동작(102)에서, 기판(210)이 프로세스 챔버에 포지셔닝된다. 프로세스 챔버는, 예컨대, 증착 챔버이다. 기판(210)은 기판(210) 상에 형성된 하나 이상의 기판 피처들(212)을 포함한다. 여기서, 기판 피처들(212)은 4개의 트렌치들이다. 기판(210)은 포토마스크, 반도체 웨이퍼, 또는 다른 워크피스(workpiece)일 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 기판(210)은 집적 회로들, 수동(예컨대, 커패시터들, 인덕터들), 및 능동(예컨대, 트랜지스터들, 광 검출기들, 레이저들, 다이오드들) 마이크로전자 디바이스들 중 임의의 것을 제조하기 위한 임의의 재료를 포함한다. 기판(210)은 기판 상에 형성되는 전도성 층 또는 층들로부터 그러한 능동 및 수동 마이크로전자 디바이스들(또는 이들의 피처들)을 분리하는 절연성 또는 유전체 재료들을 포함한다. 일 실시예에서, 기판(210)은, 하나 이상의 유전체 층들, 예컨대, 실리콘 이산화물, 실리콘 질화물, 알루미늄 산화물, 및 다른 유전체 재료들을 포함하는 반도체 기판이다. 일 실시예에서, 기판(210)은 막들의 하나 이상의 층들을 포함한다. 기판(210)의 하나 이상의 층들은 전도성 층들, 반도체 층들, 절연성 층들, 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
[0021] 동작(104)에서, 컨포멀 층(214)이 기판 피처들(212)에 증착된다. 일 실시예에 따르면, 컨포멀 층(214)은 실리콘-함유 층, 이를테면 실리콘 이산화물 층이다. 일 실시예에 따르면, 컨포멀 층(214)은 금속 산화물 층, 이를테면 알루미늄 산화물 또는 바나듐 산화물이다. 컨포멀 층(214)은 증착 프로세스에 의해 형성된다. 일부 실시예들에 따르면, 증착 프로세스는 CVD(chemical vapor deposition) 또는 ALD(atomic layer deposition)이다. 컨포멀 층(214)을 증착하기 위해, 제1 전구체가 프로세싱 챔버 내로 유동된다. 전구체는 실리콘(Si) 및 수소(H)를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 전구체는 실란 전구체, 디실란 전구체, 트리실란 전구체, 또는 테트라실란 전구체를 포함한다. 제1 전구체는, 기판 피처들(212) 내에 실리콘 이산화물을 형성하기 위해, 제2 전구체 가스, 이를테면 산화제, 예컨대 오존 또는 산소 라디칼들과 반응된다. 증착 프로세스는, 예컨대, 섭씨 약 150도 내지 섭씨 약 700도, 섭씨 약 250도 내지 섭씨 약 600도, 섭씨 약 300도 내지 섭씨 약 550도, 이를테면 섭씨 약 350도 내지 섭씨 약 500도의 범위의 프로세싱 온도로 발생한다. 부가적으로, 증착 동안, 챔버는 감소된 압력으로 유지된다. 예컨대, 챔버 내의 압력은 약 5 Torr 내지 약 700 Torr, 약 10 Torr 내지 약 600 Torr, 이를테면 약 15 Torr 내지 약 500 Torr일 수 있다.
[0022] 도 2b에 도시된 바와 같이, 증착된 컨포멀 층(214)은 기판 피처들(212)에서 기판(210) 상에 증착된다. 컨포멀 층(214)은 기판 피처들(212)의 형상을 따르고, 그에 의해, 기판 피처들(212) 내에 심(216)이 형성된다. 명확성을 위해 심(216)의 사이즈가 과장된 것임이 유의되어야 한다. 일부 양상들에서, 기판 피처들(212)을 정의하는 인접한 구조들 상에 형성되는 컨포멀 층(214)은 각각의 기판 피처(212)의 대향 표면 상의 컨포멀 층(214)과 접촉할 정도로 충분한 두께로 증착될 수 있다. 달리 말하면, 심(216)은 반드시 물리적 공극을 포함할 필요가 있는 것이 아니라, 심(216)은, 예컨대, 기판 피처(212) 내에서 서로 접촉하는 컨포멀 층(214)의 부분들(240, 250)의 결과로서 형성될 수 있다. 심(216)의 존재는 기판 피처(212) 내의 갭충전의 전기 절연 특성들을 감소시킴으로써 기판 피처(212) 내의 갭충전의 성능에 악영향을 미친다.
[0023] 동작(106)에서, 컨포멀 층(214)이 상부에 있는 기판(210)은 어닐링 챔버로 이송된다. 동작(108)에서, 기판(210)은 고압 어닐링으로 처리된다. 고압 어닐링은 산화제(220), 이를테면 스팀(steam) 또는 스팀/산소 혼합물의 존재 시에 기판(210)에 대해 수행된다. 기판(210)은 어닐링 온도로 어닐링된다. 어닐링 온도는 섭씨 약 100도 내지 섭씨 약 600도, 이를테면 섭씨 약 150도 내지 섭씨 약 550도, 또는 섭씨 약 200도 내지 섭씨 약 500도이다.
[0024] 어닐링 챔버 내의 압력은, 고압 어닐링을 수행하기 위해, 미리 결정된 압력까지 상승된다. 미리 결정된 압력은 약 1 bar 내지 약 90 bar, 이를테면 약 1 bar 내지 약 80 bar, 또는 약 1 bar 내지 약 70 bar이다. 증가된 압력은 어닐링 챔버의 환경 내의 산화제(220)가 컨포멀 층(214)의 심들 내로 하방으로 이동하도록 강제한다. 기판(210)은 원하는 소킹(soak) 시간 동안 고압 어닐링으로 처리된다. 소킹 시간은 일반적으로, 약 3분 내지 약 150분, 이를테면 약 5분 내지 약 120분이다.
[0025] 고압 어닐링 동안, 산화제(220)는 높은 압력에 의해 심들(216) 내로 운반된다. 도 2c에서, 기판 피처들(212) 내에 증착된 컨포멀 층(214)은 산화제(220)에 노출된다. 화살표들은 심들(216) 내로의 산화제(220)의 유동을 예시한다. 어닐링 프로세스 동안, 컨포멀 층(214)은 산화제(220)의 노출에 대한 결과로서 산화된다. 산화의 결과로서, 컨포멀 층(214)은 부피가 팽창된다. 즉, 컨포멀 층(214)의 부피는, 이를테면, 가상으로 도시된 팽창된 부피(218)까지 증가된다. 도 2c에 도시된 팽창된 부피(218)는 고압 어닐링 동안 부피가 팽창된 컨포멀 층(214)을 표현한다.
[0026] 고압 어닐링의 산화 프로세스의 결과로서, 도 2d에 도시된 바와 같이, 컨포멀 층(214)은 심들(216)이 실질적으로 없는 고밀화된 산화물로 변환된다. 고압 어닐링 동안 컨포멀 층(214)이 팽창됨에 따라, 접촉하지 않는 컨포멀 층(214)의 부분들, 이를테면, 심(216)을 가로질러 대향하는 컨포멀 층(214)의 부분들(240, 250)은 그 부분들이 서로 상호작용할 때까지 팽창된다. 심 경계에서의 산화는, 산화제(220)의 원자들이 각각의 부분(240, 250)과 반응 및/또는 가교 결합하도록, 부분들(240, 250) 사이의 반응을 가능하게 한다. 심(216)을 가로지르는 부분들(240, 250)의 반응 및/또는 가교 결합은 일체화된(unified) 구조를 형성하고 심을 제거한다. 컨포멀 층(214)의 구조가 결정질인 예들에서, 산화제(220)는 부분들(240, 250)의 결정 구조들을 접합하여 심(216)을 제거한다.
[0027] 컨포멀 층(214) 내의 심들을 힐링하는 것에 부가하여, 동작(208)의 고압 어닐링은 부가적인 산화물의 포함을 통해 컨포멀 층(214)을 고밀화하여, 컨포멀 층(214)의 전기 절연 특성들을 더 개선한다.
[0028] 도 1은 기판(210)의 처리의 일 실시예를 예시한다. 그러나, 부가적인 실시예들이 또한 고려된다. 다른 양상에서, 동작들(104 및 108)은, 동작(106) 없이, 동일한 챔버에서 발생할 수 있다. 다른 양상에서, 동작(104)은 컨포멀 층(214)을 형성하기 위해 다수의 증착 단계들 또는 사이클들을 포함할 수 있다.
[0029] 부가적으로, 컨포멀 층(214)이 실리콘 이산화물 이외의 층, 이를테면, 실리콘, 게르마늄, 금속 층, 금속 산화물 층, 또는 이들의 조합들일 수 있는 것으로 고려된다. 그러한 실시예에서, 컨포멀 층(214)을 형성하는 데 사용되는 금속들은, 특히, 알루미늄, 티타늄, 바나듐, 크롬, 망간, 철, 코발트, 니켈, 구리, 이트륨, 지르코늄, 하프늄, 몰리브덴, 및 이들의 합금들을 포함한다. 금속들은 또한, 서로 조합되어 사용될 수 있다.
[0030] 다른 실시예들에서, CVD 이외의 증착 프로세스들이 기판 피처들(212)에 재료를 증착하기 위해 사용될 수 있는 것으로 고려된다. 예컨대, ALD(atomic layer deposition), 플라즈마-강화 ALD, 플라즈마-강화 CVD, PVD(physical vapor deposition), 도금, 또는 다른 증착 방법들이 기판 피처들(212)에 증착될 다양한 재료들에 따라 활용될 수 있다.
[0031] 더욱이, 도 2a 내지 도 2d는 트렌치들이 상부에 있는 기판(210)을 예시하고 있지만, 트렌치들 이외의 기판 피처들(212)이 본 개시내용의 양상들로부터 이익을 얻을 수 있는 것으로 고려된다.
[0032] 도 3은 본원에서 설명되는 방법들과 함께 실행될 수 있는 예시적인 프로세싱 챔버의 개략적인 단면도이다. 배치(batch) 프로세싱 챔버(300)는 복수의 기판들(335)을 프로세싱하기 위해 내부 볼륨(350)에 배치된 카세트(330)를 갖는다. 배치 프로세싱 챔버(300)는 내부 볼륨(350)을 에워싸는 챔버 바디(310), 및 챔버 바디(310) 상에 배치된 덮개(311)를 갖는다. 하나 이상의 카트리지 가열기들(312)이 챔버 바디(310) 내에 배치된다. 가열기들(312), 이를테면 저항성 가열기들은 챔버 바디(310)를 가열하도록 구성된다. 가열기들(312)로의 전력은 제어기(380)에 의해 제어된다. 셸(shell)(320)이 내부 볼륨(350) 내에 배치된다. 셸(320)을 둘러싸는 절연성 라이너(316)가 내부 볼륨(350)에 배치된다. 절연성 라이너(316)는 챔버 바디(310)와 셸(320) 사이의 열 전달을 방지한다.
[0033] 카세트(330)는 샤프트(374)에 커플링되며, 샤프트(374)는 챔버 바디(310) 내의 개구(354)를 통해 연장된다. 카세트(330)는 샤프트(374)에 커플링된 액추에이터(370)에 의해 내부 볼륨(350) 내에서 이동가능하게 배치된다. 카세트(330)는 로딩 포지션과 프로세싱 포지션 사이의 기판들(335)의 이송을 가능하게 한다. 기판들(335)은 챔버 바디(310)에 형성된 로딩 포트(395)를 통해 내부 볼륨(350) 내로 그리고 내부 볼륨(350) 밖으로 이송된다. 셸(320)은 카세트(330)가 프로세싱 포지션에 있을 때 카세트(330)의 덮개(340)에 커플링되고, 프로세싱 구역을 정의하며, 그 프로세싱 구역에서, 기판들(335)은 상승된 압력 및 상승된 온도로 어닐링된다.
[0034] 프로세싱 동안, 프로세싱 유체, 이를테면 산화제(220)가 유입구 포트(352)를 통해 프로세싱 구역 내로 유동된다. 유입구 포트(352)는 카세트(330) 내의 복수의 애퍼처(aperture)들(333)을 통해 기판들(335)과 유체 연통한다. 프로세싱 구역 내에 배치된 보조 가열기들(327)은 프로세싱 볼륨 및 그 프로세싱 볼륨 내의 기판들(335)을 가열하도록 구성된다. 프로세싱 구역 내의 압력 및 온도는 프로세싱 구역에서 기판들(335)을 어닐링하기 위해 상승된다. 프로세싱 유체는 유출구 포트(356)를 통해 프로세싱 구역으로부터 진공배기(evacuate)된다.
[0035] 제어기(380)는 복수의 센서들(314), 이를테면 온도 센서들 또는 압력 센서들에 커플링된다. 센서들(314)은 내부 볼륨(350) 내의 조건들을 표시하기 위해 제어기(380)에 신호들을 제공한다. 제어기(380)는, 원하는 방식으로 기판들(335)을 프로세싱하기 위해, 가열기들(312) 및 보조 가열기들(327)에 공급되는 전력 뿐만 아니라 프로세싱 유체의 유동을 제어한다. 그러한 방식으로, 제어기(380)는 본원에서 개시되는 바와 같은 동작들을 수행하기 위해 프로세싱 챔버(300)의 양상들을 제어하도록 구성된다.
[0036] 본원에서 개시되는 동작들의 일 예에서, 하나 이상의 기판 피처들(212)을 포함하는 기판(210)이 프로세스 챔버에 포지셔닝된다. 기판(210)의 기판 피처들(212) 상에 컨포멀 층(214)이 증착된다. 기판(210)은 어닐링 챔버로 이송된다. 고압 어닐링이 기판(210) 상에 수행되고, 컨포멀 층들(214)의 부피가 팽창되어, 인접한 컨포멀 층들이 서로 접촉 및/또는 화학적으로 반응한다.
[0037] 본원에서 설명되는 방법은 심들 또는 공극들이 실질적으로 없는 고 품질 산화물 층을 생성한다. 층은 층의 전체에 걸쳐 실질적으로 균일한 방식으로 산화되고, 이에 의해, 층 전체에 걸친 산소의 분포의 균일성이 증가된다. 추가로, 본원에서 설명되는 방법들에 의해 산화물 층의 고밀화의 균일성이 증가된다. 균일한 고밀화는 또한, 에칭 선택성을 개선한다.
[0038] 전술한 바가 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 및 추가적인 실시예들이 본 개시내용의 기본적인 범위로부터 벗어나지 않으면서 고안될 수 있고, 본 개시내용의 범위는 다음의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (15)

  1. 기판을 프로세싱하는 방법으로서,
    프로세스 챔버에 상기 기판을 포지셔닝하는 단계 ― 상기 기판은 복수의 기판 피처(feature)들을 가짐 ―;
    이웃하는 기판 피처들 사이에 심(seam)이 형성되도록, 상기 기판 피처들 상에 컨포멀(conformal) 층을 증착하는 단계; 및
    상기 컨포멀 층 내의 심들의 부피가 감소되도록, 산화제의 존재 시에 1 bar 내지 70 bar의 압력으로 수행되는 고압 어닐링으로 상기 기판을 처리하는 단계
    를 포함하고,
    상기 기판을 처리하는 단계는 기판 피처 상에 배치된 컨포멀 층으로 하여금 이웃하는 기판 피처 상에 배치된 컨포멀 층과 화학적으로 반응하게 하는,
    기판을 프로세싱하는 방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 산화제는 스팀(steam)을 포함하는,
    기판을 프로세싱하는 방법.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 컨포멀 층은 실리콘 층, 금속 층, 금속 산화물 층, 또는 이들의 조합들을 포함하는,
    기판을 프로세싱하는 방법.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 기판 피처들은 트렌치(trench)를 포함하는,
    기판을 프로세싱하는 방법.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 기판 피처들 상에 컨포멀 층을 증착하는 단계는 화학 기상 증착을 포함하는,
    기판을 프로세싱하는 방법.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 컨포멀 층을 증착하는 단계는 상기 프로세스 챔버 내로 전구체를 유동시키는 단계를 포함하며,
    상기 전구체는 실리콘 및 수소를 포함하는,
    기판을 프로세싱하는 방법.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 컨포멀 층의 부피는 상기 고압 어닐링 동안 팽창되는,
    기판을 프로세싱하는 방법.
  8. 기판을 프로세싱하는 방법으로서,
    프로세스 챔버에 상기 기판을 포지셔닝하는 단계 ― 상기 기판은 복수의 기판 피처들을 가짐 ―;
    이웃하는 기판 피처들 사이에 심이 형성되도록, 상기 기판 피처들 상에 컨포멀 층을 증착하는 단계 ― 상기 컨포멀 층은 구조가 결정질임 ―; 및
    상기 컨포멀 층 내의 심들의 부피가 감소되도록, 산화제의 존재 시에 고압 어닐링으로 상기 기판을 처리하는 단계
    를 포함하고,
    상기 고압 어닐링은 1 bar 내지 70 bar의 압력으로 수행되고,
    상기 기판을 처리하는 단계는 기판 피처 상에 배치된 컨포멀 층으로 하여금 이웃하는 기판 피처 상에 배치된 컨포멀 층과 화학적으로 반응하게 하는,
    기판을 프로세싱하는 방법.
  9. 삭제
  10. 제8 항에 있어서,
    상기 고압 어닐링은 5분 내지 120분의 시간 동안 수행되며,
    기판을 프로세싱하는 방법.
  11. 제8 항에 있어서,
    상기 컨포멀 층은 실리콘 층, 금속 층, 금속 산화물 층, 또는 이들의 조합들을 포함하는,
    기판을 프로세싱하는 방법.
  12. 제8 항에 있어서,
    상기 복수의 기판 피처들은 트렌치를 포함하는,
    기판을 프로세싱하는 방법.
  13. 제8 항에 있어서,
    상기 복수의 기판 피처들 상에 컨포멀 층을 증착하는 단계는 화학 기상 증착을 포함하는,
    기판을 프로세싱하는 방법.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 컨포멀 층을 증착하는 단계는 상기 프로세스 챔버 내로 전구체를 유동시키는 단계를 포함하며,
    상기 전구체는 실리콘 및 수소를 포함하는,
    기판을 프로세싱하는 방법.
  15. 기판을 프로세싱하는 방법으로서,
    프로세스 챔버에 상기 기판을 포지셔닝하는 단계 ― 상기 기판은 복수의 기판 피처들을 가짐 ―;
    이웃하는 기판 피처들 사이에 심이 형성되도록, 상기 기판 피처들 상에 컨포멀 층을 증착하는 단계 ― 상기 컨포멀 층은 구조가 결정질임 ―; 및
    상기 컨포멀 층 내의 심들의 부피가 감소되도록, 산화제의 존재 시에 1 bar 내지 70 bar의 압력으로 수행되는 고압 어닐링으로 상기 기판을 처리하는 단계
    를 포함하며,
    상기 컨포멀 층의 부피는 상기 고압 어닐링 동안 팽창되고,
    상기 기판을 처리하는 단계는 기판 피처 상에 배치된 컨포멀 층으로 하여금 이웃하는 기판 피처 상에 배치된 컨포멀 층과 화학적으로 반응하게 하는,
    기판을 프로세싱하는 방법.
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