JP2022507390A - 強化拡散プロセスを使用する膜の堆積 - Google Patents

強化拡散プロセスを使用する膜の堆積 Download PDF

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Abstract

Figure 2022507390000001
本明細書に記載の実施態様は、超大気圧（例えば大気圧よりも大きい圧力）を維持するよう動作可能なチャンバを使用して行うことができるシームを伴わない間隙充填及びシーム修復の方法に関する。一実施態様は、基板の表面上に一又は複数の特徴部が形成された基板を処理チャンバ中に位置付けすることと、基板の一又は複数の特徴部を約１ｂａｒ以上の圧力で少なくとも一つの前駆体に曝露することとを含む。別の実施態様は、基板の表面に一又は複数の特徴部が形成された基板を処理チャンバ中に位置付けすることを含む。一又は複数の特徴部のそれぞれは、材料のシームを有する。材料のシームは、約１ｂａｒ以上の圧力で少なくとも一つの前駆体に曝露される。
【選択図】図６

Description

本開示の実施態様は概して、半導体製造プロセスに関し、より具体的には、半導体デバイスの特徴部を間隙充填するための方法に関する。
多くの半導体デバイス製造プロセスでは、半導体デバイスの特徴部を充填する必要がある。慣例的には、準大気圧下での化学気相堆積（ＣＶＤ）が利用されている。しかしながら、準大気圧での堆積速度は、不均一な堆積速度のために特徴部間でシームを形成する。シームは後硬化プロセス中にさらに開けられ、最終的にはスループットの低下又は半導体デバイスの故障の原因となる。したがって、シームのない膜の成長を提供し得る半導体デバイスの特徴部を間隙充填するため及びシーム修復するための方法が必要である。
一実施態様では、基板上の特徴部を充填するための方法が提供される。この方法は、基板上に形成された材料の表面に一又は複数の特徴部が形成された基板を処理チャンバ中に位置付けすることと、一又は複数の特徴部を少なくとも一つの前駆体に約１ｂａｒ以上の圧力で曝露することと、一又は複数の特徴部の上方に、ケイ素含有膜又は炭素含有間隙充填層のうちの少なくとも一つを含む間隙充填層を形成して、一又は複数の特徴部を充填することとを含む。
別の実施態様では、基板上の特徴部を充填するための方法が提供される。この方法は、基板上に配置された材料の表面に一又は複数の特徴部が形成された基板を、処理チャンバ中に位置付けすることを含む。一又は複数の特徴部のうちの少なくとも一つは、一又は複数の特徴の上方に配置された材料と、材料中に配置されたシームとを含む。材料は、約１ｂａｒ以上の圧力で少なくとも一つの前駆体に曝露される。シームは、少なくとも一つの前駆体から形成された充填材料で充填され、シーム充填物には、ケイ素含有シーム充填層又は炭素含有シーム充填層のうちの少なくとも一つが含まれる。
さらに別の実施態様では、基板上に形成された特徴部を充填するための方法が提供される。この方法は、ケイ素又は炭素のうちの少なくとも一つを含有する前駆体を、基板を含有する処理チャンバの処理領域中に流すことを含む。基板を含有する処理領域内に配置された前駆体の圧力は、約１ｂａｒ以上に維持される。前駆体を含有する処理領域内に配置された基板上に配置された特徴部又はシームは、それぞれ間隙充填又は修復される。
本開示の上記の特徴を詳細に理解することができるように、上記で簡単に要約した本開示のより具体的な説明を、実施態様を参照することによって行うことができ、そのいくつかを添付の図面に示す。しかし、添付図面は例示的な実施態様のみを示すものであり、したがって、本開示の範囲を限定すると見なすべきではなく、その他の等しく有効な実施態様も許容され得ることに留意されたい。
ある実施態様によるチャンバの正面断面図である。 ある実施態様による、基板の特徴部に従来配置されている材料層中のシームを示す基板の概略断面図である。 ある実施態様による、基板の特徴部を間隙充填するための方法のフロー図である。 ある実施態様による、基板の特徴部を間隙充填するための方法による基板の概略断面図である。 ある実施態様による、基板の一又は複数の特徴部の上方に配置された材料のシームを充填するための方法のフロー図である。 ある実施態様による、基板の一又は複数の特徴部の上方に配置された材料のシームを充填するための方法による基板の概略断面図である。
理解を容易にするために、可能な場合には、複数の図に共通する同一の要素を指し示すのに同一の参照番号を使用した。一実施態様の構成要素及び特徴は、さらなる記述がなくとも、他の実施態様に有益に組み込まれ得ると想定されている。
本明細書に記載の実施態様は、シームを伴わない間隙充填及びシーム修復の方法を含む。超大気圧（例えば大気圧よりも大きい圧力）を維持するよう動作可能なチャンバを使用して行うことができるシームを伴わない間隙充填及びシーム修復の方法を参照して、本明細書に記載の実施態様を以下に記載する。超大気圧プロセスは、有利なことに、以前に堆積された材料内のシームを充填又は修復することを可能にする。本明細書に記載の超大気圧プロセスは、シームを伴わない間隙充填のための方法をさらに提供し、ここで、構造体は、シームを形成することなく充填され、膜の共形性が改善される。実質的にシームのない又はシーム修復された材料は、その後、よりロバストで良好なパフォーマンスを発揮する電子デバイスを製造するのに用いられ得る。本明細書に記載された装置の説明は例示的なものであり、本明細書に記載された実装形態の範囲を制限するものとして理解又は解釈するべきではない。
図１は、本明細書に記載のシームを伴わない間隙充填及びシーム修復のための方法を実施するのに適したチャンバ１００の簡略化した正面断面図である。本明細書に記載のシームを伴わない間隙充填及びシーム修復の方法は他のチャンバ中で交互に実行され得ると想定されている。チャンバ１００は、外面１１２と処理領域１１５を取り囲む内面１１３とを備えた本体１１０を有する。チャンバ１００は、本体１１０内で処理領域１１５を密閉可能に取り囲むよう構成されたドア１２０を有するため、ドア１２０が開放されているときに処理領域１１５へアクセスすることができる。超大気シール１２２は、処理のために処理領域１１５を密閉するため、ドア１２０を本体１１０に密閉するために利用される。
チャンバ１００は、本体１１０を通るポート１１７を有する。ポート１１７は、それ自体を通過してヒータ１１９に連結されるパイプ１１８を有する。パイプ１１８の一端は処理領域１１５に接続される。パイプ１１８の他端は、注入導管１５７と排出導管１６１に分岐する。注入導管１５７は、分離バルブ１５５を介してガスパネル１５０に流体接続されている。注入導管１５７はヒータ１５８に連結されている。排出導管１６１は、分離バルブ１６５を介してコンデンサ１６０に流体接続されている。排出導管１６１はヒータ１６２に連結されている。ヒータ１１９、１５８、及び１６２は、パイプ１１８、注入導管１５７、及び排出導管１６１をそれぞれ通って流れる処理ガスを、処理ガスが凝縮して液体を形成しないよう、凝縮点を超える温度で維持するように構成されている。パイプ１１８、注入導管１５７、及び排出導管１６１を通って流れる処理ガスの温度は凝縮点を超える温度で維持されるが、圧力を所定の限界を超えて上昇させても、チャンバの構造的完全性が損なわれることはない。所定の圧力限界は、２５ｂａｒ以上、例えば５０ｂａｒ以上、又は１００ｂａｒ以上であり得る。一実施態様では、温度は処理ガスの凝縮点と摂氏約２５０度との間である。別の実施態様では、温度は、凝縮点と摂氏約３５０度との間で維持される。別の実施態様では、温度上昇によって引き起こされる処理チャンバ内の圧力が、所定の圧力荷重閾値を超えない限り、温度は処理ガスの凝縮点を超える任意の温度で維持される。ヒータ１１９、１５８、及び１６２は、電源１４５によって電力供給される。
ガスパネル１５０は、圧力下にある処理ガスを、パイプ１１８を通って処理領域１１５中へ伝送するため、注入導管１５７へ提供するように構成されている。処理領域１１５へ導入される処理ガスの圧力は、本体１１０に連結された圧力センサ１１４によってモニタされている。コンデンサ１６０は冷却流体に流体連結され、パイプ１１８を通って処理領域１１５から除去された後に、排出導管１６１を通って流れる気体生成物を凝縮するように構成されている。コンデンサ１６０は、気体生成物を気相から液相に変える。ポンプ１７０はコンデンサ１６０に流体連結され、コンデンサ１６０から液化生成物を排出する。ガスパネル１５０、コンデンサ１６０及びポンプ１７０の動作はコントローラ１８０によって制御されている。
分離バルブ１５５及び１６５は、一度に１つの流体のみがパイプ１１８を通って処理領域１１５に流れるように構成されている。分離バルブ１５５が開いているとき、注入導管１５７を通って流れる処理ガスが処理領域１１５に入り、処理ガスの流れがコンデンサ１６０に入るのを防止するように、分離バルブ１６５は閉じられている。その一方で、分離バルブ１６５が開いているときには、気体生成物が処理領域１１５から除去され、排出導管１６１を通って流れ、気体生成物の流れがガスパネル１５０に入るのを防止するように、分離バルブ１５５は閉じられている。
一又は複数のヒータ１４０は、本体１１０の上に配置され、チャンバ１００内の処理領域１１５を加熱するように構成されている。ヒータ１４０は、電源１４５により電力が供給される。ヒータ１４０への電力は、温度センサ１１６から受け取ったフィードバックを介してコントローラ１８０によって制御される。温度センサ１１６は本体１１０に連結され、処理領域１１５の温度をモニタする。
アクチュエータ（図示せず）に連結されたカセット１３０は、処理領域１１５を出入りする。カセット１３０は、頂面１３２と、底面１３４と、壁部１３６とを有している。カセット１３０の壁部１３６は、複数の基板ストレージスロット１３８を有している。各基板ストレージスロット１３８は、カセット１３０の壁部１３６に沿って均等に間隔が置かれている。各基板ストレージスロット１３８は、基板１３５をその中で保持するよう構成される。カセット１３０は、基板１３５を保持するための基板ストレージスロット１３８と同じ数の５５個であり得る。カセット１３０は、チャンバ１００の内外へ複数の基板１３５を移送するための、また、処理領域１１５内で複数の基板１３５を処理するための、有効な移送手段を提供する。図１に示すチャンバ１００は複数の基板をバッチ処理するように構成されているが、チャンバ１００は、代わりに、チャンバ１００内で一度に一つずつ単一の基板を処理するように構成されていてもよい。
コントローラ１８０は、チャンバ１００の動作を制御する。コントローラ１８０は、ガスパネル１５０、コンデンサ１６０、ポンプ１７０、分離バルブ１５５及び１６５、並びに電源１４５の動作を制御する。コントローラ１８０はまた、温度センサ１１６、圧力センサ１１４、及び冷却チャネル１２４に連通可能に接続されている。コントローラ１８０は、中央処理装置（ＣＰＵ）１８２と、メモリ１８４と、支援回路１８６とを含む。ＣＰＵ１８２は、産業用設定で使用され得る任意の形態の汎用コンピュータプロセッサであり得る。メモリ１８４は、ランダムアクセスメモリ（ｒａｎｄｏｍ ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ）、読み出し専用メモリ、フロッピィ、若しくは、ハードディスクドライブ、又は、他の形態によるデジタルストレージであり得る。支援回路１８６が、従来ではＣＰＵ１１２に接続されており、キャッシュ、クロック回路、入力／出力システム、電源などを含み得る。
チャンバ１００は、シームを伴わない間隙充填及びシーム修復の方法のための超大気圧を提供する。この方法は、チャンバ１００を介して提供される超大気圧下で化学気相堆積（ＣＶＤ）を用いる。約１ｂａｒから約１００ｂａｒ、例えば約１ｂａｒから約５０ｂａｒ、例えば約１ｂａｒから約２０ｂａｒ、例えば約５ｂａｒから約１５ｂａｒの範囲内に維持される処理領域１１５中の処理ガスに少なくとも一つの基板１３５を曝露させながら、超大気圧はチャンバ１００で維持される。別の例では、処理チャンバ内の圧力は、約１２ｂａｒから約２０ｂａｒ、例えば約１２ｂａｒから約１５ｂａｒなど、約１２ｂａｒから約５０ｂａｒの範囲内に維持される。ＣＶＤ中の処理ガスの存在下での超大気圧の適用は、シームを伴わない間隙充填及びシーム修復を容易にする。一実施態様では、チャンバ１００は、処理領域１１５及び基板１３５を約１５０℃から約８００℃の範囲内の温度で維持する。一実施態様では、基板１３５の温度と処理領域１１５の温度は異なる。
図２は、一又は複数の特徴部を充填するために基板の一又は複数の特徴部の上方に配置された材料を有する基板の概略断面図である。基板１３５は、基板１３５上の層２０２、例えばケイ素又は炭素含有層に形成された一又は複数の特徴部２０４（３つの高アスペクト比のトレンチとして図示）を含む。基板１３５は概して、ケイ素（Ｓｉ）及び／又はゲルマニウム（Ｇｅ）基板を含むがこれらに限定されない、処理のための任意の適切な基板であり、酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）、及び炭素（Ｃ）などの他の要素を含み得る。材料２０６は、従来、一又は複数の特徴部２０４の上方に配置されている。従来の堆積プロセスの例には、限定されないが、化学気相堆積（ＣＶＤ）、プラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ、原子層堆積（ＡＬＤ））、及びプラズマＡＬＤ（ＰＥＡＬＤ）が含まれる。しかしながら、従来のプロセスは、材料２０６の堆積中に一又は複数の特徴部２０４に形成された一又は複数のシーム２０８をもたらす。一又は複数のシーム２０８は、間隙充填堆積中のトレンチ又は同様の特徴部の不完全な充填により引き起こされる材料２０６内の小さな間隙又はボイドとしても記載され得る。つまり、シーム２０８は、意図的に形成されたトレンチでもなく、意図的に形成された同様の特徴部でもない。一又は複数のシーム２０８は材料２０６の表面に曝露され、これにより、シーム２０８の少なくとも一つの端部は処理領域１１５に曝露される。シーム２０８は、層２０２に形成された特徴部２０４の中央にある薄いシームであり得、さまざまな深さ及び厚さであり得る。別の実施態様では、シーム２０８は、ある特徴部２０４のみに形成され得るため、すべての特徴部２０４がシーム２０８を有するわけではない。シーム２０８は、特徴部内の中心から外れていてもよく、さまざまな形状及びサイズを含んでもよい。未処理のままの場合、一又は複数のシーム２０８は、基板のさらなる処理の間に開放することが多く、これは、デバイスのパフォーマンスの低下につながる。
図３は、基板の特徴部を間隙充填するための方法３００のフロー図である。説明を容易にするために、図３は図１、図４Ａ、及び図４Ｂを参照して記載される。しかしながら、図１のチャンバ１００以外のチャンバが方法３００と併せて用いられ得ることに留意されたい。図４Ａ及び図４Ｂは、方法３００による基板の概略断面図である。
動作３０１では、基板４０１は、処理のための、環境、例えばチャンバ中に位置付けされる。一実施態様では、複数の基板４０１は、チャンバ１００での処理のためのバッチとして位置付けされる。図４Ａに示すとおり、基板４０１は、基板４０１上の層４０２、例えばケイ素又は炭素含有層に形成された一又は複数の特徴部４０４（３つの高アスペクト比のトレンチとして図示）を有する。一実施態様では、カセット１３０にロードされた複数の基板４０１は、チャンバ１００の処理領域１１５に移送される。その後、ドア１２０は閉じられ、チャンバ１００が密閉される。チャンバ１００の処理領域１１５は、圧送され、非反応性ガスでパージされる。処理領域のパージ後、圧力は、１気圧をわずかに超える絶対圧力、例えば、約１気圧から約２気圧、例えば、約１気圧から約１．５気圧、又は約１気圧から約１．１気圧に増加する。チャンバ１００の処理領域１１５は加圧されて、チャンバ１００は一又は複数の特徴部４０４を間隙充填するための超大気圧チャンバに変化する。一実施態様では、前駆体は、チャンバへ入る前に、注入導管１５７及びパイプ１１８内で所定の温度に加熱される。チャンバは比較的冷温であり得るため、チャンバの温度は、導管１５７及びパイプ１１８内で加熱された前駆体とほぼ同じ温度である。この実施態様では、チャンバは前駆体の導入後に加熱されるため、チャンバが所定の処理温度に達するまで、温度上昇によって圧力増加が引き起こされる。別の実施態様では、前駆体は、既に処理温度である予加熱されたチャンバ中に導入される。この実施態様では、圧力増加は、少なくとも部分的に、チャンバ内の前駆体ガスの導入及び加熱に起因する。
動作３０２では、図４Ｂに示すように、基板は前駆体に曝露され、間隙充填層４００は、一又は複数の特徴部４０４を充填するために、基板４０１の一又は複数の特徴部４０４の上方に配置される。間隙充填層４００は、超大気圧でＣＶＤにより堆積される。一実施態様では、超大気圧は、約１ｂａｒから約５０ｂａｒ、例えば約１ｂａｒから約２０ｂａｒ、例えば約５ｂａｒから約１５ｂａｒの範囲内である。別の例では、処理チャンバ内の超大気圧は、約１２ｂａｒから約５０ｂａｒ、例えば約１２ｂａｒから約２０ｂａｒ、例えば約１２ｂａｒから約１５ｂａｒの範囲内に維持される。一実施態様では、少なくとも一つの前駆体はチャンバ１００の処理領域１１５中に超大気圧で導入される。いくつかの実施態様では、少なくとも一つの前駆体はチャンバ１００の処理領域１１５中におよそ大気圧で導入され、圧力は所定の処理チャンバ圧力を得るよう増加する。図４Ｂに示すとおり、間隙充填層４００は、一又は複数の特徴部４０４に形成された一又は複数のシーム（図２に示される層２０２において参照番号２０８で図示）を有さずに、一又は複数の特徴部４０４を充填するために基板４０１の一又は複数の特徴部４０４の上方に配置される。一又は複数のシーム２０８を有さずに堆積された間隙充填層４００は、デバイスのパフォーマンスの改善をもたらす。
一実施態様では、間隙充填層４００はＸ材料含有膜であり、間隙充填層４００を堆積させることには、基板４０１の一又は複数の特徴部４０４をＸ材料含有前駆体に曝露することが含まれ、ここでＸは元素である。Ｘの適切な例には、限定されないが、とりわけケイ素及び炭素が含まれる。Ｘ材料含有前駆体は、場合によっては、チャンバ１００内に配置される前又は配置される間に加熱されてもよい。
一実施態様では、間隙充填層４００はケイ素含有膜であり、間隙充填層４００を堆積させることには、基板４０１の一又は複数の特徴部４０４を少なくとも一つのケイ素含有前駆体に曝露することが含まれる。適切なケイ素含有前駆体の例には、限定されないが、シラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｈ６Ｓｉ２）、ジクロロシラン（ＤＣＳ）、トリシラン（Ｈ８Ｓｉ３）、テトラシラン（Ｓｉ４Ｈ１０）、テトラエチルオルトシリケート（Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）、トリメチルアミン（ＴＭＡ）、ジメチルシラン（Ｃ２Ｈ８Ｓｉ）、テトラメチルジシラン（（（ＣＨ３）２ＳｉＨＳｉＨ（ＣＨ３）２）、ヘキサメチルジシラン（（Ｓｉ（ＣＨ３）３）２）、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）、及びトリシリル－ペンタン（Ｃ８Ｈ１９ＮＳｉ）のうちの一又は複数が含まれる。一実施態様では、少なくとも一つのケイ素含有前駆体は、場合によっては、チャンバ１００の構成要素を介して加熱される。
別の実施態様では、間隙充填層４００は炭素含有膜であり、間隙充填層４００を堆積させることには、基板４０１の一又は複数の特徴部４０４を少なくとも一つの炭素含有前駆体に曝露することが含まれる。適切な炭素含有前駆体の例には、限定されないが、メタン（ＣＨ４）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、プロペン（Ｃ３Ｈ６）、テトラエチルオルトシリケート（Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）、トリメチルアミン（ＴＭＡ）、ジメチルシラン（Ｃ２Ｈ８Ｓｉ）、テトラメチルジシラン（（（ＣＨ３）２ＳｉＨＳｉＨ（ＣＨ３）２）、ヘキサメチルジシラン（（Ｓｉ（ＣＨ３）３）２）、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）、トリシリル－ペンタン（Ｃ８Ｈ１９ＮＳｉ）、その他のアルケン、及びその他のビニル炭化水素が含まれる。一実施態様では、少なくとも一つの炭素含有前駆体は、場合によっては、チャンバ１００の構成要素を介して加熱される。
基板４０１の一又は複数の特徴部４０４の上方への間隙充填層４００の堆積は、摂氏約１５０度（℃）と約４５０℃の間の処理領域１１５の温度、及び約２００℃と約８００℃の間の基板４０１の温度で生じる。一実施態様では、一又は複数の特徴部４０４は、約１分間から約１８０分間の持続時間にわたって曝露される。少なくとも一つのケイ素含有前駆体は、約１００ｓｃｃｍから約２０００ｓｃｃｍの流量で提供される。少なくとも一つの炭素含有前駆体は、約１００ｓｃｃｍから約２０００ｓｃｃｍの流量で提供される。一実施態様では、図４Ｂに示すとおり、３００－４００℃の温度及び約１から約１０ｂａｒの超大気圧により、共形膜である間隙充填層４００がもたらされることになる。別の実施態様では、５００－８００℃の温度及び約１ｂａｒから約１０ｂａｒの超大気圧により、ボトムアップ堆積膜などの、共形である間隙充填層４００がもたらされることになる。いくつかの実施態様では、間隙充填層４００は水素低含有膜であり得る。いくつかの実施態様では、間隙充填層４００は膜内に実質的に水素濃度を含まない膜であり得る。いくつかの実施態様では、間隙充填層４００は非晶質ケイ素膜を構成する。いくつかの実施態様では、シーム充填層６００は非晶質炭素膜を構成する。いくつかの実施態様では、シーム充填層６００は、ケイ素含有間隙充填層又は炭素含有間隙充填層のうちの少なくとも一つを含む。
図５は、基板の一又は複数の特徴部の上方に配置された材料のシームを充填するための方法５００のフロー図である。説明を容易にするために、図５は図１、図２、及び図６を参照して記載される。しかしながら、図１のチャンバ１００以外のチャンバが方法５００と併せて用いられ得ることに留意されたい。図６は、方法５００による基板の概略断面図である。
動作５０１では、基板１３５は、処理のための、位置又は環境、例えばチャンバ中に提供される。一実施態様では、複数の基板１３５は、チャンバ１００での処理のためのバッチとして位置付けされる。別の例では、一度に一つの基板１３５がチャンバ１００で処理される。図２に示すとおり、基板１３５は、材料２０６の一又は複数のシーム２０８を有する。つまり、基板１３５上に配置された材料２０６は、一又は複数のシーム２０８を含む。材料２０６は、基板１３５の層２０２に形成された一又は複数の特徴部２０４の上方に配置される。一実施態様では、基板１３５は、カセット１３０上でチャンバ１００の処理領域１１５中にロードされる。その後、ドア１２０は閉じられ、チャンバ１００が密閉される。チャンバ１００の処理領域１１５は加圧されて、チャンバ１００は材料２０６のシーム２０８を充填するための超大気圧チャンバに変化する。
動作５０２では、図６に示すように、シーム充填層６００は、一又は複数のシーム２０８を充填するために、基板１３５の一又は複数のシーム２０８中に配置される。シーム充填層６００は、超大気圧でＣＶＤにより堆積される。適切な前駆体が、超大気圧で使用され、一又は複数の特徴部２０４内のシーム２０８中に送られるため、前駆体は低圧シーム中に送られる。これは、前駆体がシーム２０８中に入ってその中にシーム充填層６００を形成し、それによりシーム２０８を修復するのを可能にするのに役立つ。シーム充填層６００は、材料２０６の表面に曝露されているシーム内に形成される。一実施態様では、超大気圧は、約１ｂａｒから約５０ｂａｒ、例えば約１ｂａｒから約２０ｂａｒ、例えば約５ｂａｒから約１５ｂａｒの範囲内である。別の例では、処理チャンバ内の圧力は、約１２ｂａｒから約２０ｂａｒ、例えば約１２ｂａｒから約１５ｂａｒなど、約１２ｂａｒから約５０ｂａｒの範囲内に維持される。一実施態様では、少なくとも一つの前駆体はチャンバ１００の処理領域１１５中に超大気圧で導入される。図６に示すとおり、シーム充填層６００は、一又は複数のシーム２０８内に堆積されて、シーム２０８中に追加のシームを形成することなく、一又は複数のシーム２０８を充填する。本明細書に記載されるような高圧の使用は、駆動力として作用し、シーム充填層６００がシーム２０８を充填するのを可能にする。いくつかの実施態様では、シーム充填層６００を用いてシーム２０８を充填することは、シーム充填層６００のいくつかがシーム２０８の外側及び材料２０６の頂部で材料２０６上に堆積されることも引き起こすことになることが想定される。シーム充填層６００のこのセクションは、化学機械研磨又は選択的エッチバックなどの他の基板処理方法により、後に除去され得る。
一実施態様では、材料２０６はＸ含有膜であり、シーム充填層６００を堆積させることには、基板１３５の一又は複数のシーム２０８をＸ含有前駆体に曝露することが含まれ、ここでＸは元素である。Ｘの適切な例には、限定されないが、とりわけケイ素及び炭素が含まれる。Ｘ含有前駆体は、場合によっては、チャンバ１００内に配置される前又は配置される間に加熱されてもよい。Ｘ含有膜は、材料２０６又は間隙充填層４００と同様であってもよい。Ｘ含有膜は、Ｘ含有前駆体と材料２０６の反応によっても作成され得る。
一実施態様では、材料２０６はケイ素を含有し、シーム充填層６００を堆積させることには、一又は複数のシーム２０８を少なくとも一つのケイ素含有前駆体に曝露することが含まれる。シーム充填層６００は、ケイ素含有前駆体から形成されたケイ素含有層であり得る。適切なケイ素含有前駆体の例には、限定されないが、シラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｈ６Ｓｉ２）、ジクロロシラン（ＤＣＳ）、トリシラン（Ｈ８Ｓｉ３）、テトラシラン（Ｓｉ４Ｈ１０）、テトラエチルオルトシリケート（Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）、トリメチルアミン（ＴＭＡ）、ジメチルシラン（Ｃ２Ｈ８Ｓｉ）、テトラメチルジシラン（（（ＣＨ３）２ＳｉＨＳｉＨ（ＣＨ３）２）、ヘキサメチルジシラン（（Ｓｉ（ＣＨ３）３）２）、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）、及びトリシリル－ペンタン（Ｃ８Ｈ１９ＮＳｉ）．のうちの一又は複数が含まれる。一実施態様では、少なくとも一つのケイ素含有前駆体は、場合によっては、チャンバ１００の構成要素を介して加熱される。
別の実施態様では、材料２０６は炭素を含有し、シーム充填層６００を堆積させることには、一又は複数のシーム２０８を少なくとも一つの炭素含有前駆に曝露して、炭素含有シーム充填層６００を形成することが含まれる。適切な炭素含有前駆体の例には、限定されないが、メタン（ＣＨ４）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、プロペン（Ｃ３Ｈ６）、テトラエチルオルトシリケート（Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）、トリメチルアミン（ＴＭＡ）、ジメチルシラン（Ｃ２Ｈ８Ｓｉ）、テトラメチルジシラン（（（ＣＨ３）２ＳｉＨＳｉＨ（ＣＨ３）２）、ヘキサメチルジシラン（（Ｓｉ（ＣＨ３）３）２）、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）、トリシリル－ペンタン（Ｃ８Ｈ１９ＮＳｉ）、その他のアルケン、及びその他のビニル炭化水素が含まれる。一実施態様では、少なくとも一つの炭素含有前駆体は、場合によっては、チャンバ１００の構成要素を介して加熱される。
いくつかの実施態様では、シーム２０８を修復することは、シーム２０８がシーム充填層６００で充填されるように、シーム充填層６００をシーム２０８中に堆積させることを含む。シーム充填層６００の堆積は、１５０℃と約４５０℃の間の処理領域１１５の温度、及び約２００℃と約８００℃の間の基板１３５の温度で生じる。一実施態様では、一又は複数のシーム２０８は、約１分間から約６０分間の持続時間にわたって曝露される。少なくとも一つのケイ素含有前駆体は、約５０ｓｃｃｍから約１０００ｓｃｃｍの流量で提供される。少なくとも一つの炭素含有前駆体は、約５０ｓｃｃｍから約１０００ｓｃｃｍの流量で提供される。いくつかの実施態様では、シーム充填層６００は水素含有層であり得る。いくつかの実施態様では、シーム充填層６００は層内に実質的に水素を有しない場合がある。いくつかの実施態様では、シーム充填層６００は非晶質ケイ素層を構成する。いくつかの実施態様では、シーム充填層６００は非晶質炭素層を構成する。いくつかの実施態様では、シーム充填層６００は、ケイ素含有シーム充填層又は炭素含有シーム充填層のうちの少なくとも一つを含む。シーム２０８をシーム充填層６００で充填した後、ある余剰のシーム充填層６００も、材料２０６の及びシーム２０８の外側に堆積され得る。この余剰分は、後の除去プロセス中に除去され得る。この除去は、バッチ又は単一ウエハプロセスで完了され得る。
本開示の実施態様は、半導体デバイスの特徴部をシームを伴わずに間隙充填し、シーム修復する方法を提供する。間隙充填及びシーム修復はシームを伴わないため、半導体デバイスの全体的なパフォーマンスが改善される。
以上の説明は本開示の実施態様を対象としているが、本開示の基本的な範囲を逸脱することなく本開示の他の実施態様及びさらなる実施態様が考案されてもよく、本開示の範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定される。

Claims (14)

  1. 基板上に形成された特徴部を充填するための方法であって、
    基板上に形成された材料の表面に一又は複数の特徴部が形成された前記基板を、処理チャンバ中に位置付けすることと、
    前記一又は複数の特徴部を少なくとも一つの前駆体に約１ｂａｒ以上の圧力で曝露することと、
    前記一又は複数の特徴部の上方に、ケイ素含有膜又は炭素含有間隙充填層のうちの少なくとも一つを含む間隙充填層を形成して、前記一又は複数の特徴部を充填することと、
    を含む、方法。
  2. 前記圧力が約１ｂａｒから約５０ｂａｒである、請求項１に記載の方法。
  3. 前記少なくとも一つの前駆体が少なくとも一つのケイ素含有前駆体である、請求項１に記載の方法。
  4. 前記少なくとも一つのケイ素含有前駆体が、シラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｈ６Ｓｉ２）、ジクロロシラン（ＤＣＳ）、トリシラン（Ｈ８Ｓｉ３）、テトラシラン（Ｓｉ４Ｈ１０）、テトラエチルオルトシリケート（Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）、トリメチルアミン（ＴＭＡ）、ジメチルシラン（Ｃ２Ｈ８Ｓｉ）、テトラメチルジシラン（（（ＣＨ３）２ＳｉＨＳｉＨ（ＣＨ３）２）、ヘキサメチルジシラン（（Ｓｉ（ＣＨ３）３）２）、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）、及びトリシリル－ペンタン（Ｃ８Ｈ１９ＮＳｉ）のうちの少なくとも一つを含む、請求項３に記載の方法。
  5. 前記一又は複数の特徴部が、約１分間から約１８０分間の持続時間にわたって曝露される、請求項３に記載の方法。
  6. 前記少なくとも一つの前駆体が少なくとも一つの炭素含有前駆体である、請求項１に記載の方法。
  7. 前記少なくとも一つの炭素含有前駆体が、メタン（ＣＨ４）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、プロペン（Ｃ３Ｈ６）、テトラエチルオルトシリケート（Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）、トリメチルアミン（ＴＭＡ）、ジメチルシラン（Ｃ２Ｈ８Ｓｉ）、テトラメチルジシラン（（（ＣＨ３）２ＳｉＨＳｉＨ（ＣＨ３）２）、ヘキサメチルジシラン（（Ｓｉ（ＣＨ３）３）２）、及びヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）、トリシリル－ペンタン（Ｃ８Ｈ１９ＮＳｉ）のうちの少なくとも一つを含む、請求項７に記載の方法。
  8. 基板上に形成された特徴部を充填するための方法であって、
    基板上に配置された材料の表面に一又は複数の特徴部が形成された前記基板を、処理チャンバ中に位置付けすることであって、前記一又は複数の特徴部のうちの少なくとも一つが、前記一又は複数の特徴部の上方に配置された材料と、前記材料中に配置されたシームとを含む、位置付けすることと、
    前記材料を少なくとも一つの前駆体に約１ｂａｒ以上の圧力で曝露することと、
    前記少なくとも一つの前駆体から形成された充填材料で前記シームを充填することであって、前記シーム充填材料が、ケイ素含有シーム充填層又は炭素含有シーム充填層のうちの少なくとも一つを含む、充填材料でシームを充填することと、
    を含む、方法。
  9. 前記材料を前記少なくとも一つの前駆体に曝露することが、前記材料を前記少なくとも一つの前駆体に約１ｂａｒから約５０ｂａｒの圧力で曝露することをさらに含む、請求項９に記載の方法。
  10. 前記材料を前記少なくとも一つの前駆体に曝露することが、前記少なくとも一つの前駆体に由来するシーム充填層を前記材料上に堆積させることをさらに含む、請求項９に記載の方法。
  11. 前記少なくとも一つの前駆体が、シラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｈ６Ｓｉ２）、ジクロロシラン（ＤＣＳ）、トリシラン（Ｈ８Ｓｉ３）、テトラシラン（Ｓｉ４Ｈ１０）、テトラエチルオルトシリケート（Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）、トリメチルアミン（ＴＭＡ）、ジメチルシラン（Ｃ２Ｈ８Ｓｉ）、テトラメチルジシラン（（（ＣＨ３）２ＳｉＨＳｉＨ（ＣＨ３）２）、ヘキサメチルジシラン（（Ｓｉ（ＣＨ３）３）２）、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）、及びトリシリル－ペンタン（Ｃ８Ｈ１９ＮＳｉ）のうちの少なくとも一つを含む、請求項１１に記載の方法。
  12. 前記少なくとも一つの前駆体が、メタン（ＣＨ４）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、プロペン（Ｃ３Ｈ６）、テトラエチルオルトシリケート（Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）、トリメチルアミン（ＴＭＡ）、ジメチルシラン（Ｃ２Ｈ８Ｓｉ）、テトラメチルジシラン（（（ＣＨ３）２ＳｉＨＳｉＨ（ＣＨ３）２）、ヘキサメチルジシラン（（Ｓｉ（ＣＨ３）３）２）、及びヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）、トリシリル－ペンタン（Ｃ８Ｈ１９ＮＳｉ）のうちの少なくとも一つを含む、請求項１１に記載の方法。
  13. 基板上に形成された特徴部を充填するための方法であって、
    ケイ素又は炭素のうちの少なくとも一つを含有する前駆体を、基板を含有する処理チャンバの処理領域中に流すことと、
    前記基板を含有する前記処理領域内に配置された前記前駆体の圧力を約１ｂａｒ以上で維持することと、
    前記前駆体を含有する前記処理領域内に配置された前記基板上に配置された材料上に配置されたシームを修復すること又は特徴部を間隙充填することと、
    を含む、方法。
  14. 前記前駆体を前記処理領域中に流すことが、シーム充填層を前記材料上に配置することをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220018591A (ko) * 2019-06-07 2022-02-15 램 리써치 코포레이션 멀티 스테이션 반도체 프로세싱에서 독립적으로 조정 가능한 플로우 경로 컨덕턴스
JP2022095463A (ja) * 2020-12-16 2022-06-28 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
FR3143836A1 (fr) * 2022-12-14 2024-06-21 Soitec Procédé de stabilisation d’une surface en un matériau semiconducteur

Family Cites Families (324)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4524587A (en) 1967-01-10 1985-06-25 Kantor Frederick W Rotary thermodynamic apparatus and method
US3758316A (en) 1971-03-30 1973-09-11 Du Pont Refractory materials and process for making same
US3749383A (en) 1971-04-29 1973-07-31 Rca Corp Apparatus for processing semiconductor devices
US4576652A (en) 1984-07-12 1986-03-18 International Business Machines Corporation Incoherent light annealing of gallium arsenide substrate
JPS634616A (ja) 1986-06-25 1988-01-09 Hitachi Tokyo Electron Co Ltd 蒸気処理装置
US4879259A (en) 1987-09-28 1989-11-07 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junion University Rapid thermal annealing of gallium arsenide with trimethyl arsenic overpressure
CA1308496C (en) 1988-02-18 1992-10-06 Rajiv V. Joshi Deposition of tungsten on silicon in a non-self-limiting cvd process
US5114513A (en) 1988-10-27 1992-05-19 Omron Tateisi Electronics Co. Optical device and manufacturing method thereof
US5167717A (en) 1989-02-15 1992-12-01 Charles Boitnott Apparatus and method for processing a semiconductor wafer
JP2730695B2 (ja) 1989-04-10 1998-03-25 忠弘 大見 タングステン膜の成膜装置
US5126117A (en) 1990-05-22 1992-06-30 Custom Engineered Materials, Inc. Device for preventing accidental releases of hazardous gases
US5175123A (en) 1990-11-13 1992-12-29 Motorola, Inc. High-pressure polysilicon encapsulated localized oxidation of silicon
US5050540A (en) 1991-01-29 1991-09-24 Arne Lindberg Method of gas blanketing a boiler
US5314541A (en) 1991-05-28 1994-05-24 Tokyo Electron Limited Reduced pressure processing system and reduced pressure processing method
JPH0521310A (ja) 1991-07-11 1993-01-29 Canon Inc 微細パタン形成方法
JPH05129296A (ja) 1991-11-05 1993-05-25 Fujitsu Ltd 導電膜の平坦化方法
US5300320A (en) * 1992-06-23 1994-04-05 President And Fellows Of Harvard College Chemical vapor deposition from single organometallic precursors
US5319212A (en) 1992-10-07 1994-06-07 Genus, Inc. Method of monitoring ion beam current in ion implantation apparatus for use in manufacturing semiconductors
JPH06283496A (ja) 1993-03-26 1994-10-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 洗浄処理後の基板の乾燥処理装置
US5607002A (en) 1993-04-28 1997-03-04 Advanced Delivery & Chemical Systems, Inc. Chemical refill system for high purity chemicals
US5578132A (en) 1993-07-07 1996-11-26 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Apparatus for heat treating semiconductors at normal pressure and low pressure
JPH0748489A (ja) 1993-08-05 1995-02-21 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 耐光性樹脂組成物
JPH0766424A (ja) 1993-08-20 1995-03-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US5880041A (en) 1994-05-27 1999-03-09 Motorola Inc. Method for forming a dielectric layer using high pressure
US5597439A (en) 1994-10-26 1997-01-28 Applied Materials, Inc. Process gas inlet and distribution passages
US5808245A (en) 1995-01-03 1998-09-15 Donaldson Company, Inc. Vertical mount catalytic converter muffler
JPH08195493A (ja) 1995-01-13 1996-07-30 Toshiba Corp 薄膜トランジスタの製造方法
US5620524A (en) 1995-02-27 1997-04-15 Fan; Chiko Apparatus for fluid delivery in chemical vapor deposition systems
KR100251341B1 (ko) 1995-05-08 2000-05-01 오카노 사다오 광도파로의 제조방법
JP2872637B2 (ja) 1995-07-10 1999-03-17 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド マイクロ波プラズマベースアプリケータ
US5857368A (en) 1995-10-06 1999-01-12 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for fabricating metal paths in semiconductor substrates through high pressure extrusion
JPH09296267A (ja) 1995-11-21 1997-11-18 Applied Materials Inc 高圧押出しによる、半導体基板における金属パスの製造装置および方法
US5677230A (en) 1995-12-01 1997-10-14 Motorola Method of making wide bandgap semiconductor devices
US5895274A (en) 1996-01-22 1999-04-20 Micron Technology, Inc. High-pressure anneal process for integrated circuits
KR980012044A (ko) 1996-03-01 1998-04-30 히가시 데츠로 기판건조장치 및 기판건조방법
US5998305A (en) 1996-03-29 1999-12-07 Praxair Technology, Inc. Removal of carbon from substrate surfaces
US5738915A (en) 1996-09-19 1998-04-14 Lambda Technologies, Inc. Curing polymer layers on semiconductor substrates using variable frequency microwave energy
US6444037B1 (en) 1996-11-13 2002-09-03 Applied Materials, Inc. Chamber liner for high temperature processing chamber
US6082950A (en) 1996-11-18 2000-07-04 Applied Materials, Inc. Front end wafer staging with wafer cassette turntables and on-the-fly wafer center finding
US5886864A (en) 1996-12-02 1999-03-23 Applied Materials, Inc. Substrate support member for uniform heating of a substrate
KR100560049B1 (ko) * 1997-05-10 2006-05-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 성막방법
JP2976931B2 (ja) 1997-06-04 1999-11-10 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
US6136664A (en) 1997-08-07 2000-10-24 International Business Machines Corporation Filling of high aspect ratio trench isolation
US20030049372A1 (en) 1997-08-11 2003-03-13 Cook Robert C. High rate deposition at low pressures in a small batch reactor
US5963817A (en) 1997-10-16 1999-10-05 International Business Machines Corporation Bulk and strained silicon on insulator using local selective oxidation
JP3199006B2 (ja) 1997-11-18 2001-08-13 日本電気株式会社 層間絶縁膜の形成方法および絶縁膜形成装置
US6442980B2 (en) 1997-11-26 2002-09-03 Chart Inc. Carbon dioxide dry cleaning system
US6846739B1 (en) 1998-02-27 2005-01-25 Micron Technology, Inc. MOCVD process using ozone as a reactant to deposit a metal oxide barrier layer
US6164412A (en) 1998-04-03 2000-12-26 Arvin Industries, Inc. Muffler
US6719516B2 (en) 1998-09-28 2004-04-13 Applied Materials, Inc. Single wafer load lock with internal wafer transport
US20030101938A1 (en) 1998-10-27 2003-06-05 Applied Materials, Inc. Apparatus for the deposition of high dielectric constant films
US6387764B1 (en) * 1999-04-02 2002-05-14 Silicon Valley Group, Thermal Systems Llc Trench isolation process to deposit a trench fill oxide prior to sidewall liner oxidation growth
US6468490B1 (en) 2000-06-29 2002-10-22 Applied Materials, Inc. Abatement of fluorine gas from effluent
US6334266B1 (en) 1999-09-20 2002-01-01 S.C. Fluids, Inc. Supercritical fluid drying system and method of use
US6612317B2 (en) 2000-04-18 2003-09-02 S.C. Fluids, Inc Supercritical fluid delivery and recovery system for semiconductor wafer processing
ATE418158T1 (de) 1999-08-17 2009-01-15 Applied Materials Inc Oberflächenbehandlung von kohlenstoffdotierten sio2-filmen zur erhöhung der stabilität während der o2-veraschung
US6299753B1 (en) 1999-09-01 2001-10-09 Applied Materials, Inc. Double pressure vessel chemical dispenser unit
JP2001110729A (ja) 1999-10-06 2001-04-20 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 半導体素子の連続製造装置
US20030148631A1 (en) 1999-11-08 2003-08-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Oxidative annealing method for forming etched spin-on-glass (SOG) planarizing layer with uniform etch profile
US6500603B1 (en) 1999-11-11 2002-12-31 Mitsui Chemicals, Inc. Method for manufacturing polymer optical waveguide
TW484170B (en) 1999-11-30 2002-04-21 Applied Materials Inc Integrated modular processing platform
US6150286A (en) 2000-01-03 2000-11-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method of making an ultra thin silicon nitride film
US6541367B1 (en) 2000-01-18 2003-04-01 Applied Materials, Inc. Very low dielectric constant plasma-enhanced CVD films
US6319766B1 (en) 2000-02-22 2001-11-20 Applied Materials, Inc. Method of tantalum nitride deposition by tantalum oxide densification
JP2001250787A (ja) 2000-03-06 2001-09-14 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および基板処理方法
US20040025908A1 (en) 2000-04-18 2004-02-12 Stephen Douglas Supercritical fluid delivery system for semiconductor wafer processing
US7166524B2 (en) 2000-08-11 2007-01-23 Applied Materials, Inc. Method for ion implanting insulator material to reduce dielectric constant
US6852167B2 (en) 2001-03-01 2005-02-08 Micron Technology, Inc. Methods, systems, and apparatus for uniform chemical-vapor depositions
US6797336B2 (en) 2001-03-22 2004-09-28 Ambp Tech Corporation Multi-component substances and processes for preparation thereof
JP4335469B2 (ja) 2001-03-22 2009-09-30 株式会社荏原製作所 真空排気装置のガス循環量調整方法及び装置
TW544797B (en) 2001-04-17 2003-08-01 Kobe Steel Ltd High-pressure processing apparatus
JP2002319571A (ja) 2001-04-20 2002-10-31 Kawasaki Microelectronics Kk エッチング槽の前処理方法及び半導体装置の製造方法
US7080651B2 (en) 2001-05-17 2006-07-25 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. High pressure processing apparatus and method
US6752585B2 (en) 2001-06-13 2004-06-22 Applied Materials Inc Method and apparatus for transferring a semiconductor substrate
EP1271636A1 (en) 2001-06-22 2003-01-02 Infineon Technologies AG Thermal oxidation process control by controlling oxidation agent partial pressure
US20030029715A1 (en) 2001-07-25 2003-02-13 Applied Materials, Inc. An Apparatus For Annealing Substrates In Physical Vapor Deposition Systems
US20080268635A1 (en) 2001-07-25 2008-10-30 Sang-Ho Yu Process for forming cobalt and cobalt silicide materials in copper contact applications
JP2003051474A (ja) 2001-08-03 2003-02-21 Kobe Steel Ltd 高圧処理装置
US6531412B2 (en) 2001-08-10 2003-03-11 International Business Machines Corporation Method for low temperature chemical vapor deposition of low-k films using selected cyclosiloxane and ozone gases for semiconductor applications
US6781801B2 (en) 2001-08-10 2004-08-24 Seagate Technology Llc Tunneling magnetoresistive sensor with spin polarized current injection
JP2003077974A (ja) 2001-08-31 2003-03-14 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および半導体装置の製造方法
US6619304B2 (en) 2001-09-13 2003-09-16 Micell Technologies, Inc. Pressure chamber assembly including non-mechanical drive means
US7105061B1 (en) 2001-11-07 2006-09-12 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for sealing substrate load port in a high pressure reactor
US20030098069A1 (en) 2001-11-26 2003-05-29 Sund Wesley E. High purity fluid delivery system
JP2003166065A (ja) 2001-11-30 2003-06-13 Sekisui Chem Co Ltd 放電プラズマ処理装置
JP2003188387A (ja) 2001-12-20 2003-07-04 Sony Corp 薄膜トランジスタ及びその製造方法
KR100450564B1 (ko) 2001-12-20 2004-09-30 동부전자 주식회사 반도체 소자의 금속 배선 후처리 방법
US6848458B1 (en) 2002-02-05 2005-02-01 Novellus Systems, Inc. Apparatus and methods for processing semiconductor substrates using supercritical fluids
US6632325B2 (en) 2002-02-07 2003-10-14 Applied Materials, Inc. Article for use in a semiconductor processing chamber and method of fabricating same
US6835503B2 (en) 2002-04-12 2004-12-28 Micron Technology, Inc. Use of a planarizing layer to improve multilayer performance in extreme ultra-violet masks
US7589029B2 (en) 2002-05-02 2009-09-15 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition and conversion
US7638727B2 (en) 2002-05-08 2009-12-29 Btu International Inc. Plasma-assisted heat treatment
US6846380B2 (en) 2002-06-13 2005-01-25 The Boc Group, Inc. Substrate processing apparatus and related systems and methods
US7521089B2 (en) 2002-06-13 2009-04-21 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for controlling the movement of CVD reaction byproduct gases to adjacent process chambers
US20070243317A1 (en) 2002-07-15 2007-10-18 Du Bois Dale R Thermal Processing System and Configurable Vertical Chamber
US7335609B2 (en) 2004-08-27 2008-02-26 Applied Materials, Inc. Gap-fill depositions introducing hydroxyl-containing precursors in the formation of silicon containing dielectric materials
US20070212850A1 (en) 2002-09-19 2007-09-13 Applied Materials, Inc. Gap-fill depositions in the formation of silicon containing dielectric materials
JP2004127958A (ja) 2002-09-30 2004-04-22 Kyoshin Engineering:Kk 高圧アニール水蒸気処理を行なう装置及び方法
US20040060519A1 (en) 2002-10-01 2004-04-01 Seh America Inc. Quartz to quartz seal using expanded PTFE gasket material
US6889508B2 (en) 2002-10-02 2005-05-10 The Boc Group, Inc. High pressure CO2 purification and supply system
US7270761B2 (en) 2002-10-18 2007-09-18 Appleid Materials, Inc Fluorine free integrated process for etching aluminum including chamber dry clean
US7027722B2 (en) 2002-11-25 2006-04-11 Koyo Thermo Systems Co., Ltd. Electric heater for a semiconductor processing apparatus
US20040112409A1 (en) 2002-12-16 2004-06-17 Supercritical Sysems, Inc. Fluoride in supercritical fluid for photoresist and residue removal
US7658973B2 (en) 2003-02-04 2010-02-09 Applied Materials, Inc. Tailoring nitrogen profile in silicon oxynitride using rapid thermal annealing with ammonia under ultra-low pressure
JP3956049B2 (ja) 2003-03-07 2007-08-08 東京エレクトロン株式会社 タングステン膜の形成方法
US7079760B2 (en) 2003-03-17 2006-07-18 Tokyo Electron Limited Processing system and method for thermally treating a substrate
WO2004102055A1 (en) 2003-05-13 2004-11-25 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for sealing an opening of a processing chamber
US6939794B2 (en) 2003-06-17 2005-09-06 Micron Technology, Inc. Boron-doped amorphous carbon film for use as a hard etch mask during the formation of a semiconductor device
US7226512B2 (en) 2003-06-18 2007-06-05 Ekc Technology, Inc. Load lock system for supercritical fluid cleaning
WO2005007283A2 (en) 2003-07-08 2005-01-27 Sundew Technologies, Llc Apparatus and method for downstream pressure control and sub-atmospheric reactive gas abatement
JP4173781B2 (ja) 2003-08-13 2008-10-29 株式会社神戸製鋼所 高圧処理方法
WO2005057663A2 (en) 2003-12-10 2005-06-23 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and apparatus for fabrication of metal-oxide semiconductor integrated circuit devices
US7158221B2 (en) 2003-12-23 2007-01-02 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for performing limited area spectral analysis
US20050136684A1 (en) 2003-12-23 2005-06-23 Applied Materials, Inc. Gap-fill techniques
WO2005064649A2 (en) 2003-12-23 2005-07-14 Schumacher John C Exhaust conditioning system for semiconductor reactor
US20050250347A1 (en) 2003-12-31 2005-11-10 Bailey Christopher M Method and apparatus for maintaining by-product volatility in deposition process
US7030468B2 (en) 2004-01-16 2006-04-18 International Business Machines Corporation Low k and ultra low k SiCOH dielectric films and methods to form the same
US20050187647A1 (en) 2004-02-19 2005-08-25 Kuo-Hua Wang Intelligent full automation controlled flow for a semiconductor furnace tool
JP4393268B2 (ja) 2004-05-20 2010-01-06 株式会社神戸製鋼所 微細構造体の乾燥方法
US20050269291A1 (en) 2004-06-04 2005-12-08 Tokyo Electron Limited Method of operating a processing system for treating a substrate
US7521378B2 (en) 2004-07-01 2009-04-21 Micron Technology, Inc. Low temperature process for polysilazane oxidation/densification
US7491658B2 (en) 2004-10-13 2009-02-17 International Business Machines Corporation Ultra low k plasma enhanced chemical vapor deposition processes using a single bifunctional precursor containing both a SiCOH matrix functionality and organic porogen functionality
US7427571B2 (en) 2004-10-15 2008-09-23 Asm International, N.V. Reactor design for reduced particulate generation
WO2006055984A2 (en) 2004-11-22 2006-05-26 Applied Materials, Inc. Substrate processing apparatus using a batch processing chamber
US7271112B1 (en) * 2004-12-30 2007-09-18 Novellus Systems, Inc. Methods for forming high density, conformal, silica nanolaminate films via pulsed deposition layer in structures of confined geometry
KR100697280B1 (ko) 2005-02-07 2007-03-20 삼성전자주식회사 반도체 제조 설비의 압력 조절 방법
KR101213390B1 (ko) 2005-02-22 2012-12-18 잭틱스 인코포레이티드 서브챔버를 가지는 에칭 챔버
US7211525B1 (en) 2005-03-16 2007-05-01 Novellus Systems, Inc. Hydrogen treatment enhanced gap fill
WO2006101315A1 (en) 2005-03-21 2006-09-28 Pkl Co., Ltd. Device and method for cleaning photomask
US20060226117A1 (en) 2005-03-29 2006-10-12 Bertram Ronald T Phase change based heating element system and method
US20120060868A1 (en) 2005-06-07 2012-03-15 Donald Gray Microscale fluid delivery system
ES2317159T3 (es) 2005-06-10 2009-04-16 Obducat Ab Replicacion de modelo con sello intermedio.
JP4747693B2 (ja) 2005-06-28 2011-08-17 住友電気工業株式会社 樹脂体を形成する方法、光導波路のための構造を形成する方法、および光学部品を形成する方法
US7361231B2 (en) 2005-07-01 2008-04-22 Ekc Technology, Inc. System and method for mid-pressure dense phase gas and ultrasonic cleaning
JP5117856B2 (ja) 2005-08-05 2013-01-16 株式会社日立国際電気 基板処理装置、冷却ガス供給ノズルおよび半導体装置の製造方法
US7534080B2 (en) 2005-08-26 2009-05-19 Ascentool, Inc. Vacuum processing and transfer system
US7531404B2 (en) 2005-08-30 2009-05-12 Intel Corporation Semiconductor device having a metal gate electrode formed on an annealed high-k gate dielectric layer
KR100696178B1 (ko) 2005-09-13 2007-03-20 한국전자통신연구원 광 도파로 마스터 및 그 제조 방법
US8926731B2 (en) 2005-09-13 2015-01-06 Rasirc Methods and devices for producing high purity steam
CN101268012B (zh) 2005-10-07 2012-12-26 株式会社尼康 微小构造体及其制造方法
US7794667B2 (en) 2005-10-19 2010-09-14 Moore Epitaxial, Inc. Gas ring and method of processing substrates
US7387968B2 (en) 2005-11-08 2008-06-17 Tokyo Electron Limited Batch photoresist dry strip and ash system and process
US8306026B2 (en) 2005-12-15 2012-11-06 Toshiba America Research, Inc. Last hop topology sensitive multicasting key management
US20070187386A1 (en) 2006-02-10 2007-08-16 Poongsan Microtec Corporation Methods and apparatuses for high pressure gas annealing
US7578258B2 (en) 2006-03-03 2009-08-25 Lam Research Corporation Methods and apparatus for selective pre-coating of a plasma processing chamber
JP2007242791A (ja) 2006-03-07 2007-09-20 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
WO2007133595A2 (en) 2006-05-08 2007-11-22 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Integrated vacuum absorption steam cycle gas separation
US7825038B2 (en) 2006-05-30 2010-11-02 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition of high quality flow-like silicon dioxide using a silicon containing precursor and atomic oxygen
US7650965B2 (en) 2006-06-09 2010-01-26 Emcon Technologies Llc Exhaust system
JP2008073611A (ja) 2006-09-21 2008-04-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 高圧処理装置
JP4814038B2 (ja) 2006-09-25 2011-11-09 株式会社日立国際電気 基板処理装置および反応容器の着脱方法
TW200830034A (en) 2006-10-13 2008-07-16 Asahi Glass Co Ltd Method of smoothing surface of substrate for EUV mask blank, and EUV mask blank obtained by the method
US7790587B2 (en) 2006-11-07 2010-09-07 Intel Corporation Method to reduce junction leakage through partial regrowth with ultrafast anneal and structures formed thereby
JP2008153635A (ja) 2006-11-22 2008-07-03 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd Ｍｏｓ型半導体素子の製造方法
US20080169183A1 (en) 2007-01-16 2008-07-17 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Plasma Source with Liner for Reducing Metal Contamination
JP2008192642A (ja) 2007-01-31 2008-08-21 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
US20080233404A1 (en) 2007-03-22 2008-09-25 3M Innovative Properties Company Microreplication tools and patterns using laser induced thermal embossing
JP5135856B2 (ja) 2007-03-31 2013-02-06 東京エレクトロン株式会社 トラップ装置、排気系及びこれを用いた処理システム
US20080241384A1 (en) 2007-04-02 2008-10-02 Asm Genitech Korea Ltd. Lateral flow deposition apparatus and method of depositing film by using the apparatus
DE102007017641A1 (de) 2007-04-13 2008-10-16 Infineon Technologies Ag Aushärtung von Schichten am Halbleitermodul mittels elektromagnetischer Felder
JP2010525530A (ja) 2007-04-30 2010-07-22 アイファイアー・アイピー・コーポレーション 厚膜誘電性エレクトロルミネセントディスプレイ用の積層厚膜誘電体構造
JP2010528475A (ja) 2007-05-25 2010-08-19 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 電子デバイス製造システムを組み立てる及び運転する方法及び装置
US20090018688A1 (en) 2007-06-15 2009-01-15 Applied Materials, Inc. Methods and systems for designing and validating operation of abatement systems
KR101442238B1 (ko) 2007-07-26 2014-09-23 주식회사 풍산마이크로텍 고압 산소 열처리를 통한 반도체 소자의 제조방법
US7951728B2 (en) 2007-09-24 2011-05-31 Applied Materials, Inc. Method of improving oxide growth rate of selective oxidation processes
US7867923B2 (en) 2007-10-22 2011-01-11 Applied Materials, Inc. High quality silicon oxide films by remote plasma CVD from disilane precursors
US7803722B2 (en) 2007-10-22 2010-09-28 Applied Materials, Inc Methods for forming a dielectric layer within trenches
US7541297B2 (en) 2007-10-22 2009-06-02 Applied Materials, Inc. Method and system for improving dielectric film quality for void free gap fill
KR20100084676A (ko) 2007-10-26 2010-07-27 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 향상된 연료 회로를 사용하는 스마트 저감을 위한 방법 및 장치
JP5299605B2 (ja) 2007-11-19 2013-09-25 日揮触媒化成株式会社 低誘電率シリカ系被膜のダメージ修復方法および該方法により修復された低誘電率シリカ系被膜
US7651959B2 (en) 2007-12-03 2010-01-26 Asm Japan K.K. Method for forming silazane-based dielectric film
KR20090064279A (ko) * 2007-12-14 2009-06-18 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드 손상 없는 갭 충진을 위한 보호 층
US7776740B2 (en) 2008-01-22 2010-08-17 Tokyo Electron Limited Method for integrating selective low-temperature ruthenium deposition into copper metallization of a semiconductor device
JP4815464B2 (ja) 2008-03-31 2011-11-16 株式会社日立製作所 微細構造転写スタンパ及び微細構造転写装置
US7655532B1 (en) 2008-07-25 2010-02-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. STI film property using SOD post-treatment
US8945981B2 (en) 2008-07-31 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8153533B2 (en) 2008-09-24 2012-04-10 Lam Research Methods and systems for preventing feature collapse during microelectronic topography fabrication
KR20100035000A (ko) 2008-09-25 2010-04-02 삼성전자주식회사 서로 다른 종횡비를 갖는 소자 분리 트렌치 갭필 방법 및 그를 이용한 반도체 소자
US7891228B2 (en) 2008-11-18 2011-02-22 Mks Instruments, Inc. Dual-mode mass flow verification and mass flow delivery system and method
US8557712B1 (en) 2008-12-15 2013-10-15 Novellus Systems, Inc. PECVD flowable dielectric gap fill
KR20100082170A (ko) 2009-01-08 2010-07-16 삼성전자주식회사 실리콘 산화막 패턴 및 소자 분리막 형성 방법
CN102308675B (zh) 2009-02-04 2016-01-13 应用材料公司 用于等离子体工艺的接地回流路径
JP2010205854A (ja) 2009-03-02 2010-09-16 Fujitsu Semiconductor Ltd 半導体装置の製造方法
JP4564570B2 (ja) 2009-03-10 2010-10-20 三井造船株式会社 原子層堆積装置
JP4523661B1 (ja) 2009-03-10 2010-08-11 三井造船株式会社 原子層堆積装置及び薄膜形成方法
FR2944147B1 (fr) 2009-04-02 2011-09-23 Saint Gobain Procede de fabrication d'une structure a surface externe texturee pour dispositif a diode electroluminescente organique et struture a surface externe texturee
US8404561B2 (en) * 2009-05-18 2013-03-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for fabricating an isolation structure
US20100304027A1 (en) 2009-05-27 2010-12-02 Applied Materials, Inc. Substrate processing system and methods thereof
JP4415062B1 (ja) 2009-06-22 2010-02-17 富士フイルム株式会社 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法
KR20110000960A (ko) 2009-06-29 2011-01-06 삼성전자주식회사 반도체 칩, 스택 모듈, 메모리 카드 및 그 제조 방법
US8741788B2 (en) 2009-08-06 2014-06-03 Applied Materials, Inc. Formation of silicon oxide using non-carbon flowable CVD processes
JP2011066100A (ja) 2009-09-16 2011-03-31 Bridgestone Corp 光硬化性転写シート、及びこれを用いた凹凸パターンの形成方法
US8449942B2 (en) 2009-11-12 2013-05-28 Applied Materials, Inc. Methods of curing non-carbon flowable CVD films
KR101370301B1 (ko) 2009-11-20 2014-03-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
US20110151677A1 (en) 2009-12-21 2011-06-23 Applied Materials, Inc. Wet oxidation process performed on a dielectric material formed from a flowable cvd process
JP2013517616A (ja) 2010-01-06 2013-05-16 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 酸化物ライナを使用する流動可能な誘電体
CN102714156A (zh) 2010-01-07 2012-10-03 应用材料公司 自由基成分cvd的原位臭氧固化
US9500362B2 (en) 2010-01-21 2016-11-22 Powerdyne, Inc. Generating steam from carbonaceous material
US8293658B2 (en) 2010-02-17 2012-10-23 Asm America, Inc. Reactive site deactivation against vapor deposition
CN102844848A (zh) 2010-03-05 2012-12-26 应用材料公司 通过自由基成分化学气相沉积的共形层
KR101163711B1 (ko) 2010-06-15 2012-07-09 서울대학교산학협력단 함몰된 바디에 두개의 게이트를 갖는 1ｔ 디램 소자와 그 동작방법 및 제조방법
CN101871043B (zh) 2010-06-25 2012-07-18 东莞市康汇聚线材科技有限公司 一种退火炉蒸汽发生器及其控制方法
US8318584B2 (en) 2010-07-30 2012-11-27 Applied Materials, Inc. Oxide-rich liner layer for flowable CVD gapfill
JP2012049446A (ja) 2010-08-30 2012-03-08 Toshiba Corp 超臨界乾燥方法及び超臨界乾燥システム
EP2426720A1 (en) 2010-09-03 2012-03-07 Applied Materials, Inc. Staggered thin film transistor and method of forming the same
TW201216331A (en) 2010-10-05 2012-04-16 Applied Materials Inc Ultra high selectivity doped amorphous carbon strippable hardmask development and integration
US8664127B2 (en) * 2010-10-15 2014-03-04 Applied Materials, Inc. Two silicon-containing precursors for gapfill enhancing dielectric liner
JP5806827B2 (ja) 2011-03-18 2015-11-10 東京エレクトロン株式会社 ゲートバルブ装置及び基板処理装置並びにその基板処理方法
JP5450494B2 (ja) 2011-03-25 2014-03-26 株式会社東芝 半導体基板の超臨界乾燥方法
CN103502853A (zh) 2011-03-25 2014-01-08 李谞荣 光波电路及其制造方法
JP6048400B2 (ja) 2011-03-30 2016-12-21 大日本印刷株式会社 超臨界乾燥装置及び超臨界乾燥方法
US20120252210A1 (en) 2011-03-30 2012-10-04 Tokyo Electron Limited Method for modifying metal cap layers in semiconductor devices
US9299581B2 (en) 2011-05-12 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Methods of dry stripping boron-carbon films
JP6085423B2 (ja) 2011-05-30 2017-02-22 株式会社東芝 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体
WO2012165377A1 (ja) 2011-05-30 2012-12-06 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体
US8466073B2 (en) 2011-06-03 2013-06-18 Applied Materials, Inc. Capping layer for reduced outgassing
GB201110117D0 (en) 2011-06-16 2011-07-27 Fujifilm Mfg Europe Bv method and device for manufacturing a barrie layer on a flexible substrate
US9536763B2 (en) 2011-06-28 2017-01-03 Brooks Automation, Inc. Semiconductor stocker systems and methods
WO2013008982A1 (ko) 2011-07-14 2013-01-17 엘티씨 (주) 높은 광추출 성능을 갖는 무기 산란막 {inorganic scattering films having high light extraction performance}
WO2013065771A1 (ja) 2011-11-01 2013-05-10 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置及び記録媒体
JP5712902B2 (ja) 2011-11-10 2015-05-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
KR101305904B1 (ko) 2011-12-07 2013-09-09 주식회사 테스 반도체소자 제조방법
WO2013083129A1 (en) 2011-12-08 2013-06-13 Inmold Biosystems A/S Spin-on-glass assisted polishing of rough substrates
JP2013122493A (ja) 2011-12-09 2013-06-20 Furukawa Electric Co Ltd:The 光分岐素子および光分岐回路
JP2013154315A (ja) 2012-01-31 2013-08-15 Ricoh Co Ltd 薄膜形成装置、薄膜形成方法、電気−機械変換素子、液体吐出ヘッド、およびインクジェット記録装置
CN104106128B (zh) 2012-02-13 2016-11-09 应用材料公司 用于基板的选择性氧化的方法和设备
US8871656B2 (en) 2012-03-05 2014-10-28 Applied Materials, Inc. Flowable films using alternative silicon precursors
US20130288485A1 (en) 2012-04-30 2013-10-31 Applied Materials, Inc. Densification for flowable films
US20130337171A1 (en) 2012-06-13 2013-12-19 Qualcomm Mems Technologies, Inc. N2 purged o-ring for chamber in chamber ald system
KR101224520B1 (ko) 2012-06-27 2013-01-22 (주)이노시티 프로세스 챔버
KR20140003776A (ko) 2012-06-28 2014-01-10 주식회사 메카로닉스 고 저항 산화아연 박막의 제조방법
US20150309073A1 (en) 2012-07-13 2015-10-29 Northwestern University Multifunctional graphene coated scanning tips
JP2014019912A (ja) 2012-07-19 2014-02-03 Tokyo Electron Ltd タングステン膜の成膜方法
US8846448B2 (en) 2012-08-10 2014-09-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Warpage control in a package-on-package structure
KR101680152B1 (ko) 2012-08-24 2016-11-28 고쿠리츠켄큐카이하츠호진 카가쿠기쥬츠신코키코 게르마늄 층 상에 질화 산화 알루미늄 막을 구비하는 반도체 구조 및 그 제조방법
KR102002782B1 (ko) 2012-09-10 2019-07-23 삼성전자주식회사 팽창성 부재를 사용하는 반도체 장치의 제조 방법
JP2014060256A (ja) 2012-09-18 2014-04-03 Tokyo Electron Ltd 処理システム
US9157730B2 (en) 2012-10-26 2015-10-13 Applied Materials, Inc. PECVD process
CN103794543B (zh) * 2012-10-31 2018-07-10 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 隔离结构及其形成方法
SG2013083241A (en) 2012-11-08 2014-06-27 Novellus Systems Inc Conformal film deposition for gapfill
WO2014085511A2 (en) 2012-11-27 2014-06-05 The Regents Of The University Of California Polymerized metal-organic material for printable photonic devices
US9123577B2 (en) 2012-12-12 2015-09-01 Sandisk Technologies Inc. Air gap isolation in non-volatile memory using sacrificial films
JP2014141739A (ja) 2012-12-27 2014-08-07 Tokyo Electron Ltd 金属マンガン膜の成膜方法、処理システム、電子デバイスの製造方法および電子デバイス
US20140216498A1 (en) 2013-02-06 2014-08-07 Kwangduk Douglas Lee Methods of dry stripping boron-carbon films
WO2014130304A1 (en) 2013-02-19 2014-08-28 Applied Materials, Inc. Hdd patterning using flowable cvd film
KR101443792B1 (ko) 2013-02-20 2014-09-26 국제엘렉트릭코리아 주식회사 건식 기상 식각 장치
KR20140106977A (ko) 2013-02-27 2014-09-04 삼성전자주식회사 고성능 금속 산화물 반도체 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
US9354508B2 (en) 2013-03-12 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Planarized extreme ultraviolet lithography blank, and manufacturing and lithography systems therefor
US9680095B2 (en) 2013-03-13 2017-06-13 Macronix International Co., Ltd. Resistive RAM and fabrication method
US20140271097A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
US10224258B2 (en) 2013-03-22 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Method of curing thermoplastics with microwave energy
US9414445B2 (en) 2013-04-26 2016-08-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for microwave treatment of dielectric films
KR101287035B1 (ko) 2013-05-07 2013-07-17 호용종합건설주식회사 관 갱생 건증기 공급용 보일러 시스템
JP6068633B2 (ja) 2013-05-31 2017-01-25 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び炉口蓋体
JP6196481B2 (ja) 2013-06-24 2017-09-13 株式会社荏原製作所 排ガス処理装置
KR101542803B1 (ko) 2013-07-09 2015-08-07 주식회사 네오세미텍 고온고압 송풍식 퍼지수단을 구비한 진공챔버 및 이를 이용한 세정방법
US9178103B2 (en) 2013-08-09 2015-11-03 Tsmc Solar Ltd. Apparatus and method for forming chalcogenide semiconductor absorber materials with sodium impurities
WO2015023404A1 (en) 2013-08-16 2015-02-19 Applied Materials, Inc. Tungsten deposition with tungsten hexafluoride (wf6) etchback
CN109390214B (zh) 2013-08-21 2023-03-07 应用材料公司 半导体薄膜制造中的变频微波(vfm)工艺及应用
JP6226648B2 (ja) 2013-09-04 2017-11-08 昭和電工株式会社 ＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法
US9396986B2 (en) 2013-10-04 2016-07-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Mechanism of forming a trench structure
JP6129712B2 (ja) 2013-10-24 2017-05-17 信越化学工業株式会社 過熱水蒸気処理装置
US9406547B2 (en) 2013-12-24 2016-08-02 Intel Corporation Techniques for trench isolation using flowable dielectric materials
CN103745978B (zh) 2014-01-03 2016-08-17 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、阵列基板及其制作方法
US9257527B2 (en) 2014-02-14 2016-02-09 International Business Machines Corporation Nanowire transistor structures with merged source/drain regions using auxiliary pillars
US9818603B2 (en) 2014-03-06 2017-11-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor devices and methods of manufacture thereof
KR101571715B1 (ko) 2014-04-23 2015-11-25 주식회사 풍산 고압 열처리를 이용한 스핀 온 글래스 절연막 형성방법
CN104047676A (zh) 2014-06-14 2014-09-17 马根昌 改良式对冲消声器
KR20220031134A (ko) * 2014-06-16 2022-03-11 인텔 코포레이션 금속 인터커넥트의 시임 치유
CN104089491B (zh) 2014-07-03 2015-11-04 肇庆宏旺金属实业有限公司 退火炉的余热回收利用系统
US9257314B1 (en) 2014-07-31 2016-02-09 Poongsan Corporation Methods and apparatuses for deuterium recovery
WO2016038664A1 (ja) 2014-09-08 2016-03-17 三菱電機株式会社 半導体アニール装置
US9773865B2 (en) 2014-09-22 2017-09-26 International Business Machines Corporation Self-forming spacers using oxidation
US9362107B2 (en) 2014-09-30 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Flowable low-k dielectric gapfill treatment
US20160118391A1 (en) 2014-10-22 2016-04-28 SanDisk Technologies, Inc. Deuterium anneal of semiconductor channels in a three-dimensional memory structure
EP3431629B1 (en) 2014-10-24 2021-11-24 Versum Materials US, LLC Compositions and methods using same for deposition of silicon-containing films
US9543141B2 (en) 2014-12-09 2017-01-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Method for curing flowable layer
WO2016126911A2 (en) 2015-02-06 2016-08-11 Air Products And Chemicals, Inc. Compositions and methods using same for carbon doped silicon containing films
WO2016130956A1 (en) 2015-02-13 2016-08-18 Alexander Otto Multifilament superconducting wire with high resistance sleeves
US20160314964A1 (en) * 2015-04-21 2016-10-27 Lam Research Corporation Gap fill using carbon-based films
TWI791199B (zh) 2015-05-11 2023-02-01 美商應用材料股份有限公司 水平環繞式閘極與鰭式場效電晶體元件的隔離
KR101681190B1 (ko) 2015-05-15 2016-12-02 세메스 주식회사 기판 건조 장치 및 방법
US10945313B2 (en) 2015-05-27 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for a microwave batch curing process
US10170608B2 (en) 2015-06-30 2019-01-01 International Business Machines Corporation Internal spacer formation from selective oxidation for fin-first wire-last replacement gate-all-around nanowire FET
US9646850B2 (en) 2015-07-06 2017-05-09 Globalfoundries Inc. High-pressure anneal
US9484406B1 (en) 2015-09-03 2016-11-01 Applied Materials, Inc. Method for fabricating nanowires for horizontal gate all around devices for semiconductor applications
US9716142B2 (en) 2015-10-12 2017-07-25 International Business Machines Corporation Stacked nanowires
TWI715645B (zh) * 2015-10-22 2021-01-11 美商應用材料股份有限公司 正形及縫隙填充非晶矽薄膜的沉積
US9754840B2 (en) 2015-11-16 2017-09-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Horizontal gate-all-around device having wrapped-around source and drain
US9633838B2 (en) 2015-12-28 2017-04-25 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Vapor deposition of silicon-containing films using penta-substituted disilanes
CN108475695B (zh) 2016-01-05 2021-10-15 应用材料公司 制造用于半导体应用的环绕式水平栅极器件的纳米线的方法
US9570551B1 (en) 2016-02-05 2017-02-14 International Business Machines Corporation Replacement III-V or germanium nanowires by unilateral confined epitaxial growth
JP6240695B2 (ja) 2016-03-02 2017-11-29 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
US11326253B2 (en) 2016-04-27 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition of protective coatings for semiconductor process chamber components
TWI729457B (zh) 2016-06-14 2021-06-01 美商應用材料股份有限公司 金屬及含金屬化合物之氧化體積膨脹
US9876019B1 (en) 2016-07-13 2018-01-23 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Integrated circuits with programmable memory and methods for producing the same
US20180087418A1 (en) 2016-09-22 2018-03-29 Castrol Limited Fluid Method and System
WO2018063303A1 (en) * 2016-09-30 2018-04-05 Intel Corporation Dielectric gap-fill material deposition
JP2019530242A (ja) 2016-09-30 2019-10-17 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 自己整合ビアの形成方法
US10224224B2 (en) 2017-03-10 2019-03-05 Micromaterials, LLC High pressure wafer processing systems and related methods
KR102606653B1 (ko) * 2017-03-31 2023-11-24 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 고종횡비 트렌치들을 비정질 실리콘 막으로 갭충전하기 위한 2-단계 프로세스
CN110574150B (zh) 2017-05-01 2023-09-19 应用材料公司 具有真空隔离和预处理环境的高压退火腔室
JP6918146B2 (ja) 2017-05-19 2021-08-11 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 液体および固体の排出物を収集して後に反応させて気体の排出物にする装置
US10847360B2 (en) 2017-05-25 2020-11-24 Applied Materials, Inc. High pressure treatment of silicon nitride film
US10622214B2 (en) 2017-05-25 2020-04-14 Applied Materials, Inc. Tungsten defluorination by high pressure treatment
CN110637353A (zh) 2017-06-02 2019-12-31 应用材料公司 在衬底上沉积的膜的质量改进
US10179941B1 (en) 2017-07-14 2019-01-15 Applied Materials, Inc. Gas delivery system for high pressure processing chamber
US10096516B1 (en) 2017-08-18 2018-10-09 Applied Materials, Inc. Method of forming a barrier layer for through via applications
US10276411B2 (en) 2017-08-18 2019-04-30 Applied Materials, Inc. High pressure and high temperature anneal chamber
CN111095513B (zh) 2017-08-18 2023-10-31 应用材料公司 高压高温退火腔室
US10643867B2 (en) 2017-11-03 2020-05-05 Applied Materials, Inc. Annealing system and method
CN117936417A (zh) 2017-11-11 2024-04-26 微材料有限责任公司 用于高压处理腔室的气体输送系统
SG11202003438QA (en) 2017-11-16 2020-05-28 Applied Materials Inc High pressure steam anneal processing apparatus
WO2019099255A2 (en) 2017-11-17 2019-05-23 Applied Materials, Inc. Condenser system for high pressure processing system
CN111699549A (zh) 2018-01-24 2020-09-22 应用材料公司 使用高压退火的接缝弥合
JP7379353B2 (ja) 2018-02-22 2023-11-14 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド より優れた膜品質を可能にするためにマスク基板を処理する方法
US11114333B2 (en) 2018-02-22 2021-09-07 Micromaterials, LLC Method for depositing and reflow of a high quality etch resistant gapfill dielectric film
WO2019173006A1 (en) 2018-03-09 2019-09-12 Applied Materials, Inc. High pressure annealing process for metal containing materials
US10714331B2 (en) 2018-04-04 2020-07-14 Applied Materials, Inc. Method to fabricate thermally stable low K-FinFET spacer
US10704141B2 (en) 2018-06-01 2020-07-07 Applied Materials, Inc. In-situ CVD and ALD coating of chamber to control metal contamination
US10790183B2 (en) 2018-06-05 2020-09-29 Applied Materials, Inc. Selective oxidation for 3D device isolation
US20200035513A1 (en) 2018-07-25 2020-01-30 Applied Materials, Inc. Processing apparatus
US10748783B2 (en) 2018-07-25 2020-08-18 Applied Materials, Inc. Gas delivery module
US10675581B2 (en) 2018-08-06 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Gas abatement apparatus

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