JP2017045869A5 - - Google Patents
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Claims (6)
- レジスト膜を含む被処理体をプラズマにより処理するプラズマ処理方法であって、
前記レジスト膜に所定のパターンが形成された前記被処理体が搬入されたチャンバ内にＨ２ガス、ハロゲン化水素ガス、または、希ガスとＨ２ガスまたはハロゲン化水素ガスとを含む混合ガスである改質ガスを供給する工程と、
−２０℃以下の処理温度で、前記改質ガスのプラズマにより前記被処理体の前記レジスト膜を改質する改質工程と
を有することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 前記チャンバ内にエッチング用の第１の処理ガスを供給する工程と、
０℃以上４０℃以下の範囲内の処理温度で、前記第１の処理ガスのプラズマにより、前記改質工程で改質された前記レジスト膜をマスクとして、前記レジスト膜の下層のマスク膜をエッチングする第１のエッチング工程と
を有することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理方法。 - 前記第１の処理ガスには、
ハロゲン化化合物ガスであって、ＣＦ結合またはＳＦ結合を含むガスが含まれることを特徴とする請求項２に記載のプラズマ処理方法。 - 前記チャンバ内にエッチング用の第２の処理ガスを供給する工程と、
−２０℃以下の処理温度で、前記第２の処理ガスのプラズマにより、前記第１のエッチング工程でエッチングされた前記マスク膜をマスクとして、前記マスク膜の下層の有機膜をエッチングする第２のエッチング工程と
を有することを特徴とする請求項２または３に記載のプラズマ処理方法。 - 前記チャンバ内にエッチング用の第２の処理ガスを供給する工程と、
−２０℃以下の処理温度で、前記第２の処理ガスのプラズマにより、前記レジスト膜の下層のマスク膜であって、前記改質工程で改質された前記レジスト膜のパターンが転写された前記マスク膜をマスクとして、前記マスク膜の下層の有機膜をエッチングする第２のエッチング工程と
を有することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理方法。 - 前記第２の処理ガスには、
希ガスと酸素原子を含むガスとの混合ガスが含まれることを特徴とする請求項４または５に記載のプラズマ処理方法。
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