JPH06168918A - ドライエッチング方法及びドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング方法及びドライエッチング装置Info
- Publication number
- JPH06168918A JPH06168918A JP34327292A JP34327292A JPH06168918A JP H06168918 A JPH06168918 A JP H06168918A JP 34327292 A JP34327292 A JP 34327292A JP 34327292 A JP34327292 A JP 34327292A JP H06168918 A JPH06168918 A JP H06168918A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- dry etching
- resist
- overetching
- etched
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 下地への影響や堆積物の剥離性に問題を生ず
ることなく、オーバーエッチング時に発生するおそれの
ある被パターニング部底部のえぐれであるノッチングを
防止する技術を提供する。 【構成】 オーバーエッチング工程III を有するドライ
エッチング方法において、冷却に超音波付与を併用する
などして有機系レジストにクラックを生じせしめII、こ
の状態でエッチングを行うなど、オーバーエッチング時
に、少なくとも被エッチング材の下部側壁に有機系の保
護膜を与える条件でエッチングを行うドライエッチング
方法。
ることなく、オーバーエッチング時に発生するおそれの
ある被パターニング部底部のえぐれであるノッチングを
防止する技術を提供する。 【構成】 オーバーエッチング工程III を有するドライ
エッチング方法において、冷却に超音波付与を併用する
などして有機系レジストにクラックを生じせしめII、こ
の状態でエッチングを行うなど、オーバーエッチング時
に、少なくとも被エッチング材の下部側壁に有機系の保
護膜を与える条件でエッチングを行うドライエッチング
方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ドライエッチング方法
及びドライエッチング装置に関する。特に、オーバーエ
ッチング工程を有するドライエッチング方法及びドライ
エッチング装置に関する。本発明は、例えば、半導体素
子のゲート材料のドライエッチングに利用することがで
き、特に、ゲート材料の高選択異方性エッチングに好適
に利用できる。
及びドライエッチング装置に関する。特に、オーバーエ
ッチング工程を有するドライエッチング方法及びドライ
エッチング装置に関する。本発明は、例えば、半導体素
子のゲート材料のドライエッチングに利用することがで
き、特に、ゲート材料の高選択異方性エッチングに好適
に利用できる。
【０００２】
【従来の技術及びその問題点】Ｗ−ポリサイドをはじめ
とするゲート材料のエッチング工程は、ますます薄膜化
する下地ＳｉＯ2 膜等に対応した高選択比化と、異方性
形状を両立するため、プロセスも各種ガスの組み合わせ
や電極の低温化等、より複雑なものとなる方向にある。
中でも、特に最近では、高選択比プロセスガスとして各
種のガスが開発され、例えば臭素系のガスとしてＨＢｒ
の採用が常識的なものとして提案されるに至っている。
とするゲート材料のエッチング工程は、ますます薄膜化
する下地ＳｉＯ2 膜等に対応した高選択比化と、異方性
形状を両立するため、プロセスも各種ガスの組み合わせ
や電極の低温化等、より複雑なものとなる方向にある。
中でも、特に最近では、高選択比プロセスガスとして各
種のガスが開発され、例えば臭素系のガスとしてＨＢｒ
の採用が常識的なものとして提案されるに至っている。
【０００３】ＨＢｒは、反応生成物のＳｉ−Ｂｒの結合
エネルギーがＳｉ−Ｏのそれよりもはるかに小さいとい
う原理的なものに由来して、ＳｉＯ2 に対する超高選択
比が実現できる（中村他、１９８９年春季第３６回応用
物理学会Ｐ−Ｌ−７ Ｐ．５７２）。しかし逆にこの高
選択比の故に、過剰なオーバーエッチング時に、図１３
に示す被エッチング材３である例えばＰｏｌｙＳｉの底
部に図示のような所謂ノッチング６を生じてしまうとい
う問題がある。これは、下地ＳｉＯ2 ２との選択比が高
すぎるために、オーバーエッチング時に過剰となったラ
ジカルが下地ＳｉＯ2 ２とほとんど反応せずに、ＳｉＯ
2 上をマイグレーションして被エッチング材３（Ｐｏｌ
ｙＳｉ）底部をアタックするためにおこると考えられて
いる。（図１３中、１はＳｉ基板、４はレジストマスク
である）。
エネルギーがＳｉ−Ｏのそれよりもはるかに小さいとい
う原理的なものに由来して、ＳｉＯ2 に対する超高選択
比が実現できる（中村他、１９８９年春季第３６回応用
物理学会Ｐ−Ｌ−７ Ｐ．５７２）。しかし逆にこの高
選択比の故に、過剰なオーバーエッチング時に、図１３
に示す被エッチング材３である例えばＰｏｌｙＳｉの底
部に図示のような所謂ノッチング６を生じてしまうとい
う問題がある。これは、下地ＳｉＯ2 ２との選択比が高
すぎるために、オーバーエッチング時に過剰となったラ
ジカルが下地ＳｉＯ2 ２とほとんど反応せずに、ＳｉＯ
2 上をマイグレーションして被エッチング材３（Ｐｏｌ
ｙＳｉ）底部をアタックするためにおこると考えられて
いる。（図１３中、１はＳｉ基板、４はレジストマスク
である）。
【０００４】この対策としては、ＨＢｒへのＯ2 添加に
よる反応生成物Ｓｉx Ｂｒy Ｏz の堆積を用いた側壁保
護の強化などの技術が通常用いられるが、上記のような
マイグレーションを防ぐには、堆積物も、より厚く形成
する必要がある。ところが、こういったＳｉx Ｂｒy Ｏ
z 系の無機膜を厚く堆積させてしまうと、後処理でこれ
を例えば希フッ酸等によるウェット処理で除去する時
に、その処理時間が長くなり、下地ＳｉＯ2 膜もエッチ
ング除去されてしまう懸念がある。
よる反応生成物Ｓｉx Ｂｒy Ｏz の堆積を用いた側壁保
護の強化などの技術が通常用いられるが、上記のような
マイグレーションを防ぐには、堆積物も、より厚く形成
する必要がある。ところが、こういったＳｉx Ｂｒy Ｏ
z 系の無機膜を厚く堆積させてしまうと、後処理でこれ
を例えば希フッ酸等によるウェット処理で除去する時
に、その処理時間が長くなり、下地ＳｉＯ2 膜もエッチ
ング除去されてしまう懸念がある。
【０００５】
【発明の目的】本発明は、上記事情に鑑みてなされたも
ので、下地への影響や堆積物の剥離性に問題の無い、オ
ーバーエッチング時のノッチング防止技術を提供しよう
とするものである。
ので、下地への影響や堆積物の剥離性に問題の無い、オ
ーバーエッチング時のノッチング防止技術を提供しよう
とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本出願の請求項１の発明
は、オーバーエッチング工程を有するドライエッチング
方法において、オーバーエッチング時に、少なくとも被
エッチング材の下部側壁に有機系の保護膜を与える条件
でエッチングを行うことを特徴とするドライエッチング
方法であって、これにより上記目的を達成するものであ
る。
は、オーバーエッチング工程を有するドライエッチング
方法において、オーバーエッチング時に、少なくとも被
エッチング材の下部側壁に有機系の保護膜を与える条件
でエッチングを行うことを特徴とするドライエッチング
方法であって、これにより上記目的を達成するものであ
る。
【０００７】本出願の請求項２の発明は、有機系レジス
トをマスクとするとともにオーバーエッチング工程を有
するドライエッチング方法において、少なくともオーバ
ーエッチング工程においては有機系レジストにクラック
を生じせしめた状態でエッチングを行うことを特徴とす
るドライエッチング方法であって、これにより上記目的
を達成するものである。
トをマスクとするとともにオーバーエッチング工程を有
するドライエッチング方法において、少なくともオーバ
ーエッチング工程においては有機系レジストにクラック
を生じせしめた状態でエッチングを行うことを特徴とす
るドライエッチング方法であって、これにより上記目的
を達成するものである。
【０００８】本出願の請求項３の発明は、有機系レジス
トをマスクとするとともにオーバーエッチング工程を有
するドライエッチング方法において、エッチングをメイ
ンエッチング工程とオーバーエッチング工程との２ステ
ップに分け、オーバーエッチング前に被エッチング材を
冷却してレジストにクラックを生じせしめ、しかる後オ
ーバーエッチングを行うことを特徴とするドライエッチ
ング方法であって、これにより上記目的を達成するもの
である。
トをマスクとするとともにオーバーエッチング工程を有
するドライエッチング方法において、エッチングをメイ
ンエッチング工程とオーバーエッチング工程との２ステ
ップに分け、オーバーエッチング前に被エッチング材を
冷却してレジストにクラックを生じせしめ、しかる後オ
ーバーエッチングを行うことを特徴とするドライエッチ
ング方法であって、これにより上記目的を達成するもの
である。
【０００９】本出願の請求項４の発明は、極低温冷却と
同時に超音波を印加して、レジスト表面のクラックを拡
げることを特徴とする請求項３に記載のドライエッチン
グ方法であって、これにより上記目的を達成するもので
ある。
同時に超音波を印加して、レジスト表面のクラックを拡
げることを特徴とする請求項３に記載のドライエッチン
グ方法であって、これにより上記目的を達成するもので
ある。
【００１０】本出願の請求項５の発明は、オーバーエッ
チング工程を有するドライエッチングに用いるエッチン
グ装置であって、オーバーエッチング時に、少なくとも
被エッチング材の下部側壁に有機系の保護膜を与える構
成でエッチングを行う手段を備えることを特徴とするド
ライエッチング装置であって、これにより上記目的を達
成するものである。
チング工程を有するドライエッチングに用いるエッチン
グ装置であって、オーバーエッチング時に、少なくとも
被エッチング材の下部側壁に有機系の保護膜を与える構
成でエッチングを行う手段を備えることを特徴とするド
ライエッチング装置であって、これにより上記目的を達
成するものである。
【００１１】本出願の請求項６の発明は、有機系レジス
トをマスクとするとともにオーバーエッチング工程を有
するドライエッチングに用いるエッチング装置であっ
て、少なくともオーバーエッチング工程においては有機
系レジストにクラックを生じせしめる手段を備えること
を特徴とするドライエッチング装置であって、これによ
り上記目的を達成するものである。
トをマスクとするとともにオーバーエッチング工程を有
するドライエッチングに用いるエッチング装置であっ
て、少なくともオーバーエッチング工程においては有機
系レジストにクラックを生じせしめる手段を備えること
を特徴とするドライエッチング装置であって、これによ
り上記目的を達成するものである。
【００１２】本出願の請求項７の発明は、有機系レジス
トをマスクとするとともにオーバーエッチング工程を有
するドライエッチングに用いるエッチング装置であっ
て、被エッチング材を冷却してレジストにクラックを生
じせしめる手段を備えることを特徴とするドライエッチ
ング装置であって、これにより上記目的を達成するもの
である。
トをマスクとするとともにオーバーエッチング工程を有
するドライエッチングに用いるエッチング装置であっ
て、被エッチング材を冷却してレジストにクラックを生
じせしめる手段を備えることを特徴とするドライエッチ
ング装置であって、これにより上記目的を達成するもの
である。
【００１３】本出願の請求項８の発明は、超音波印加手
段を備えることを特徴とする請求項７に記載のドライエ
ッチング装置であって、これにより上記目的を達成する
ものである。
段を備えることを特徴とする請求項７に記載のドライエ
ッチング装置であって、これにより上記目的を達成する
ものである。
【００１４】本発明は、ゲート材料のエッチング工程に
おいて、エッチングを２ステップに分けて、オーバーエ
ッチング前に被エッチングサンプルを−１４０℃以下の
極低温に冷却してレジストにクラックを生じせしめ、し
かる後オーバーエッチングを行う態様で実施することが
できる。
おいて、エッチングを２ステップに分けて、オーバーエ
ッチング前に被エッチングサンプルを−１４０℃以下の
極低温に冷却してレジストにクラックを生じせしめ、し
かる後オーバーエッチングを行う態様で実施することが
できる。
【００１５】また、このクラックを拡げるために極低温
冷却と同時に超音波を印加する態様で実施することがで
きる。
冷却と同時に超音波を印加する態様で実施することがで
きる。
【００１６】更には、こういったプロセスを行うための
装置が、極低温冷却機構と超音波印加機構を具備してな
る装置であるものを用いることができる。
装置が、極低温冷却機構と超音波印加機構を具備してな
る装置であるものを用いることができる。
【００１７】
【作用】本出願の請求項１の発明をはじめとする本出願
の各発明の基本的な考え方は、マイグレーションによる
被エッチング材底部のアタックを防止するための側壁保
護膜強化の手段として、後工程での保護膜の除去が困難
な無機系堆積物に代えて、有機系の堆積物で保護するこ
とである。有機系堆積物なら、レジストアッシング工程
でのＯ2 プラズマ処理等によって容易に除去が可能であ
る。
の各発明の基本的な考え方は、マイグレーションによる
被エッチング材底部のアタックを防止するための側壁保
護膜強化の手段として、後工程での保護膜の除去が困難
な無機系堆積物に代えて、有機系の堆積物で保護するこ
とである。有機系堆積物なら、レジストアッシング工程
でのＯ2 プラズマ処理等によって容易に除去が可能であ
る。
【００１８】本出願の請求項２，３，４，６，７，８の
発明では、効果的に有機系の側壁保護膜を強化する手段
として、レジストからの反応生成物を利用する（堆積性
のガスを用いる必要がない）。この際、あらかじめレジ
ストにクラックを生じさせておくことで、レジスト中の
溶剤等、堆積物を作り易い成分を積極的に放出させ利用
できることになる。
発明では、効果的に有機系の側壁保護膜を強化する手段
として、レジストからの反応生成物を利用する（堆積性
のガスを用いる必要がない）。この際、あらかじめレジ
ストにクラックを生じさせておくことで、レジスト中の
溶剤等、堆積物を作り易い成分を積極的に放出させ利用
できることになる。
【００１９】本出願の請求項３，４，７，８の発明で
は、レジストにクラックを発生させる手段として、ウェ
ハーの極低温冷却を利用する（特開平４−２８２１９参
照）。
は、レジストにクラックを発生させる手段として、ウェ
ハーの極低温冷却を利用する（特開平４−２８２１９参
照）。
【００２０】本出願の請求項４，８の発明では、クラッ
クの発生のために、更に超音波印加手段を併用する。
クの発生のために、更に超音波印加手段を併用する。
【００２１】本出願の各発明は、有機系の保護膜、例え
ばレジストとハロゲンガスの反応生成物を側壁保護に利
用し、かつその際の反応生成物の発生を促進させる。
ばレジストとハロゲンガスの反応生成物を側壁保護に利
用し、かつその際の反応生成物の発生を促進させる。
【００２２】即ち、通常のエッチングでは、レジスト表
面との反応でしか反応生成物は発生しないが、本発明の
手段によれば、例えばクラックの発生、拡がりによって
レジスト面積が増すこと、及び、レジスト内部に残存し
た有機溶剤がクラックによって放出されるため、より多
くの反応生成物を利用でき、より強固な側壁保護が可能
となる。（通常のエッチングでは、メインエッチング時
のイオン照射によって、レジスト表面には硬化層ができ
てしまうため、レジスト内に残存した溶剤等の放出は少
ない。しかるに本発明では、クラックによって丁度表面
の硬化層を裂いてフタを開けるような役割を果たすの
で、内部の溶剤ないし溶剤及び樹脂成分の放出が容易に
なる。）
面との反応でしか反応生成物は発生しないが、本発明の
手段によれば、例えばクラックの発生、拡がりによって
レジスト面積が増すこと、及び、レジスト内部に残存し
た有機溶剤がクラックによって放出されるため、より多
くの反応生成物を利用でき、より強固な側壁保護が可能
となる。（通常のエッチングでは、メインエッチング時
のイオン照射によって、レジスト表面には硬化層ができ
てしまうため、レジスト内に残存した溶剤等の放出は少
ない。しかるに本発明では、クラックによって丁度表面
の硬化層を裂いてフタを開けるような役割を果たすの
で、内部の溶剤ないし溶剤及び樹脂成分の放出が容易に
なる。）
【００２３】なお、メインエッチング前からクラックを
入れておいたのでは、フォトレジストのマスクとしての
効果が不充分となる懸念のある場合は、オーバーエッチ
ング時のみにクラックを発生させる手段を利用するよう
にして、寸法変換差等を防止できる。
入れておいたのでは、フォトレジストのマスクとしての
効果が不充分となる懸念のある場合は、オーバーエッチ
ング時のみにクラックを発生させる手段を利用するよう
にして、寸法変換差等を防止できる。
【００２４】このようにして、本発明によれば、マイグ
レーション防止の側壁保護強化が、剥離性に問題を生じ
ることなく可能となる訳である。
レーション防止の側壁保護強化が、剥離性に問題を生じ
ることなく可能となる訳である。
【００２５】
【実施例】以下本発明の実施例について、図面を参照し
て説明する。なお当然のことではあるが、本発明は実施
例により限定を受けるものではない。
て説明する。なお当然のことではあるが、本発明は実施
例により限定を受けるものではない。
【００２６】実施例１ 本実施例では、図１に示すように、メインエッチング工
程Ｉを行い、次いでレジストのクラック生成（被エッチ
ング材の冷却、超音波の印加）工程IIを行って、更にオ
ーバーエッチング工程III を行った。
程Ｉを行い、次いでレジストのクラック生成（被エッチ
ング材の冷却、超音波の印加）工程IIを行って、更にオ
ーバーエッチング工程III を行った。
【００２７】以下本実施例について、図２ないし図６、
及び図１２を参照して更に具体的に説明する。
及び図１２を参照して更に具体的に説明する。
【００２８】即ち、本実施例では、図２に示す構造の被
エッチングサンプルのエッチングに本発明を適用した。
図中、１はＳｉ基板、２は絶縁層２であるＳｉＯ2 、３
は被エッチング材３であるＰｏｌｙＳｉである。本実施
例では、図１２に示す有磁場マイクロ波エッチャーのメ
インチェンバー３６に該サンプルをセットし、以下の２
ステップエッチングを行った。 ステップＩ ガス ：ＨＢｒ １００ｓｃｃｍ 圧力 ：１．３Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ） μ波電力 ：８５０Ｗａｔｔ ＲＦ電力 ：５０Ｗ ウェハー温度：２０℃
エッチングサンプルのエッチングに本発明を適用した。
図中、１はＳｉ基板、２は絶縁層２であるＳｉＯ2 、３
は被エッチング材３であるＰｏｌｙＳｉである。本実施
例では、図１２に示す有磁場マイクロ波エッチャーのメ
インチェンバー３６に該サンプルをセットし、以下の２
ステップエッチングを行った。 ステップＩ ガス ：ＨＢｒ １００ｓｃｃｍ 圧力 ：１．３Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ） μ波電力 ：８５０Ｗａｔｔ ＲＦ電力 ：５０Ｗ ウェハー温度：２０℃
【００２９】ジャストエッチまで上記条件でエッチング
して図３の構造とした後、図１２の装置のバッファ室に
ウェハーをもどし、ウェハーステージ３３上に該ウェハ
ーをセットする。
して図３の構造とした後、図１２の装置のバッファ室に
ウェハーをもどし、ウェハーステージ３３上に該ウェハ
ーをセットする。
【００３０】該ステージ３３には、液体窒素が供給管３
４を通して供給されているので、ウェハーは−１４０℃
以下に冷却される。この冷却処理によって、図４に示す
ようにレジスト４にはクラック４′が生じる。次に、サ
ンプルをメインチェンバー３６にもどして、この状態で
オーバーエッチングを以下の条件で行った（１００％オ
ーバーエッチング）。 ステップII ガス ：ＨＢｒ １００ｓｃｃｍ 圧力 ：１．３Ｐａ μ波電力 ：１０００Ｗ ＲＦ電力 ：１０Ｗ ウェハー温度：２０℃ 特に側壁保護を強化するようなガス系を添加しておら
ず、かつ１０Ｗという低バイアスにしているので、従来
なら図１３のようなノッチングを生じるところだが、本
実施例では、レジストに生じたクラック４′によって、
レジスト内部からの溶剤がＢｒと反応して生じた反応生
成物５（成分の詳細は不明）が側壁を強固に保護するた
め、図５のようにノッチングを生じない良好な異方性加
工を実現できた。しかも、この保護膜５は、次工程のレ
ジストアッシングによって容易に除去され、保護膜によ
る所謂ラビットイヤー等を生じること無く、図６に示す
如き良好な異方性加工を実現できた。
４を通して供給されているので、ウェハーは−１４０℃
以下に冷却される。この冷却処理によって、図４に示す
ようにレジスト４にはクラック４′が生じる。次に、サ
ンプルをメインチェンバー３６にもどして、この状態で
オーバーエッチングを以下の条件で行った（１００％オ
ーバーエッチング）。 ステップII ガス ：ＨＢｒ １００ｓｃｃｍ 圧力 ：１．３Ｐａ μ波電力 ：１０００Ｗ ＲＦ電力 ：１０Ｗ ウェハー温度：２０℃ 特に側壁保護を強化するようなガス系を添加しておら
ず、かつ１０Ｗという低バイアスにしているので、従来
なら図１３のようなノッチングを生じるところだが、本
実施例では、レジストに生じたクラック４′によって、
レジスト内部からの溶剤がＢｒと反応して生じた反応生
成物５（成分の詳細は不明）が側壁を強固に保護するた
め、図５のようにノッチングを生じない良好な異方性加
工を実現できた。しかも、この保護膜５は、次工程のレ
ジストアッシングによって容易に除去され、保護膜によ
る所謂ラビットイヤー等を生じること無く、図６に示す
如き良好な異方性加工を実現できた。
【００３１】本実施例によれば、ゲート材オーバーエッ
チング時のマイグレーションによるパターン底部のノッ
チングの発生が防止された高選択比異方性加工を実現で
きる。
チング時のマイグレーションによるパターン底部のノッ
チングの発生が防止された高選択比異方性加工を実現で
きる。
【００３２】実施例２ 本実施例では、図７に示す構造のＷ−ポリサイドのエッ
チングに、本発明を適用した。図中の被エッチング材
３，３′は、３がＰｏｌｙＳｉ、３′がシリサイド（Ｗ
シリサイド）である。このサンプルを、図１２の装置の
メインチェンバー３６に設置し、以下の２ステップエッ
チングを行った。 ステップＩ ガス ：Ｃｌ2 ／Ｏ2 ＝８０／２０ｓｃｃｍ 圧力 ：１．３Ｐａ μ波パワー ：１０００Ｗ ＲＦパワー ：５０Ｗ ウェハー温度：２０℃ 上記条件でＷＳｉx ３′をエッチングした後で、条件を
以下のように切り換えてＰｏｌｙＳｉ３をエッチングし
た。 ステップII ガス ：ＨＢｒ １００ｓｃｃｍ 圧力 ：１．３Ｐａ μ波パワー ：８５０Ｗ ＲＦパワー ：５０Ｗ ウェハー温度：２０℃
チングに、本発明を適用した。図中の被エッチング材
３，３′は、３がＰｏｌｙＳｉ、３′がシリサイド（Ｗ
シリサイド）である。このサンプルを、図１２の装置の
メインチェンバー３６に設置し、以下の２ステップエッ
チングを行った。 ステップＩ ガス ：Ｃｌ2 ／Ｏ2 ＝８０／２０ｓｃｃｍ 圧力 ：１．３Ｐａ μ波パワー ：１０００Ｗ ＲＦパワー ：５０Ｗ ウェハー温度：２０℃ 上記条件でＷＳｉx ３′をエッチングした後で、条件を
以下のように切り換えてＰｏｌｙＳｉ３をエッチングし
た。 ステップII ガス ：ＨＢｒ １００ｓｃｃｍ 圧力 ：１．３Ｐａ μ波パワー ：８５０Ｗ ＲＦパワー ：５０Ｗ ウェハー温度：２０℃
【００３３】ジャストエッチまで上記条件でエッチング
して図８の構造とした後、図１２の装置のバッファ室に
ウェハーをもどし、ウェハーステージ３３上に該サンプ
ルをセットする。
して図８の構造とした後、図１２の装置のバッファ室に
ウェハーをもどし、ウェハーステージ３３上に該サンプ
ルをセットする。
【００３４】この時、ステージ３３内の超音波振動子３
５に、ＤＣ１００Ｗを印加して、ステージに振動を与え
ながら、液体窒素供給管３４から液体窒素を供給してウ
ェハーを冷却する。
５に、ＤＣ１００Ｗを印加して、ステージに振動を与え
ながら、液体窒素供給管３４から液体窒素を供給してウ
ェハーを冷却する。
【００３５】これによって、サンプルは図９のように、
フォトレジスト４にクラック４′を生じ、しかも超音波
振動の影響でクラックが拡がった状態となる。このサン
プルをメインチェンバー３６にもどして、実施例１同様
のオーバーエッチング条件でオーバーエッチングしたと
ころ、図１０のように実施例１同様の強化な側壁保護５
が形成され、過剰なオーバーエッチングでもノッチング
を生ずることはなかった。最終的にレジストをアッシン
グすると保護膜も除去されて、良好な異方性加工が図１
１のように実現できた。
フォトレジスト４にクラック４′を生じ、しかも超音波
振動の影響でクラックが拡がった状態となる。このサン
プルをメインチェンバー３６にもどして、実施例１同様
のオーバーエッチング条件でオーバーエッチングしたと
ころ、図１０のように実施例１同様の強化な側壁保護５
が形成され、過剰なオーバーエッチングでもノッチング
を生ずることはなかった。最終的にレジストをアッシン
グすると保護膜も除去されて、良好な異方性加工が図１
１のように実現できた。
【００３６】
【発明の効果】本発明によれば、下地への影響や堆積物
の剥離性に問題を生ずることなく、オーバーエッチング
工程を有するエッチング技術において、オーバーエッチ
ング時のノッチングを防止することができる。
の剥離性に問題を生ずることなく、オーバーエッチング
工程を有するエッチング技術において、オーバーエッチ
ング時のノッチングを防止することができる。
【図１】発明の工程の例を示すものであり、特に実施例
１の工程を示すものである。
１の工程を示すものである。
【図２】実施例１の工程を、被エッチング体の断面によ
り工程順に示すものである（１）。
り工程順に示すものである（１）。
【図３】実施例１の工程を、被エッチング体の断面によ
り工程順に示すものである（２）。
り工程順に示すものである（２）。
【図４】実施例１の工程を、被エッチング体の断面によ
り工程順に示すものである（３）。
り工程順に示すものである（３）。
【図５】実施例１の工程を、被エッチング体の断面によ
り工程順に示すものである（４）。
り工程順に示すものである（４）。
【図６】実施例１の工程を、被エッチング体の断面によ
り工程順に示すものである（５）。
り工程順に示すものである（５）。
【図７】実施例２の工程を、被エッチング体の断面によ
り工程順に示すものである（１）。
り工程順に示すものである（１）。
【図８】実施例２の工程を、被エッチング体の断面によ
り工程順に示すものである（２）。
り工程順に示すものである（２）。
【図９】実施例２の工程を、被エッチング体の断面によ
り工程順に示すものである（３）。
り工程順に示すものである（３）。
【図１０】実施例２の工程を、被エッチング体の断面に
より工程順に示すものである（４）。
より工程順に示すものである（４）。
【図１１】実施例２の工程を、被エッチング体の断面に
より工程順に示すものである（５）。
より工程順に示すものである（５）。
【図１２】実施例で用いたエッチング装置の構成図であ
る。
る。
【図１３】従来技術を示す。
Ｉ メインエッチング工程 II レジストのクラック生成（被エッチング材の冷
却、超音波の印加） III オーバーエッチング工程 １ 基板 ２ 絶縁膜 ３ 被エッチング材（ＰｏｌｙＳｉ） ３′ 被エッチング材（シリサイド） ４ 有機系レジスト（フォトレジスト） ４′ 有機系レジストのクラック ５ 側壁保護膜 ６ ノッチング ３１ ロードロック室 ３２ ゲートバルブ ３３ バッファ室ウェハーステージ ３４ 液体窒素供給管 ３５ 超音波振動子 ３６ 有磁場マイクロ波プラズマエッチャー（メイン
チェンバー）
却、超音波の印加） III オーバーエッチング工程 １ 基板 ２ 絶縁膜 ３ 被エッチング材（ＰｏｌｙＳｉ） ３′ 被エッチング材（シリサイド） ４ 有機系レジスト（フォトレジスト） ４′ 有機系レジストのクラック ５ 側壁保護膜 ６ ノッチング ３１ ロードロック室 ３２ ゲートバルブ ３３ バッファ室ウェハーステージ ３４ 液体窒素供給管 ３５ 超音波振動子 ３６ 有磁場マイクロ波プラズマエッチャー（メイン
チェンバー）
Claims (8)
- 【請求項１】オーバーエッチング工程を有するドライエ
ッチング方法において、 オーバーエッチング時に、少なくとも被エッチング材の
下部側壁に有機系の保護膜を与える条件でエッチングを
行うことを特徴とするドライエッチング方法。 - 【請求項２】有機系レジストをマスクとするとともにオ
ーバーエッチング工程を有するドライエッチング方法に
おいて、 少なくともオーバーエッチング工程においては有機系レ
ジストにクラックを生じせしめた状態でエッチングを行
うことを特徴とするドライエッチング方法。 - 【請求項３】有機系レジストをマスクとするとともにオ
ーバーエッチング工程を有するドライエッチング方法に
おいて、 エッチングをメインエッチング工程とオーバーエッチン
グ工程との２ステップに分け、オーバーエッチング前に
被エッチング材を冷却してレジストにクラックを生じせ
しめ、しかる後オーバーエッチングを行うことを特徴と
するドライエッチング方法。 - 【請求項４】極低温冷却と同時に超音波を印加して、レ
ジスト表面のクラックを拡げることを特徴とする請求項
３に記載のドライエッチング方法。 - 【請求項５】オーバーエッチング工程を有するドライエ
ッチングに用いるエッチング装置であって、 オーバーエッチング時に、少なくとも被エッチング材の
下部側壁に有機系の保護膜を与える構成でエッチングを
行う手段を備えることを特徴とするドライエッチング装
置。 - 【請求項６】有機系レジストをマスクとするとともにオ
ーバーエッチング工程を有するドライエッチングに用い
るエッチング装置であって、 少なくともオーバーエッチング工程においては有機系レ
ジストにクラックを生じせしめる手段を備えることを特
徴とするドライエッチング装置。 - 【請求項７】有機系レジストをマスクとするとともにオ
ーバーエッチング工程を有するドライエッチングに用い
るエッチング装置であって、 被エッチング材を冷却してレジストにクラックを生じせ
しめる手段を備えることを特徴とするドライエッチング
装置。 - 【請求項８】超音波印加手段を備えることを特徴とする
請求項７に記載のドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34327292A JPH06168918A (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | ドライエッチング方法及びドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34327292A JPH06168918A (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | ドライエッチング方法及びドライエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06168918A true JPH06168918A (ja) | 1994-06-14 |
Family
ID=18360244
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34327292A Pending JPH06168918A (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | ドライエッチング方法及びドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06168918A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007150321A (ja) * | 2006-11-30 | 2007-06-14 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| WO2017033754A1 (ja) * | 2015-08-27 | 2017-03-02 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法 |
-
1992
- 1992-11-30 JP JP34327292A patent/JPH06168918A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007150321A (ja) * | 2006-11-30 | 2007-06-14 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| WO2017033754A1 (ja) * | 2015-08-27 | 2017-03-02 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法 |
| JP2017045869A (ja) * | 2015-08-27 | 2017-03-02 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法 |
| US10460963B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-10-29 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5880035A (en) | Dry etching method | |
| US6177353B1 (en) | Metallization etching techniques for reducing post-etch corrosion of metal lines | |
| JP3326644B2 (ja) | シリコン系材料層の加工方法 | |
| US5792672A (en) | Photoresist strip method | |
| JP2003092287A (ja) | アッシング方法 | |
| US5397431A (en) | Dry etching method | |
| JPH10189482A (ja) | コンタクトホール内の導電性プラグ形成方法 | |
| JPH05267157A (ja) | 配線形成法 | |
| US6498106B1 (en) | Prevention of defects formed in photoresist during wet etching | |
| KR20030081052A (ko) | 반도체 장치 제조 방법 | |
| US5741742A (en) | Formation of aluminum-alloy pattern | |
| JPH04165619A (ja) | Ａｌ合金の腐食防止法 | |
| JPS63117423A (ja) | 二酸化シリコンのエツチング方法 | |
| JPH06168918A (ja) | ドライエッチング方法及びドライエッチング装置 | |
| JPH1197428A (ja) | 金属配線のドライエッチング方法 | |
| JPH0794469A (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JP3428169B2 (ja) | ニオブ系薄膜のドライエッチング方法 | |
| JPH05109673A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3271085B2 (ja) | エッチング方法 | |
| JP3487734B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| EP1166342A1 (en) | Etch and ash photoresist removal process | |
| JP3877461B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2003007690A (ja) | エッチング方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JP3077224B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JP2000269209A (ja) | 半導体装置の製造方法 |