JP2013120810A5 - - Google Patents
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本発明は、磁性膜をプラズマエッチングするプラズマ処理方法において、塩素を含有するガス以外のガスである第一のガスを用いて前記磁性膜をプラズマ処理室でプラズマエッチングし、前記プラズマエッチングされた磁性膜が配置された被処理基板を前記プラズマ処理室から搬出した後、前記プラズマ処理室をプラズマクリーニングし、前記プラズマクリーニングは、塩素を含有する第二のガスを用いてプラズマクリーニングする第一のプラズマクリーニングと、前記第一のプラズマクリーニング後、水素を含有するガスを用いてプラズマクリーニングする第二のプラズマクリーニングとを有することを特徴とする。
また、本発明は、塩素を含有するガス以外のガスである第一のガスを用いて磁性膜をプラズマ処理室でプラズマエッチングする第一の工程と、前記プラズマエッチングされた磁性膜が配置された被処理基板を前記プラズマ処理室から搬出する第二の工程と、塩素を含有する第二のガスによりプラズマを前記プラズマ処理室内に生成する第三の工程と、水素を含有するガスによりプラズマを前記プラズマ処理室内に生成する第四の工程とを有し、前記第一の工程から前記第四の工程までの各工程を順次行う、または、前記第一の工程と前記第二の工程を所定回数、繰り返した後、前記第三の工程と前記第四の工程を行うことを特徴とするプラズマ処理方法である。
Claims (7)
- 磁性膜をプラズマエッチングするプラズマ処理方法において、
塩素を含有するガス以外のガスである第一のガスを用いて前記磁性膜をプラズマ処理室でプラズマエッチングし、
前記プラズマエッチングされた磁性膜が配置された被処理基板を前記プラズマ処理室から搬出した後、前記プラズマ処理室をプラズマクリーニングし、
前記プラズマクリーニングは、塩素を含有する第二のガスを用いてプラズマクリーニングする第一のプラズマクリーニングと、前記第一のプラズマクリーニング後、水素を含有するガスを用いてプラズマクリーニングする第二のプラズマクリーニングとを有することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項１に記載のプラズマ処理方法において、
前記プラズマクリーニングは、前記第一のプラズマクリーニング前、酸素ガスを用いてプラズマクリーニングすることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項１または請求項２に記載のプラズマ処理方法において、
前記第二のガスは、塩素ガス、三塩素ホウ素ガスまたは塩素ガスと三塩化ホウ素ガスの混合ガスであることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法において、
前記水素を含有するガスは、メタノールガスであることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法において、
前記磁性膜は、少なくとも、鉄元素、コバルト元素、ニッケル元素の一つを含有する膜であることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法において、
前記プラズマ処理室は、ファラデーシールドを具備する誘導結合型プラズマ処理装置に備えられ、
前記第二のプラズマクリーニングは、前記第一のプラズマクリーニングにおける前記ファラデーシールドに印加された電圧より低い電圧を前記ファラデーシールドに印加しながらプラズマクリーニングすることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 塩素を含有するガス以外のガスである第一のガスを用いて磁性膜をプラズマ処理室でプラズマエッチングする第一の工程と、
前記プラズマエッチングされた磁性膜が配置された被処理基板を前記プラズマ処理室から搬出する第二の工程と、
塩素を含有する第二のガスによりプラズマを前記プラズマ処理室内に生成する第三の工程と、
水素を含有するガスによりプラズマを前記プラズマ処理室内に生成する第四の工程とを有し、
前記第一の工程から前記第四の工程までの各工程を順次行う、または、前記第一の工程と前記第二の工程を所定回数、繰り返した後、前記第三の工程と前記第四の工程を行うことを特徴とするプラズマ処理方法。
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