JP2017025407A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. 成膜対象物に成膜材料を成膜する成膜装置であって、
   前記成膜対象物を収納し成膜処理を行う真空チャンバーと、
   前記真空チャンバー内において前記成膜材料の粒子を前記成膜対象物に付着させる成膜部と、
   前記真空チャンバー内に負イオンを生成する負イオン生成部と、を備える、成膜装置。
2. 前記負イオン生成部は、
   前記真空チャンバー内でプラズマを生成するプラズマガンと、
   前記真空チャンバー内へ前記負イオンの原料ガスを供給する原料ガス供給部と、
   前記プラズマを間欠的に生成するように前記プラズマガンを制御する制御部と、を有する、請求項１に記載の成膜装置。
3. 前記負イオン生成部は、前記真空チャンバー内への前記プラズマの供給と遮断とを切り替える切替部を更に有し、
   前記制御部は、前記切替部を切り替えることによって前記プラズマを間欠的に生成するように前記プラズマガンを制御する、請求項２に記載の成膜装置。
4. 前記真空チャンバーは、前記成膜対象物を搬送する搬送室と、前記成膜材料を拡散させる成膜室と、を有し、
   前記成膜室から前記搬送室へ向かう方向と交差する方向の磁力線を有する磁場を発生させることにより、前記成膜室内の電子が前記搬送室へ流入するのを抑制する磁場発生コイルを更に備える、請求項１〜３の何れか一項に記載の成膜装置。
5. 前記磁場発生コイルは、前記真空チャンバー内であって、前記成膜室と前記搬送室との間に設けられている、請求項４に記載の成膜装置。
6. 前記成膜部は、プラズマガンを有し、イオンプレーティング法により前記成膜材料の粒子を前記成膜対象物に付着させており、
   前記成膜部の前記プラズマガンは、前記負イオン生成部の前記プラズマガンと兼用されている、請求項２又は３に記載の成膜装置。
7. 前記成膜部による成膜処理後の前記成膜対象物に正のバイアス電圧を印加する電圧印加部を更に備える、請求項１〜６の何れか一項に記載の成膜装置。
8. 前記負イオン生成部は、前記真空チャンバー内で間欠的にプラズマを生成し、
   前記電圧印加部は、前記負イオン生成部によるプラズマの生成が停止された後に前記成膜対象物に前記正のバイアス電圧を印加する、請求項７に記載の成膜装置。
9. 前記真空チャンバーに隣接して配置され、前記成膜対象物を搬入出する真空ロードロックチャンバーを備え、
   前記真空ロードロックチャンバーは、成膜処理後の前記成膜対象物を前記真空チャンバーから搬入すると共に、搬入された前記成膜対象物を前記負イオン生成部による負イオン生成後に前記真空チャンバーへ搬出する、請求項７又は８に記載の成膜装置。
10. 前記成膜対象物を保持する保持部材を備え、
    前記真空チャンバー内には、トロリ線が延伸して設けられており、
    前記保持部材には、前記トロリ線から給電される給電部が設けられている、請求項７〜９の何れか一項に記載の成膜装置。
11. 前記トロリ線に張力を付与する張力付与部を備える、請求項１０に記載の成膜装置。