JP2009533551A5

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Info

Publication number: JP2009533551A5
Application number: JP2009504629A
Authority: JP
Filing date: 2007-04-10
Publication date: 2013-05-23
Anticipated expiration: 2027-04-10

Description

上記の目的を達成するため、本願発明によれば、少なくとも１つの基材を処理するための真空処理装置であって、処理チャンバと、少なくとも１つのカソードと、チャンバ内で気相で存在する材料のイオンおよび／またはカソードを形成する材料のイオンを発生するためにカソードに付随した電源と、基材キャリアと、基材キャリアおよびその上に存在する基材に負バイアスを印加するためのバイアス電源とを有し、これにより前記イオンを前記少なくとも１つの基材に引きつけ、前記カソード電源は比較的短い持続時間で比較的高い電力パルス（出力パルス）を、例えばＤＣ動作に相当する低い平均電力レベル、例えば約１ＫＷから１００ＫＷの範囲、を生じるインターバルで前記カソードに加えるように適合されている、、真空処理装置において、バイアス電源は、バイアス電流が平均電力レベルに略対応するレベルで流れることを可能にするように適合されており、および前記少なくとも１つのカソードに加えられる比較的高い電力パルスの電力に適合するバイアス電圧を供給するために、比較的低い誘導性および抵抗性インピーダンスの追加の電圧源がバイアス電源に付随している、ことを特徴とする真空処理装置が提供される。

また、このような真空処理装置において使用される電圧源を組み合わせたバイアス電源が提供され、さらには少なくとも１つの基材を処理するための真空処理装置であって、処理チャンバと、少なくとも１つのカソードと、チャンバ内で気相で存在する材料のイオンおよび／またはカソードを形成する材料のイオンを発生するためにカソードに付随した電源と、基材キャリアと、基材キャリアおよびその上に存在する基材に負バイアスを印加するためのバイアス電源とを有し、これにより前記イオンを前記少なくとも１つの基材に引きつけ、前記カソード電源は比較的短い持続時間で比較的高い電力パルスを、例えばＤＣ動作に相当する低い平均電力レベル、例えば約１ＫＷから１００ＫＷの範囲、を生じるインターバルで前記カソードに加えるように適合されている、真空処理装置を操作する方法において、バイアス電源は、バイアス電流が平均電力またはこれ以下に略対応するレベルで流れることを可能にするように適合されるように選択され、および前記少なくとも１つのカソードに加えられる比較的高い電力のパルスの電力に適合するバイアス電圧を供給するために、比較的低い誘導性および抵抗性インピーダンスの追加の電圧源がバイアス電源に付随して設けられている、ことを特徴とする方法が提供される。

Claims

少なくとも１つの基材（１２）を処理するための真空処理装置（１０）であって、処理チャンバ（１４）と、少なくとも１つのカソード（１６）と、チャンバ内で気相で存在する材料のイオンおよび／またはカソードを形成する材料のイオンを発生するためにカソードに付随した電源（１８）と、基材キャリア（２０）と、基材キャリアおよびその上に存在する基材に負バイアスを印加するためのバイアス電源（３２）とを有し、これにより前記イオンを前記少なくとも１つの基材に引きつけ、前記カソード電源（１８）は比較的短い持続時間で比較的高い電力のパルスを、例えばＤＣ動作に相当する低い平均電力レベル、例えば約１ＫＷから１００ＫＷの範囲、を生じるインターバルで前記カソードに加えるものである、真空処理装置において、
バイアス電源（３２）は、バイアス電流が平均電力または電流のレベルに略対応するレベルで流れることを可能にするようになっており、および
前記少なくとも１つのカソード（１６）に加えられる比較的高い電力の電力に適合するバイアス電圧を供給するために、比較的低い誘導性および抵抗性インピーダンスの追加の電圧源（６０）がバイアス電源（３２）に付随されている、ことを特徴とする真空処理装置。
少なくとも１つの基材（１２）を処理するための真空処理装置（１０）であって、処理チャンバ（１４）と、少なくとも１つのカソード（１６）と、チャンバ内で気相で存在する材料のイオンおよび／またはカソードを形成する材料のイオンを発生するためにカソードに付随した電源（１８）と、基材キャリア（２０）と、基材キャリアおよびその上に存在する基材に負バイアスを印加するためのバイアス電源（３２）とを有し、これにより前記イオンを前記少なくとも１つの基材に引きつけ、前記カソード電源（１８）は比較的短い持続時間で比較的高い電力パルスを、例えばＤＣ動作に相当する低い平均電力レベルを生じるインターバルで前記カソードに加えるように適合されている、真空処理装置において、
比較的低いバイアス電流で動作するように適合されると共にバイアス電源により充電され且つ比較的低い誘導性および抵抗性インピーダンスの追加の電圧源と組み合わせて使用されるバイアス電源（３２）が設けられており、、
前記追加の電圧源は、前記少なくとも１つのカソード（１６）に加えられる比較的高い電力の電力に適合するバイアス電圧を供給するために設けられている、ことを特徴とする真空処理装置。
少なくとも１つの基材（１２）を処理するための真空処理装置（１０）であって、処理チャンバ（１４）と、少なくとも１つのカソード（１６）と、チャンバ内で気相で存在する材料のイオンおよび／またはカソードを形成する材料のイオンを発生するためにカソードに付随した電源（１８）と、基材キャリア（２０）と、基材キャリアおよびその上に存在する基材に負バイアスを印加するためのバイアス電源（３２）とを有し、これにより前記イオンを前記少なくとも１つの基材に引きつけ、前記カソード電源（１８）は比較的短い持続時間で比較的高い電力パルスをＤＣ動作に相当する低い平均電力レベル、例えば約１ＫＷから１００ＫＷの範囲、を生じるインターバルで前記カソードに加えるように適合されている、真空処理装置を操作する方法において、
バイアス電源（３２）は、バイアス電流が平均電力または電流レベルに略対応するレベルで流れることを可能にするように適合されるように、選択され、および
前記少なくとも１つのカソードに加えられる比較的高い電力の電流パルスの電力に適合するバイアス電圧を供給するために、比較的低い誘導性および抵抗性インピーダンスの追加の電圧源（６０）がバイアス電源（３２）に付随して設けられている、ことを特徴とする方法。